En esta espacio se especifica una breve descripcin correspondiente a las memorias utilizadas en circuitos digitales, espero sea de ayuda

para quien lo consulte. Las memorias son circuitos integrados cuyos pines se hallan en ambos lados de la cpsula, formando dos lneas o hileras de pines (DIP) y generalmente se fabrican con capacidades de orden de Kilobytes o Megabytes mltiplos de 8, por ejemplo 8 , !" , #$ , "% , !$8 , o 8M, !"M, #$M, etc&

Como se puede apreciar en la grafica se visualiza un esquema de los pines que generalmente se encuentran en una memoria, se describen a continuacin: A0...An (Bus de direcciones): 'stos pines son las entradas para seleccionar la posici(n de memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras )ue puede almacenar, dada por la e*presi(n $+, donde n es el nmero de pines& D0...Dn (Bus de Datos): ,orresponde a los pines de entrada y salida de datos& 'n el mercado se consiguen generalmente buses de !, %, 8 y !" bits y lo ms usual es encontrar chips tengan 8 entradas de datos& CS (Chip Select): 'ste pin se utili-a para seleccionar el chip de memoria )ue se desea acceder& 'sto en el caso del usar dos o ms memorias similares& OE (Output Enable): .tili-ado para habilitar la salida de datos& ,uando se encuentra en estado acti/o las salidas tiene alta impedancia o actan como entradas& RW (Read/Write): 'ntrada utili-ada en las memorias 01M para seleccionar la operaci(n de lectura o escritura& CC ! "#D (Ali$entaci%n): ,orresponden a los pines de alimentaci(n del circuito integrado& 1lgunas tienen disponible tres pines para este prop(sito, pero por lo general son dos y el /alor de la tensi(n de alimentaci(n depende de la tecnologa de fabricaci(n del circuito&

&'(OS DE )E)OR'AS RA) La $e$oria de acceso aleatorio (en ingl2s3 random-access memory cuyo acr(nimo es RA)) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados& 's el rea de trabajo para la mayor parte del soft4are de un computador& '*iste una memoria intermedia entre el procesador y la 01M, llamada cache, pero 2sta s(lo es una copia (de acceso rpido) de la memoria principal (tpicamente discos duros) almacenada en los m(dulos de 01M&

5e trata de una memoria de estado s(lido tipo 601M en la )ue se puede tanto leer como escribir informaci(n& 5e utili-a como memoria de trabajo para el sistema operati/o, los programas y la mayora del soft4are& 's all donde se cargan todas las instrucciones )ue ejecutan el procesador y otras unidades de c(mputo& 5e dicen 7de acceso aleatorio7 por)ue se puede leer o escribir en una posici(n de memoria con un tiempo de espera igual para cual)uier posici(n, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informaci(n de la manera ms rpida posible& En la siguiente imagen se puede visualizar un diagrama interno de una memoria RAM

En la siguiente grafica se almacenamiento de los datos

visualiza

como

se

establece

la

matri

de

'jemplos de circuitos integrados3 )E)OR'A SRA) * )C)+,+-C 'sta memoria fabricada por Motorola y desarrollada con tecnologa CMOS tiene una capacidad de 8K * 8& Los tiempos de lectura y escritura del integrado son de apro*imadamente !$ ns y tiene un consumo de potencia apro*imado de !88 mW& 'n la 9igura se obser/a la disposici(n de los pines del circuito integrado de esta memoria y sus las caractersticas t2cnicas bsicas&

)E)OR'A DRA) . -//+ 'l CI 4116 es una memoria DRAM de !"K * !& La estructura interna de este integrado se encuentra constituida por un arreglo de !$8 filas y !$8 columnas donde cada uno de los bits se ubica con una direcci(n de !% bits& 'n la figura se muestra la disposici(n de los pines del circuito integrado& :bser/e )ue la entrada de direcciones es de ; bits (A !!!A6)! La ra-(n de poseer ; pines y no !%, se debe a )ue estos tienen funci(n doble, por ejemplo la entrada A se utili-a para establecer los /alores de los bits A "A# de la direcci(n de memoria )ue se )uiere acceder&

<ara ingresar una direcci(n de memoria en este integrado se utili-an las se=ales de entrada RAS$ y CAS$, las cuales deben estar inicialmente en 7!7 para recibir los ; bits menos significati/os de la direcci(n (1"&&&18)& 6espu2s de ello la entrada RAS$ debe cambiar a 787 con lo cual los ; bits se cargan en el registro de direcciones de memoria y el dispositi/o )ueda disponible para recibir los ; bits ms significati/os (1;&&&1!%) de la direcci(n& .na /e- se aplican estos bits, la entrada CAS$ debe cambiar a 787, cargndolos de esta forma en el registro de direcciones en su respecti/a posici(n y permitiendo finalmente acceder a la posici(n de memoria para efectuar la operaci(n de lectura o escritura& RO) Memoria de s(lo lectura (normalmente conocida por su acr(nimo, 0ead :nly Memory) es una clase de medio de almacenamiento utili-ado en los ordenadores y otros dispositi/os electr(nicos& Los datos almacenados en la 0:M no se pueden modificar >al menos no de manera rpida o fcil> y se utili-a principalmente para contener el firm4are (soft4are )ue est estrechamente ligado a hard4are especfico, y es poco probable )ue re)uiera actuali-aciones frecuentes)&

.na ra-(n de )ue toda/a se utilice la memoria 0:M para almacenar datos es la /elocidad ya )ue los discos son ms lentos& 1n ms importante, no se puede leer un programa )ue es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco& <or lo tanto, la ?@:5, o el sistema de arran)ue oportuno del <, normalmente se encuentran en una memoria 0:M& La memoria 01M normalmente es ms rpida para lectura )ue la mayora de las memorias 0:M, por lo tanto el contenido 0:M se suele traspasar normalmente a la memoria 01M cuando se utili-a&

(RO) 's el acr(nimo de Pro%rammable Read-Only Memory (0:M programable)& 's una memoria digital donde el /alor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), )ue puede ser )uemado una sola /e-& <or esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola /e- a tra/2s de un dispositi/o especial, un programador <0:M& 'stas memorias son utili-adas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las 0:Ms, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos&

.na <0:M comn se encuentra con todos los bits en /alor ! como /alor por defecto de las fbricasA el )uemado de cada fusible, cambia el /alor del correspondiente bit a 8& La programaci(n se reali-a aplicando pulsos de altos /oltajes )ue no se encuentran durante operaciones normales (!$ a $! /oltios)& 'l t2rmino Read-only (s(lo lectura) se refiere a )ue, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final)& 'jemplo de circuito integrado3 )E)OR'AS (RO) * 0-S-01

'sta memoria tiene una capacidad de B!$ palabras de 8 bits y la descripci(n de sus pines se muestra en la siguiente grafica3

E(RO)

5on las siglas de &rasable Pro%rammable Read-Only Memory (0:M programable borrable)& 's un tipo de chip de memoria 0:M no /oltil in/entado por el ingeniero 6o/ 9rohman& 'st formada por celdas de 91M:5 (9loating Cate 1/alanche>@njection Metal>:*ide 5emiconductor) o 7transistores de puerta flotante7, cada uno de los cuales /iene de fbrica sin carga, por lo )ue son ledos como 8 (por eso, una '<0:M sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas)& 5e programan mediante un dispositi/o electr(nico )ue proporciona /oltajes superiores a los normalmente utili-ados en los circuitos electr(nicos& Las celdas )ue reciben carga se leen entonces como un !&

.na /e- programada, una '<0:M se puede borrar solamente mediante e*posici(n a una fuerte lu- ultra/ioleta& 'sto es debido a )ue los fotones de la lu- e*citan a los electrones de las celdas pro/ocando )ue se descarguen& Las '<0:Ms se reconocen fcilmente por una /entana transparente en la parte alta del encapsulado, a tra/2s de la cual se puede /er el chip de silicio y )ue admite la lu- ultra/ioleta durante el borrado& ,omo el cuar-o de la /entana es caro de fabricar, se introdujeron los chips :D< (One-'ime Pro%rammable, programables una sola /e-)& La nica diferencia con la '<0:M es la ausencia de la /entana de cuar-o, por lo )ue no puede ser borrada& Las /ersiones :D< se fabrican para sustituir tanto a las '<0:Ms normales como a las '<0:Ms incluidas en algunos microcontroladores& 'stas ltimas fueron siendo sustituidas progresi/amente por ''<0:Ms (para fabricaci(n de pe)ue=as cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utili-aci(n)&

.na '<0:M programada retiene sus datos durante die- o /einte a=os, y se puede leer un nmero ilimitado de /eces& <ara e/itar el borrado accidental por la lu- del sol, la /entana de borrado debe permanecer cubierta& Los antiguos ?@:5 de los ordenadores personales eran frecuentemente '<0:Ms y la /entana de borrado estaba habitualmente cubierta por una eti)ueta )ue contena el nombre del productor del ?@:5, su re/isi(n y una ad/ertencia de copyright&

Las '<0:M pueden /enir en diferentes tama=os y capacidades& 1s, para la familia $;88 se pueden encontrar3
ltima di e!!i"n (hex) ###'' ##!'' ##+'' ##"'' ##''' #!''' #+''' #"''' #'''' !'''' +'''' "'''' '''''

Tamao Tipo de EPROM bits !"#$, !"#$A $ Kbits $"#( ( )bits $"#* * )bits $"!&, $"C!& !& )bits $"+$, $"C+$ +$ )bits $"&(, $"C&( &( )bits $"!$*, $"C!$* !$* )bits $"$%&, $"C$%& $%& )bits $"%!$, $"C%!$ %!$ )bits $"C#!#, $"C!## ! Mbits $"C#$# $ Mbits $"C#(# ( Mbits $"C#*# * Mbits

Tamao Bytes $%& %!$ ! K?ytes # $Bytes ( ),ytes * ),ytes !& ),ytes +$ ),ytes &( ),ytes

Longitud (hex) !## $## (## *## !### $### (### *### !####

!$* ),ytes $#### $%& ),ytes (#### %!$ ),ytes *#### !##### ! M?ytes

)E)OR'A E(RO) * ,0C/+B 'sta memoria de $% pines tiene una capacidad de ( 4) palabras de 8 bits* es decir (+,& Las salidas de esta memoria son triestado, lo )ue permite escribir o leer los datos con el mismo bus de datos&

'sta memoria tiene dos pines no indicados inicialmente3 E<<3 's utili-ado durante la programaci(n& ,'FG< (,hip 'nableFG<rogram)3 .tili-ado para seleccionar el chip (en caso de emplearse en forma conjunta con otros) y para programar la posici(n de memoria seleccionada en el bus de direcciones& 6urante la programaci(n de la memoria, la entrada O&$ se debe encontrar en 1& 'n la entrada debe estar presente una tensi(n de BE, as como en los datos y la direcci(n de memoria& 6espu2s de ello, se aplica pulso de tensi(n durante #8 ms apro*imadamente, para almacenar los datos& ,omo se /i( anteriormente, el borrado de este tipo de memoria se efecta mediante la e*posici(n del integrado a lu- ultra/ioleta& .na lmpara -. de 1(mW, puede ser utili-ada para efectuar este proceso, el cual tarda entre $8 y $B minutos& EE(RO) o E2(RO) 5on las siglas de &lectrically-&rasable Pro%rammable Read-Only Memory (0:M programable y borrable el2ctricamente)& 's un tipo de memoria 0:M )ue puede ser programado, borrado y reprogramado el2ctricamente, a diferencia de la '<0:M )ue ha de borrarse mediante un aparato )ue emite rayos ultra/ioletas& 5on memorias no /oltiles& Las celdas de memoria de una ''<0:M estn constituidas por un transistor M:5, )ue tiene una compuerta flotante (estructura 51M:5), su estado normal est cortado y la salida proporciona un ! l(gico& 1un)ue una ''<0:M puede ser leda un nmero ilimitado de /eces, s(lo puede ser borrada y reprogramada entre !88&888 y un mill(n de /eces& 'stos dispositi/os suelen comunicarse mediante protocolos como @H,, 5<@ y Micro4ire& 'n otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y 65<s para lograr una mayor rapide-& 'jemplo de circuito integrado3 )E)OR'A EE(RO) * ,3C+-A 'sta memoria tiene una capacidad de )+ / ) y tiene caractersticas diferentes a las dems& La informaci(n almacenada puede perdurar apro*imadamente !88 a=os y puede soportar hasta !88&888 ciclos de grabado y borrado&

45AS6

La $e$oria 7lash es una manera desarrollada de la memoria ''<0:M )ue permite )ue mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operaci(n de programaci(n mediante impulsos el2ctricos, frente a las anteriores )ue s(lo permite escribir o borrar una nica celda cada /e-& <or ello, flash permite funcionar a /elocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo& :frecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya )ue no contiene ni actuadores mecnicos ni partes m(/iles& 5u pe)ue=o tama=o tambi2n es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositi/o porttil, as como su ligere-a y /ersatilidad para todos los usos hacia los )ue est orientado& 5in embargo, todos los tipos de memoria flash s(lo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre !8&888 y un mill(n, dependiendo de la celda, de la precisi(n del proceso de fabricaci(n y del /oltaje necesario para su borrado& 'ste tipo de memoria est fabricado con puertas l(gicas I:0 y I1I6 para almacenar los 8Fs ( !Fs correspondientes& 'jemplos de circuito integrado3 )E)OR'A 45AS6 * ,04,8+ La capacidad de esta memoria es de #$K J 8 y como memoria 0lash tiene la caracterstica particular

de ser borrada en un tiempo muy corto (! seg&)& 'l tiempo de programaci(n por byte es de !88 ms y el tiempo de retenci(n de la informaci(n es de apro*imadamente !8 a=os&