Notions de Compatibilit Electro Magntique (CEM)

(Conformit Europenne)

Jean Louis Boizard Matre de confrences, IUFM Midi Pyrnes- Toulouse II Notions_cem_v1.2

Sommaire

1) Introduction 1.1) Prambule 1.2) Un peu dhistoire 1.3) Les directives 89/336/CEE et 2004/108/CEE 1.3.1) La directive CEM : Exigences 1.3.2) Vocabulaire spcifique la directive CEM 1.3.3) Directive CEM : Domaines dexclusion 1.3.4) Directive CEM : la dclaration de conformit 1.3.5) Directive CEM : le marquage CE 1.4) Lois gnrales, units et outils mathmatiques utiliss en CEM 1.4.1) Loi de Biot et Savart 1.4.2) Loi de Faraday/ Loi de Lenz 1.4.3) Loi dAmpre 1.4.4) Thorme de Gauss 1.4.5) Les quations de Maxwell 1.4.6) Quelques rappels sur les ondes lectromagntiques 1.4.7) La transforme de Fourier 1.4.8) Les units utilises en CEM 2) Gnralits 2.1) Emissivit et immunit 2.2) Les perturbations 2.2.1) Gnralits et classification 2.2.2) Exemples de perturbations lectro magntiques 3) Les modes de couplage et leurs solutions 3.1) Couplages en mode conduit 3.1.1) Mode commun ou par impdance commune 3.1.2) Mode diffrentiel 3.1.3) Cas des alimentations secteur 3.1.4) Couplage carte chssis 3.2) Couplages par rayonnement 3.2.1) Couplages en champ proche 3.2.2) Couplage en champ lointain 4) Les moyens dessai 4.1) Les chambres anchoques 4.2) Les cages de Faraday 4.3) Chambres rverbrantes brassage de modes (CRBM) 4.4) Lanalyseur de spectre 4.5) Quelques antennes utilises en CEM 4.6) Les sondes isotropiques 4.7) Les RSIL (Rseaux Stabilisateurs dImpdance de ligne) 4.8) Tests dimmunit aux dcharges lectrostatiques (Norme CEI 61000-4-2)
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4.9) Tests de transitoires lectriques rapides en salve (TERS) 4.10) Tests dimmunit aux champs lectromagntiques 5) La CEM dans la conception des quipements lectroniques 5.1) Conception des circuits imprims 5.2) Les choix technologiques 5.2.1) Les familles de circuits intgrs numriques 5.2.2) Le choix des composants passifs 5.2.3) La conception et le cblage des quipements (coffrets et baies) 6) Les outils de simulation 6.1) Perturbations basse frquence 6.2) Perturbations haute frquence 6.3) Intgrit et rayonnement des torons de cbles 7) La certification des quipements 8) Bibliographie 9) Annexes

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1) Introduction Note lattention du lecteur : les figures prsentes dans ce document ont t pour la plupart extraites des ouvrages cits dans le paragraphe 9 Bibliographie . 1.1) Prambule

Lintgration de llectronique dans la vie quotidienne sest accompagne de phnomnes parasites -les perturbations lectromagntiques- inhrents lutilisation du courant lectrique. On appelle perturbation lectromagntique tout phnomne lectromagntique susceptible de dgrader les performances dun dispositif, dun quipement ou dun systme. Ces perturbations peuvent tre un bruit lectromagntique, un signal non dsir ou une modification du milieu de propagation. On peut dfinir la CEM comme laptitude dun appareil fonctionner normalement dans un environnement lectromagntique donn, sans produire lui-mme des perturbations intolrables pour les appareils qui se trouvent dans cet environnement. On peut distinguer : La CEM intra-systme (propre aux perturbations mises lintrieur dun quipement). La CEM inter-systme (influence de lquipement sur lenvironnement et inversement).

Dans le premier cas, le concepteur sintressera aux fonctions que lappareil doit raliser et plus particulirement aux problmes dauto-perturbations rencontrs lors du fonctionnement normal. Dans le second cas, le mme quipement devra raliser ses fonctions dans un environnement dinstallation dtermin. 1.2) Un peu dhistoire

Le dbut des annes 30 voit lapparition des communications radio et avec elles un certain nombre de problmes dinterfrences radio (dus aux moteurs lectriques etc.). 1933 : Cration du CISPR (Comit International Spcial des Perturbations Radiolectriques) par la CEI (Commission Electrotechnique Internationale) qui dveloppe des normes pour viter les interfrences. Durant la deuxime guerre mondiale, lutilisation dappareils lectroniques (radio, navigation, radar) sest acclre. Beaucoup de cas dinterfrences entre radios et systmes de navigation arienne sont constats. Le CISPR continue son activit en produisant plusieurs publications techniques prsentant des techniques de mesure des perturbations et
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recommandant des valeurs limites dmissions. Plusieurs pays europens ont adopt ces valeurs limites recommandes par le CISPR. Laugmentation la plus significative des problmes dinterfrences est apparue avec linvention des composants lectroniques haute densit, tels que le transistor bipolaire dans les annes 1950, le circuit intgr dans les annes 1960, et les puces microprocesseur dans les annes 1970. Par ailleurs, le spectre frquentiel utilis devient beaucoup plus large afin de subvenir aux besoins de plus en plus croissants de transmission dinformations. Due la sensibilit de plus en plus accrue des circuits lectroniques, lAmerican Federal Communications Commission (FCC) a publi en 1979 des normes limitant les missions lectromagntiques de tous les appareils lectroniques. Les valeurs limites dfinies par la FCC correspondent dans lensemble celles recommandes par le CISPR.

1.3)

Les directives 89/336/CEE et 2004/108/CEE

Pour faire face aux problmes voqus prcdemment, lEurope a mis en place la directive 89/336/CEE puis la directive 2004/108/CEE qui abroge la prcdente. La premire, transpose en droit franais et applicable depuis 1989, est obligatoire depuis le 1er janvier 1996. Son domaine dapplication concerne tout quipement lectrique ou lectronique, mme pour une fabrication unitaire. Il en est de mme pour les matriels doccasion reconfigurs. Ces directives imposent le respect dexigences essentielles dordre technique aux tats membres de lUnion Europenne. Elles imposent les contrles faire sur un produit, avant sa mise sur le march, sans prciser les modalits techniques relevant elles de normes. Elles doivent supprimer les entraves aux changes lintrieur de lUnion Europenne. 1.3.1) La directive CEM : Exigences Les exigences essentielles de la directive CEM sont rdiges en termes dobjectifs qualitatifs : Les perturbations gnres doivent tre limites un niveau permettant aux systmes de radio et de tlcommunication, ainsi quaux autres appareils, de fonctionner conformment leur destination. Les appareils doivent avoir un niveau adquat dimmunit intrinsque contre les perturbations lectromagntiques leur permettant de fonctionner conformment leur destination.

1.3.2) Vocabulaire spcifique la directive CEM

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Appareil : on entend par appareil un produit fini contenant des composants lectriques et/ou lectroniques, destin tre mis sur le march et destination de lutilisateur final. Lappareil permet lobtention dune fonction directe et doit tre marqu CE. Systme : Ensemble dappareils conus et fabriqus pour tre associs entre eux afin de remplir une tche dtermine, et mis sur le march comme une seule entit et destination de lutilisateur final. Installation : Association de plusieurs appareils ou systmes mis en place dans un lieu donn, et pour un but donn, mais qui ne sont pas destins tre mis sur le march en une seule entit. Chaque lment constitutif dune installation doit tre CE. Composant : Ce mot ne doit pas tre pris au sens traditionnel de llectronique, mais au sens de sous-ensemble ou de constituant. Lorsque le composant est destin tre intgr dans un appareil, le composant nest pas soumis aux dispositions de la directive. Exemple : la carte alimentation dun ordinateur destin un assembleur nest pas soumise au marquage CE, cest lordinateur complet qui doit tre CE. Cependant si le composant dlivre une fonction directe, il est assimilable un appareil et doit donc se conformer aux prescriptions de la directive.

1.3.3) Directive CEM : Domaines dexclusion Outre les composants lmentaires ou plus complexes, certains appareils ne sont pas concerns par la directive : Les appareils destins aux radioamateurs sils ne sont pas dans le commerce. Ils sont toutefois directement concerns par les phnomnes lectromagntiques (occupation du spectre). Les produits concerns par une directive spcifique dapplication obligatoire lorsque celle-ci prend en compte une partie spcifique de la CEM (appareils mdicaux par exemple), lexclusion ne portant que sur celle-ci seulement. Autres exemples : les cbles, systme de cblage et accessoires, le matriel ne comportant que des charges rsistives sans dispositif de coupure automatique tel que les thermostats ou les ventilateurs, les piles et accumulateurs.

1.3.4) Directive CEM : la dclaration de conformit La dclaration de conformit, obligatoire pour la mise sur le march europen, doit contenir les lments suivants : Description de lappareil vis. Rfrences des directives concernes.
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Rfrences des normes harmonises par rapport auxquelles la conformit a t value. Identification du signataire ayant reu pouvoir pour engager le fabricant ou son mandataire. Le cas chant, les rfrences de lattestation CE de type ou du rapport technique dlivr respectivement par lorganisme notifi ou comptent.

1.3.5) Directive CEM : le marquage CE Il signifie Conformit Europenne et est le signe distinctif de la conformit du produit aux diverses directives qui lui sont applicables. Le fabricant ou le mandataire a la responsabilit de la conformit de son produit aux directives. Il doit rdiger une Dclaration de Conformit. 1.4) Lois gnrales, units et outils mathmatiques utiliss en CEM

Bien que daspect complexe, la CEM respecte les lois de la physique connues des lectroniciens. Nous donnons ci-dessous les lois les plus utilises. 1.4.1) Loi de Biot et Savart Un lment dl dun circuit filiforme parcouru par un courant dintensit I gnre en un point M distant de r un champ magntique dB dfini par la relation ci-dessous :
0 Id r dB = 4 r3

Dans laquelle I est en ampre, r et l en mtres et B en Tesla (1 Tesla = 10 000 Gauss. A Paris le champ magntique terrestre vaut 0,5 Gauss) 0 est la permabilit du vide (0 = 410-7Hm-1). Consquences : a) Un conducteur de type boucle parcouru par un courant i variable (leffet est nul en continu) peut, via le champ magntique B quil cre, perturber dautres conducteurs placs proximit. b) Un conducteur de type brin (antenne) aliment par une source de tension variable (effet nul en continu) gnre un champ lectromagntique pouvant perturber les conducteurs placs proximit.

Fig. 1.a : gnration dun champ B et Fig.1.b : phnomne dantenne c) Un conducteur plac dans un champ magntique B ou lectrique E variables devient respectivement le sige dun courant i ou dune ddp v induits.

Fig. 2 : Phnomnes de couplage 1.4.2) Loi de Faraday/ Loi de Lenz Quand le flux du champ magntique travers un circuit conducteur ferm varie dans le temps, il apparat dans le circuit une f.e.m. dinduction e telle que:

e=

d dt
Fig. 3 : Illustration de la loi de Lenz

Consquences : Une excitation magntique variable perturbatrice H induira dans les boucles quelle traverse, une tension parasite u telle que : u = 0.S.dH/dt. O S est la surface de la boucle.
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1.4.3) Loi dAmpre (loi de Biot et Savart applique quelconque)

une boucle ferme

En rgime quasi-permanent ou permanent (on considre comme ngligeable le temps de propagation des ondes lectromagntiques devant la priode du signal), dans le vide, le thorme d'Ampre nonce que la circulation le long d'un circuit ferm du champ magntique engendr par une distribution de courant est gale la somme algbrique des courants qui traversent la surface dfinie par le circuit orient, multiplie par la permabilit du vide 0.

o :

reprsente l'intgrale curviligne sur le contour ferm , est l'induction magntique, est l'lment infinitsimal de dplacement le long du contour , 0 est la permabilit du vide, est la somme algbrique des intensits des courants enlacs par le contour .

1.4.4) Thorme de Gauss Le flux du champ lectrique E travers une surface ferme S est proportionnel la somme des charges Qint qui sont l'intrieur de cette surface divise par la permittivit du vide 0 (nota : 0 et 0 sont relis par la relation 00c =1 o c est la vitesse de la lumire).

1.4.5) Les quations de Maxwell Les rsultats prcdents obtenus initialement en rgime stationnaire, c'est--dire indpendant du temps, ont t gnraliss en 1861 par Maxwell au cas des rgimes variables (dpendants du temps). Ces quations permettent de dcrire les volutions spatio-temporelles des composantes (Ex, Ey, Ez) du champ lectrique et les composantes (Bx, By, Bz) du champ magntique dans un milieu isotrope parfait du point de vue lectrique et magntique en les reliant leurs sources : densit de charge et densit de courant de conduction j.

div E = / o rot E = -dB/dt div B = 0. rot B =o * j + o * o * dE/dt

=> thorme de Gauss => relation de Maxwell-Faraday => conservation du flux magntique => relation de Maxwell-Ampre

Les drives sont partielles, les grandeurs physiques mises en jeu tant dpendantes de l'espace et du temps. Consquences : En considrant un mme milieu homogne, ces quations admettent des solutions qui rgissent la propagation des champs lectrique et magntique. Les champs E et B s'entretiennent mutuellement, mais l'quilibre nergtique entre eux ne s'opre qu' une certaine distance de la source (qui peut tre un champ lectrique ou magntique). On distingue alors deux zones : La zone dite de champ proche La zone dite de champ lointain

La zone de champ proche correspond aux phnomnes cits dans les chapitres prcdents et est prpondrante dans ltude des couplages par diaphonie capacitive et inductive. La zone de champ lointain est prpondrante dans ltude des couplages de type champ fil et champ boucle . 1.4.6) Quelques rappels sur les ondes lectromagntiques 1.4.6.1) Champ lectromagntique gnr par une antenne boucle

Dans le cas dune boucle (basse impdance) parcourue par un courant variable i et en champ proche E varie en 1/r2, H en 1/r3 et limpdance Z varie en r. En consquence, faible distance, la boucle rayonne essentiellement en champ H.

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Fig.4 : Champ lectromagntique rayonn dans le vide par une boucle en fonction de la distance r dans une direction perpendiculaire la normale de la boucle. 1.4.6.2) Champ lectromagntique gnr par une antenne fouet

Dans le cas dun diple (haute impdance) excit par une tension leve v et en champ proche, E varie en 1/r3, H en 1/r2 et limpdance Z varie en 1/r. En consquence, faible distance, la boucle rayonne essentiellement en champ E.

Fig.5 : Champ lectromagntique rayonn dans le vide par un fil court en fonction de la distance r dans une direction perpendiculaire au fil.
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Dans les deux modes (antenne boucle ou antenne fouet) en champ lointain les champs E et H dcroissent en 1/r et tendent vers un rapport constant Z0 : E/H=377 (impdance du vide Z0 = (0/0)1/2).

Champ lectrique rayonn E une distance d en champ lointain pour une puissance dmission P : E(V/m) = d-1.(30.P.G)1/2 Avec P en watt, d en mtre, G gain numrique de lantenne (non ramen en dB). Pour un doublet G vaut 1, pour une parabole classique G vaut 1000.

Consquences : Un champ lectrique variable se rflchissant sur un conducteur y induit un courant. Le condensateur entre les extrmits du conducteur permet sa circulation (phnomne trs peu sensible aux basses frquences).

Fig.6 : Effet du champ lectrique sur un conducteur

Fig.7 : Courant collect par un conducteur en fonction du champ lectrique reu

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1.4.7) La transforme de Fourier La transforme de Fourier F est une opration qui transforme une fonction f(t) intgrable sur {R} en une autre fonction, dcrivant le spectre frquentiel de cette dernire. La transforme de Fourier de f(t) est la fonction F (f) donne par la formule:

Avec t en secondes et la frquence (en s 1). Consquences : Tous les signaux temporels ont une reprsentation spectrale (nergie fonction de la frquence) et les frquences seront dautant plus leves que les signaux auront des dv/dt levs (variations temporelles). Ils seront donc gnrateurs de signaux parasites potentiellement perturbateurs.

Fig.8 : Effets de la commutation dans les circuits numriques

Fig.9 : Pics de courant lors des commutations dun circuit CMOS

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Fig.10 : influence du di/dt 1.4.8) Les units utilises en CEM : Le dBm : Le dBm exprime le rapport entre la puissance Px du signal x considr et le milliwatt (mW) qui est la rfrence : X (dBm) = 10 log10 (Px/ 10-3) Ainsi un signal de puissance 1 Watt vaudra 30 dBm et 1 W correspondra -30 dBm. Le dBV : Il exprime le rapport entre la ddp Vx dun signal x charg par une rsistance de 50 et le V qui sert de rfrence : X (dBV) = 20 log10 (Vx/ 10-6)

Fig.11 : Les valeurs de rfrence en CEM 2) Gnralits 2.1) missivit et immunit Emissivit : Ce terme est employ pour valuer le pouvoir perturbateur dun appareil Perturbations gnres par un appareil : Perturbations conduites (cbles, supports, ) Perturbations rayonnes (sous forme donde lectromagntique)
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 Immunit : On parle dimmunit pour caractriser le niveau de protection intrinsque dun systme vis--vis des perturbations externes. Immunit contre : Les perturbations conduites Les perturbations rayonnes

Fig.12 : Les trois acteurs de la CEM 2.2) Les perturbations 2.2.1) Gnralits et classification Les Perturbations lectromagntiques (EMI : Electro Magnetic Interference) peuvent tre dorigine naturelle : - Atmosphriques (foudre) - Solaires - Dcharges lectrostatiques (DES) - (ESD : Electro Static Discharge) - Bruit galactique Ou artificielle : - Tlcommunications (antennes) - Fours micro ondes - Coexistence de courants forts et de courants faibles - Commutation industrielle (relais lectro mcaniques, alimentations dcoupage, ) - Distances entre quipements et entre lments de + en + faibles (miniaturisation) - Variations de tension rapides - Micro coupures secteur
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Moteur explosion

On a cependant tendance classer les perturbations en fonction de leur type plutt que de leur nature, par exemple basse ou haute frquence, transitoires ou entretenues. La figure ci-dessous illustre ce classement.

Fig.13 : Classification des perturbations Les perturbations conduites utilisent comme vecteur les matriaux conducteurs : Lignes de donnes Cbles dalimentation Rseau de terre dficient Les perturbations rayonnes sont transmises par une onde lectromagntique et utilisent comme support les milieux dilectriques : Le plastique Le bois Lair SOURCES VICTIMES metteurs radio-frquence Lampes arc Soudage HF Allumage automobile Relais, contacteurs lectronique analogique bas niveau Rcepteur radio-frquence lectronique analogique et numrique lectronique analogique et numrique Rcepteurs radio-frquences, toutes les lectroniques Toutes les lectroniques

lectronique numrique, alim. lectronique analogique dcoupage, Fig.14 : Exemple de sources de perturbations et leurs victimes :
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2.2.2) Exemples de perturbations lectro magntiques 2.2.2.1) La foudre Quand la foudre tombe quelque part, le courant produit un important champ magntique impulsionnel qui vient se coupler avec tous les conducteurs environnants. Modlisation de la foudre partir de deux exponentielles :

I=I0 (e-t/1-e-t/ 2)

Sur cette base, 90% des surtensions peuvent tre modlises partir des 3 ondes de courant typiques ci-dessous :

Fig.15 : modlisation de la foudre 2.2.2.2) Les dcharges lectrostatiques Il s'agit d'une source parasite naturelle trs rpandue. Le mcanisme est le suivant :

le corps d'un tre humain est charg par effet tribo-lectrique, les charges accumules se dchargent brutalement quand une opportunit se prsente : c'est la dcharge lectrostatique (DES ou ESD en anglais).

Les consquences possibles pour un matriel lectronique victime sont :

la destruction d'un composant (en fabrication, en utilisation ou en maintenance), des dysfonctionnements ( plantages , pertes de donnes),
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des phnomnes analogiques transitoires, Le phnomne dcharge lectrostatique d'origine humaine est modlis, dans la normalisation, par :

un gnrateur d'impulsion, modle lectrique du corps humain, constitu d'un circuit capacit + rsistance , en srie ; la plupart des normes font appel un condensateur de 150 pF se dchargeant dans une rsistance de 330 ; ce modle, trop grossier pour dcrire intgralement l'impulsion, est complt par des caractristiques temporelles (majorant du temps de monte, nombre et taux de rptition des impulsions, etc.) un modle gomtrique d'un doigt humain, servant d'lectrode de sortie au gnrateur, accompagn d'un scnario de couplage (contact direct, couplage inductif reprsentant un contact sur un objet proche, etc. un niveau de svrit, pouvant tre la tension de charge initiale du condensateur, ou la valeur crte de l'impulsion (le gnrateur tant connect sur une charge rsistive de rfrence), variable selon le degr de prcautions contre les dcharges lectrostatiques qu'il est raisonnable d'attendre des humains qui se trouvent proximit.

Fig.16 : Transfert dnergie statique entre une personne et un objet.

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Fig.17 : Quelques ordres de grandeur en DES 2.2.2.3) Les transitoires lectriques rapides en salves (TERS) Ils sont le plus souvent gnrs par louverture dun relais ou dun contacteur alimentant une charge inductive (rafale dimpulsions). Lnergie dissiper est faible, mais la largeur du spectre peut stendre au del de 100 MHz. Le pouvoir perturbateur li ce phnomne est important : en numrique, le parasite peut tre interprt comme un signal, ou mme induire un problme de latch-up (mise en conduction des transistors des tages de sortie des portes logiques provoquant un court-circuit sur les lignes dalimentation).

Fig.18 : Modlisation des TERS 2.2.2.4) Commutations courants faibles et courants forts Elles surviennent respectivement dans les circuits numriques et alimentations dcoupage. Les fronts montants et descendants des signaux gnrent des harmoniques dautant plus levs quils sont brefs. Les amplitudes sont dautant plus importantes que les nergies commutes mises en jeu le sont.
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 A sin(n / 2) sin(n / T0 ) U (t ) = + A cos(n0t ) 2 (n / T0 ) n =1 ( n / 2) Reprsentation spectrale de U(t) :

Fig.19 : Spectre dun signal priodique et influence des commutations 3) Les modes de couplages et leurs solutions Les couplages sont des chemins de propagation par lesquels les sources de perturbations entrent en contact avec les quipements victimes. Il existe principalement six modes de couplage, deux en mode conduit et quatre en mode rayonn (deux en champ proche et deux en champ lointain).

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Fig.20 : Bilan des diffrents couplages En mode conduit : Le couplage par impdance commune. Le couplage carte chssis . En mode rayonn en champ proche (basse frquence): Le couplage par diaphonie inductive. Le couplage par diaphonie capacitive. En mode rayonn en champ lointain (haute frquence): Le couplage champ cble. Le couplage champ boucle. 3.1) Couplages en mode conduit 3.1.1) Mode commun ou par impdance commune Limpdance dun conducteur ntant jamais nulle, tout courant y circulant gnre donc aux bornes de ce conducteur une tension U = Z . I. Ce phnomne est particulirement svre pour les circuits bas niveaux (mesure) ou rapides (radio).

Fig.21 : Principe du couplage par impdance commune et mesure de IMC

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Les tensions de mode commun se dveloppent entre les fils de liaisons (alimentations, signaux) et la rfrence de potentiel : masses des appareils, fil de protection quipotentielle. La tension de mode commun est dfinie comme tant gale la valeur moyenne de la d.d.p entre les diffrents fils et la masse. Le courant de mode commun est gal au courant qui scoule la masse, ce courant se partageant entre les diffrents fils de liaison, dans le mme sens sur chacun des fils. Il peut tre mesur par une sonde de courant parcourue par les 2 fils dans le mme sens. Remdes pour diminuer ce couplage : Diminuer Z en mettant plus de cuivre. Circuit imprim multicouches. Plan de masse. Grille. Diminuer le courant parasite. Alimenter les circuits de puissance en priorit. Dcoupler les composants fort di/dt. Sparer lanalogique et le numrique. 3.1.2) Mode diffrentiel Les signaux utiles sont gnralement transmis en mode diffrentiel, appel aussi mode srie , mode normal ou mode symtrique . Exemple : alimentation, transmission sur 2 fils etc.

Fig.22 : Principe du mode diffrentiel et mesure de IMD La tension de mode diffrentiel est mesure entre les 2 fils, elle peut tre mesure avec une sonde diffrentielle. Ltage dentre des systmes lectroniques comporte souvent un amplificateur diffrentiel. Le courant de mode diffrentiel se boucle sur les 2 fils de liaison, il circule en sens oppos sur chacun des fils. Ce courant peut tre mesur au moyen dune sonde de courant parcourue par les 2 fils en sens oppos. Les perturbations gnralement constates dans ce mode, et qui sont plutt faibles, viennent du dsquilibre de ltage dentre du rcepteur. 3.1.3) Cas des alimentations secteur Pour se prmunir des perturbations conduites vhicules par les cbles secteur et se rendre conforme aux normes en conduction, on utilise des filtres secteur. Lefficacit dun filtre est dfinie par la perte dinsertion ou attnuation quil provoque. Cette attnuation dpend beaucoup de la disposition des composants de filtrage par rapport aux impdances prsentes.

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Fig.23 : Filtre Schaffner 1 phase (ref : FN332) Le principe de base de ce filtre repose sur lemploi dune cellule de type LC monte en filtre passebas, cest dire qui laisse passer les frquences basses et coupe les frquences hautes. La frquence de coupure est dtermine par la valeur des selfs L et des condensateurs Cx et Cy et est de lordre de quelques KHz. La perte dinsertion (ou attnuation) du filtre est dfinie par : Attnuationdb = 20 Log10 (U/U) O U reprsente la tension parasite attnue. Prcautions de montage : Le filtre doit tre mont sur le chssis mcanique, masse de lappareil. Prvoir des pargnes de peinture sous le filtre. Attention aux matriaux traits ! viter les couplages entre les fils qui arrivent et ceux qui partent. Les filtres secteur ne sont gnralement pas rversibles. Attention au montage !!! Plaquer les cbles contre les tles.

Fig.24 : Montage dun filtre secteur 3.1.4) Couplage carte chssis La capacit d'une carte lectronique loin de tout conducteur est gale sa capacit intrinsque. C'est son aptitude stocker des charges lectriques lorsqu'elle est soumise un potentiel lectrique. Lorsque cette mme carte est approche de parois mtalliques (cas de la mise en botier), elle va subir leur influence et sa capacit intrinsque va s'ajouter aux capacits mutuelles existant entre elle et chaque lment mtallique de son voisinage. Gnralement, la capacit intrinsque d'une carte est gale celle d'un disque mtallique mince isol dans l'espace, de diamtre gal la plus grande dimension de la carte. Elle vaut :
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CI = 4.0.R

avec R : rayon du disque

Fig.25 : Capacit quivalente dune carte lectronique 3.2) Couplages par rayonnement 3.2.1) couplages en champ proche Un signal lectrique traversant un conducteur gnre autour de celui-ci un champ lectrique et un champ magntique. Les conducteurs voisins baignent dans ces champs et sont leur tour traverss par un signal lectrique induit par le premier. Ces influences sont appels couplage par diaphonie inductive (influence du champ magntique) et capacitive (influence du champ lectrique). Il est intressant de sparer l'tude des deux diaphonies pour la comprhension des phnomnes. Cela sous entend que les deux lignes sont courtes devant les longueurs d'onde des signaux qui les traversent. Lorsque cette condition n'est plus valable, les lignes sont considres comme des lignes de transmission et le calcul de la diaphonie globale devient plus complexe. La figure ci-dessous prsente la configuration gnrale des diaphonies capacitives et inductives dans le cas des basses frquences (cas o la longueur d'onde est telle que la longueur des cbles < /10).

Fig.26 : Modle lectrique dun couplage par rayonnement en champ proche 3.2.1.1) Couplage par diaphonie inductive

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Un courant i circulant dans un fil gnre un champ magntique autour de celui-ci. Si ce champ est variable, il induit une tension e dans les boucles voisines : e = -M di/dt (loi de Lenz)

M est linductance mutuelle entre les deux circuits et di/dt la vitesse de variation du courant, donc du champ. Cette inductance M est un artifice qui permet dviter lintroduction des notions de champ magntique.

Fig.27 : Modle lectrique dun couplage par diaphonie inductive

Fig.28 : Effets de la diaphonie inductive de Mode Diffrentiel La tension induite U est gale : u =- Ldi/dt ou en rgime harmonique U= 2.F.L.I

Avec : F frquence du courant source L mutuelle inductance I courant source de perturbation di/dt vitesse de variation du courant
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La diaphonie est nulle en continu et reste faible jusqu des frquences de quelques KHz. Elle nest gnante que pour les signaux bas niveaux proches de conducteurs transportant des courants rapidement variables. Remdes Diminuer la mutuelle inductance en loignant le fil perturb du fil perturbateur. Utiliser des paires torsades (utiles contre la diaphonie en MD uniquement) Cbles plats blinds, de mise en uvre difficile, efficaces uniquement en HF. Multiplier les conducteurs de la masse. Adapter les impdances terminales des lignes. Cbles en nappe torsads : alterner signal et masse

Fig.29 : Protections des signaux dans un cble en nappe

Fig.30 : Effets de la diaphonie inductive de Mode commun Cest un des problmes les plus courant en CEM : les surfaces de boucle sont plus grandes quen Mode Diffrentiel par consquent les effets sont plus significatifs. La diaphonie inductive de MC est gnre par les courants de MC circulant sur les cbles perturbateurs. Leffet est une tension induite entre un cble victime parallle et la masse la plus proche. La
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configuration extrme viter est le cheminement de cbles voisins avec des conducteurs de retour loigns. Les courants de MC sont suprieurs en intensit aux signaux utiles en MD.

Fig.31 : Couplage par diaphonie inductive en mode commun Remdes : Diminuer la mutuelle inductance en loignant le perturb du perturbateur. Utilisation danneau de garde reli au 0v autour des pistes sensibles. viter les parcours parallles de cbles sur de longues distances. Mettre le conducteur de retour dans le mme cble que le conducteur aller. Diminuer la vitesse de variation du courant. Plaquer les conducteurs victimes et perturbateurs sur la masse. Travailler en basse impdance. 3.2.1.2) Couplage par diaphonie capacitive Les variations de tension entre un conducteur et son environnement gnrent un champ lectrique variable. Celui-ci injecte son tour un courant, proportionnel aux lignes de champ coupes, dans les conducteurs proches. La diaphonie capacitive est un couplage par champ lectrique. La notion de capacit de couplage parasite nous vite de calculer les champs lectriques. Cette capacit de couplage nous permet de calculer le courant collect par un conducteur victime : I=Cdv/dt ou en rgime harmonique : I=2FCV

I : courant collect par la piste victime en A. F : frquence du signal source en Hz. C : capacit de couplage en F.
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V : tension de source coupable. dv/dt : vitesse de variation de la tension coupable

Fig.32 : Modle lectrique dun couplage par diaphonie capacitive La diaphonie capacitive est faible aux basses frquences et nulle en continu. Elle se dcompose en deux : Mode Diffrentiel et Mode Commun. Comme pour la diaphonie inductive de Mode Commun, la diaphonie capacitive de Mode Commun est la plus gnante. Aux frquences leves, les diaphonies inductives et capacitives sont quivalentes en nergie.

CMD = (C11-C12-C21+C22)/2 Fig.33 : Diaphonie capacitive de Mode Diffrentiel Elle perturbe, en BF, surtout les circuits haute impdance et bas niveaux. Le pire cas de figure est le cble en nappe mal utilis. Remdes : Limiter les variations rapides de tension. Diminuer la capacit de couplage entre les deux circuits (loigner les conducteurs). Un cran conducteur, tresse, feuillard, plastique conducteur, est efficace mme aux basses frquences

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Fig.34 : Exemple de remde la diaphonie capacitive de mode diffrentiel Diaphonie capacitive de mode commun :

Fig.35 : Diaphonie capacitive de mode commun La diaphonie maximale est voisine de 50%. Ds que lloignement e des cbles est suprieur la hauteur h par rapport au plan de masse, la diaphonie dans les cas extrmes tend vers le rapport : R = (h/e)2 Remdes : les mmes que pour la diaphonie inductive Diminuer la capacit de couplage en loignant le perturb du perturbateur. Sparation des cbles bas niveaux des autres dans des goulottes spares. viter les parcours parallles de cbles sur de longues distances. Mettre le conducteur de retour dans le mme cble que le conducteur aller. Diminuer la vitesse de variation du courant. 3.2.2) Couplage en champ lointain 3.2.2.1) Couplage champ fil Un champ lectrique E, en se rflchissant sur un conducteur de longueur L, cre un courant I en surface de ce conducteur. Le condensateur parasite entre les extrmits du conducteur
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permet la circulation du courant. Ce phnomne sappelle aussi couplage champ fil et est trs faible aux frquences basses. Le courant collect en fonction du champ lectrique peut sexprimer de deux manires selon la valeur de L : Si L < C/4F => I = EL2F / (2400 Ln (L/2d)) Si L > C/2F => I = 1.25 E/F Avec: L, longueur du fil en m E, champ lectrique en V/m F, frquence du champ E C, clrit de la lumire (3.108 m/s) I, courant parasite en A d, distance source-fil en mtres (m) Remdes : Pour le rduire on peut diminuer leffet dantenne en rapprochant le cble de la masse, en blindant ou en loignant le champ lectrique perturbateur. Effet rducteur : Plaquer le cble contre un plan de masse conducteur.

Fig.36 : Couplage champ fil Blinder les cbles et les coffrets. Filtrer les entres et sorties par rapport la masse mcanique. Monter des tores de ferrites sur les cbles collecteurs.

Fig.37 : Protection contre les couplages champ fil Nota : La TRP est une Tle de Rfrence de Potentiel. 3.2.2.2) Couplage champ boucle Un champ magntique variable traversant une boucle y cre un flux magntique variable. Ce flux induit une tension lectrique aux bornes de cette boucle.
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Fig.38 : Exemple de couplage champ boucle Si la plus grande dimension de la boucle est d < c/4F, alors cette tension sera : - U = 0SdH/dt ou encore U = 2f0HS en rgime sinusodal - U = SEF/48 (E et H tant lis en champ lointain) Si la plus grande dimension de la boucle est d > c/4F alors la loi de Lenz ne sapplique plus directement. En effet la tension induite fluctue entre des minima et des maxima qui valent : U # 600eH Avec e : espace entre les conducteurs aller et retour en mtres. Remdes : diminuer la surface des boucles, utiliser un plan de masse sur les circuits imprims. se protger par blindage du champ magntique perturbateur. regrouper les entres/sorties du mme ct des cartes plutt que de les rpartir sur le primtre.

Fig.39: Effets de la foudre et protections possibles.

4) Les moyens dessai

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Ceux-ci ont pour but de tester un matriel en immunit et en mission dans les modes conduits et rayonns. Dans ce contexte un certain nombre dinstruments ou moyens savrent ncessaires parmi lesquels on peut citer : - les dispositifs denvironnement (champ libre, cage de Faraday, chambre anchoque, chambre brassage de modes, plateaux tournants, ) - le matriel de mesure (analyseur de spectre, wattmtre HF, RSIL, antennes et mesureurs de champ) - les gnrateurs de perturbations (pistolet DES, pince capacitive, amplificateur de puissance HF, ) 4.1) Les chambres anchoques Une chambre anchoque est une salle d'exprimentation dont les murs et le plafond sont totalement absorbants aux ondes lectromagntiques et donc ne provoquent aucun cho venant perturber les mesures. On utilise de telles chambres pour mesurer des ondes lectromagntiques dans des conditions de champ direct, c'est--dire en l'absence de composantes ayant subi une rverbration sur les parois. Une telle chambre sert notamment mesurer les perturbations lectromagntiques par rayonnement, d'appareils lectroniques. Le revtement de ces chambres est constitu de mousses charges en carbone.

Fig.40 : Chambre anchoque 4.2) Les cages de Faraday Ce sont des enceintes blindes utilises pour protger des nuisances lectriques et lectromagntiques extrieures ou inversement empcher un appareillage de polluer son environnement. Une cage de Faraday est souvent utilise pour effectuer des mesures prcises en lectromagntisme.

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Fig.41 : Cage de Faraday 4.3) Chambres rverbrantes brassage de modes (CRBM) Les chambres rverbrantes brassage de mode sont constitues dune enceinte blinde dans laquelle se trouve un brasseur (pales en mouvement). Un des intrts de ce dispositif est de pouvoir gnrer des champs levs en injectant des puissances relativement faibles (exploitation des rsonances de lenceinte blinde) et de disposer dun milieu statistiquement isotrope exempt dondes stationnaires (effet du brasseur).

Fig.42 : CRBM et zone dutilisation en frquence. 4.4) Lanalyseur de spectre Un analyseur de spectre mesure la rpartition en frquence de lnergie d'un signal en analysant chacune des frquences sparment dans un intervalle prdfini. La plupart des analyseurs de spectre utiliss en CEM sont dits balayage .

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Fig.43 : Synoptique dun analyseur de spectre balayage 4.5) Quelques antennes utilises en CEM

Fig.44 : Antennes couramment utilises en CEM 4.6) Les sondes isotropiques

Elles sont ddies la mesure du champ lectromagntique. La sonde effectue la mesure isotropique du champ lectrique, cest--dire indpendamment de la direction du rayonnement (sa sensibilit est identique dans toutes les directions). Elles sont caractrises par leur gamme de frquence et de mesure (sensibilit).

Fig.45 : Sonde isotropique et son mesureur de champ.

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4.7) Les RSIL (Rseaux Stabilisateurs dImpdance de ligne) Le RSIL permet de maintenir limpdance caractristique dun circuit de mesure stable (typiquement 50 ) sur toute la plage de frquences normative (150 kHz-30 MHz). Il permet ainsi une reproductibilit des mesures. La valeur de 50 permet l'adaptation d'impdance des appareils de mesure tels que l'analyseur de spectre ou le wattmtre.

Fig.46 : Schma de principe dun RSIL monophas et sa courbe dimpdance

Fig.47 : Configuration de mesure dmission conduite. Lquipement sous test est considr comme un gnrateur, le RSIL comme une charge. 4.8) Tests dimmunit aux dcharges lectrostatiques (Norme CEI 61000-4-2) Ils concernent les perturbations provoques par les transferts de charge. En s'approchant d'un appareil, un objet ou une personne charge d'lectricit statique peut provoquer un transfert de charge vers son botier ou l'un de ses organes : afficheur, bouton de commande, borne de raccordement. Il s'en suit une surtension d'nergie modre, mais trs rapide, qui peut provoquer des dysfonctionnements, notamment pour les appareils qui traitent de l'information. Les tests sont raliss grce un pistolet lectrique qui produit ce phnomne de manire contrle. Les dcharges peuvent se faire par effluves dans l'air, ou par contact selon le type de botier de l'appareil sous test. Selon le niveau de svrit du test, elles vont de 2 8 KV par contact et de 2 15
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KV dans l'air. Elles provoquent des surtensions dont le temps de monte est trs bref (moins de 1ns). Pour parvenir une conclusion significative, elles sont rptes de nombreuses fois de manire attaquer plusieurs reprises toutes les parties de l'appareil, et en particulier les vis de fixation, les joints d'assemblage et galement l'environnement de l'appareil via des plans de couplage.

Fig.48 : Pistolet de dcharge lectrostatique 4.9) Tests de transitoires lectriques rapides en salve (TERS) Normes de rfrence : CEI 61000-4-4, 61000-4-5, 61000-4-6. Il s'agit d'injecter sur le cble d'alimentation de l'appareil en test ou sur les cbles de connexion entre-sortie, des courants reprsentant les perturbations transitoires d'origine industrielle, des commutations sur le rseau de distribution, l'influence sur les cbles des rayonnements lectromagntiques ou l'effet de la foudre. Pour cela on utilise une pince de couplage, relie un gnrateur de tensions d'essai, compose d'une goulotte d'un mtre monte sur un support isolant et formant avec le cble qui l'emprunte de bout en bout, un condensateur de valeur dtermine.

Fig.49 : Gnrateur de TERS et sa pince de couplage

4.10) Tests dimmunit aux champs lectromagntiques Les essais d'immunit rayonne permettent de garantir le bon fonctionnement des appareils lorsquils sont soumis des champs lectromagntiques. Ces essais tant particulirement sensibles
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lenvironnement, les moyens et les comptences mettre en uvre pour raliser des mesures fiables et reproductibles sont importants. Le milieu ambiant doit tre suffisamment propre pour ne pas tre gn par des champs lectromagntiques parasites fortement prsents en milieu industriel. Ces essais sont donc raliss dans des cages anchoques ou semi-anchoques. Les champs sont gnrs par diffrentes antennes suivant les types de champ, les gammes de frquence et les polarisations voulues (cf. fig. xx ci-dessous). Ces antennes sont alimentes partir dun gnrateur vobul dont le signal passe par un amplificateur de puissance large bande. Les champs gnrs sont calibrs laide de capteurs isotropiques large bande.

Fig.50 : Disposition typique de test dans une cage semi-anchoque. Les mesures se font en deux tapes : 1 - calibrage du champ pour une gamme de frquences donne en l'absence d'quipement. 1 - vrification de l'immunit de l'quipement. 5) La CEM dans la conception des quipements lectroniques

Le cot induit de la CEM dans le processus de dveloppement dun produit est dautant plus lev que celle-ci est prise en considration tardivement car elle peut remettre fortement en question larchitecture et/ou les choix technologiques qui ont t effectus. Par ailleurs sur-dimensionner un quipement pour tre certain de sa CEM peut savrer un fiasco conomique cause du surcot que cela induit. Cest dire quil est capital de la prendre en compte au plus tt dans la phase de conception et sa juste valeur. Les chapitres qui suivent donnent quelques pistes possibles. 5.1) la conception des circuits imprims Les interfrences pouvant apparatre sur les cartes lectroniques sont essentiellement de deux natures : - celles lies aux pics de courant lors des commutations des circuits logiques - celles lies aux diffrentes diaphonies inductives et capacitives. La premire peut tre fortement attnue en soignant les pistes dalimentation des circuits : on privilgiera des plans dalimentation dans les circuits imprims multicouches ou bien des alimentations en peigne dans les circuits double face. Dans chaque cas on prendra soin de dcoupler les circuits intgrs en plaant des condensateurs (10 nF 100 nF) entre masse et alimentations au plus prs des circuits. Depuis lutilisation gnralise des composants monts en surface (CMS), les condensateurs de dcouplage sont souvent placs directement sous le circuit intgr cot soudure du circuit imprim et offrent une meilleure efficacit de dcouplage.
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Fig.51 : Dcouplages traversant (gauche) et CMS (droite) Pour le deuxime point il est dj possible, dans la phase dimplantation, de rduire les couplages entre composants dus leur proximit. Le regroupement des circuits par type : numrique analogique - puissance, en fonction de leur susceptibilit rduit leurs interfrences. D'autre part le trac des pistes sur un circuit imprim a une incidence importante sur la susceptibilit dune carte : le mme schma lectrique, implant de diffrentes manires aura une immunit aux perturbations pouvant varier dun facteur un plusieurs dizaines. Par exemple on vitera les fils longs, surtout ceux vhiculant des horloges frquence leve (> Mhz) cause des effets dantenne et ceux vhiculant des signaux analogiques sensibles (faible niveau, tages dentres impdance leve, ). On limitera galement si ncessaire le dv/dt (par adjonction de rseau RC ou par programmation du slew rate pour les circuits FPGA). Pour rduire le couplage par diaphonie, on vitera les cheminements des pistes en parallle sur de grandes longueurs. On vitera galement les angles droits (rupture dimpdance) dans le trac des pistes vhiculant des signaux haute frquence (horloges) et on prfrera des tracs de piste qui minimisent limpdance de ligne et le rayonnement (trac langlaise) ou la diaphonie (trac avec plan de masse ou piste de garde).

Fig.52 : Exemple de tracs de pistes 5.2) Les choix technologiques 5.2.1) les familles de circuits intgrs numriques Un premier choix renforant limmunit aux perturbations lectromagntiques conduites dune carte lectronique peut tre fait en optant, lorsque cest possible, pour des technologies offrant une bonne
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marge de bruit. Plus la marge de bruit sera importante, meilleure sera limmunit. A titre dexemple la figure ci-dessous illustre les marges de bruit respectives pour les technologies TTL-LS et HCMOS.

Fig.53 : Marges de bruit de circuits intgrs TTL-LS et HC-MOS 5.2.2) Le choix des composants passifs Ceux-ci sont utiliss la priphrie des cartes lectroniques, au niveau des entres-sorties et des alimentations en nergie. Le tableau ci-dessous donne un aperu de quelques exemples de composants passifs et de leur domaine dutilisation. Types Parasurtenseur (suppression des surtensions) Composants pour filtrage (attnuation de composantes spectrales en mode conduit) Composants pour blindage (attnuation de composantes spectrales en mode rayonn) Exemples Eclateur, parafoudre, limiteur, Varistance, diode Zener, transorb, transil, varistor, Transformateur, inductance, condensateur, filtre Applications Installation, alimentation, contrle-commande, Circuits lectroniques Alimentation, contrlecommande

Grillage, plan de masse, Transmission d'information, cble blind, joint (armoire en site perturb) hyperfrquence, doigt de contact Fig.54 : Exemples de composants passifs utiliss en CEM

Exemple de filtre et protection ESD :

Fig.55 : Protection de lignes : EMIF10-LCD03F3 de ST Microelectronics

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Caractristiques principales: Attnuation leve dans la bande des frquences tlphonie mobile (meilleur que -40 dB de 900 MHz 2 GHz) Faible tension dcrtage Faible capacit de ligne (30 pF max) convenant pour les interfaces rapides Temps de monte/descente maxi de 6 ns (10% - 90%) Adapt pour les transferts haut dbit Compatible avec les standards : IEC61000-4-2 niveau 4 sur les entres et sorties 15 kV (dcharge dans lair) 8 kV (dcharge de contact) 5.2.3) la conception et le cblage des quipements (coffrets et baies) Les couplages dcrits dans ce document peuvent tre limits si les chemins de cblage sont raliss selon les rgles suivantes : Regrouper les cbles par catgorie : les cbles de puissance dun ct, les cbles bas niveau de lautre. Si le nombre de goulottes le permet, les cbles de puissance, dintensit dpassant quelques ampres sous 230 V, et les cbles bas niveau chemineront dans deux goulottes diffrentes. Sinon, une distance minimale dune vingtaine de centimtres sera respecter entre les deux catgories. Entre ces deux catgories sera soigneusement vit tout lment commun. Les circuits ncessitant des informations bas niveau auront galement leur propre fil de retour (0 volt) pour viter les couplages par impdance commune. En particulier, la plupart des systmes de communication par bus ncessitent une paire de fils strictement et exclusivement rserve lchange des informations. La surface globale dune boucle (distance entre un conducteur et son retour), doit tre minimise. Pour la transmission dinformations, lutilisation de lignes torsades permet de diminuer la susceptibilit aux couplages de mode diffrentiel. Les cbles de mesures, et de transmissions dinformations faible niveau, doivent tre cran, celui-ci tant reli la masse en un maximum de points. Les goulottes support du cheminement des cbles doivent tre, dans la mesure du possible, des goulottes mtalliques. Ces goulottes sont interconnectes entre elles avec un contact lectrique correct et interconnectes avec le rseau de masse. Les cbles les plus sensibles, ceux de mesure par exemple, sont placs dans un angle. Ils bnficient ainsi dune protection accrue contre les rayonnements lectromagntiques. Leur cran, sil existe, est reli rgulirement la goulotte.

Fig.56 : Principe de cblage dun quipement

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6) Les outils de simulation De part la ncessit de prendre en considration la CEM au plus tt dans le processus de dveloppement dun produit (phase de conception), un certain nombre doutils de simulation ont vu le jour, lesquels sont rgulirement enrichis de fonctionnalits nouvelles. On trouve globalement deux familles de simulateurs : ceux destins lanalyse de lintgrit du signal lors du routage dune carte (bass sur un moteur de simulation type SPICE par exemple) et ceux bass sur la reprsentation 3D de lvolution du champ lectromagntique (bas sur la rsolution des quations de Maxwell et de Stokes). 6.1) Perturbations basse frquence Dans ce contexte les logiciels de CAO classiques bass sur une simulation type circuit (ex. : ELDO, ADVanceMS, ) permettent davoir une bonne estimation de linfluence des parasites sur le comportement dune carte lectronique pour peu que lon dispose de modles de simulation fiables. Ils permettent galement danalyser lintgrit des signaux en prenant en compte la topologie du routage du circuit imprim (gomtrie, couplage, imperfections des composants, ). Pour cela des outils spcifiques extraient, partir du layout (routage), les paramtres caractristiques de chaque quipotentielle et de chaque composant (modle IBIS) et fournissent des modles de type circuit exploitables dans le simulateur (ex : LineSim et BoardSim de la suite HyperLynx). Cette mthode donne de bons rsultats mais est limitative ds que les effets de gomtrie deviennent prpondrants, soit cause d'effets lis la dimension gomtrique (effets bi- ou tridimensionnels), soit cause des effets propagatifs, ou encore lorsqu'apparaissent des effets non linaires.

Fig.57 : Analyse de lintgrit de signaux aprs routage (doc. Boardsim) 6.2) Perturbations haute frquence

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Beaucoup de perturbations naturelles (ex. : foudre, DES) ou industrielles (ex. : TERS) prsentent des temps de monte/descente trs courts et gnrent en consquence des parasites lectromagntiques dont le spectre peut stendre plusieurs dizaines de gigahertz. Les outils cits prcdemment ne suffisent plus pour rendre compte des effets propagatifs dans lespace du champ lectromagntique cr par ces perturbations. La recherche de ce champ passe par la connaissance de la topologie, la nature des lments actifs, passifs et connexions qui constituent le dispositif tudier. Dans ce contexte les simulateurs mis en uvre sont bass sur la rsolution des quations de Maxwell et de Stokes par des mthodes numriques (diffrences finies, lments finis, lignes de transmission, quations intgrales de frontires et des moments). Ces simulateurs prennent galement en compte les effets de peau, les pertes dans les dilectriques et permettent davoir une reprsentation 3D de lvolution du champ lectromagntique sur une carte lectronique en phase de routage par exemple, ce qui permet de modifier la topologie de celle-ci en fonction des performances recherches.

Fig.58 : Exemple de rpartition des champs lectromagntiques (en rouge ou sombre les pistes les plus polluantes ) On trouve cependant de plus en plus de logiciels qui associent les diffrentes fonctionnalits car les problmes dintgrit de signal et champs rayonns sont interdpendants et rsoudre lun permet bien souvent de rsoudre lautre. 6.3) Intgrit et rayonnement des torons de cbles

Certains des simulateurs prcdemment cits permettent galement, moyennant des interfaces, de simuler le rayonnement des cbles ainsi que lintgrit des signaux qui y sont propags. Ces simulateurs disposent de bibliothques comportant un grand nombre de varits de cbles (blinds,
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coaxiaux, torsads, nappes, ) et prennent en compte la topologie des cblages raliss (structure des torons). Ex. : CABLEMod de Simlab.

7) La certification des quipements Les perturbations lectromagntiques existent en mode conduit (dans les cbles ou les pistes dun circuit imprim) ou en mode rayonn dans lair (champ lectromagntique). Ces perturbations se propagent par le biais de phnomnes de couplage tudis dans ce document. On distinguera donc quatre catgories de tests : test dimmunit en mode conduit test dimmunit en mode rayonn test dmission en mode conduit test dmission en mode rayonn. Sagissant des tests dimmunit (ou susceptibilit), on plonge lappareil dans un environnement lectromagntique cr par un systme dmission dondes radiolectriques calibres. Pour viter les influences lectromagntiques externes (non contrles), le site de test est soit une chambre anchoque (pour les essais de perturbations rayonnes), soit une cage de Faraday (pour les essais de perturbations conduites). Trois classes sont spcifies pour dfinir le degr dimmunit respecter par lappareil sous test : - classe 1 : champ de 1V/m, - classe 2 : 3V/m, - classe 3 : 10V/m.

Fig.59 : Exemple de mesure de susceptibilit Pour les tests d'mission, on dfinit deux classes, en fonction de la distance de protection (c'est dire la limite partir de laquelle le champ lectromagntique perturbateur n'a plus d'incidence sur l'environnement):

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- classe A: distance de protection de 30 m, - classe B: distance de protection de 10 m (matriels de grande diffusion). Ces essais se font aussi sur site confin (chambre anchoque, cage de Faraday).

Fig.60 : Exemples de gabarits et de mesures

Fig.61 : Principe pour garantir le marquage CE dun systme 8) Bibliographie : http://cem.ref-union.org/cem-reglementation.php MARDIGUIAN Michel, "Manuel pratique de la compatibilit lectromagntique".2me dition revue et augmente. Avril 2003. ditions Hermes. Matrise de la CEM : les rfrentiels Dunod. EAN13 : 9782100203307 CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 1 Sources Couplages Effets". ditions Radio DunodTech. CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 2 Terres Masses Cblages". ditions Radio DunodTech CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 3 Blindages Filtres Cbles blinds". ditions Radio DunodTech. CHAROY Alain, "Parasites et perturbations des lectroniques tome 4 Alimentation Foudre Remdes". ditions Radio DunodTech. CUVILLIER J. "cours de CEM Notions lmentaires" IUT de Nantes.Mars 2002.
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9) Annexes Quelques exemples dutilisation du spectre frquentiel

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