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PRCTICA N 3
CIRCUITOS NO LINEALES
3.1. Semiconductores
Un semiconductor es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y
mayor que la de un aislante. La conductividad o conduccin de cualquier sustancia depende, en
parte, del nmero de electrones libres que posee. En un conductor, el nmero de electrones libres
est en el orden de ~10
23
electrones/cm
3
, mientras que para los semiconductores es del orden de
~10
13
electrones/cm
3
y para un aislante es muchsimo menor. Este nmero de electrones libres en
un semiconductor depende de una serie de factores como: calor, luz, campos elctricos y
magnticos, as como de la cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
A continuacin se estudiarn algunas caractersticas de las substancias empleadas en la
construccin de semiconductores, como son el germanio y el silicio.
Un cristal de germanio o de silicio puro carece de electrones libres y no es conductor. Slo
a altas temperaturas se produce cierto grado de conduccin debido al rompimiento de los enlaces.
Sin embargo, estas sustancias pueden hacerse conductoras aadiendo al cristal cierta cantidad de
impurezas.
Las impurezas son tomos de una sustancia que, aadidos al germanio o silicio, entran a
formar parte de su estructura cristalina, aumentando la conductividad. Pueden ser donadoras,
cuando sus tomos tienen cinco electrones en la capa exterior, como el arsnico, el fsforo, el
antimonio, etc.; y aceptadoras, cuando sus tomos tienen tres electrones en la ltima capa, como
el aluminio, el indio, el galio, etc.
Cuando un tomo de una impureza donadora sustituye a un tomo del semiconductor,
comparte cuatro de sus electrones de valencia con sus respectivos cuatro tomos vecinos (ver
Figura 31). El quinto electrn de valencia de la impureza no ser compartido y estar en libertad
de moverse, contribuyendo de esta manera a la conductividad del material. As, habr en el
material un exceso de portadores negativos (electrones). Los semiconductores as constituidos
son llamados tipo N.
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Figura 31
Las impurezas aceptadoras estn constituidas por tomos de valencia tres, como, por
ejemplo, galio o indio. Al ser sustituido un tomo de un semiconductor intrnseco por un tomo
de una impureza aceptadora, slo tres tomos de la impureza pueden ser compartidos, quedando
un enlace incompleto o hueco (ver Figura 32), el cual puede ser ocupado por un electrn de un
enlace vecino, producindose el movimiento de un hueco en sentido contrario al del movimiento
del electrn. Por esto, los responsables de la conduccin sern los huecos. A los semiconductores
con este tipo de impurezas se les llama tipo P, ya que hay un exceso de portadores de cargas
positivas o huecos.
3

Figura 32
Es importante tener presente que la conduccin en los semiconductores tipo N es debida a
los electrones no compartidos, crendose as una corriente electrnica o de portadores negativos,
mientras que en los semiconductores tipo P la conduccin se debe a los huecos (ausencia de carga
negativa) o portadores de corriente positiva. En este ltimo caso, los huecos no se mueven
realmente, pero el desplazamiento de electrones entre huecos hace que stos aparezcan en sitios
diferentes del cristal y provocando un movimiento equivalente (ya mencionado) en sentido
contrario al del electrn. Cuando se aplica un campo elctrico al cristal dopado, se observa que
los huecos se desplazan hacia el potencial negativo. La Figura 33 muestra cmo se
desplaza el hueco a travs del cristal (la figura se encuentra representada en dos dimensiones para
simplificar la comprensin, aunque el movimiento se da en tres dimensiones).
Todo tomo que pierde o gana un electrn recibe el nombre de in. Los tomos donadores
producen iones positivos; los aceptadores, iones negativos.
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Figura 33

3.1.1. El Diodo Semiconductor
Un diodo semiconductor es un elemento formado por la unin de dos porciones de
semiconductores con diferente dopado, uno tipo N y otro tipo P. La superficie de contacto de
estos dos cristales (P y N) se denomina unin PN o NP.
En la Figura 34 se representan: los tomos aceptadores, con el signo menos () dentro de un
crculo (iones negativos); los donadores, con el signo ms (+) dentro de un crculo (iones
positivos); los huecos por un punto y los electrones por signos menos ().
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Figura 34
A simple vista se puede considerar que los huecos y los electrones se neutralizarn en todo
el cristal. Sin embargo, esto sucede slo en una regin prxima a la unin, ya que los electrones
de la seccin N inmediatos a la unin se difunden por la seccin P, es decir, los electrones del
material tipo N se recombinan con los huecos del material tipo P; esto en una zona cerca de la
unin. Esto hace que en las inmediaciones de la junta queden sin equilibrio iones negativos del
cristal P e iones positivos del cristal N, quedando as un dficit de electrones en la porcin tipo N
de la junta (polaridad positiva) y un dficit de huecos en la porcin tipo P (polarizacin negativa).
De esta manera se produce un campo elctrico E
r
*
, que va del material tipo N hacia el tipo P (ver
Figura 34). A este campo elctrico E
r
est asociada una diferencia de potencial V (potencial de
barrera o conduccin)
**
y se le denomina carga espacial, barrera de unin o regin de
agotamiento. Cuando la magnitud de este campo alcanza un valor determinado cesa la difusin,
porque los electrones carecen de energa para vencer el campo y se produce el equilibrio en el
resto del cristal.
Se puede hacer que exista conduccin a travs de la carga espacial aplicando a los extremos
del diodo semiconductor una diferencia de potencial o tensin, la cual recibe el nombre de
polarizacin y permite que los electrones adquieran suficiente energa para vencer dicha carga
espacial.

*
Campo electrosttico, ya que en las inmediaciones de la unin quedan sin equilibrar iones negativos del cristal P e
iones positivos del cristal N.
**
ste es el mnimo potencial al cual hay que someter al diodo semiconductor para que comience a conducir
corriente en el orden de los miliamperes.
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En la Figura 35 se presenta el smbolo del diodo semiconductor.

La flecha indica la direccin en que la
corriente fluye fcilmente (de P a N)


Figura 35
3.1.2. Polarizacin Directa
La polarizacin directa, o paso fcil, se produce cuando el terminal positivo de la fuente de
tensin est unido al cristal tipo P y el terminal negativo al tipo N.











Figura 36
Los huecos del cristal tipo P y los electrones del N son repelidos por los respectivos
terminales de la fuente hacia la unin y neutralizan a los iones negativos y positivos situados en
los lmites de la carga espacial. De esto, la fuente en polarizacin directa reduce la carga espacial.
La conduccin se produce debido a la energa suministrada por la fuente y a que la carga
espacial es ahora ms dbil. Los electrones del material N pasan al P y se combinan con los
huecos. Por cada hueco que entra en combinacin se rompe un enlace en el material tipo P para
neutralizar la carga negativa y uno de sus electrones es atrado por el terminal positivo de la
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fuente, abandonando el semiconductor. Simultneamente, para neutralizar la carga positiva que
qued en el cristal N por la prdida del electrn combinado con el hueco del material tipo P, entra
en el diodo semiconductor otro electrn, proveniente del terminal negativo de la fuente. La
combinacin contina mientras se tenga aplicada la diferencia de potencial, con lo cual se
mantiene el flujo de electrones (corriente) desde el cristal P al N a travs del circuito exterior.
Si se aumenta la polarizacin directa, aumenta la corriente. Sin embargo, existe una
pequea limitacin en el paso fcil debida al potencial de barrera de la junta, el cual, para diodos
de silicio, se encuentra entre 0,6 V y 0,7 V, y para los de germanio, entre 0,3 V y 0,4 V. Para
voltajes externos superiores al potencial de barrera, el diodo comienza a producir corrientes
grandes, en el orden de los miliamperes. Si es excesiva la polarizacin directa, se rompe la
estructura cristalina. La tensin empleada normalmente en este tipo de polarizacin es de 1 V a
1,5 V.

3.1.3. Polarizacin I nversa
Se establece que un diodo semiconductor est polarizado inversamente, o en paso difcil,
cuando el terminal positivo de la fuente de tensin est conectado al cristal tipo N y el terminal
negativo al cristal tipo P (Figura 37).
En este caso, los huecos del cristal P son atrados por el terminal negativo de la fuente y los
electrones del cristal N por el terminal positivo, separndose ambas cargas de la unin, con lo
cual se ensancha la carga espacial y no hay corriente. Una polarizacin inversa excesiva rompe la
estructura del cristal. Al desaparecer la tensin de polarizacin el diodo semiconductor vuelve a
su estado normal, a menos que el sobrecalentamiento lo haya daado. En las aplicaciones
normales deben evitarse las tensiones excesivas.

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Figura 37

Un aspecto interesante que ocurre en este tipo de polarizacin y para ciertos diodos, es
cuando el voltaje inverso aplicado excede un cierto valor caracterstico del tipo de diodo
semiconductor, la corriente inversa aumenta violentamente debido a la produccin de pares libres
electrnhueco que tienen movilidad y que son generados por dos mecanismos: la ruptura de
enlaces covalentes debida al campo elctrico aplicado y/o el efecto de avalancha originado por
portadores que ganan suficiente energa cintica como para poder ionizar tomos con los cuales
chocan. Los dos mecanismos pueden estar presentes en el mismo semiconductor. El rango de
voltaje donde ocurre la ruptura depende del mecanismo que predomine de acuerdo al tipo de
diodo. Los diodos semiconductores diseados para trabajar bajo esta condicin de polarizacin
inversa se denominan diodos Zener y su smbolo es el mostrado en la Figura 38.
.
Figura 38

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3.1.4. Curva Caracterstica del Diodo Semiconductor



Figura 39

En la Figura 39 se representa la curva de corriente en funcin de la tensin de polarizacin.
En la regin de polarizacin directa, se puede observar que la corriente crece muy rpido
alrededor del potencial de conduccin o potencial de barrera. En la zona de polarizacin inversa,
la corriente es baja pero no cero. Esto debido (como se mencion anteriormente) a que en el
cristal N existen algunas impurezas de tomos aceptadores y, por tanto, huecos, mientras que en
el cristal tipo P existen algunas impurezas de tomos donadores y, por tanto, electrones libres. A
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estas impurezas se les llama portadores minoritarios, porque son muy pocos comparados con los
portadores mayoritarios que, como sabemos, son los huecos en el cristal P y los electrones en
el N.
Como puede observarse, cuando la polarizacin inversa es muy grande, aparece una
corriente inversa muy alta sin aumento, prcticamente de la tensin. A esta tensin se le
denomina tensin Zener.
De lo expuesto anteriormente se puede establecer que un diodo ofrece una baja resistencia
cuando est polarizado directamente y ofrece una alta resistencia cuando est polarizado
inversamente.

3.1.5. Tipos de Diodos
Segn su construccin, se podra decir que existen dos tipos de diodos: de contacto por
punta y de unin.
Los de contacto por punta estn formados por un cristal semiconductor montado sobre una
base de metal y por un alambre terminado en punta, la cual hace contacto a presin con el
semiconductor. Un terminal de conexin exterior va soldado al extremo libre del alambre y el
otro a la base del metal. El alambre suele ser de aleacin de platino, tungsteno, bronce fosforoso,
etc. El cristal semiconductor, de silicio tipo P o germanio tipo N. En realidad, no existe unin P
N en este tipo de diodo.
Los diodos de unin estn formados por la unin de dos cristales de diferentes clases: uno
tipo N y otro P. Los terminales de conexin exteriores van unidos a las superficies extremas de
los cristales. Este tipo de diodo trabaja con potencias ms elevadas que los de contacto por punta.
Algunos diodos dentro de los dos tipos planteados son:

Diodo Schottky. Se forma de la unin metalrgica de un semiconductor ligeramente
dopado con un metal como aluminio o platino. Igual que un diodo de unin
PN, esta estructura permite el flujo de corriente nicamente en una direccin y tiene una
caracterstica corrientevoltaje similar a la estudiada (fig. 8). A diferencia del diodo de silicio,
que tiene un voltaje de disparo, de activacin, conduccin o barrera en el rango de 0,5 V a 0,8 V,
el diodo Schottky tiene un voltaje de activacin cercano a 0,3 V.
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Diodo Varactor. Es un diodo que en polarizacin inversa exhibe cierta caracterstica de
capacitancia. Este tipo de diodo, en esencia, funciona como un capacitor o condensador
controlado por voltaje, en el que la capacitancia se reduce en funcin del incremento de voltaje de
polarizacin inversa. Estos diodos son utilizados en muchas aplicaciones de circuitos de alta
frecuencia y tpicamente en circuitos de modulacin de frecuencia y osciladores controlados por
voltaje.

Diodo Zener. Como se mencion en el punto que trata la polarizacin inversa, estos diodos
tienen la propiedad de conducir una elevada corriente cuando estn polarizados inversamente. Se
utilizan como reguladores de voltaje, entre otras aplicaciones.

Diodo Tnel. Si se fabrica un diodo Zener partiendo de semiconductores muy dopados, su
regin de agotamiento se hace muy angosta y la estructura se convierte en un diodo tnel.
Cuando el voltaje de polarizacin directa se encuentra entre 0,1 V y 0,5 V, la corriente empieza a
reducirse con el aumento del voltaje, llevando a una caracterstica de corrientevoltaje en forma
de S, como se muestra en la Figura 40. Debido a su pendiente negativa, la regin central de esta
curva se llama la regin de resistencia negativa. El voltaje mnimo a la derecha de la regin de
resistencia negativa se denomina voltaje o tensin de valle; la corriente en este punto se llama la
corriente de valle. La corriente mxima que fluye a bajos voltajes se llama corriente pico.


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Figura 40

3.1.6. Diodo LED ( Light Emitting Diode )
Los diodos emisores de luz, se fabrican con materiales semiconductores de formulacin
especial (arsenimo de galio de fosfato de galio) que emiten luz cuando conducen. Son utilizados
como dispositivos de despliegue (pantallas). Los LED, se pueden obtener en el mercado en
diferentes colores: rojo, verde, naranja, amarillo y doble color; rojo-verde. La intensidad de la luz
tiene dependencia lineal con la corriente de excitacin. Estos dispositivos emisores de luz, vienen
constituidos para diferentes corrientes de excitacin, corrientes muy altas disminuirn la vida til
del LED, por ello, es importante colocar en serie con el diodo, una resistencia de proteccin, para
que limite la corriente que circula por el LED. Las corrientes tpicas de circulacin para estos
dispositivos estn dentro del rango de 10mA a 50mA.

3.1.7. Filamento de Tungsteno
En la naturaleza existen ciertos materiales en los cuales, al someterlos a una diferencia de
potencial entre dos puntos de una muestra, circula una corriente elctrica proporcional a la
tensin aplicada. La curva caracterstica I(V) resulta una lnea recta que pasa por el origen, siendo
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el inverso de la pendiente la resistencia del material. La pendiente (constante de
proporcionalidad) es independiente de la diferencia de potencial.






Figura 41

En un conductor como el tungsteno, si las corrientes son suficientemente bajas, se observa
un comportamiento lineal; pero al aumentar la corriente ocurre que la recta de la grfica I(V)
pierde linealidad, es decir, toma una curvatura.
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Figura 42

Esta variacin en la grfica se debe a que, cuando aumenta la corriente elctrica y, por lo
tanto, la potencia disipada, se produce un aumento de temperatura en el conductor, producindose
as una variacin de la resistividad del material () y, por ende, de la resistencia.
En el caso de conductores metlicos, como el tungsteno, la resistividad aumenta con la
temperatura y la resistencia tambin, ya que, el incremento en la resistividad predomina sobre el
cambio de longitud y superficie en el conductor (debido al pequeo efecto de dilatacin trmica).
Esto explica por qu la pendiente de la grfica I(V) disminuye al aumentar la corriente.
Un elemento mal conductor, como el carbn, muestra una caracterstica con una curvatura
inversa, como consecuencia de una disminucin de la resistividad con el incremento de la
temperatura.
Se puede definir una resistencia (aunque existe una nolinealidad) mediante la relacin
R = V/I, pero la resistencia no ser constante, sino que depender de la corriente R(I). A esta
resistencia se le denomina esttica y se diferencia de la dinmica, definida como R = dV/dI, la
cual tambin depende de la corriente, pero describe con ms precisin las variaciones que ocurren
alrededor del punto de operacin.
Un filamento de tungsteno usualmente se representa por el smbolo .
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3.1.8. Lmpara o Bombillo de Nen
La lmpara de nen est constituida por dos electrodos ubicados dentro de una ampolla de
vidrio, la cual se ha llenado con gas nen a baja presin. Se representa por el smbolo .

El mecanismo de conduccin de corriente en este caso difiere grandemente del
correspondiente a los metales. En los metales, el nmero de portadores es constante y la corriente
depende slo de la intensidad del campo aplicado. En la lmpara de nen, los portadores de carga
no son constantes, ya que existe un proceso de creacin de stos (la ionizacin de los tomos del
gas hace que aparezcan portadores, tanto positivos [iones] como negativos [electrones]) y de
recombinacin.
Existen normalmente en el gas tomos ionizados por la radiacin presente en el ambiente y,
al mismo tiempo, procesos de recombinacin, siendo el primer proceso el predominante. Al
introducir un pequeo campo (aplicacin de una diferencia de potencial a travs de los
electrodos), al principio la situacin no vara significativamente (esto corresponde a la zona A
de la Figura 43). A medida que aumenta la tensin, los iones primarios son acelerados ms
intensamente y pueden ionizar por choques a los tomos que encuentran a su paso,
incrementando as el nmero de portadores. Al tomar la tensin un valor de V
EN
(voltaje de
encendido), se produce una descarga y el tubo se enciende; en este instante la tensin se reduce
bruscamente, Este efecto se debe a que los procesos de creacin se hacen predominantes sobre
los de recombinacin (zona B, Figura 43).
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Figura 43
En la regin C de la figura anterior, los procesos de creacin de portadores son en
definitiva ms importantes que los de recombinacin. Al disminuir la tensin son desfavorecidas
las ionizaciones y la descarga cesa (V
AP
, voltaje de apagado).

3.2. Parte Experimental
Objetivos
Conocer dispositivos elctricos que presentan una caracterstica tensincorriente no
lineal (materiales no hmicos).
Analizar y discutir las caractersticas tensincorriente de un: diodo semiconductor,
LED y bombillo de filamento de tungsteno.
Comprender el proceso que diferencia la conductividad en cada uno de los elementos no
lineales, utilizados en la prctica.
Procedimiento
1. Caracterstica tensincorriente de un diodo semiconductor.
1.a. Monte el circuito que se muestra a continuacin:
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Figura 44
1.b. Vare la tensin V
0
y mida el voltaje V
d
y la corriente I
d
(considere para V
d
ocho valores
entre 0 V y 0,5 V e, igualmente, entre 0,5 V y 1 V). Vace los valores obtenidos en una
tabla.
1.c. Invierta el diodo y vare V
0
entre 0 y 20 V. Considere diez medidas en dicho intervalo.
Realice previamente un dibujo donde esquematice cmo conectar el o los multmetros
para medir V
d
e I
d
en este caso.
1.d. Con los puntos obtenidos en los apartes 1.a y 1.b, realice la grfica I(V) para el diodo
semiconductor.
1.e. A partir de la curva tensincorriente obtenida, determine el voltaje de conduccin del
diodo semiconductor (indquelo en la grfica y tabla de valores).

2. Caracterstica tensincorriente de un bombillo con filamento de tungsteno.
2.a. Monte el circuito que se muestra a continuacin:
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Figura 45
2.b. Vare V
0
hasta observar que el bombillo se enciende. Vuelva la perilla de la fuente a
cero y considere quince valores entre ste y un voltio por encima del valor de voltaje
para el cual se encendi el bombillo. Mida los valores de V
b
y de i
b
(observe de nuevo
el voltaje de encendido).
2.c. Grafique los valores obtenidos [V(i)] e indique el voltaje de encendido.
2.d. Para cada par de valores de voltaje e intensidad, calcule la resistencia del filamento del
bombillo aplicando la ley de Ohm. Represente estos valores junto a la tabla de V
b
e i
b
.
2.e. Haga un grfico de R
b
en funcin de i
b
en papel milimetrado y semilog. Deduzca la
relacin entre las dos magnitudes.
Nota. Si obtiene una recta en papel semilog, aplique el mtodo de mnimos cuadrados y
obtenga la relacin emprica.



3. Comportamiento de un LED.
3.a. Monte el circuito de la experiencia 1, colocando en este caso el LED que
se encuentra en su tablero de trabajo. El LED soporta una tensin nado-
ctodo aproximadamente de 1,5V y una corriente de 20mA.
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3.b. Alimente el circuito con una tensin de 9V, mida el voltaje en el LED y en la
resistencia de proteccin. Calcule la intensidad de corriente que circula por la
resistencia, conocidos los datos de la seccin (3.a.). Analice sus resultados.
3.c. Invierta el LED y repita todo el procedimiento de la seccin (3.b.). Analice sus
resultados.
3.d. Considere para las medidas realizadas en (3.b. y 3.c), que el LED tiene las siguientes
caractersticas V
d
= 2V y I
d
= 30mA. Repita los clculos rezados en las secciones
anteriores.