Tecsup 2012-I

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Ing. Baker Carpio
Copyright Tecsup 2012
EL TRANSISTOR BIPOLAR
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Ing. Baker Carpio
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En esta sesin se estudiara el transistor de unin bipolar (BJT) el cual es
un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una
corriente grande mediante una seal muy pequea.
1. INTRODUCCIN
Este dispositivo posee tres terminales, uno de los cuales controla el flujo
de los otros dos terminales.
2. Objetivos
- Describir el principio de funcionamiento del transistor
-Identificar los tipos de transistores
E
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Esta sesin aporta al logro del siguiente Resultado de la Carrera:
Los estudiantes aplican conocimientos de matemticas, ciencia y
tecnologa en equipos de cmputo, redes y sistemas de
telecomunicaciones..
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3. TIPOS DE TRANSISTORES
De acuerdo con la unin de sus componentes se clasifican en:
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e
c
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ESTUDIO CUALITATIVO DEL TRANSISTOR DE UNIN BJT
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
P N P N P N
E C
B B
C E
PNP NPN
B B
C
C E
E
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+
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+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
P N
N P
Concentracin
de huecos
+ -
Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP
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N P
P
N
N
P
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en
serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda
Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP
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N
P
P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP
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N
P
P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP
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N
P
P
Emisor
Base
Colector
Transistor PNP
El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin
de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
Principio de funcionamiento del transistor bipolar PNP
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P
N
N
Principio de funcionamiento del transistor bipolar NPN
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P
N
N
Emisor
Base
Colector
Transistor NPN
La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las
caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma
y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de
aplicaciones..
Principio de funcionamiento del transistor bipolar NPN
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Conclusiones
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
N
+
P
N
-
C
E B
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos
condiciones:
La zona de Base debe ser muy estrecha.
El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
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Principales ventajas del transistor
- Encendido de un equipo transistorizado es instantneo.
-Trabaja con tensiones muy pequeas.
-Fiabilidad mecnica, puede aguantar grandes vibraciones y esfuerzos
-Un pequeo tamao, que hace posible la construccin de receptores muy
compactos y porttiles.
Principales desventajas del transistor
-Necesidad de colocarle superficies radiantes del calor o disipadores.
-Frgiles a impulsos de tensin transitorios de la red y otros impulsos parsitos.
-Pueden daarse por aplicacin de calor excesivo al soldar.
-Sus propiedades varan con la temperatura.
-El control del amplificador transistorizado deba efectuarse con una corriente,
aunque sea pequea, lo que implica que el elemento de control consume
potencia y absorbe alguna energa.
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4. TIPOS DE ENCAPSULADOS
Dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen.
a) Transistores de pequea seal.
b) De mediana potencia
c) De gran potencia.
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POLARIZACION DE UN TRANSISTOR
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5. POLARIZACION DE UN TRANSISTOR
Polarizar un transistor consiste en darle los voltajes adecuados para su
funcionamiento.
Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza
directamente y la unin base - colector inversamente.
Para que un transistor bipolar funcione se debe "polarizar, consiste en
colocar fuentes de voltaje y resistencia que coloquen el diodo base emisor en
directo (|VBE|=0.7) y que el diodo base colector est en inverso.
Poro colculos: I
L
= I
C
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RELACIONES DE CORRIENTES
b
c
I
I
= = h
FE
I
E
= I
C
+ I
B
I
C
= .I
B
I
E
= I
B
(1+ )
0.9 < < 600
BETA (Amplificacin de corriente =Ganancia de corriente)
ALFA (Factor de proporcionalidad)
E
C
I
I
=
998 . 0 90 . 0 < <

=
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Vbb= I
B
R
B
+ V
BE
Vcc = IcRc + Vce
Vbb
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Ejercicio
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Calcular: Ib, Ic, Ie, Vce, Vcb
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Conjunto Caracterstica de entrada para EC
(npn)
VCE = 1 V
VCE = 10 V
VCE = 20 V
VBE (V)
IB(uA)
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Conjunto de caractersticas de salida para EC
Regin Activa
IB=30 uA
IB = 20 uA
IB = 15 uA
IB = 10 uA
IB = 7 uA
Regin e c!"te
ICE# IB = 0
R
e
g
i
!
n

e
$
a
t
u
"
a
ci
!
n
VCE%at
Pa"a &n& ca'(ian
)!% %ign!% e VCE
Vce (v)
Ic (mA)
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REGION DE CORTE: Donde ambas uniones estn conectadas en contra. La
corriente de base es muy pequea, y no fluye, para todos los efectos,
corriente al emisor. I
B
= I
C
= I
E
= 0; V
CE
= V
fuente
REGION LINEAL ACTIVA: El transistor acta como un amplificador lineal. La
unin B-E est conectada en directo y la unin C-B est en inversa.
REGION DE SATURACION: Ambas uniones estn conectadas en directo.
REGION DE RUPTURA:Que determina el lmite fsico de operacin del transistor.
6. ZONAS DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice
que trabaja en conmutacin (como si fuera un interruptor).
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Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja
en conmutacin (como si fuera un interruptor).
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Diseo Circuito de polarizacin Fija
ICC
RC -RE
ICC
Icc
Ic
(Iccq,Icq)
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EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.
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Comparacin de Transistores de Ge y de Si
Transistor de
Ge
Transistor de Si
Para Ic <20mA V
BE
0.2V V
BE
0.6V
Para Ic >20mA V
BE
0.3V V
BE
0.7V
Mx. . Temp. Juntura
90 150
Mxima Tensin
colector-emisor
90V 150V
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Emisor comn Colector comn Base comn
CONFIGURACIONES BASICAS DEL TRANSISTOR
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Configuracin de Emisor Comn
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es
comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida o la
tierra de cada fuente esta conectada al emisor.
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POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES
a) Polarizacin Fija sin Re
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Dado el circuito con transistor bipolar de silicio calcular IB,
Ic y V
CE
. se sabe que RB =470 k, RC =2.7K, VCC = 16
V y = 80.
EJERCICIO
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EJERCICIO
Para el circuito mostrado determinar I
B
e I
C
.
h
FE
= 200
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POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES
b) Polarizacin Estabilizado en Emisor
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Para el circuito de polarizacin en DC con estabilizacin de
emisor determinar I
B
, I
C
Y V
CE
si se supone que el BJT es
un dispositivo de silicio que tiene un factor de ganancia de
100
EJERCICIO
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POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES
c) Polarizacin por Divisor de tensin.
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Para el circuito mostrado determinar I
B
, Ic , V
CE
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Diseo Switch electrnico
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En este punto, el BJT puede usarse como amplificador lineal
Diseo Resistencias
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Aplicacin del transistor
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A: =
Rc
c
=
Rc
26mA
* IE
Ai = [
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(Opcional)
Realizar los ejercicios: 1-21
Cap. 4
Libro: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos
Octava edicin
Boylestad
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END