EFECTO HALL CUANTICO

CHRISTIAN DAVID TOVAR PERDOMO

20052005082
LUIS EDUARDO RAMIREZ JEREZ
20042004082

Resumen: En el presente artculo se
realiza una recopilacin de las
caractersticas del Efecto Hall clsico y
cuntico, sus avances en la metrologa y
funcionamiento.

Palabras claves: Resistividad, campo
magntico, campo electric,
perpendicularidad.

Abstract: This article provides a
compilation of the characteristics of
classical and quantum Hall effect, its
advances in metrology and performance.

1. INTRODUCCION

El estudio de las propiedades de
transporte de los sistemas
electrnicos en 2D en los campos
magnticos, llevo al descubrimiento
del efecto hall cuntico, uno de los
descubrimientos ms
extraordinarios en la moderna fsica
slida. Veremos la relacin
existente entre el campo magntico
y la resistividad de hall y la
cuantificacin del movimiento orbital
en los niveles de landau.

Los efectos de los campos
magnticos en los sistemas de
electrones 2D tienen importantes
consecuencias prcticas.

Tendremos que la tensin de Hall
de un sistema de electrones 2D en
mesoscpica se cuantifica en el
voltaje de "mesetas" En
consecuencia, ambos, la
conductancia y su resistencia
inversa, tambin se cuantifican.
El hecho impresionante de esta
cuantificacin es que es
independiente tanto de los
materiales semiconductores que
forman la heteroestructura cuntica,
y de la geometra de la muestra.

Los valores de la tensin "mesetas"
son tan precisos que han conducido
a la introduccin de una nueva
constante universal, la constante de
von Klitzing. Esta resistencia se ha
utilizado desde 1990 para la
determinacin de la norma
resistencia (ohmio) en el sistema SI.

2. HISTORIA

En 1880 Edwin Herbert Hall estudio
el comportamiento de una corriente,
en una lmina de material conductor
y bajo la influencia de un campo
magntico perpendicular a la
misma. Este experimento es
conocido desde entonces como el
Efecto Hall. Cien aos ms tarde,
K.von Klitzing, G.Dorda y M.Pepper,
descubrieron que el Efecto Hall, en
condiciones de temperatura muy
baja y campos magnticos intensos,
manifestaba caractersticas
diferentes a las observadas por
Hall, que lo identificaban como un
fenmeno claramente cuntico. La
trascendencia de este hallazgo fue
reconocida, tan solo cinco aos
despus, con la concesin del
Premio Nobel de Fsica de 1985 a
Klaus von Klitzing.


3. EFECTO MAGNETICO DE
UN CRYSTAL

En primer lugar vamos a examinar
el efecto de un campo magntico
sobre los electrones de conduccin
en un slido.
El colapso de los estados de
energa de electrones de
conduccin en los niveles de
Landau, y la variacin del flujo
magntico B producen las
oscilaciones de la resistividad
elctrica en funcin del campo
magntico, esto ocurre gracias a la
cuantificacin de la energa de los
electrones bajo la accin de un
campo magntico como:

Donde

Es la frecuencia del ciclotrn.

Los ciclotrones son los orbitales que
van a determinada frecuencia en el
plano (x,y). Y en la ecuacin (1) n
corresponde a los diferentes niveles
de landau.

Figura 1. Energia dependiendo los niveles de
landau.

4. DENSIDAD DE ESTADOS

Hemos visto en el apartado anterior
que si un fuerte campo magntico
se aplica perpendicular a un sistema
de electrones cuasi-bidimensional
generan los ciclotrones u orbita de
movimiento a una frecuencia wc, y
que la energa se cuantifica, por lo
tanto una funcin con respecto al
gas y la densidad de este muestra
una grfica constante independiente
de la energa para cada sub-banda.
Figura 2. Energa vs densidad de estados



4. EFECTO HALL CLASICO

El efecto Hall consiste en la
aparicin de un campo
elctrico en un conductor
cuando es atravesado por un
campo magntico. A este
campo elctrico se le llama
campo Hall. Llamado efecto
Hall en honor a su descubridor
EdwinDuntey Hall.

Este se produce al aplicar un
campo magntico
perpendicular a una lmina
conductora en la que tenemos
un flujo de corriente. Se crea
entonces un campo elctrico
perpendicular a ambos.


Figura 3. Diagrama efecto hall.

Dnde:

B= Campo Magntico.

J= Densidad de corriente elctrica.

E= Campo elctrico en la direccin
de y.

Podemos ver que todos los vectores
son perpendiculares entre s.

De la cual podemos expresar la ley
de ohm:

Dnde:

=Campo elctrico en x

= Conductividad elctrica en el
vaco.

La conductividad elctrica depende
de la concentracin de portadores y
est dada por la siguiente funcin.

La resistencia Hall depende de la
densidad de portadores, de la
intensidad del campo magntico y
de la anchura de la lmina y est
dada por:

5. EFECTO HALL
CUANTICO

A diferencia del efecto hall clsico,
que se necesit una lmina muy
delgada de material conductor, sin
embargo la aplicacin ms
importante ha sido la determinacin
de la densidad de portadores de
carga en materiales
semiconductores. El efecto hall
cuntico se produce bajo distintas
circunstancias:

Muestra material
semiconductor.
Crear un gas de electrones
bidimensional.
Campo magntico muy
intenso cerca de 15 Teras.
Temperaturas muy bajas del
orden de los 2 grados Kelvin.
Campo magntico
perpendicular.

RESISTIVIDAD HALL

Lo ms sorprendente es que al
analizar en estas condiciones la
resistencia hall los resultados no
fueron como esperaban que la
resistencia cambie linealmente. si
no que se comportaba constante en
unos rangos de tiempo y despus
aumentaba dando forma de meseta
a su comportamiento.
En conclusin la resistividad
apareca cuantiZada como un
mltiplo entero de:

Donde

y es lacarga del electron



A continuacin se muestra la grfica
de la resistividad con respecto al
campo magntico.


Figura 4. Campo magntico vs Resistividad

De ac podemos concluir que
primero que todo necesitamos
campos magnticos altos para
alcanzar esta condicin y que las
mesetas estn separadas por
intervalos de comportamiento
normal.

En los intervalos correspondientes a
las mesetas el tensor de
conductividad es:

Donde i= 1,2,3..n

Y de aqu se obtuvo la resistividad
mxima es de:

Cuando i=1.

Cuando los electrones libres estn
totalmente coalicionados y llenan un
nivel generan un flujo magntico
total. Para cada cambio de
resistencia en la meseta se genera
el pico en el nivel de densidad.



Figura 5. Densidad magntica vs niveles de
energa


Podemos observar los picos y por lo
tanto para valores enteros, para un
nivel tenemos el pico ms alto y
vamos aumentado el nivel y se
disminuye la resistencia son
inversamente proporcionales

La cuantizacin de la resistencia
ocurre variando el campo magnetico
externo H. Ya que con este se
puede variar los niveles de landau a
trabajar:












L L
n
n
N
N

hc
eH
n
L

6. APLICACIONES
METROLOGICAS.

La ventaja de las constantes
fundamentales:

No dependen de las
condiciones ambientales.
Se pueden realizar en
cualquier parte del mundo.
Una de las aplicaciones ms
importantes es el nivel de
resistencia para la medicin
del pico de la meseta
cuando n=1, esta norma es la
constante de Von Klitzing:

Este nuevo valor fue escogido en
1998 despus de exhaustivas
pruebas el cual tiene una mejora de
aproximacin de tres rdenes de
magnitud con respecto a la primea
norma de 1990.

Esta por su parte posee mejor
resolucin el orden de una pocas
partes de 1010, por lo que su
precisin aumento en un orden de
10-9.

Importante que la resistencia Rk no
dependa de las propiedades del
material, gracias a esta condicin en
la prctica se utilizan dos muestras
uno basado en el Si-mosfet y otro
en heteroestructuras.

A pesar de estas no depender de
formas geomtricas se debe tener
cuidado en no exceder el valor
crtico de la densidad de corriente o
de lo contrario ocurrir la ruptura del
IQHE


7. CONCLUSIONES

El efecto Hall cuntico servir para
la nanotecnologa de tal forma que
mediciones para procesos electicos
puedan ser ms exactas debido a
cambios muy pequeos. Tambin
gracias a sus caractersticas est
basado en clculos que requieren
constantes y no dependen del
material.


8. BIBLIOGRAFIA


J.M Martinez- Duart, R.J Martin-
Palma. Microelectronics and
Optoelectronics, pp. 173-195.
es.wikipedia.org/wiki/Efecto_
Hall
www.profesorenlinea.cl/fisica/
EfectoHall.htm
es.scribd.com/doc/5019646/E
fecto-Hall
www.uam.es/gruposinv/nano
phot/Web.../Quantum_Hall_E
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campus.usal.es/~mpg/Gener
al/TesisMarina.pdf