DISEO DE SISTEMAS ELECTRONICOS

INFORME

ANCHO DE BANDA DE UN AMPLIFICADOR

Monroy Rojas Hoosman, Molina Daniel Sebastin Universidad de La Salle

Objetivos: Comprobar el funcionamiento de un transistor BJT como amplificador de corriente. Analizar, determinar y comprobar el ancho de banda de un amplificador de baja seal Realizar comparaciones y anlisis entre el desarrollo terico, Simulaciones y mediciones realizadas experimentalmente. Reconocer el modo de operacin de un transistor BJT.

Zonas de trabajo El transistor posee funcionamiento. tres zonas de

Zona de saturacin: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable, El diodo colector est polarizado directamente y el transistor se comporta como una pequea resistencia. El transistor se asemeja en su circuito emisorcolector a un interruptor cerrado. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por la corriente de base, en esta zona el transistor acta como un amplificador Zona de corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. Polarizacin del transistor. Para que un transistor funcione, bien en la zona de amplificacin, en la de corte o en la de saturacin, debe estar polarizado adecuadamente. La unin emisor debe estar polarizada directamente y la unin colector debe de estar polarizada inversamente. Existen tres tipos de polarizacin, la fija, la de base y la de emisor. La polarizacin de base se utiliza en circuitos digitales, en los cuales el transistor trabaja en corte o en saturacin. La polarizacin de emisor se utiliza en circuitos amplificadores. Ancho de banda El procedimiento para medir el ancho de banda es muy simple y es el mismo para

MARCO TERICO Transistor: Es un dispositivo electrnica que consta de tres terminales base, colector y emisor, este dispositivo permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea. Los transistores se clasifican en dos tipos diferentes dependiendo de su polaridad los PNP y los NPN Transistor NPP: En un transistor NPN la corriente de la base es positiva y la corriente del emisor y del colector son negativas, por lo tanto la corriente del emisor conduce en sentido anti horario Transistor PNP: En un transistor PNP la corriente de la base es negativa y la corriente del emisor y del colector son positivas, por lo tanto la corriente del emisor conduce en sentido horario.

DISEO DE SISTEMAS ELECTRONICOS cualquier tipo de amplificador o filtro. Se inyecta una seal en la entrada y se mide su amplitud en la salida. Se vara la frecuencia y se calcula la ganancia para distintos puntos del espectro.

INFORME Posteriormente se realiz el montaje del circuito. En la figura N2 muestra el montaje del circuito en protoboard.

METODOLOGIA

RESULTADOS De acuerdo con la metodologa propuesta, se desarroll el circuito de la Figura N 1 Fig.2. Montaje protoboard
V1 20 R5 5k

del

circuito

en

R2 70k Q2 R1 200 C1 9.5u

R4 5k C3 2.1u

Q2N2222

V2 VOFF = 0 VAMPL = 10m FREQ = 1k R3 5.1k R6 330 C4 60u

Figura N 1 circuito Para este circuito se realizaron los siguientes clculos para determinar la ganancia de voltaje y frecuencia de corte del amplificador.

A continuacin se muestra la seal voltaje de salida obtenida en el osciloscopio para una frecuencia de 5Khz, en donde se obtuvo un Vpp=4.8V.

Fig.3. Voltaje de salida amplificador en el osciloscopio

del

Para determinar la frecuencia de corte inferior y la frecuencia de corte superior se utiliz la siguiente formula.

DISEO DE SISTEMAS ELECTRONICOS Despus de determinar el voltaje de umbral se realiz la bsqueda de una frecuencia inferior y una frecuencia superior en donde el voltaje pico a pico fuera igual al voltaje de umbral, como resultado se obtuvo. de la frecuencia amplificador. corte

INFORME inferior del

Se realiz el mismo procedimiento cambiando los capacitores por capacitores cermicos.

Fig.5. Voltaje de salida del amplificador en frecuencia inferior. A continuacin se muestra la seal voltaje de salida obtenida en el osciloscopio para una frecuencia de 5Khz, en donde se obtuvo un Vpp=4.72V.

MODELO A PEQUEA SEAL EN BAJAS FRECUENCIAS

Fig.4. Voltaje de salida del amplificador con condensadores cermicos en el osciloscopio. A continuacin se hall el voltaje de umbral correspondiente a el circuito

La fuente de seal DC se hace corto y las capacitancias internas actan como circuito abierto.

Teniendo en cuenta el voltaje de umbral se obtuvo las siguientes frecuencias de corte. En la siguiente figura se muestra la seal voltaje de salida obtenida en el osciloscopio

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Aplicamos el mtodo de corte circuito. Dejamos la capacitancia de 9.5uF como una fuente de voltaje Vx y las dems capacitancias las cancelamos La resistencia que ve el capacitor de 9.5uF es igual a:

INFORME

) Aplicamos ley de corrientes en el nodo A.

Ahora aplicamos el mismo mtodo y dejamos el capacitor de 2.1uF y lo convertimos en una fuente, las dems capacitancias se cancelan. El siguiente es el circuito equivalente:
Vx1

Aplicamos ley de voltajes en la maya 1.

De ah se deduce que la resistencia vista desde el capacitor de 60uF

R10 5k R11 5k

La frecuencia de corte es la siguiente:

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En la siguiente figura se muestra la seal voltaje de salida obtenida en el osciloscopio de la frecuencia corte superior del amplificador.

Vx= I * RC + (Ix + gmV)*(Rc||RL)

Rcm = Rc||RL + RC(1 + gm*Rc||RL)

Fig.5. Voltaje de salida del amplificador en frecuencia superior.

Rcm = 5k||5k +

(1 + 0.063*5k||5k)

Resultados simulacin
MODELOS A ALTAS FRECUENCIAS

En la siguiente figura se muestra la simulacin del circuito en Orcad-PsPice

Las capacitancias se hacen cortos

Fig.6. simulacin del circuito en Orcad-PsPice.

Se procede al mtodo de superposicin

En la siguiente tabla se muestra la comparacin entre los resultados tericos obtenidos en la simulacin en Orcad-PsPice y los resultados experimentales vistos en el multmetro al realizar el montaje

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Colector T Voltaje (V) Corriente(mA)
10.29V

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CIRCUITO EQUIVALENTE

Base T
1.305V

Emisor E
1.3V

E
10V

T
0.64V

E
0.6V

1.94mA

2mA

0.01mA

0.01mA

1.95mA

1.81mA

V2 20Vdc R5 5k R3 Q1 Q2N2222 4.75K

Tab.1. comparacin de resultados tericos y experimentales. A continuacin se muestra la comparacin entre la frecuencia de corte obtenida en la simulacin y la frecuencia de corte obtenida por medio de clculos tericos.

V1 1.358Vdc R4 330

Frecuencia de corte simulacin 175.52Hz

Frecuencia de corte calculo 185.75Hz

Tab.2. frecuencia de corte

Se aplica ley de voltajes de Kirchhoff MODELO EN DC

R1 70K Q1

R2 5K

Q2N2222

R3 5.1K

R4 330

Se cancelan los capacitores ya que actan como circuito abierto. )

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CONCLUSIONES

Al utilizar capacitancias internas de valor mayor, se observa que el ancho de banda y las frecuencias de corte superior se aumentan de igual manera.

Las frecuencias de corte inferior son mas grandes en capacitancias internas menores aunque el cambio que ocurre es mnimo en unidades de Hz.

REFERENCIAS http://www.dte.us.es/ing_inf/ins_elec/temario/Te ma%201.%20Amplificadores%20Operacionales.p df

] SEDRA A., SMITH K., Microelectronic Circuit, Oxford University Press, 5th Ed. 2003

http://books.google.com.co/books?id=JdTIqo3EkIC&pg=PA279&lpg=PA279&dq=%E2% 80%9CANCHO+DE+BANDA+DE+UN+AMPLI FICADOR%E2%80%9D&source=bl&ots=sChiX LlB6B&sig=UEFthHSXR8RAwNtWCDjaBEPA8 to&hl=es&sa=X&ei=yqYdUauhF4_U9ATfYGIDA&redir_esc=y#v=onepage&q=%E2%80% 9CANCHO%20DE%20BANDA%20DE%20UN %20AMPLIFICADOR%E2%80%9D&f=false