Instituto Tecnolgico de Morelia

Departamento de Ingeniera Electrnica

Mediciones Elctricas







Practica No. 4














Objetivo:
Comparar los resultados de la teora, los valores obtenidos en un simulador y los valores medidos en la prctica
de un diodo de unin p-n.
Procedimiento:
-Conseguir un diodo de unin p-n de propsito general.
-Conseguir las hojas de datos del fabricante para conocer los datos de mxima corriente y voltaje de ruptura.
-Medir el voltaje del diodo en polarizacin directa desde la corriente mxima hasta tres rdenes de magnitud
abajo dela corriente mxima.
-Con la ayuda del profesor medir el voltaje de ruptura a las condiciones dadas por el fabricante.
-Simular el circuito para comparar los resultados prcticos con los simulados y los tericos.






Diodos Semiconductores.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito
principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para
asegurar que las puntas de conexin permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Existen tres factores que
delimitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica
del diseo de la red, y los lmites del equipo de manufactura y procesamiento.
Los diodos de silicio en general, tienen especificaciones de PIV y corrientes ms altas y rangos ms amplios que
los diodos de germanio. Las especificaciones PIV para el silicio pueden estar en la vecindad de 1000 V, mientras
que el valor mximo para el germanio esta cerca de 400V. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las
cuales la temperatura puede subir alrededor de 200C, mientras el germanio tiene especificacin mxima ms
baja, hasta 100C. Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos elctricos de baja potencia. Las
polarizaciones de voltaje ms bajas resultan en prdidas de potencia ms pequeas, lo que permite que el circuito
sea ms eficiente elctricamente. Los diodos de germanio tambin son apropiados para circuitos de precisin, en
donde las fluctuaciones de tensin deben mantenerse a un mnimo. Sin embargo, los diodos de germanio se
daan ms fcilmente que los diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes diodos de propsito general
y se pueden utilizar en casi todos los circuitos elctricos que requieran de un diodo. Los diodos de silicio son
ms duraderos que los diodos de germanio y son mucho ms fciles de obtener. Mientras que los diodos de
germanio son apropiados para circuitos de precisin, a menos que exista un requisito especfico para un diodo de
germanio, por lo general es preferible utilizar diodos de silicio cuando se fabrica un circuito.


Caractersticas principales.
La etiqueta semiconductor por s misma, nos proporciona una pista en cuanto a las caractersticas de este
dispositivo. El prefijo semi se aplica por lo general a todo aquello que se encuentre a la mitad entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que permita un flujo considerable de carga debido a la
aplicacin de una cantidad limitada de presin externa.
El semiconductor, por tanto, es un material que contiene un nivel de conductividad en algn lugar entre los
extremos de un aislador (de muy baja conductividad) y un conductor, como el cobre, que tiene un alto nivel de
conductividad, menor ser el nivel de resistencia.
Ejemplos:


Valores tpicos de Resistividad ( a 300K, temperatura ambiente)
Rho= =10
-6
*Cm (cobre) Rho= = 50 *Cm (germanio) Rho= = 10
12
*Cm (mica)
Rho= = 50 x 10
3
*Cm (silicio)
Conductor Semiconductor Aislador


Ntese que en la tabla la amplia gamma de materiales entre los materiales conductores y los aisladores para un
material de 1cm de largo.
El germanio y el silicio han atrado la atencin por variedad de razones. Una de ellas es que pueden fabricarse
con un alto nivel de pureza
La capacidad para cambiar las caractersticas del material de manera significativa a travs de procesos como la
impurificacin, es otra de las razones por la que el Germanio y el silicio han recibido tanta atencin.
Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse notablemente mediante la aplicacin
de calor y luz.
Algunas de las Cualidades nicas del GE y del SI sealadas se deben a sus estructura atmica. Los tomos de
ambos materiales forman un patrn bastante definido que es de naturaleza peridica (esto es, el mismo que se
repite en forma continua). Un patrn completo se denomina Cristal. El Cristal es un arreglo peridico ordenado
de tomos, que determina la facilidad o la complejidad del trnsito de electrones.

Materiales tipo p y tipo n
Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden alterarse de modo considerable mediante la adicin
de ciertos tomos de impureza en el material semiconductor relativamente puro. Aunque la impureza se agregue
en 1:100 000 000, se puede alterar de manera considerable la estructura de las bandas, lo suficiente como para
cambiar totalmente las propiedades elctricas del material.
Eso significa que el material semiconductor ha sido sometido al proceso ya mencionado de impurificacin y se
denominar material extrnseco.

Material tipo n
El material tipo n se crea aadiendo todos aquellos elementos de impureza que tengan cinco electrones de
valencia (pentavalentes), como antimonio, arsnico y fsforo.
Estas impurezas son agregadas al semiconductor en una porcin pequea, por lo que quedan 4 enlaces
covalentes presentes. Sin embargo hay un quinto electrn adicional debido al tomo de impureza, el cual no est
asociado con algn enlace covalente. Puesto que el tomo de impureza insertado ha donado a la estructura un
electrn relativamente libre, las impurezas con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores.

Material tipo p
Este material se forma impurificando un cristal puro de germanio o silicio con tomos de impureza que tengan
tres electrones de valencia. Los elementos que se emplean con frecuencia mayor para el propsito de
impurificacin son el boro, el galio y el indio.
Al impurificar, en el material tipo p, resulta una vagancia que se denomina hueco y se presentan por medio de un
pequeo crculo o signo positivo, esto debido a la ausencia de carga negativa puesto que la vagancia resultante
aceptar de inmediato un electrn libre, las impurezas aadidas reciben el nombre de tomos aceptores. El
material tipo p resultante es elctricamente neutro, por las mismas razones que las del material tipo n.
Los materiales tipo p y tipo n presentan bloques constitutivos fundamentales de los dispositivos semiconductores.
La unin de un material tipo p y uno tipo n producir variedad de elementos semiconductores, pero
primeramente se analizar el ms simple de ellos.

El Diodo Ideal
Dispositivo de uso electrnico que se denomina el ms simple de los dispositivos semiconductores, pero
desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en una gran
medida a las de un sencillo interruptor.
Existen ciertos conceptos que se deben de tener muy claros, dgase los smbolos literales, las polaridades de
voltaje y las direcciones de corriente.

El smbolo del diodo convencional es:











Uno de los parmetros importantes para el Diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin.












Si en la Grfica anterior se considera que la regin del cuadrante superior derecho se encuentra la resistencia
directa de acuerdo con lo que le define la ley de Ohm es:

Es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentre en la regin de conduccin o en la de no
conduccin observando tan solo la direccin de la corriente

establecida por el voltaje aplicado, indicado en la

siguiente figura:








Tambin se observa en la grfica que el diodo ideal, se ven los estados de conduccin y de no conduccin del
diodo ideal.


Caracterstica del diodo semiconductor: escala contina sobre los ejes vertical y horizontal.


Es posible demostrar, utilizando la fsica del estado slido, que esta corriente de diodo puede
relacionarse matemticamente con la temperatura (Tk) y la polarizacin aplicada (V) de la siguiente
manera:

)
Donde

= corriente de saturacin inversa

K=11,600/ =1 para el Ge, y =2 para el Si, en caso de pequeos valores de

+ donde

son grados kelvin

Con este factor exponencial depende mucho de las especificaciones tcnicas para cada tipo de diodo.
Para el 1N4001 se mostrarn los resultados obtenidos.
SI MULACI ON DE CI RCUI TO:






GRAFICA CALCULOS SIMULADOS:





CALCULOS TEORI COS:
Se toma como base datos en mediciones para obtener





GRAFICA CALCULOS TEORICOS:

APLICADO FORMULA Y TOMANDO PUNTO INTERMEDIO:

(
(

)
)

(
(

)
)

CALCULOS TEORI COS DE VOLTAJ E EN DI ODO:

)




Datos obtenidos en mediciones prcticas:
















Mediciones prcticas
Para medir el voltaje de corte de nuestro diodo se utiliz un variac















Esto para ayudarnos a obtener

















GRAFICA MEDICIONES PRCTICAS:



















Por lo visto en las grficas, no coincide con la grfica del diodo ideal. Esa diferencia se explicar en la
hiptesis siguiente:

Hiptesis
Mezclando la teora y lo prctico encontramos, que la teora se esfuerza en explicar o predecir los resultados de
experimentos con base a los clculos mientras la prctica es la que valida las teoras y es cuando se da una
comprobacin.
En esta ocasin se arm un circuito que contena un diodo con la matrcula 1N4001 en serie con una resistencia
variable, sta con el fin de poder controlar la corriente del circuito y as mismo poder medir la cada del voltaje
en el diodo, adems de trazar su grfica con el mtodo practico y compararla con la grfica del diodo ideal.
En un circuito como este se usa una resistencia para no estropear el diodo, esto se ve dndole valores al voltaje
de entrada y viendo las intensidades que salen, que a partir de 0.7 V, aumentan mucho como se ve claramente en
la grfica de la caracterstica del diodo. Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por
el diodo, se calcula la resistencia para limitar la corriente.









Donde el diodo ideal es un componente que presenta una resistencia nula, al paso de la corriente en un
determinado sentido y resistencia infinita en el sentido opuesto, por esto se dice que tiene caractersticas
similares a las de un interruptor, en el cual con palabras ms simples se en una polarizacin es conductor y en
polarizacin inversa a la misma impide el paso.
Cuando la corriente es positiva (anodo-catodo) el voltaje a travs del diodo ideal es cero
I>0 entonces v=0
Cuando el voltaje a travs del diodo ideal es negativa entonces la corriente en ste es cero
V<0 entonces I=0
Eso es en el diodo ideal pero observamos que, en forma simplificada la curva caracterstica de un diodo consta
de 2 regiones:
Por debajo del voltaje de umbral (0.7v) se comporta como un circuito abierto.
Por encima del voltaje de umbral (0.7v) se comporta como un circuito cerrado con una resistencia muy
pequea.
Sin tener una seal variable aplicada, el punto de operacin es estable y se indica como Punto Q (Q de
quiescent en ingls, estable o sin variacin en espaol).

Para establecerla, consideramos una recta tangente al punto Q determinada.
En cuanto a los valores:
A mayor pendiente de esta recta tangente, menor resistencia
Entonces, en la regin de crecimiento vertical de la curva caracterstica la resistencia ser mucho ms alta para
niveles de corriente bajos (menor pendiente).
Sin embargo en lo prctico al obtener las mediciones y graficar, nos encontramos con que nuestros valores eran
cercanos pero no iguales a los tericos, as que en la grfica de clculos prcticos no es como la esperada.
Esto se puede deber a muchos factores respecto a las mediciones uno de ellos podra ser que el multmetro
utilizado tuviese una matriz de procesamiento pequea y por lo tanto genera pocos o ningn decimal, por ende
redondea los valores decimales a enteros superiores o inferiores dependiendo de la magnitud; sin embargo
existen ocasiones en las que, no tomar en cuenta los posibles errores en que se incurren, al utilizar instrumentos,
nos puede llevar a obtener resultados inadecuados, y por consiguiente tomar una decisin equivocada. El llevar a
cabo una medicin es importante, pero igualmente importante es determinar si la medicin es correcta dado que
se busca si existe algn tipo de error en la medicin, el cual puede ser provocado por el equipo, la instalacin, o
un error humano de medicin.
Al hacer mediciones, las lecturas que se obtienen nunca son exactamente iguales, aun cuando las efecte la
misma persona, sobre la misma pieza, con el mismo instrumento, el mismo mtodo y en el mismo ambiente. Los
errores surgen debido a la imperfeccin de los sentidos, los medios variables, la observacin, las teoras que se
aplican, los aparatos de medicin que como lo hemos notado con la practica nos son maquinas perfectas y tienen
errores, las condiciones ambientales y de otras causas.
Entre las causas de errores se encuentran las condiciones ambientales en que se hace la medicin; entre las
principales destacan la temperatura, la humedad, el polvo y las vibraciones o interferencias (ruido)
electromagnticas extraas.

1. Humedad.

2. Polvo.

3. Temperatura.

Todos los materiales que componen tanto las piezas por medir como los instrumentos de medicin, estn sujetos
a variaciones longitudinales debido a cambios de temperatura. Para minimizar estos errores se estableci
internacionalmente, desde 1932, como norma una temperatura de 20C para efectuar las mediciones. En general,
al aumentar la temperatura crecen las dimensiones de las piezas y cuando disminuye la temperatura las
dimensiones de las piezas se reducen, esto debido a propiedades fsicas de dilatacin y contraccin de los
materiales que conforman el diodo.
O simplemente la calidad del propio material semiconductor, la tcnica del diseo de la red o los lmites del
equipo de manufactura y procesamiento, esto se debe a que se manufacturan por lotes y aunque el lote tenga la
misma matricula, cada transistor puede tener caractersticas diferentes, como por ejemplo el voltaje de corte
puede variar siendo superior al especificado en las hojas del fabricante, mas nunca inferior.





CONCLUSIONES:
Un diodo es un dispositivo no lineal porque su corriente no es directamente proporcional a su voltaje.
Por debajo de los 0.7 V, la corriente aumenta rpidamente. Esto es muy diferente a lo que sucede en un
resistor ordinario en el que la corriente aumenta en proporcin directa al voltaje. La razn de que el
diodo sea diferente es porque ste tiene una barrera de potencial. Es como si el diodo tuviese adentro
una pequea pila de 0.7 V, la corriente es muy pequea hasta el momento en que el voltaje aplicado
puede contrarrestar esta pequea pila.
El diodo permite la circulacin de corriente slo cuando se encuentra polarizado en forma directa ya
que en la zona de polarizacin positiva, antes de V
umbral
la pendiente de la recta que se aproxima a la
caracterstica tiende a cero por tanto, su resistencia ser elevada. Si se sobre pasa la Vu, la pendiente es
muy grande, y por tanto, la resistencia reducida. As, la pendiente de la curva se modifica segn sea el
punto de trabajo (Q) en el que se encuentre el diodo.
El diodo en polarizacin inversa no permite el paso de la corriente y se comporta como un aislante,
pero si se supera un cierto valor de tensin, que vendra siendo el valor de voltaje de ruptura
especificado en las hojas del fabricante, entonces se produce un efecto de conduccin brusca que puede
deteriorar el diodo.
El funcionamiento de un diodo ideal sera que funcionara como un interruptor:
En polarizacin directa que actuara como un cortocircuito (R = 0 ohmios).
En polarizacin inversa que actuara como un circuito abierto (R = infinito).

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente
elctrica a travs de l en un solo sentido.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo consta de dos regiones: por debajo de cierta
diferencial de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como
un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces
de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna
en corriente continua.
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristalsemiconductor como el silicio con impurezas en
l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor
de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado
semiconductor tipo p.

A partir de datos fsicos del semiconductor se desprende la siguiente frmula:

(

)
Donde:
ser la corriente que circula por el circuito. (La corriente por lo general en polarizacin directa crecer
de forma exponencial y la cada de tensin por lo general estar entre los .)

Ser la corriente de saturacin. (Cuando una tensin o voltaje inverso es aplicado sobre un diodo
ideal, este no conduce corriente, pero todos los diodos reales presentan una fuga de corriente muy
pequea de unos pocos A (

) o menos.
= 11,600/ , donde depende de las especificaciones tcnicas del fabricante del diodo. Por lo
general oscila entre 1 para el germanio, y 2 para el silicio.

Donde tk es la temperatura en grados kelvin, ya que en las hojas tcnicas el voltaje que
se puede suministrar a travs del diodo depende, como es evidente, de la temperatura.
Para hacer una medicin del diodo con el multmetro, debemos conocer la terminal nodo, y el
ctodo. Que el ctodo es la que tiene la raya o banda blanca.
Lo que siempre nos interesa el medirlo fuera del circuito es si el diodo est en estado servible o no
daado. Cuando el nodo se pone a la parte positiva y el ctodo a la parte negativa, el multmetro debe
de dar una lectura que oscila en valores pequeos (que tambin estn previamente sugeridos por el
fabricante en el manual del diodo especfico que vayamos a medir), si se invierte la polaridad, mostrar
una medida como si el diodo estuviera en corto. Esto nos indica que el diodo no est daado.

Al polarizar un diodo se comporta similar al funcionamiento de un interruptor, particularmente en polarizacin
directa el diodo se comporta como el interruptor cerrado (o como en corto circuito), es decir, permite la
circulacin de la corriente en el sistema, en cambio en polarizacin inversa acta como un interruptor abierto por
lo que no permite el flujo de electrones.
La primera observacin que podemos hacer observando los resultados es que los valores medidos se diferencian
un poco ya que la fuente utilizada en la prctica no ofreca el voltaje de 12 volts exacto y en los montajes en los
que los diodos se encontraban en polarizacin inversa no se encontraba una corriente y por lo tanto tampoco
voltaje en la resistencia.
Recordando la Ley de Ohm, donde la resistencia es el cociente de V e I. Dado que la curva del diodo no es lineal
(no es una recta sino una curva), cuando el punto de operacin de un diodo se mueve de una regin a otra, la
resistencia del diodo cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica. Esto porque cuando se
grafica el comportamiento del diodo en polarizacin directa se obtiene una respuesta exponencial.

El diodo es un componente bsico para la construccin de gran variedad de circuitos electrnicos
usados actualmente, este est formado por materiales semiconductores como el germanio (Ge) y el
silicio (Si) con impurezas como el boro, aluminio, antimonio entre otros, depende de los electrones de
valencia que tenga la impureza aadida en pequea cantidad, el diodo es de tipo p o n. La mxima
corriente y la mxima potencia de un diodo estn relacionadas. Como ocurre con una resistencia, un
diodo tiene una limitacin de potencia que indica cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de
acortar su vida ni degradar sus propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin en el
diodo y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste
Son dispositivos electrnicos que se utilizan para controlar la direccin del flujo de corriente en un
circuito, en polarizacin directa el diodo funciona como un interruptor cerrado y en polarizacin
inversa el diodo funciona como un interruptor cerrado.
Para armar este circuito se utiliza una resistencia y un diodo de tal forma que la resistencia limite la
corriente que entra al diodo para evitar estropearlo. Esto se debe a que el diodo a partir de 0.7V
aumenta de manera descomunal la corriente.
En la prctica se pudo apreciar que los valores obtenidos eran muy similares a los valores tericos, esto
quiere decir que el error debido a los aparatos, efectos ambientales, error humano, entre otros, es
mnimo en comparacin con practicas anteriores.