Professional Documents
Culture Documents
YKSEK LSANS TEZ ELEKTRK ETM ANABLM DALI ELEKTRK ETM PROGRAMI
STANBUL 2006
YKSEK LSANS TEZ ELEKTRK ETM ANABLM DALI ELEKTRK ETM PROGRAMI
STANBUL 2006
NSZ
Tezimin hazrlanmasnda bana daima yardmc olan ve nderlik salayan deerli hocam Yrd. Do. Dr. Yaar BRBRe ok teekkr ederim. Tezin balangcndaki ilk aratrmalarmda yardmc olan Yldz Teknik niversitesi Elektrik Mhendislii retim yesi Prof. Dr. Hac Bodur ve aratrma grevlisi smail Aksoya ok teekkr ederim. Aylarca sren yorucu tez almalarmda bana teknik ve malzeme konularnda yardmlarn bir gn bile esirgemeyen TERMAL arge alanlarna, SEDA Elektronikin sahibi Yksek Mh. Yaar GNGRE, sevgili dostlarm Elektronik Mhendisi Murat GNAL, stn AIKGZ ve Ercan NAZLIya, bana daima yaptm ilerde manevi desteklerini esirgemeyen sevgili eim SEVG ve canm Annem ve Ablalarma ok teekkr ederim. Bu tezimi, beni bu gnlere getiren ok sevgili rahmetli babam BEDR ELVERe adyorum.
Haziran 2006
Serkan ELVER
NDEKLER
SAYFA
NSZ
.............................................................................................. I
ABSTRACT ............................................................................................ V YENLK BEYANI...............................................................................VI EKL LSTES .................................................................................. VII TABLO LSTES .............................................................................. VIII KISALTMALAR LSTES ..................................................................IX BLM I. GR VE AMA............................................................... 1 BLM II. GENEL BLM ................................................................ 2 II. GENEL BLGLER...................................................................... 2
II.1. MKROORGANZMALARIN PEF TEKN LE NAKTVASYONU ............................................................................................... 2 II.1.1. Hcrelerin Edeer Devresi .............................................................. 2 II.1.2. Hcre Membran ve ekirdeininde Oluan Gerilim .................... 3 II.1.3. Dalga ekilleri .................................................................................... 4 II.1.3.1. Geni Darbeler ................................................................................. 5 II.1.3.2. Dar Darbeler..................................................................................... 7 II.1.4. Kritik lem Faktr.......................................................................... 7 II.1.4.1. Elektrik Alan Younluu ................................................................. 7 II.1.4.2. Uygulama Zaman ............................................................................ 7 II.1.4.3. Darbe Dalga ekli ............................................................................ 8 II.1.4.4. Scaklk............................................................................................. 8 II.1.4.5. arpm Faktr ................................................................................ 8 II.1.4.6. Kullanlan Dalga eklinin nemi .................................................... 9
II
BLM IV. SONULAR.................................................................... 32 BLM V. TARTIMA VE DEERLENDRME .......................... 33 KAYNAKLAR....................................................................................... 34 EK I. MOSFET SREN PIC KONTROLNN AKI DYAGRAMI VE PIC PROGRAMI .................................................. 36 EK II. KATALOG DEERLER ....................................................... 41 ZGEM ........................................................................................... 42
III
ZET
IV
ABSTRACT
YENLK BEYANI
VI
EKL LSTES
SAYFA NO ekil II.1 Hcre ve Edeer Devresi ........................................................................... 3 ekil II.2 Hcre D Membrannda Oluan Gerilimin Frekansa Bal Deiimi ....... 4 ekil II.3 Hcre ekirdeinde Oluan Gerilimin Frekansa Bal Deiimi ............... 4 ekil II.4 nerilen Dalga ekli Blok Diyagram......................................................... 5 ekil II.5 Bir Hcrenin mha Sreci............................................................................ 6 ekil II.6 Mikroorganizma naktivasyonunda Kullanlan Tip Dalga ekli ........... 8 ekil III.1 PICin Blok Diyagram ............................................................................ 12 ekil III.2 18F252 Klf Grn ............................................................................ 12 ekil III.3 Transformatr .......................................................................................... 14 ekil III.4 IXFH 15N100Q Klf ve Sembol Gsterimi.14 ekil III.5 Mosfet Src Kat .................................................................................. 15 ekil III.6 Uygulama Devresi Gsterimi .................................................................. 16 ekil III.7 Ksmi Rezonansl Ve Geri Dnl DC G Kayna ............................ 17 ekil III.8 alma Aralklarnn Temel Dalga ekilleri........................................... 18 ekil III.9 Temel Seri Rezonans Devresi...20 ekil III.10 Aralk 1[ t0<t<t1 ] ................................................................................... 23 ekil III.11 Aralk 2 [ t1<t<t2 ] .................................................................................. 24 ekil III.12 Aralk 3 [ t2<t<t4 ] .................................................................................. 25 ekil III.13 Aralk 4 [ t4<t<t5 ] .................................................................................. 26 ekil III.14 Aralk 5 [ t5<t<t6=t0 ] ............................................................................. 26 ekil III.15 Srme sinyali (5V/div) ve Mosfet gerilimi (10*5v/div), Peryot(2,5sn/div).............................................................................................. 27 ekil III.16 Mosfet Gerilimi (10*5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div) ........................................................................................................ 28 ekil III.17 Srme Sinyali (5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div) ........................................................................................................ 29 ekil III.18 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(500sn/div) ........................ 30 ekil III.19 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(50sn/div) .......................... 31
VII
TABLO LSTES
VIII
KISALTMALAR LSTES
AC DC ZVT ZVS ZCT ZCS SS PIC PWM PEF Vds Vdsmax Cds Vs Is Ismax RL C0 VGS a Rs Cs Rn Cn Cm Rc1
:Alternatif Akm :Doru Akm :Sfr Gerilimde Gei : Sfr Gerilimde Anahtarlama :Sfr Akmda Gei :Sfr Akmda Anahtarlama :Yumuak Anahtarlama :Mikrokontrolr :Darbe Genilik Modlasyonu :Darbeli Elektrik Alan :Mosfet Gerilimi (V) :Maksimum Mosfet Gerilimi (V) :Rezonans Kapasitesi(F) :Kaynak Gerilimi(V) :Devre Akm(A) :Maksimum Devre Akm(A) :Yk Direnci() :Plaka Kapasitesi(F) :Mosfet Kap Gerilimi(V) :Transformatr Dntrme Oran :Hcrenin Bulunduu Eriyik Ortamn Direnci() :Hcrenin Bulunduu Eriyik Ortamn Kapasitesi(F) :Hcre ekirdeinin Direnci() :Hcre ekirdeinin Kapasitesi(F) :Hcre Membran Kapasitesi (F) :Hcre Membran Direnci()
IX
BLM I
I GR VE AMA
Son yllarda
kirlilik kontrol, tbbi tehis ve tedaviye ok nem verilmektedir. PEF (Darbeli Elektrik Alan) kk bir scaklk artna neden olarak mikroorganizmalar sterilize eder. Klasik termal ilem metotlar kullanmyla karlatrldnda PEF metodu tketicilere gvenli, taze ve kaliteli besinler salayarak klasik scaklkla sterilize metotlarnn yerine geebilecektir. Mikroorganizmalar sterilize etmek iin birok aratrmac bakterinin tipi ve boyutuna bal olarak gerekli alan younluu, darbe genilii ve tekrar oran ile PEFler uygulanmaktadr. PEFler geni ve dar darbeler olmak zere basit olarak iki gruba ayrlabilir. Geni darbe uygulamalarnda hcre zarlar tahrip edilerek bakterileri sterilize etmek iin uygulamalarnda elektroparasyon metodu kullanlr. Dar darbe ilemi genellikle
Maliyeti dikkate alarak, dar ve geni darbelerle sterilizasyon hcre svsnda delinmeye neden olabilir.
bolukta ark oluumu, su altnda veya meyve suyunda gerekletirilebilir. Bu da Kk boyut ve hafif olarak yksek gerilim k elde etmek iin rezonansl birok yumuak anahtarlama tipli konvertrler kullanlr. nk transformatrn kaak endktansnda depolanan enerji geri kazanlr. Bu, enerjiyi kullanabilmek ve yksek k gerilimi elde etmek amacyla seri rezonans tipli konvertr elde edilip, anahtarlama devresi vastasyla kylarak darbeli gerilim elde edilmitir.
BLM II
II GENEL BLGLER
MKROORGANZMALARIN NAKTVASYONU
PEF
TEKN
LE
PEF teknii ile mikroorganizmalarn inaktivasyonunda; elektroliz veya omik stma vastasyla mikroorganizmalar ldrmek iin canllarn yaad zeltiye dk DC veya AC gerilim uygulanmas veya mikroorganizmalarda ldrc etkiye neden olan ksa sreli ark veya elektrik alan meydana getirmek iin yksek darbeli gerilimler uygulanmaktadr.
DMembran
Membran
Dk kapasiteye sahip olan ekirdekte potansiyel oluumu iin darbeli elektrik alannn frekansnn ykseltilmesi gerekmektedir. 10KHzin zerindeki yksek frekansl elektrik darbeleri ekirdek zarnda (i mebran) 0 ile 1V arasnda potansiyel oluturarak delinmelere yani apoptoza neden olur. Frekansa bal olarak i membranda oluan potansiyeller ekil II.3de gsterilmitir[2].
Dalga ekilleri
Hcre edeer devresi ve temel elektrik devresi prensiplerine gre geni darbeli ve dk frekansl elektrik alanlar esasen byk kapasiteli olan hcre membrann etkileyecei bulunabilir. Bununla beraber frekansl gerilim ekirdek membrannda grlecektir. dar darbeli ve yksek
Sterilizasyon ilemi
mekanizmasn
geni darbeler ve dar darbeler olmak zere ikiye ayrlr. ekil II.4te nerilen dalga eklini elde etmek amalandnda iki farkl kaynak kullanmak gerekmektedir. Tezimin uygulamas olan deney cihaz, tek bir kaynakla geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilerek farkl bir yaklam ve zm olarak sunulmaktadr.
1 + 2Vc Tc = 1 2Vc
1 2 + 2 .C m .a c
(II.1)
moleklleri deliklerden hcre iine akacaktr. Eer PEFler membran zerinde devam ederse su moleklleri hcre iine akacaktr. Tekrar oran ve darbe genilii yeterince geni iken hcre mebran bozulabilecek katoplazma hcre dna akacaktr. Sonunda hcre imha edilecektir[3].
Hcre mebrannn kritik elektrik alanyla yklemek iin gerekli gerilim deeri E c aadaki formlle bulunur. Ec = Vcr T w f a ac 1 e Tc (II.2)
fa =
Ia a Ia c 3
(II.3)
Buradaki Tw bir kare dalga darbenin sresi ve f a hcre ekli tarafndan belirlenen bir katsaydr, bu da hcrenin I a uzunluu ile ifade edilir. Hcre
membrannn bozulmas iin gerekli enerji u formlle bulunur. K sabiti sterilize edilmek istenen hcreye bal olarak biyologlar tarafndan belirlenen bir sabittir.
2
W=
Ec TW
KTw
T w 1 e Tc
(II.4)
Osilasyon
stel Fonksiyon
Kare
ekil II.6 Mikroorganizma naktivasyonunda Kullanlan Tip Dalga ekli
II.1.1.6 Scaklk
Klasik pastorizasyonda mikroorganizma inaktivasyonunu gerekletirmede hcre duvarn tahrip etmek iin s kullanlr. Bu yzden uygulanan ortam veya havadaki bir scaklk art inaktivasyon orannda bir arta neden olur. Bununla beraber scaklk ayn zamanda yiyeceklerin besin deerlerinde bozulmalara ve elektroliz nedeniyle yiyecek ve ortamda iyonik hareketi arttrr.
glenmenin art ile gerekleir; bylece yiyecein iyonik glenmesindeki bir art inaktivasyon orannda bir azalmaya neden olur. Benzer olarak ntrden pH sevilerindeki deiiklikler iletkenlikte art, tersine inaktivasyon orannda azalmaya neden olur[5].
BLM III
III DENEYSEL ALIMALARI
DENEY
CHAZINDA
KULLANILAN
DEVRE
ELEMANLARI Mikrodenetleyiciler
Bir bilgisayar ierisinde bulunmas gereken temel bileenlerden RAM, I/O nitesinin tek bir chip ierisinde retilmi biimine mikrodenetleyici (Microcontroller) denir. Bilgisayar teknolojisi gerektiren uygulamalarda kullanlmak zere tasarlanm olan mikrodenetleyiciler, mikroilemcilere gre ok daha basit ve ucuzdur. Gnmz mikroilemcileri otomobillerde, kameralarda, cep telefonlarnda, fax-modem cihazlarnda, fotokopi, radyo, baz oyuncaklar gibi saylamayacak kadar pek ok alanda kullanlmaktadr. Gnmz mikrodenetleyicileri birok chip reticisi tarafndan retilmektedir. Her firma rettii chipe farkl isimler vermektedir. rnein Mikrochip firmas rettiklerine PIC adn verirken, Intelin rettii ve 1980lerin banda piyasaya srld 8051, bazen MCS-51 olarak da adlandrlr. Mikroilemci ile kontrol edilecek bir sistemi kurmak iin en azndan u niteler bulunmaldr; CPU, RAM, I/O ve bu nitelerin arasndaki veri al-veriini kurmak iin DATABUS (DATA YOLU) gerekmektedir. Elbette bu niteleri yerletirmek iin baskl devreyi de unutmamak gerekmektedir. Mikrodenetleyici ile kontrol edilecek sistemde ise yukarda saydmz nitelerin yerine geecek tek bir chip (mikrodenetleyici) ve bir de devre kart kullanmak yetecektir. Tek chip kullanarak elektronik zmler retmenin maliyetinin daha dk olaca kesindir. 10
Ayrca kullanm ve programlama kolayl ikinci bir avantajdr. Yukarda sz edilen nedenlerden dolay son zamanlarda bilgisayar kontrol gerektiren elektronik uygulamalarda mikrodenetleyici kullanma eilimini arttrmtr. Neredeyse her mikroilemci (CPU) reticisinin rettii birka mikrodenetleyici bulunmaktadr. Bu denetleyicilerin mimarileri arasnda ok kk farklar olmasna ramen aa yukar ayn ilemleri yapabilmektedirler. Her firma rettii chipe bir isim ve zelliklerini birbirinden ayrmak iinde para numaras vermektedir. rnein Microchip rettiklerine PIC adn, para numaras olarak da 12C508, 16C84, 16F84, 16F877, 18F252 gibi kodlamalar verir. Intel ise rettii mikrodenetleyilere MCS-51 ailesi adn vermektedir. Genel olarak bu adla anlan mikrodenetleyici ailesinde bulunan rnleri birbirinden ayrt etmek iin para olarak da 8031AH, 8051AH, 8751AHP, 8052AH, 80C51FA gibi kodlamalar kullanlmaktadr. Bir uygulamaya balamadan nce hangi firmann rn kullanacana daha sonrada hangi numaral denetleyicinin kullanlacana karar vermek gerekir. bunun iin mikrodenetleyici gerektiren uygulamada hangi zelliklerin olmas gerektii nceden bilinmesi gereklidir. Aada bu zellikler sralanmtr. Programlanabilir dijital paralel giri-k Programlanabilir analog giri-k Seri giri-k (senkron, asenkron ve cihaz denetimi gibi) Motor veya servo kontrol iin pals sinyali k Harici giri vastasyla kesme Timer vastasyla kesme Harici bellek ara birimi Harici BUS ara birimi (PC ISA gibi) Dahili bellek tipi seenekleri ( ROM, EPROM, PROM ve EEPROM) Dahili RAM seenei[7]
11
PROG EPROM
Prg. Cnt.
STACK
STATUS ALU
RTCC
PORT A
PORT B
OSC
CONFG FUSES
Bu tezin uygulama deney cihaznda kullanlan 18F252 isimli 32 kbit flash hafzaya, maksimum 40 MHz alma frekansna sahip Microchip firmasnn rettii mikrokontrolrdr. Cihaz iin gerekli olan program C dilinde, zgn olarak yazlmtr. Devrede 18.432 MHzlik kristal osilatr (OSC) kullanlmtr. CPU blgesinin kalbi ALU' dur ( Aritmetic Lojik Unit -Aritmetik Mantk Birimi ) ve W ( working ) yazmac adnda tek bir yazma ierir. PIC, dier mikroilemcilerden, aritmetik ve mantk ilemleri iin bir tek ana yazmaca sahip oluu ile farkllar. W yazmac 8-bit geniliindedir ve CPU' daki herhangi bir veriyi transfer etmek zere kullanlr. Programa bal olarak ALUda yaplan ilemler 8 bitlik bus yolu ile gerekli port veya registere yazlp alnabilir. Program sayc (Prg. Cnt), PROG EPROMa yazlm olan programn bellek adresini barndran 13 bitlik bir registerdir. Program ierisinde dallanma (ynlendirme) ilemlerin sonunda, programn hangi registerden devam edecei 8 adet STACK adresine yazlarak bilinir. WDTin ngilizce alm Watch Dog Timerdr. WDT PICin ierisinde bulunan RTCC osilatrnden ald sinyale bal sayma ilemi yapar. Bu sre ierisinde sayma ilemi sfrlanmazsa PICin kilitlendii dnlerek otomatik olarak
12
sistem resetlenir. Yani WDT program dngsnn srekliliini salar. ekil III.2de kullanlan PICin ekli grlmektedir[8].
Transformatr
Doru gerilimin kylarak istenen genlikte yksek gerilim elde etmek amacyla devrede transformatr kullanlmtr. Kullanlan bu transformatrn istenen frekans cevab vermesi iin ferit nveli seilmitir. Ferit nve iki paradan olumaktadr. Bu iki para arasna nvenin ksa srede doyuma gitmesini nlemek, manyetik direnci arttrmak ve istenilen endktans deerini ayarlamak iin her iki tarafa 1mm hava aral braklmtr[9]. Transformatrde primer ve sekonder olmak zere iki sarg bulunur. Primer sarg 35 tur, sekonder sarg 1000 tur sarlmtr. Primer sarg 0,6 mm, sekonder sarg tel ap 50 m apndadr. Kullanlan dielektrik malzeme epoksildir. Sekonder sarg tarafnda oluabilecek yksek gerilim atlamalarn kontrol etmek iin dilimli karkas kullanlmtr. Dilimli karkasa sarm yapldktan sonra plastik bir gvde ierisine yerletirilir. Sarglar arasnda oluabilecek gerilim atlamalarn nlemek ve dayankll arttrmak iin dielektrik malzeme olarak epoksil dklmtr. Bu dkme ileminde, malzemenin verimini arttrmak ve sarglarn arasnda hava boluklarnn kalmasn nlemek iin havasz ortamda gerekletirilmitir. Bu ortam ve imkan salamak iin Seda Elektronik sahibi Yksek Mh. Yaar GNGRden yardm istenmi ve Termal irketi Arge laboratuarlarnda allmtr. Transformatrn ekli aada verilmitir. 13
Kullanlan mosfetin kesim gate-source gerilimi (VGS) sfr volt (0V), iletim gate-source gerilimi (VGS) onbe volttur(15V). Bu deerlere sahip olan bir eleman PIC ile kontrol etmek istendiinde mutlaka bir ara src katna ihtiya duyulmaktadr. nk PICin alma gerilimi veya herhangi portundan alnabilecek maksimum k gerilimi be (5V) volttur. Bu amala mosfet src entegresi olan IXDD414 kullanlmtr. IXDD414 entegresi besleme gerilimi 15 volttur. Entegrenin iki (2) nolu bacana girilen 5 voltluk sinyale bal olarak 7-8 nolu bacaklardan ayn ekilde fakat genlii 15 volta ykseltilmi olarak alnr.ekil III.9da entegre temel kullanm devre emas verilmitir. Gerekli mosfet katolog deerleri Ek IIde verilmitir[10].
14
Mosfet src kat eleman deerleri: : 10K D2 :BY 8414 : 3,3 PIC :18F252 : 2,2K : 22f Tantal : 1N5817 : 18V : 18V :IXDD414 Tezimin uygulama devresi ekil III.6da verilmitir. ebeke gerilimi olan
220 volt iki transformatrler yadm ile iki farkl deere drlmtr. Birinci transformatr 40 watt gcnde 66 voltluk gerilime sahiptir ve g devresini beslemektedir. Burada regle amacyla 1000 Flk kondansatr kullanlmtr. kinci transformatr 5 watt gcnde ve 15 voltluk gerilime sahip olup kontrol ve src katn beslemektedir. Regle amacyla 2200 Flk kondansatr kullanlmtr. PIC iin gerekli olan 5 volt, 7805 regle entegresi ile salanmtr. G ve kontrol devrelerinin uyumlu almas iin aseleri ortak olarak balanmtr. PICe yazlan programa bal olarak B portundan elde edilen 0-5 voltluk kare dalga sinyaller IXDD414 entegresine verilir. Bu entegre aynen alnarak ka genlii 15 volta ykseltilmi olarak 15N100Q isimli mosfete aktarlarak yksek gerilim transformatrnn primerini kontrol eder.
15
Dntrc eleman deerleri; LP= 300H D1: Mosfet source-drain diyotu ISM =60A. VSD= 1.5V. -di/dt=100A/s VR=100V. Paralel Plakalarn Kapasitesi: Plakalar aras mesafe 10mm iin: C0=7pF. Plakalar aras mesafe 50mm iin: C0=1.43pF Paralel plaka alan= 81.10-4m2 D2 :BY8414
RL: 470 K Cds: 9.8nF Parasitic capacitor of MOSFET, Ciss=4500pF, Coss=410pF, Crss=150pF
HVT
Plaka
16
Devrede, DC kaynak gerilimi 95 volt (Vs), rezonans kondansatr 9.9nF (Cds), dorultma diyodu BY8414, plaka kapasitesi 1.43pF<C<7pF, yk direnci 470K, yksek gerilim transformatr (a) ve 15N100Q isimli mosfet (Q) grlmektedir. D1 diyotu mosfet klfnn iinde tmleik halde bulunmaktadr. Devrede bulunan mosfet 3sn iletimde kald srece transformatrn primerinden akm akar ve bu sarg zerinde enerji depolanr. Bu enerji ile mosfet kesime girdii anda primer bobini ve Cds rezonans kondansatr arasnda seri rezonans oluur. Mosfet 7sn boyunca kesimde kald srede akan bu rezonans akm, RL yk ve plakay besler. Bu sre sonunda mosfet zerinde den gerilim dm yaklak sfr volt olduunda ikinci peryot iletim sinyali ile tekrar balatlr. Bu ilem toplam olarak 10 peryot yani 100sn srer. Bu srenin sonunda 900sn boyunca mosfet kesimde kalr. Her bir 10 sn ve 100KHzlik peryot dar darbeyi, 100sn ve 1mslik peryot geni darbeyi oluturur. Bahsedilen geni ve darbeler yksek gerilim transformatrnn sekonder sargsnda yk olarak bulunan, 470Kluk dirence seri bal 100luk diren yardm ile gerilim blc devre yaplarak, kaydedicili osilaskop yardm ile alnmtr. Devrenin bir anahtarlama peryodu ierisindeki kararl durum analizini kolaylatrmak iin, gerilimin sabit ve yar iletken elemanlarn ideal olduu kabul edilmitir.
17
Ksmi rezonansl ve geri dnl dntrcnn bir anahtarlama periyodundaki kararl durum almasnda 5 aralk bulunur. ekil III.8de alma aralklarn temel dalga ekilleri verilmitir.
VGS
VdS
VS IS
t0
t1 t2
t3
t 4 t5
t6=t0
t1 t2
Tablo III.1 Temel alma Aralk ve Sreleri ALIMA ARALIKLARI ARALIK 1 [ t 0 < t < t1 ] ARALIK 2 [ t1 < t < t 2 ] ARALIK 3 [ t 2 < t < t 4 ] ARALIK 4 [ t 4 < t < t 5 ] ARALIK 5 [ t 5 < t < t 6 = t 0 ] SRE (sn) 2,3 1 5 1,1 1,3
Tablo III.1de deney cihaz alma aralklarna ait sreler verilmitir. Elde edilen sreler, mosfetin iletim-kesim, rezonans kondansatrnn kapasitesi ve transformatrnn primer sarg endktansna bal olarak oluur.
18
llmtr. C0 plaka kapasitesi aadaki formlle hesaplanmtr. A d 0 r :Plaka Alan (m2) :Plakalar aras uzaklk (m) : Boluun dielektrik Katsays (8,854.10-12) : Plakalar Arasnda Kullanlan Dielektrik Malzemenin Yaltkanlk
Sabiti (Hava: 1)
C= A (III.1) . 0 . r d Yksek gerilim transformatrnn kna mikroorganizma inaktivasyonu
ileminde kullanlmak amacyla iki iletken plakann; A =81.10-4 m2 r = 1 0 = 8,854.10-12 d1 =1 cm d2 = 5 cm Plakalar arasndaki mesafe 1-5 cm arasnda deitiinden dolay iki ayr hesaplama yaplmaldr. d1 = 1cm Forml III.1de plaka zellikleri yerine yazarsak;
19
C=
C=
alma aralklarnda kullanlan formller,ekil III.9da gsterilmi olan temel seri rezonans devresi diferansiyel denklem eitliklerinden, balang koullar olarak kondansatr gerilimi Vc(t ) = 0 , devre akm i S (t ) = 0 edildiinde aadaki gibi kartlabilir.
L is Vi
olarak kabul
VL VC C
Vi = VL + VC = L
di 1 + idt + VC (t = 0) dt C
(III.2a)
Vi 1 = s.L.I ( s ) + .I ( s ) s s.C
Vi 1 = I ( s )( sL + ) s s.C
(III.2b)
(III.2c)
I (s) =
Vi 1 s.( sL + ) sC
Vi 1 L( s + ) LC
2
Vi L( s + 2 )
2
(III.3a)
20
1 LC
L 1 = C C
(III.3b)
Z = L =
(III.3c)
i (t ) =
Vi C sin t = Vi sin t Z L
(III.3d)
(III.4a)
0
Vi = L
di 1 + i.dt + Vco dt C
(III.5a)
(III.5b)
C. = C.
1 L.C
C2 = L.C
C 1 = L Z
(III.5c)
(III.5d)
(III.5e)
I ( s) =
(III.6a)
21
.L =
L2 L.C
(III.6b)
C.Z = C
L C 2 .L 1 = = C C
(III.6c)
I ( s) =
(III.6d)
i (t ) =
sin t + I Lo . cos t =
(III.6e)
(III.7a)
Vc(t ) = =
Vc = (Vi Vco).
+ Z .I L 0 . sin t + Vi
(III.7c)
(III.7d) (III.8)
22
III.1.1.1
iS =
(III.9)
bants yazlabilir. Mosfetin iletimde kald sre boyunca I S akm artarak devam eder. I S akmnn art ve bu aralk, mosfetin kesime girmesiyle sona erer. iS = 95 2,3.10 6 6 300.10
i S = 0,73 A
III.1.1.2
Mosfetin gate sinyalinin kesilmesiyle Vs-Lp-Cds yolu ile bir seri rezonans oluur. Bu aralk sonunda Cds rezonans kondansatr VS kaynak gerilimine, IS devre akm pozitif alternansta maksimum deerine ulaarak son bulur. Denklem III.6dden faydalanarak, aralk 2de oluan rezonans iin,
i S = I S cos r (t 2 t1 ) + VS sin r (t 2 t1 ) Zr
I S max = I S 1
VS + Z r
(III.10))
I S max
95 = 0,73 + 168
2
6 Z r = 280.10
Z r = 168
D2 diyodu, I S akmnn maksimum deerine ve Vds geriliminin Vs deerine erimesiyle iletime girer ve bu aralk biter.
24
III.1.1.3
Aralk 2de balayan rezonans bu aralkta da devam eder. kta bulunan D2 diyodu zerinden sekonder sarg yk besler. i S = I S max . cos r (t 4 t 2 ) i S = 0,85. cos r 5.10 6 i S = 0,85 A Denklem III.7dden faydalanarak, aralk 3de rezonans kondansatr zerindeki gerilim, v dS = v S + Z r .I S max . sin r (t 4 t 2 )
v dS = 95 + 168.0,85. sin r 5.10 6 v dS = 95V (III.12))
(III.11))
VdS max =
VdS max =
(Z r I S max )2 + VS 2
(168.0,85)2 + 95 2
+ VS
+ 95
VdS max = 266V Bu aralkta Cds gerilimi iki farkl deer alr. Birinci deer kondansatr seviyesine dt deerdir. geriliminin maksimuma kt, dieri ise Vs
Kondansatrn Vs seviyesine dmesiyle D2 diyodu kesime girmesiyle I S akm negatif maksimum deerine ulaarak bu aralk biter.
25
III.1.1.4
Seri rezonansn devam ettii bu aralkta kondansatr gerilimi (Vs) sfra dmesiyle D1 diyodu iletime girerek bu aralk biter. Denklem III.11den faydalanarak, aralk 4de primer sargdan geen rezonans akm, i S = I S max cos (t 5 t 4 ) i S = 0,85 cos (1,1.10 6 ) i S = 0,66 A Denklem III.7dden faydalanarak, aralk 4de rezonans kondansatrnn gerilimi,
III.1.1.5
Aralk 4n sonunda D1 diyodunun iletime gemesiyle I S akm lineer olarak azalr. Bu durumda mosfetin iletime geirilmesi gerekir[11].
26
t 1 2
27
Primer sarg akmn lmek amacyla devreye seri bal 0,5 luk diren balanmtr. Bu diren yardm ile osilaskobun CH1 kanalnn time/div kademesi 200 mVta, CH2 kanal mosfet zerinde den gerilimi lmek iin volt/div kademesi 5 volta ayarlanmtr. Bu durumda time/div kademesi 2,5 sndir. Pozitif maksimum primer akm 0,90 amper, negatif maksimum primer akm 0,80 amper seviyelerindedir. ekil III.15te, 1 nolu elipsin ierisindeki blge, mosfetin srme sinyalinin kesilmesiyle birlikte Cds rezonans kondansatrnn arj olduu alan gstermektedir. 2 nolu elipsin ierisindeki blge, Cds rezonans kondansatrnn tamamen dearj olduu alan gstermektedir. 3 nolu ember ierisindeki blge, blm III.1.3te sembol verilmi mosfet klf ierisindeki ters diyotun iletime girmesi ile balayp, mosfetin kesim anna kadar sren alan ifade etmektedir.
V,i
Mosfet Gerilimi
1 2
Primer Akm
3 t
ekil III.16 Mosfet Gerilimi (10*5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div)
Mosfetin kap srme sinyali ve primer akm erileri ekil III.16da verilmitir. Srme sinyalini lmek amacyla CH1 kanal time/div kademesi 5 volta, CH2 kanal 200 mVta ayarlanmtr. Time/div 2,5 sndir. 1 nolu elips ierisindeki blge, mosfetin iletime geerek transformatrn primer sargsndan akmn lineer olarak artt alan gstermektedir. 2 nolu ember mosfetin kesime girdii alan gstermektedir.
28
V,i
Srme Sinyali
Primer Akm
t 1
ekil III.17 Srme Sinyali (5V/div) ve Primer Akm (200mV/div), Peryot (2,5sn/div)
29
t
t 2
ekil III.18 k Gerilimi(4700*100mV/div), Peryot(500sn/div)
Yksek gerilim transformatrnn sekonderine bal olan 470 Kluk yk direncine seri bal olarak 100 luk bir diren yardm ile gerilim blc yaplmtr. Osilaskopun volt/div kademesi 100mVta time/div kademesi 50 snye ayarlanm ve 100 luk diren zerinden ekil III.18deki eri elde edilmitir. Bir baka ifade ile ekil III.18, ekil III.17deki tek bir darbenin daha ak gsterimidir. Bu erilerden geni darbe genliinin yaklak olarak 900 V, dar darbe genliinde 1200 V seviyelerinde olduu grlmektedir. 1 nolu elips ierisindeki blge, geni dalgay, 2 nolu ember ierisindeki blge ise dar darbeleri gstermektedir.
30
t 1
31
BLM IV
IV SONULAR
Devre uygulamasnda, kaydedicili osilaskop ile temel giri ve k dalga ekilleri kaydedilmi, gerekli akm ve gerilim hesaplamalar yaplmtr. Tez sonunda aadaki sonular elde edilmitir: Tezimin konusunu oluturan devre uygulamasnda, anahtarlama elemanlarnn zerindeki kayplar frekans deerleri arttka artmaktadr. Anahtarlama kayplarn azaltmak amacyla sfr gerilimde anahtarlama (ZVS) teknii kullanlarak mosfetteki g kayplar azaltlmtr. Devre uygulamas gerekletirilirken kondansatrlerin kapasite ve transformatr primer bobinin endktans deerleri ZVS ann yakalamak iin ok iyi seilmelidir. Mosfetin kesim sresi ierisinde mutlaka kondansatr dearj olmaldr. ap 10m, ekirdek ap 5 m olan kp eklindeki bir hcrenin imhas iin gerekli olan geni dalga (1KHz) ve dar dalga (100KHz) frekanslar elde edilmitir. Hcre imhas iin gerekli elektrik alan olan 2,1 KV/cm elde edilmitir. Tez almasnda uygulamas yaplan deney cihaznda, blm II.1.2de planlanan frekans ve gerilim deerlerinde, geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilerek gerekli elektrik alan salanmtr.
32
BLM V
V TARTIMA VE DEERLENDRME
Sterilizasyon
ilemlerinde
elektroliz
veya
omik
stma
yntemleri
kullanldnda yksek scaklk iin g gerekmektedir. Bu yntemin zellikle yiyeceklerin besin deerlerinde byk kayplara neden olduu bilinmektedir. Bu kayplar azaltabilmek iin yaplan almalar arasnda, elektrik alanlarndan faydalanlmaya balanmtr. Bu alanlar; kare dalga, snml osilasyon, stel ve son olarak geni darbelerin zerine dar darbeler bindirilmesi olarak zetlenebilir. Uygulanan dalga genlii ve frekans hcre imhas iin ok nemlidir. Dk frekanslarda d membran, yksek frekanslarda ise i membran yksek potansiyele sahiptir. Optimum sterilizasyon ilemi iin mikroorganizmalarn hcre zelliklerinin ok iyi tayin edilip ona gre frekans ve genlik deerleri belirlenmelidir. Bu almamzda yaklak 1000V genlikli 1KHz frekansl geni darbe zerine 1100Vluk 100KHzli dar darbeler bindirilerek farkl bir PEF cihaz retilerek mikrobiyolojik deneylerde kullanlmaya hazr hale getirilmitir. Tezimin konusunu olan dntrc tipi ve benzeri uygulamalar, son yllarda yeni bir yaklam olarak deerlendirilebilir. nanyorum ki bu gibi almalar hz kazandka gnlk hayatta bu teknikle artma daha da kullanlabilir hale gelecektir.
33
KAYNAKLAR
[1]
Muzino A., Hori Y. Destruction of Living cells by Pulsed High- Voltage Application. IEEE Transaction on Industry Applications, Vol,24, No.3, May/ June 1988 pp.387-394
[2]
P. Ellappan, R. Sundararajan. A Simulation Study of the Electrical Model of a Biological Cell.Elsevier, Journal of Electrostatics, 28 Novembre (2004).
[3]
N. Dutreux, S. Notermans, T.Wijtzes, M.M Gongora-Nieto, G.V. BarbosaCanovas, B.G. Swanson . Pulsed Electric Fields Inactivation of Attached and Free-living Esherichia Coli and Listeria Innocua under Several Conditions. Elsevier, International Journal of Food Microbiology (2000) 9198
[4]
Bai_Lin Qin, Gustavo V, Barbosa-Canovas, G.Swanson B., P. D. Pedrow, R. G. Olsen. Inactivation of Microorganisms Using a Pulsed Electric Field Continuous Treatment System. IEEE Transaction on Industry Applications Vol.34. no.1 January/Feruary (1998) pp.43-49.
[5]
Tsai-Fu Wu, Sheng-Yu Tseng , Jin-Chyuan Hung . Generation of Pulsed Electric Fields for Processing Microbes. .IEEE Transaction on Plasma Science, Vol,32, No.4, August (2004), pp. 1551-1562
[6]
Sato M., Ishida N. M., Sugiarto A. T., Oshima T., Taniguchi H, High Efficiency Sterilizer by High-Voltage Pulse Using Concentreated- Field Electrode System.IEEE Transaction on Industry Applications, Vol,37, No.6, November/ December 2001, pp.1646-1650
[7]
[8] [9]
www.microchip.com(eriim tarihi:Ocak 2006) Rahim, N.A.; Omar, A.M.; Ferrite Core Analysis for DC-DC Flyback Converter TENCON 2000. Proceedings Volume 3, 24-27 Sept. 2000 Page(s):290 - 294 vol.3
[10] [11]
www.datasheetcatalog.com(eriim tarihi: Nisan 2006) Bodur H., Aksoy ., Akn B., DC-DC Dntrclerde 100-108. Yumuak Anahtarlama Teknikleri, Kaynak Elektrik, Haziran 2002, Say 158, Sayfa
35
AKI DYAGRAMI
Bala
16F252'yi Tant
Tm Portlar k Yap
1 ms Bekle
C Portunu 1 Yap
100_KHz
Mod Se
100_1_ KHz
Toplam 9 lem
36
PIC PROGRAMI
// PICC Compiler version 3.235 ile compile edildi.. #include "18F252.h" #FUSES HS,NOWDT,NOPROTECT,NOPUT,NOBROWNOUT,NOSTVREN,NOLVP //#define MODE_100KHZ #define MODE_100_1KHZ #USE delay(clock=18432000,RESTART_WDT) #byte port_a = 0xF80 #byte port_b = 0xF81 #byte port_c = 0xF82 void init_sys(void) { port_a=0;//porta sfr port_b=0;//porta sfr port_c=0;//porta sfr set_tris_a(0x0F); set_tris_b(0x00); set_tris_c(0x00); port_a=0;//porta sfr port_b=0;//porta sfr port_c=0;//porta sfr setup_adc_ports(NO_ANALOGS);// A portu initialize edilmeli,aksi halde port adc durumunda olur disable_interrupts(GLOBAL); }
37
//_____________________________________________________________ // // void main(void) { char cnt; setup_adc_ports(NO_ANALOGS); setup_adc(ADC_CLOCK_DIV_2); setup_spi(FALSE); setup_ccp1(CCP_OFF); setup_ccp2(CCP_OFF); init_sys(); port_c=0;//her ihtimale kar roleyi brak delay_ms(1000);// 1 saniye beklet port_c=255;//roleyi ek do{ #ifdef MODE_100KHZ port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); #endif ANA PROGRAM //_____________________________________________________________
38
port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); 39
port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(7); port_b=255; delay_us(3); port_b=0; delay_us(900); #endif } while(1); }
40
EK II
KATALOG DEERLER
41
ZGEM
Ortaokulu ve Atatrk Teknik Lisesini bitirdim. 1999 Ylnda Kocaeli niversitesi Teknik Eitim Fakltesinin Elektrik Eitimi blmnden mezun oldum.2003 Ylnda Marmara niversitesi, Fen Bilimleri Enstits, Elektrik Eitimi Anabilim Dalnda Yksek Lisansa baladm. Halen Marmara niversitesi, Fen Bilimleri Enstits, Elektrik Eitimi Anabilim Dalnda Yksek Lisansa devam etmekte ve mraniye Atatrk Endstri Meslek Lisesinde elektrik retmeni olarak grev yapmaktaym.
42