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IGCT, conmutador de semiconductores de alta potencia para tensiones medias

El diseo de componentes semiconductores para la conmutacin de potencia en la gama de megawatios y tensiones medias plantea numerosos problemas. Las propiedades naturales de los dos semiconductores de potencia disponibles en la tcnica de silicio, concretamente los tiristores GTO (Gate-Turn-Off) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) obligan a aceptar compromisos de clculo que hacen que los sistemas de potencia y la regulacin de los mismos sean ms complejos y ms caros. Para funcionar de manera fiable, los tiristores GTO necesitan circuitos perifricos complejos; adems, tienen una frecuencia baja de conmutacin. Los ingenieros de desarrollo de sistemas con la tcnica IGBT tienen que resolver, por una parte, el problema de las grandes prdidas y, por otra parte, han de conjugar la necesidad de mayor nmero de componentes con la exigencia de ms disponibilidad. La nueva tcnica IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor), desarrollada por ABB, compensa los inconvenientes de los tiristores GTO e IGBT y contiene todos los circuitos necesarios para asegurar la fiabilidad del aparato de conmutacin, que puede emplearse sin problemas en la gama de tensiones medias.

nar un periodo. El desarrollo del tiristor GTO supuso un gran avance, ya que puede conmutar en cualquier instante de un periodo. Los tiristores IGBT han permitido conseguir frecuencias de conmutacin ms altas, pero sus prdidas de conmutacin slo se mantienen en un nivel aceptable a bajas tensiones. Para todos estos semiconductores de potencia, los responsables del desarrollo se concentraron bsicamente en los procesos de conmutacin mismos, dejando de lado los trabajos tcnicos necesarios para su uso en la prctica. Los tiristores GTO estn formados por millares de elementos de conmutacin alojados en un disco de silicio. Las prdidas se producen en cualquiera de los cuatro estados de servicio (on, off, conexin, desconexin). Con tensiones medias, las prdidas de conduccin de los tiristores GTO son muy bajas, mientras que sus prdidas estacionarias se mantienen en un nivel razonable. Sin embargo, puesto que el proceso de conmutacin no es homogneo, el funcionamiento de conmutacin exige circuitos externos de proteccin contra las sobretensiones (snubber). Estos circuitos ocupan ms de la mitad del volumen del elemento terminado, requieren mucho tiempo de diseo y provocan una gran parte de los costes y prdidas. Aunque los tiristores IGBT tienen en estado de paso prdidas comparativamente ms

BB fabrica los tiristores de alto rendi-

mutador de semiconductores, este puede conmutar ms rpidamente y con menores prdidas que los tiristores GTO e IGBT. Adems, sus propiedades permiten a los proyectistas de instalaciones reducir las dimensiones y bajar los costes de los sistemas para media tensin, aumentando al mismo tiempo su eficacia y fiabilidad.

altas, conmutan de forma homognea, por lo que no necesitan circuitos de proteccin contra las sobretensiones. De todas formas, an no se encuentran disponibles para todos los niveles de media tensin. Para remediar este inconveniente, los diseadores tienen que conectar en serie varios tiristores IGBT de menor tensin de bloqueo, lo que aumenta enormemente la complejidad y produce muchas ms prdidas, con la correspondiente reduccin de

miento GTO e IGBT para aplicaciones en que la fiabilidad es decisiva. Se utilizan, entre otras aplicaciones, en accionamientos industriales, en trenes y barcos y en los sistemas de transporte y distribucin de electricidad 1 , 2 . Tambin se usan a menudo en la gama de tensiones medias ms usuales: 2,3 kV, 3,3 kV, 4,16 kV y 6,9 kV.

Un conmutador de potencia Desarrollo de los conmutadores de potencia de silicio ABB ha venido invirtiendo constantemente en el desarrollo y fabricacin de los tiristores GTO y en tcnica IGBT, con el resultado de un continuo incremento de la potencia de conmutacin 3 . Una serie de innovaciones ha permitido crear durante los ltimos aos una plataforma para el diseo y fabricacin de un conmutador de potencia, hecho de silicio, que supera las prestaciones de los tiristores GTO e IGBT. Denominado IGCT conHarold M. Stillman ABB Corporate Technology mejorado Durante los 30 aos transcurridos desde su introduccin, los conmutadores de potencia hechos de silicio se han ido haciendo a la vez ms complejos y ms eficaces. Los primeros tiristores no podan desconectar sino al termi-

la fiabilidad. As, un convertidor calculado para funcionar con 4,15 kV necesita para cada fase cuatro tiristores IGBT de 1,8 kV conectados en serie. Los tiristores GTO pueden fabricarse econmicamente para casi todos los niveles de media tensin. Previsiblemente, en un prximo futuro tambin se dispondr de tiristores IGBT para 3,3 y 4,5 kV, que simplificarn el diseo de los circuitos de media tensin, pero se sabe que provocarn prdida altas. Para compensar estas prdidas y actuar contra el correspondiente calentamiento, los tiristores

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IGBT debern tener ms superficie de silicio, lo que aumentar su coste. El conmutador de potencia ideal debera conmutar como un IGBT y conducir la corriente como un GTO, tendra que tener unos costes de fabricacin razonables y alcanzar el alto rendimiento de los tiristores GTO. Estas son, precisamente, las propiedades del tiristor IGCT (Tabla 1).

El secreto de la tcnica IGCT Han sido necesarias varias innovaciones en la tcnica IGCT para conseguir que los muchos miles de estructuras individuales de conmutacin de un tiristor GTO modificado puedan conmutar rpidamente y al mismo tiempo. Adems se ha conseguido mantener el bajo nivel de prdidas en estado de paso y de bloqueo, tpicas de los tiristores. Una de las principales innovaciones es una nueva capa tampn, que permite reducir en un factor 2 a 2,5 las prdidas en estado de paso y de conmutacin, y hace que los perfiles ptimos de dotacin de un tiristor GTO y de un diodo sean prcticamente idnticos. Hasta ahora, la combinacin de un diodo y de un tiristor GTO traa consigo una limitacin importante de las prestaciones del diodo en cuestin. Aunque la idea de usar una capa tampn es casi tan vieja como el tiristor GTO mismo, an no haba llegado a ser realidad por las razones que se exponen a continuacin. Para reducir las prdidas de conmutacin, en la desconexin es necesario eliminar lo ms rpido posible la carga presente en el estado de paso del aparato. En un tiristor GTO de diseo convencional, esta misin la asumen los cortocircuitos de nodo, que proporcionan una va de escape a los electrones. La combinacin de cortocircuitos de nodo con una capa tampn, sin embargo, conlleva la Con la tecnologa IGCT se pueden construir instalaciones electrnicas de potencia 1 ms compactas y de mejor precio, por ejemplo instalaciones de convertidores para instalaciones CCAT o compensadores estticos de potencia reactiva.

Tabla 1: La tcnica IGCT ana las ventajas de los tiristores GTO e IGBT Ventajas Tcnica de conmutacin Tiristores GTO IGBT IGCT

suministrable para la mayora de las tensiones medias bajas prdidas en estado de paso

elevada frecuencia de conmutacin bajas prdidas de conmutacin sin circuitos de proteccin contra las sobretensiones control integrado de compuerta

elevada frecuencia de conmutacin bajas prdidas de conmutacin y en estado de paso sin circuitos de proteccin contra las sobretensiones suministrable para la mayora de las tensiones medias seguridad contra fallos graves fiabilidad acreditada diodo y compuerta integrados, para reducir el nmero de componentes apropiado para la conexin en serie y en paralelo permite construir aparatos modulares compactos bajos costes de cableados y conexiones mdulos listos para su uso fiabilidad demostrada

Conmutacin de potencia

seguridad contra fallos graves

menos piezas y con menor tensin apropiado para la conexin en serie y en paralelo en caso de tensin baja

Equipos

fiabilidad demostrada compacidad

configuracin modular

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vido de base al mito de la imposibilidad de usar los GTO sin circuito de proteccin contra las sobretensiones. De hecho, el GTO ha ser reducido a un elemento pnp estable (es decir, a un transistor) slo durante unos pocos microsegundos, crticos, durante el proceso de desconexin. Para neutralizar el ctodo durante este proceso se ha de bloquear la polarizacin de la unin np del ctodo antes de que se constituya la tensin en la unin principal. Esto exige conmutar la corriente de plena carga del ctodo (n) hacia la compuerta (p) en aproximadamente un microsegundo. El diseo de la nueva carcasa de baja inductancia permite alcanzar un valor de 4000 A/s con una unidad de compuerta de 20 V. As quedan eliminadas por completo las corrientes de fuga, y el comportamiento de desconexin y la gama de funLos IGCT se pueden aplicar a menudo en la tcnica de accionamiento, como en esta bomba de alimentacin de agua.
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cionamiento fiable son anlogos a los de un transistor (por ejemplo un IGBT). Adems, los actuales GTO pueden conmutar inmediatamente sin provocar las fluctuaciones que

aparicin de corrientes de encendido y de mantenimiento muy altas, un problema que se ha resuelto prescindiendo de los cortocircuitos de nodo. As, el nodo se ha hecho transparente, es decir, permeable a los electrones. El resultado es que las corrientes de encendido se han reducido casi en un orden de magnitud respecto de los tiristores GTO sin tampn.

Otra importante innovacin se produce en el nivel del control de la compuerta. Los GTO y otros tiristores son dispositivos de cuatro capas (npnp) y tienen, por tanto, slo dos puntos estables de funcionamiento: on y off. Todos los estados intermedios son inestables y provocan corrientes de fuga. Esta inestabilidad propia est agravada adems por los defectos de fabricacin, lo cual ha ser-

antes exigan el mximo ingenio para disear circuitos en serie.

Semiconductores de potencia y experiencia de diseo de circuitos La tcnica IGCT es el resultado de un intenso trabajo conjunto entre el departamento de desarrollo de componentes electrnicos de ABB Semiconductors AG y los grupos de desarrollo de convertidores de potencia de ABB In-

Mejora de la potencia de conmutacin P de los tiristores GTO e IGBT

dustrie AG. Precisamente ha sido el desarrollo simultneo del silicio, de la carcasa y de los circuitos complementarios requeridos por las aplicaciones industriales lo que ha permitido hacer realidad esta combinacin de propiedades de los IGCT, nica en su gnero. La tcnica IGCT engloba el aparato de

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VA GTO 10 7 IGBT

conmutacin de potencia (GTC) y el circuito de control (diodo de rueda libre y control de la compuerta), constituyendo un componente integrado 4 . Puesto que se efectan cuatro niveles de agrupacin para el suministro e integracin de componentes 5 , 6 , es posible conseguir perfeccionamientos al mismo tiempo en cuatro campos interdependientes: bajas prdidas de conmutacin y de estado de paso en la gama de tensiones medias, circuitos ms sencillos para el control de los semi-

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conductores de potencia, menores costes del sistema de potencia y, finalmente, ms seguri-

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dad de funcionamiento y mayor fiabilidad. Y puesto que la oferta contiene tambin mdulos de conmutacin prediseados, la tcnica IGCT permite al proyectista de equipos de tensin media desarrollar sus productos en menos tiempo. p p n+ p n+ p

Ventajas de la tcnica IGCT de media tensin Bajas prdidas de conmutacin Una ventaja de la conmutacin con bajas prdidas es que el proyectista puede elegir la frecuencia de conmutacin ms conveniente para el caso en cuestin. En los semiconductores de potencia construidos con tcnicas anteriores, la frecuencia de conmutacin a la intensidad nominal estaba limitada a 250 Hz. La tcnica IGCT permite trabajar con una frecuencia hasta cuatro veces mayor. Por ejemplo, un proyectista de sistemas de accionamiento puede elegir una frecuencia de conmutacin ms alta para conseguir mayor rendimiento del sistema o, en otro caso, optar por una frecuencia de conmutacin ms baja para un IGCT con el fin de mejorar el rendimiento de instalaciones de onduladores y reducir sus prdidas. p

n+ p+ n + p + n + p +

n p+

n+

n+ b

Reduccin de tamao de los circuitos auxiliares Las sobresalientes caractersticas del GCT en el nivel de aparatos, nicas en su clase, hacen posible el funcionamiento sin circuitos de proteccin contra las sobretensiones (snubber), con las importantes ventajas que esto conlleva. Las instalaciones de onduladores equipadas con circuitos de proteccin contras las sobretensiones son caras y grandes, mientras que las mismas instalaciones sin circuitos de proteccin no slo tienen menores prdidas sino que son ms compactas y tienen menos componentes 6 . Y, adems, aumenta la seguridad de funcionamiento. Hay que mencionar tambin que la tcnica IGCT simplifica el proyecto de instalaciones, gracias a la integracin de los diodos de rueda libre en la estructura GCT. Esto es posible porque la reduccin de espesor del disco de silicio GCT, que tambin reduce las prdidas de conmutacin, no impide fabricar un diodo eficaz en el mismo. Mejores precios de componentes y sistemas La aplicacin de la tcnica IGCT permite reducir al menos un 30% de los costes de los convertidores de potencia para control y regulacin. Varios factores contribuyen a esta reduccin. Los GCT pueden fabricarse con los procedimientos que ya se emplean para fabricar los GTO. Puesto que se trata de procedimientos perfectamente dominados y adems pueden utilizarse los equipamientos ya disponibles, los costes de fabricacin de los GCT son semejantes a los de los tiristores GTO. Comparados b Seccin de una clula de IGBT (a la izquierda) y de un diodo (a la derecha). Un circuito integrado IGBT completo est formado por gran nmero de celdas monolticas como esta. La tcnica MOS limita el tamao de los circuitos integrados IGBT a 1-2 cm2 aproximadamente, de modo que se han de conectar varios circuitos en paralelo. Puesto que los semiconductores IGBT todava no alcanzan los mismos valores de tensin de estado de no conduccin que los GCT, han de conectarse en serie para conseguir la tensin de bloqueo requerida por la aplicacin concreta. a Seccin de un tiristor GTO (a la izquierda), de un diodo (en el centro) y de un GCT (a la derecha). Como puede verse, la capa emisora y tampn transparente del GCT permite tener una capa de base n ms delgada, lo cual posibilita integrar el diodo de rueda libre en la misma estructura y, si se combina con una carcasa de baja inductividad y un circuito de mando de compuerta de baja inductividad, prescindir del circuito de proteccin. Comparacin entre los IGBT y los GCT, en el cual el interruptor de potencia y el diodo de rueda libre estn montados en el mismo disco de silicio. El GCT es mucho ms sencillo que el IGBT.
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La tcnica IGCT ofrece cuatro niveles para la construccin 5 por capas e integracin de los componentes (vase a, b y c, as como la figura 6b ). Los diseadores de aparatos pueden utilizar cada nivel como punto de partida. Si se elige una pila IGCT lista para usarse (figura 6b ), se puede ahorrar gran parte del tiempo dedicado al proyecto de circuitos de potencia y de sistemas mecnicos. a GCT (Gate commutated thyristor) El tiristor GCT y el diodo estn integrados en el mismo disco. Gracias al diseo del nodo, la carga elctrica puede entrar y salir rpidamente del GCT. La baja potencia del disco de silicio limita la carga almacenada y permite colocar en el mismo disco el diodo y el conmutador de potencia. Un disco de silicio ms delgado tiene mayores prdidas en estado de paso. Todos los elementos conmutan al mismo tiempo; se puede prescindir de un circuito de proteccin contra las sobretensiones. b GCT alojado en carcasa Una carcasa de baja inductancia asegura que las corrientes de carga y de control de compuerta penetran en el GCT y salen de l con rapidez. La carcasa Presspack garantiza libertad de movimientos y previene los fallos por fatiga, con solicitaciones trmicas incluso durante decenas de aos. La carcasa Presspack resiste sin problemas la solicitacin trmicas y aumenta la fiabilidad. c Control de compuerta integrado El circuito de control de compuerta, de baja inductancia, se encarga de que las corrientes de control penetren y salgan con rapidez del GCT. El circuito de mando de compuerta, localizado y altamente integrado, reduce la inductancia de fuga. La compacidad de la construccin simplifica el diseo de las instalaciones. hechos con otras tcnicas. Las prdidas en los circuitos de potencia y en los correspondientes circuitos auxiliares son ms bajas y, por tanto, los dispositivos de refrigeracin ocupan menos espacio, reducindose an ms los costes. Este ltimo factor reduce tambin los costes de almacenamiento de piezas de recambio. Adems, en el caso improbable de una perturbacin, la configuracin modular de la tcnica IGCT permite sustituir con facilidad y rapidez los componentes de potencia, de modo que el proceso industrial contina sin problemas o Fiabilidad y disponibilidad De forma general, los costes de las instalaciones de control y regulacin de potencia son bajos en comparacin con los provocados por las interrupciones de los procedimientos industriales. La disponibilidad de estos componentes y sistemas es, por lo tanto, fundamental. La tcnica IGCT, desarrollada especialmente para aplicaciones en la gama de tensin media, proporciona mxima fiabilidad gracias a las caractersticas siguientes: Aplicaciones de la tcnica IGCT La mayor ventaja del tiristor IGCT es su capacidad para desconectar en 3 microsegundos y para conducir como un tiristor normal. Por eso, la tecnologa IGCT permite realizar instalaciones de onduladores con prdidas que no llegan ni a la mitad que las de otras tecnologas. Los IGCT han hecho posible la configuracin de circuitos con una potencia nominal de hasta 100 MW, valor que antes exiga el montaje en serie de numerosos conmutadores de silicio. Los equipamientos para media tensin construidos con la nueva tcnica se distinguen adems por su altsima fiabilidad. a lo ms se interrumpe brevemente.

con los IGBT, los tiristores GCT son menos sensibles a las fluctuaciones de procedimiento, que no influyen sobre el comportamiento de desconexin. Por eso ha mejorado el rendimiento de fabricacin y se han reducido los costes. Adems, la simulacin de los GCT es ms simple, lo que se refleja en una reduccin de costes y en plazos ms cortos de desarrollo de los sistemas. Gracias a la tcnica GCT, el nmero de componentes de los circuitos de potencia ha quedado reducido en cerca del 50%. Esto proviene, de forma general, de la reduccin de cableado, conseguida gracias a la fuerte integracin de los elementos, y a que los diodos forman parte del tiristor GCT. La mayor frecuencia de funcionamiento permite que algunos componentes tengan menor tamao, lo que trae consigo otros ahorros. Y finalmente, el circuito de control de la compuerta requiere menos potencia y por tanto se pueden utilizar componentes ms baratos. Los componentes realizados con la tcnica IGCT consiguen rendimientos mayores que los

conmutacin homognea, tcnica robusta de apilado, semejante a la de los tiristores (sin cableado), simplificacin de los circuitos de control de compuertas, menor nmero de componentes.

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Comparacin entre dos convertidores de tiristores, GTO e IGCT, el primero refrigerado por agua y el segundo por aire, para la misma potencia y tensin. La tcnica IGCT permite una configuracin mucho ms simple, lo cual repercute en el coste y proporciona mayor fiabilidad. a Convertidor de tiristores GTO b Convertidor de tiristores IGCT con las siguientes caractersticas: Los elementos IGCT se montan con facilidad en una configuracin compacta. La estructura permite sustituir rpidamente los IGCT en el improbable caso de que falle un elemento.

Por vez primera se ha conseguido desarrollar la tcnica de silicio para aplicaciones de alta potencia en la gama de tensiones medias. Por eso, ahora es posible construir sistemas de control y regulacin ms fiables, ms compactos y ms baratos, como:

convertidores de resonancia para calefaccin inductiva, interruptores automticos estticos.

Bibliografa [1] Grning, H. y otros: High power hard driven GTO module for 4,5 kV/ 3 kA snubberless operation. PCIM Conference, 2123 de mayo de 1996, Nremberg.

La tcnica IGCT ya se encuentra disponible ABB es uno de los proveedores ms importantes de componentes y sistemas electrnicos de potencia. Su posicin puntera queda ilustrada claramente por las innovaciones tcnicas que la tcnica IGCT ha hecho posibles. Las instalaciones realizadas con esta tcnica destacan por sus menores costes y por su gran fiabilidad, incluso para los mximos valores de la potencia. Actualmente, los proyectistas de instalaciones de electrnica de potencia para tensiones medias pueden optar entre tres tecnologas de conmutadores de potencia, hechos de silicio: los tiristores GTO, IGBT e IGCT. La tcnica IGCT se utiliza preferentemente cuando lo fundamental es conseguir compacidad de construccin, alto rendimiento, rapidez en el desarrollo y alta fiabilidad.

[2] Grning, H.; Zuckerberger, A.: Hard drive of high power GTOs: better switching capability obtained through improved gate units. IEEE paper 0-7803-3544-9/96.

convertidores de frecuencia para alimentacin ferroviaria, acoplamiento de redes, compensadores de corriente reactiva para regular el factor de potencia, reguladores de flujo de potencia para centrales nucleares, accionamientos de media tensin para tensiones de red de hasta 6,9 kVeff, accionamientos de bombas y ventiladores 2 para la industria qumica y petroqumica,

Direccin del autor Harold M. Stillman ABB Corporate Technology ABB Asea Brown Boveri AG Postfach 8131 CH-8050 Zurich Telefax: + 41 (0) 1 317 79 68 E-mail: hal.stillman@abbzh.mail.abb.com

accionamientos para barcos,

elctricos

principales

alimentacin de corriente ferroviaria sin transformadores, accionamientos para locomotoras elctricas,

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