NDICE

OBJETIVOS........................................................................................................................................... 2 TIPOS DE TRANSISTORES ............................................................................................................... 3 TRANSISTORES BIPOLARES (BJT) ............................................................................................. 3 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) ............................................................................ 4 UTILIDADES DE LOS TRANSISTORES............................................................................................ 7 UTILIDADES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES (BJT) ....................................................... 7 UTILIDADES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) ................................. 7 CONEXIONES DE LOS TRANSISTORES......................................................................................... 8 CONCLUSIONES ............................................................................................................................... 11

OBJETIVOS

Conocer los tipos de transistores (bipolares o de efecto de campo) as como sus caractersticas y tipos de conexin.

Conocer las aplicaciones de los diferentes tipos de transistores.

TIPOS DE TRANSISTORES TRANSISTORES BIPOLARES (BJT). El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas: EMISOR: emite los portadores de corriente (huecos o electrones). BASE: controla el flujo de los portadores de corriente. COLECTOR: capta los portadores de corriente emitidos por el emisor.

Posee dos funciones las cuales son: dejar pasar o cortar seales elctricas a partir de una pequea seal de mando y, adems, funciona como un elemento amplificador de seales. Existen dos tipos de transistores bipolares, los cuales son: Transistor NPN: est conformado de dos capas de material tipo n y una capa tipo p. Transistor PNP: est conformado de dos capas de material tipo p y una tipo n.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus entradas (base), el entregar por otra (emisor), una mayor cantidad, en un factor que se llama amplificacin.

Regiones de funcionamiento del transistor bipolar. Los transistores bipolares tienen diferentes regiones de funcionamiento, que se definen principalmente por la forma en que son polarizados: Regin de corte: Un transistor est en la regin de corte cuando la corriente de colector y la corriente de emisor es igual a cero. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito y como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje. Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando la corriente de colector es igual a la corriente de emisor y estas a su vez son iguales a la corriente mxima, en este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o ambos. Esto se presenta normalmente cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una ganancia de corriente de colector ms grande. Regin activa: Cuando un transistor no est en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces, est en una regin media la cual se conoce como regin activa y la cual se toma en cuenta si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador. En esta regin la corriente de colector depende principalmente de la corriente de base y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor. Usualmente la ganancia de corriente de un amplificador, es un dato suministrado por el fabricante.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET). Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. Est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre s. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Dreno (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate). 4

Entre algunos de los transistores de este tipo tenemos: JFET (transistor unipolar): est formado por una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, teniendo as un transistor de efecto de campo tipo N bsico. MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-oxido semiconductor): est formado por dos islas de silicio, una positiva y otra negativa, y en el medio un electrodo de metal. Caractersticas elctricas del JFET. La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, la tensin de drenado debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente.

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Caractersticas de los MOSFET. En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

UTILIDADES DE LOS TRANSISTORES.

UTILIDADES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES (BJT). Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin). Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia). Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas). Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital como la tecnologa TTL. Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

UTILIDADES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

PRINCIPALES VENTAJAS Impedancia de entrada alta y de salida baja.

USOS Adaptador de impedancias, buffer aislador o separador.

Bajo ruido.

Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones.

Baja capacidad de entrada. Control por voltaje.

Instrumentos de medicin, equipos de prueba. Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controles de tono.

Capacidad pequea de acoplamiento.

Audfonos para sordera, transductores inductivos.

Pequeo tamao.

Integracin en gran escala, computadoras, memorias.

CONEXIONES DE LOS TRANSISTORES. Circuito de polarizacin fija: este circuito es el ms sencillo de todos los circuitos de polarizacin. La resistencia Rc limita la corriente mxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturacin, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizar el transistor (saturacin, activa o corte). Al elegir de forma adecuada el valor de estas resistencias se puede determinar con exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor. Lo que se busca es polarizar al transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para lograr esto debemos hacer uso de ecuaciones caractersticas del circuito.

Circuito de polarizacin fija.

Polarizacin por retroalimentacin del transmisor: este proporciona mayor estabilidad del punto de operacin que la polarizacin fija. El efecto de la retroalimentacin radica en el hecho de que si por alguna razn (incremento en por ejemplo) IC incrementa, entonces el voltaje en RE aumenta, lo que a su vez produce decremento en la tensin de RB. Si el voltaje de RB disminuye, entonces IB disminuye lo cual obliga a que IC se decremente. Se concluye que el incremento original de IC queda parcialmente balanceado.

Polarizacin por retroalimentacin del transmisor. Polarizacin por retroalimentacin del colector: Si aumenta, entonces iC aumenta, provocando que v
CE

disminuya, esto a su vez produce un decremento en la tensin de R B.

Como el voltaje de R B disminuye, la corriente de base se hace ms pequea que le calor inicial, esto compensa el incremento en la corriente de colector.

Una propiedad interesante de este tipo de polarizacin es que el transistor nunca se satura aun cuando RB sea igual a cero. A medida que RB va disminuyendo el punto de operacin Q se desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que VCE nunca puede ser menor a 0.7V. La base y el colector es un mismo punto cuando R B = 0 y el transistor funciona en este caso como un diodo.

Polarizacin por retroalimentacin del colector.

Polarizacin por divisin de tensin: Este tipo de polarizacin es la ms ampliamente utilizada en circuitos lineales, por este motivo algunas veces se le conoce como polarizacin universal. Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensin del voltaje Vcc La funcin de esta red es facilitar la polarizacin necesaria para que la unin base-emisor este en la regin apropiada. Este tipo de polarizacin proporciona mayor estabilidad del punto de operacin con respecto de cambios en .

Polarizacin por divisin de tensin.

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CONCLUSIONES Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de los circuitos electrnicos. Con el invento de estos dispositivos se ha dado un giro enorme en la vida, ya que estn presentes en casi todos los aparatos electrnicos. Con este trabajo, se conocieron los distintos tipos de transistores, sus caractersticas, utilidades y tipo de conexiones, teniendo en cuenta que todos son distintos y que por necesidades del ser humano se fueron creando nuevas formas y/o tipos de transistores.

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