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ELECTRNICA ANALGICA

10 AMPLIFICADORES Amplificadores de pequea seal Amplificadores realimentados Amplificadores de potencia Amplificadores diferenciales Amplificadores sintonizados

Profesor: Javier Salgado

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INTRODUCCIN Amplifican la tensin, corriente o potencia a partir de seales ms dbiles. La seal a amplificar puede venir de: o o o o Micrfono para seales de audio o antena para seales de radio frecuencia. Transductores trmicos, velocimtricos, luminosos Consigna para la activacin y el control de actuadores de potencia. De otras etapas amplificadoras.

Se utilizan en receptores de seal, repetidores, equipos de sonido, video y TV, equipos de medida , generadores de seal y en control de actuadores. Forman parte fundamental de la instrumentacin para los ensayos y practicas de laboratorio. Necesitan la aportacin de una fuente de alimentacin para los elementos activos de que se componen. Elementos activos de los amplificadores: o Transistores, vlvulas, CI operacionales o CI especficos: Audio, video, sintonizadores, CI diferenciales. CLASIFICACIN: 1. Segn el elemento activo: o o o o Transistores unipolares: Emisor comn (EC), Colector comn (CC), Base comn (BC) Transistores bipolares: FET o MOS(potencia) Transistores especiales. Circuitos integrados: Operacionales y especficos de audio, video, instrumentacin.

2. Segn el tipo de seal o De CC: En fuentes de alimentacin o para activacin de actuadores(vlvulas, motores, lmparas, rels..) o De Seal: Baja frecuencia: amplificacin de transductores para medida Media frecuencia: Amplificacin de voz o msica(20Hz-20KHz) Alta frecuencia: Amplificacin de video (15Hz-15MHz). Seal de radiofrecuencia>20KHz. 3. Segn la potencia o o o o o o De pequea seal: Etapas previas de amplificacin o para corrientes dbiles. De potencia: ltimas etapas de amplificacin o para corrientes grandes. Clase A: No se recorta la seal. Clase B: La seal se recorta durante medio semiciclo. Clase C: La seal se recorta durante ms de un semiciclo. Clase AB:La seal se recorta durante menos de un semiciclo

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4. Segn las etapas de amplificacin o o Monoetapa: Simple, diferencial, realimentacin. Multietapa Acoplamiento: Directo, RC, LC, con transformador. CARACTERISTICAS DE LOS AMPLIFICADORES o Ganancias En tensin:Av=Vs/Ve; Av(dB)=20log(Av) En Corriente:AI=Is/Ie; GI(dB)=20log(AI) En Potencia:Ap=Ps/Pe; Ap(dB)=10log(Ap) Ganancias a frecuencias medias: Son las ganancias en la zona lineal de amplificacin, para la que dichas ganancias son mximas(amplificacin mxima). Se encuentran dentro del ancho de banda del amplificador. o Frecuencias de corte y ancho de banda Las frecuencias de corte las determinan los elementos

capacitivos(condensadores y capacidades parsitas) y resistivos del circuito. Las frecuencias de corte delimitan la zona lineal (de amplificacin). El ancho de banda es la diferencia entre la frecuencia de corte superior e inferior A las frecuencias de corte la ganancia en tensin cae 3dB con respecto a la ganancia a frecuencias medias.Tambin se puede expresar como el 70% de la ganancia a frecuencias medias. Av(fc)=Avm/2=0,7Avm; Av(fc)|dB=20logAvm-20log21/2=20logAvm-10log2=20logAvm-3dB

A las frecuencias de corte la potencia cae 3dB con respecto a la ganancia a frecuencias medias.Tambin se puede expresar como el 50% de la ganancia a frecuencias medias. o Desfase Es la diferencia de fase entre la seal de entrada y de salida. En la zona lineal el desfase es de 0 o 180. o Distorsin En la zona lineal(dentro del ancho de banda): En amplitud: La amplitud de la salida queda recortada o deformada. En frecuencia: La frecuencia de la salida es diferente de la de entrada. En fase: Se produce desfase entre la entrada y la salida<>de 180. Ap(fc)=Apm/2=0,5Apm; Ap(fc)|dB=10logGpm-10log2=20logApm-3dB Ap=AvAI

Impedancia de salida: Es la impedancia vista desde los terminales de salida del amplificador, que est en serie con la tensin amplificada. que genera, el amplificador, y que debe ser lo ms pequea posible.

Impedancia de entrada: Es la impedancia vista desde los terminales de entrada del amplificador, y que debe ser lo ms grande posible. o Tensin mxima y mnima de salida Que es capaz de generar en la zona lineal sin distorsin. o Tensin mxima y mnima de entrada Que es capaz de amplificar en la zona lineal sin distorsin. o Temperaturas de trabajo Lmites de funcionamiento para temperaturas extremas. o Factor de ruido: Es el ruido que aporta el amplificador debido a sus componentes internos, y que de depender de la temperatura y la frecuencia. o Relacin seal ruido: S/N Es el cociente entre el nivel de seal y de ruido en la zona lineal de trabajo, y que debe ser lo mayor posible. o Producto de ganancia por ancho de banda: Avm(fH-fL)

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ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR En corriente contnua: o Los condensadores son circuitos abiertos. o Se calculan las corrientes y tensiones de polarizacin (punto de trabajo) y la recta de carga esttica. En corriente alterna: o Frecuencia medias: Los condensadores y las tensiones de alimentacin son cortocircuitos: Circuito equivalente y clculo de corrientes y tensiones: Excursin mxima de salida sin distorsin de amplitud y recta de carga dinmica. Estudio con parmetros T, h, g: Circuito equivalente con los parmetros Clculo de ganancias e impedancias de entrada y salida. o Bajas frecuencias: Se tienen en cuenta los condensadores y la impedancia en paralelo con los mismos : Polos y ceros que determinan la frecuencia de corte inferior. Altas frecuencias: Se tienen en cuenta las capacidades parsitas de los transistores y la impedancia en paralelo con los mismos :Polos y ceros que determinan la frecuencia de corte superior.

ESTUDIO DE UN AMPLIFICADOR En corriente contnua: o Se desconecta la seal de entrada. o Se miden las corrientes y tensiones de polarizacin (punto de trabajo) y la recta de carga esttica. En corriente alterna: o Frecuencia medias: Se parte de una tensin y frecuencia muy baja. Se aumenta la frecuencia hasta que la salida es estable y mxima sin recortarse (saturacin)=>Avm=Vs/Ve. Impedancia de entrada: Metodo1: Se mide la corriente de entrada y la tensin de entrada: Ze=Ve/Ie Metodo2: Se conecta una resistencia variable en serie con la entrada y se vara dicha resistencia hasta que la tensin a la entrada del amplificador sea la mitad que la de entrada y se mide la resistencia variable. Impedancia de salida: Metodo1:Se mide la corriente de la carga y la tensin de la carga: Zs=(VsinRL-VsconRL)/IL Metodo2:Se sustituye la carga por una resistencia variable y se vara dicha resistencia hasta que la tensin a la salida del amplificador sea la mitad que sin la carga y se mide la resistencia variable. o Frecuencia de corte inferior: Se baja la frecuencia hasta que Av=0,7Avm. Frecuencia de corte superior: Se aumenta la frecuencia hasta que Av=0,7Avm. Ganancia en tensin:Av=G1G2 Ganancia en potencia:Gp=AVAI

Ve,f

PREAMPLIFICADOR (G1)

Amplificador potencia (G2)

de

Vs ZL Zs

Ze

6 CALCULOS CON LOS PARAMETROS CARACTERISTICOS DE UN AMPLIFICADOR

Amplificador en Emisor Comn


Es muy empleado en etapas previas de amplificadores de audio, siendo de clase A. La entrada es por la base y la salida por colector. C1 y C2 son los condensadores de acoplo que separa la seal de la CC de polarizacin y son dos polos que marcan la frecuencia de corte inferior. Ce desacopla la seal para que no intervenga en la polarizacin, adems elimina a la resistencia R4 para la seal.Adems marca la frecuencia de corte inferior. ANALISIS en CC: Se abre el interruptor para aislar la seal del generador , los condensadores son circuitos abiertos. Se calcula:Icsat, Ic,IE,VCE ,Icc, Pcc ANALISIS en CA: Se cierra el interruptor, los condensadores y Vcc son cortocircuitos. Se calcula: 1.- Frecuencias medias: re, Ze,Zs,Av,AI,Vsmax y Vemax sin distorsin 2.- Frecuencias bajas: Los polos(-20dB/dec) fi, los ceros(+20dB/dec) fo,La frecuencia de corte inferior fL. 3.- Frecuencias altas: Los polos fi, La frecuencia de corte superior fH. 4.- Ancho de banda B y Funcin de transferencia Av(f)

ICSAT=Vcc/(Rc +RE)
Est centrado en 6v. Se puede centrar aumentando/ disminuyendo la Rc , VB con R1 y R 2.

ICSAT=Vcc/(Rc+RE)=12v/(3,6K+1k)=2,6mA

AI=is/ie=(AV Ve/(Zs+ZL))/(Ve/Ze)= AV Ze/(Zs+ZL)=1372,15/(3,6+10)=21,65 Ap=AIAv=21,65137=2966

Como fE>>f1 ,f2 y fEo=> fL<fE=178Hz

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Modelo con parmetros hbridos en frecuencias medias.

hfe= hie=hfere

Se puede bajar el valor de la frecuecia de corte superior con un condensador en paralelo con la carga. Con un condensador C=2nf=> fH=1/(2

rcC)=30KHz

Rendimiento mximo:
Cuando a la salida se obtiene la salida mxima sin distorsin

max=PL/Pcc=VLpmax2/(2RLPcc)=3,432/(21022,26)=2,6%

DISEO:Av=42dB, iLmax=0,223mA,Vcc=12v,fpolo-cero<1KHz Eleccin del transistor:


VCEo>2VCC=24v, Icmax>10 iLmax=2,23mA;=200

Punto de trabajo:
VCE=Vcc/2=6v Ic>3iLmax =0,669mA Eleccin de RE Para Rc=10RE RE=(Vcc-VCE)/11IC=6v/(110,669mA)=0,815K=> RE=820 Rc=8k2

9 Eleccin de R1 y R2 VB=VBE+VE=0,7+REIE=0,7+0,820,669=1,24v

R1=(Vcc-VB)/ IE/=(12-1,24)/0,669/200=3,2M; sin R2


Si se instalara con R2: R2/(R1+R2)=1,24/12; R2/(R1+R2)=0,1 VB=VccR2/(R1+R2)=12vR2/(R1+R2)=1,24v R1//R2=RE/10=2000,815/10=16,3K R1R2/(R1+R2)=16,3 R2/(R1+R2)=16,3/ R1=0,1=> R1=163K=>R1=160K R2/(163+R2)=0,1=> R2=18,11K=> R2=18K Excursin maxima de salida:Ic(Rc//RL)=0,6698k2//10k=3v de pico re=25mV/Ic=8,33 Para RL=10K=> Av=rc/re=(8,2k//10k)/0,008=-563=20log(Av)=20log180=55dB 45dB es superior a la ganancia que nos piden, luego es correcto el diseo. C1=1/(2Z1fL)=1/((2RB//re)fL)=1/(2(3,6k //2010,008k)) 1KHz =139,7nf C1=130nf(-20dB/dec) Condensador C2: C2=1/(2Z2fL)=1/((2(Rc+RL) fL)=1/(2(1,8k+10k)1KHz=13,5nf C2=13nf(-20dB/dec) Condensador CE: polo: CE=1/(2ZEfL)=1/(2refL)=1/(20,008k1K)=19uf CE=18uf(-20dB/dec) cero:fEo=1/(2RECE)=1/(20,18k18u)=49Hz(+20dB/dec)

Como los polos y el cero estn a la misma frecuencia: Pendientes en el lado de baja:-20dB*3+20dB=-40dB/dec(2 polos) fL=fpolo-cero/(21/n-1)1/2=1KHz/(21/2-1)1/2=1,55KHz

Amplificador en Colector Comn


Es muy empleado en etapas adaptadoras de impedancia(Ze muy grande, Zs muy pequea, Av<1. La entrada es por la base y la salida por emisor. C1 y C2 son los condensadores de acoplo que separa la seal de la CC de polarizacin y son dos polos que marcan la frecuencia de corte inferior. El circuito en CC es igual que en Emisor comn

ICSAT=Vcc/(RE//RL)=12v/0,097K=123,7mA VB=
=5,4v ;

VE= VB -VBE=4,7v; IE=VE/(RE//RL)=48,5mA= IC

VC=Vcc =7,29v VCE= VC -VE=7,29v=> No est centrado en 6v. Se puede centrar Aumentando
con R1 y R2. VB

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En los clculos del punto de trabajo hemos despreciado lB. Si no despreciamos IB salen los resultados de la simulacin: IE=36,4mA, VB=4,29v, VCE=8,46v
2 1

21

10k
V(p-p): 5.30 V V(dc): 4.29 V I(p-p): 245 uA I(dc): 248 uA

V(p-p): 5.30 V V(dc): 4.29 V I(p-p): 836 uA


1P2 1P1 21

Key = A 5

12uF

Ie
21

V(p-p): 5.21 V V(dc): 3.54 V I(p-p): 53.5 m A A BC547BP* I(dc): 36.4 m

12 V

Resistencia de emisor:

6 8.2k 3.6k
21

re =
Is

=25mV/36,4mA.

ve

21

Vs

100

re=0,68 Ganancia en tensin: Para rE=RE//RL

Av=Vs/Ve=rE/(rE+re)=97/(97+0,68)=0,992. Av(dB)=20log(Av)=20log0,992=-0,061dB No hay inversin de fase(0) Impedancia de entrada: Ze=Ve/ie=RB//(RE+re)=10K//8,2K//200(3,6//0,1K)=4,5K//19,4K=3,65K Impedancia de salida(Vg=0): Vg=0

Zs=re//RE=0,68
Excursin mxima de salida y tensin mxima de entrada:

VLmax=IErE=36,4mA(3,6k//0,1k)=3,53v=> Coincide con VE=>Recta de carga esttica coincide con la dinmica porque no hay condensador a la salida. Vemax=VLmax/Av=3,53/0,992=3,56v
Si R2=100K=>IE=60mA;VCE=5,82v=VLmax,;re=0,41, Av=0,995, Ze=6,2K,Zs=0,4

=>Mejoran las caractersticas si se aprovecha el mximo rango de salida Frecuencia de corte inferior: fL f1=1/(2Z1C1)=1/(2ZeC1)=1/(23,6k 12u) =3,6Hz

Amplificador en Base Comn


Es muy empleado en amplificadores de radiofrecuencia (Ze muy pequea, Zs muy grande, Av grande). La entrada es por el emisor, y la salida por la base. El generador puede ser una antena. C1 y C2 son los condensadores de acoplo que separa la seal de la CC de polarizacin y son dos polos que marcan la frecuencia de corte inferior. El circuito en CC es igual que en Emisor comn

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1
V(p-p): 2.79 V V(dc): 7.05 V I(p-p): 2.79 m A A 1k I(dc): 4.95 m V(p-p): 2.79 V I(p-p): 279 uA

21

18k
V(p-p): 3.42 uV V(dc): 1.67 V I(p-p): 10.1 uA I(dc): 15.9 uA

21

1 2

12uF
B 2 1 E 21 C

12 V

21

3k

21

47uF

21

V(p-p): 19.5 m V V(dc): 992 m V I(p-p): 3.18 m A I(dc): 19.2 nA

BC547BP 4 1 200 0

12uF

10k

IE=5mA, VCE=Vc-VE=7,050,992=6,05v

Av=Vs/Ve=2,79v/20mv=139,5=Rc/re Av(dB)= 20log 132,5=43dB Ze=Ve/Ie=20mv/3,2mA=6,25=re//RE Zs=Rc=1K C1=12uf; Z1=re//RE=Ze Por ser la frecuencia mayor=>f1fL=1/(2C1Z1)=2,136KHz

Amplificador con FET


Es muy empleado en amplificadores de radiofrecuencia (Ze muy grande, Zs muy grande, Av pequea). Puede tener la configuracin de los bipolares(drenador comn, surtidor comn o puerta comn), con los mismos condensadores: C1 y C2, y Cs para surtidor comn con las mismas funciones que en los amplificadores con bipolares.

P R A
2 1 2 1

C T I C A 1
5
1 2 3

470k
V(p-p): 384 m V V(dc): 10.0 V I: 640 uA I(dc): 595 uA

3.3k
1 2

V(p-p): 100 m V I(p-p): 1.21 uA


1 2

4
D

100nF

V(p-p): 384 m V I(p-p): 38.4 uA

6
2 1 2 1

2
V(dc): 2.11 V

12 V

10nF

V(p-p): 2.05 m V V(dc): 4.41 V 2N4416A* I(p-p): 155 uA

10k

21

2 1

100k

21

7.4k

1.2uF

12
FET:IDSS=2,74mA, gm=1,53mA/v, VP=-3v, Cgd=1,6pf, Cgs=2,41pf Siendo gm la transconductancia del FET. En Contnua VDS=VD-VS=10-4,41=5,6v, VGS=VG-VS=2,11-4,41=-2,3v,|VP|-|VGS|=0,7v<VDS=>SAT Criterio de diseo:

RG >100K

En Frecuencias medias CIRCUITO EQUIVALENTE: Rs=120


Rs

Ve=Vgs, Vs=-gmVgsrL
7 8

rL=RL//RD=10K//3K3=2,48k Av=Vs/Ve=384mv/100mv=3,84

gmVgs Ve Rg Vgs 0 rL Vs

Av=-gmrL=-1,532,48K=-3,84 Ze=Rg=470K//100K=82K Zs=RD=3K3

FRECUENCIA DE CORTE INFERIOR: Rg Rs


9

12

10nF

7 8 Vgs
2 1

1 2

100nF

11
2 1

Ve

R12 Rg
2 1

gmVgs 3.3k

10 7.4k
2 1

10k Vs

1.2uF

Condensador C1: (polo)= f1=1/(2Z1C1)=1/((2(R12+Rg)C1)=1/(282K10nf)=194Hz Condensador C2: (polo)= f2=1/(2Z2C2)=1/((2(Rc+RL)C2)=1/(2(3,3k+10/k)100n=120Hz Condensador CE: polo: fs=1/(2RsCs)=1/(27,4k1.2u)=18Hz cero:fso=1/(2RsCs)=1/(27,4k1.2u)=18Hz Como son iguales a la misma frecuencia se compensan las pendientes del polo y el cero de Cs
fL=194Hz, por ser la mayor de todas.

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R g 9

1 2

10nF

7 8 Vgs
21

1 2

100nF
21

11

gmVgs 3.3k 0

Ve

R 12
21

10 7.4k
21

10k Vs

1.2uF

Observamos que la frecuencia de corte inferior es superiora la calculada (345Hz>194Hz), eso es por el error de que se produce al linealizar la curva. FRECUENCIA DE CORTE SUPERIOR:fH=1/((2(Cgs+Cgd(1+gmrL)Rg//R12=132MHz

Ancho de banda=fH=132MHz

Multietapas
Ve1,f A1 Ze1 Ze2 Se sitan en serie Etapa A1 :Generador equivalente: Av1Ve1, Zs1 con :fL1,fH1 Etapa A2 : Av2 , Ze2 con (fL2,fH2) Se estudian las etapas por separado: 1.- Se calcula la impedancia de entrada de la etapa2, que ser la carga de la etapa1 2.- Se analiza la etapa 1: Av1, Ze1, Zs1, fL1,fH1 3.- Se analiza la etapa 2: Av2, Zs2, fL2,fH2 3.- Se analiza la etapa equivalente: Av= Av1Av2, Ze = Ze1 ; Zs= Zs2 fL= Frecuencia de corte inferior mayor de las dos fH= Frecuencia de corte superior menor de las dos Av2Ve2, Zs2 Vs A2 ZL

Av1Ve1, Zs1

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AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

A M P L I

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Configuraciones bsicas

Ejemplo de amplificador realimentado


Se propone la simulacin para estudiar el efecto de la realimentacin en la ganancias A y B, y en el ancho de banda. Medidas de polarizacin.

16

Tabla resumen de los amplificadores realimentados

17

AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Las etapas previas, vistas hasta ahora, si existieran, adaptan la entrada del sistema de amplificacin y son de pequea seal (baja potencia), pudiendo ser selectivas en frecuencia. El amplificador de potencia, constituye la etapa de salida de amplificacin para adaptar el sistema a los elementos externos: Altavoces, o actuadores que consumen media o alta potencia en forma de corriente. Procedimiento general de anlisis: 1. Se calcula el punto de trabajo.Los bobinados son cortocircuitos. 2. Se traza la recta de carga esttica y se sita el punto de trabajo. 3. Se sita a partir del punto de trabajo la recta de carga dinmica. 4. La recta de carga dinmica permite acotar la amplitud de corriente Im y su forma. 5. Potencia entregada por la batera: Pcc=VccIcc 6. Potencia til en la carga: PL=ILmax2RL/2 7. Rendimiento: =PL/Pcc 8. Potencia disipada total: PD=Pcc-PL 9. Sin carga : Potencia disipada total mxima 10. Potencia del transistor: PTRT=PD-PResistencias 11. Sin carga: Potencia del transistor mxima 12. Limitaciones del transistor: 2Icpico< Icmax, vcemax<VCEO, Pcmax> PTRTmax 13. Factor de ajuste:Pcmaxaj=Pcmax-fa(T) 14. Eleccin del radiador:

Amplificador de potencia clase A


No hay eliminacin de perodo de la seal Tipos: 1. 2. 3. 4. 5.

Emisor comn: Carga=Rc Colector comn con transistor Darlington. Emisor comn con acoplamiento de carga por transformador. Contrafase Clase A . Contrafase Clase B .

6. 7. 8.

Clase B con transistores complementarios. Clase AB Amplificadores de potencia integrados

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2. Colector comn con transistor Darlington.


2
2 1

3.- Emisor comn con acoplamiento de carga por transformador

22k
B C E

V(dc): 10.0 V I(dc): -217 m A

21

13uF
2 1

150k V(dc): 6.20 V

V(p-p): 8.00 V I(p-p): 253 uA I(dc): 139 uA

BBD137*

3 22
2 1

V(p-p): 7.79 V V(dc): 4.78 V I(p-p): 354 m A I(dc): 217 m A

Av=7,79/8=0,97 AI=0,354mA/0,253uA=1400 Pcc=0.216 A10v=2,16w PL= ILpp2RL/4=0,354222/4=0,69w Ap=AvAI=1358 =PL/Pcc=0,69/2,16=32% PD=Pcc-PL=2,16-0,69=1,47w

2 1

BC337*

10 V

19

Eleccin del transistor: Icmax>2ICQ=1,6A; VCEO>2VCEQ=18,4v;PTRT>PDtrtmax=7,36w

20 RESISTENCIA TERMICA y DISIPACION DE CALOR

21

22 5.- Contrafase Clase B


Hay que tener en cuenta la distorsin de cruce, producida por la falta de simetra de los transistores

23 Clase B con transistores complementarios


Hay que tener en cuenta la distorsin de cruce, producida por la falta de simetra de los transistores T2 y T3

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6.- Clase AB

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AMPLIFICADORES DIFERENCIALES AMPLIFICADORES SINTONIZADOS

Amplificadores
Fecha de inicio: Nombre: Fecha de finalizacin:

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