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I INFORME PREVIO I.1. Desarrolle un breve resumen de los Circuitos de Polarizacin ms usuales. Similitudes y diferencias. Aplicaciones. I.2.

Determine el del transistor a emplear en la prctica (BC548A o equivalente) segn el procedimiento de determinacin de de la gua de laboratorio N 1 (procedimiento V.1). I.3. Con el determinado en el paso anterior, realice los clculos de diseo de polarizacin para las diferentes configuraciones, de acuerdo a los requerimientos y valores solicitados. Aproxime los valores calculados para las redes resistivas a valores comerciales de las mismas. I.4. Haga la simulacin del procedimiento empleando Multisim 10. Consigne sus valores en una tabla de valores simulados mostrando todas las variables elctricas de la configuracin simulada. I.5. De acuerdo al paso anterior, implemente los circuitos fsicos listos para realizar las pruebas de laboratorio.

II OBJETIVOS II.1. Ensayar diversos diseos de topologas de polarizacin de transistores. II.2. Comparar resultados prcticos respecto de los tericos calculados. II.3. Realizar mediciones del punto de reposo y de la estabilidad frente a perturbaciones. III MARCO TEORICO (Revisar los siguientes Temas) III.1. El Transistor Bipolar III.1.1. Polarizacin de la unin Base-Emisor III.1.2. Polarizacin de la unin Base-Colector III.1.3. Polarizacin del transistor en directa III.1.4. Parmetros que definen a un transistor BJT III.1.5. Circuito equivalente del BJT III.1.6. Zonas de funcionamiento del BJT III.1.7. Curvas caractersticas del transistor BJT III.1.8. Recta de carga esttica y dinmica III.1.9. Circuitos de polarizacin del transistor BJT IV MATERIAL Y EQUIPO

IV.1. Multmetro (2) IV.2. Protoboard IV.3. Transistor BC548A (2) IV.4. Resistencias fijas y variables de valores diferentes (de acuerdo a los clculos previos) IV.5. Fuente de tensin continua 0-15V IV.6. Cautn o Pistola de Soldar

V PROCEDIMIENTO V.1. Polarizacin Fija V.1.1. Determine la polarizacin del transistor de la Figura 1, para un punto de trabajo I CQ = 5.5 mA y VCEQ = 6 V. Datos: RB= _______ k, RC= _______ k, VCC=12V, Considere hFE = = hallado en el informe previo (I.2).

Coloque aqu sus clculos tericos, necesarios para determinar la polarizacin solicitada.

Vcc= IcRc + Vce

Vcc= IbRb + Vbe

12- 6 = 5.510^-3 Rc
Rc= 1.09 K

12- 0.7= 5.510^-3 Rb/211.21


433.9K=Rb

Aproximando a valores comerciales: Rc= 1K Rb= 470K

V.1.2. Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el punto de trabajo con estos valores. Si lo desea, puede utilizar para RB un preset (resistencia variable) en serie con una R fija. Esto le permitir obtener ms fcilmente el punto de polarizacin deseado. Luego mida experimentalmente los valores del punto de reposo y todas las variables elctricas del circuito.

V.1.3. Anotar en una tabla los valores tericos y luego los valores prcticos para todas las variables elctricas del circuito Valores tericos Transistor BC548A Vb(volts) 0.7 Vc(volts) 5.995 Ve(volts) 0 Vbe(volts) 0.7 Vce(volts) 6 Ib(uA) 26.04 Ic(mA) 5.5

Valores medidos Transistor BC548A

con potencimetro en Rb=405K Vc(volts) 6.5 Ve(volts) 0 Vbe(volts) 0.586 Vce(volts) 6.5 6.41 Ib(uA) 28.18 Ic(mA) 5.55 5.62

Vb(volts) 0.586

AUMENTO DE TEMPERATURA

V.1.4. Verifique los resultados anteriores, utilizando el programa Multisim.

V.1.5. Mida y anote las variaciones de ICQ y VCEQ al variar VCC en 20%. V.1.6. Mida y anote las variaciones de IC y VCE al variar la temperatura de operacin del circuito. (Se calienta la cpsula del transistor con el soldador o aire caliente y luego se efectan las medidas). V.1.7. Observe y anote la variacin de ICQ y VCEQ al sustituir el transistor por otro del mismo tipo. V.2. Auto polarizacin V.2.1. El circuito a implementar es el siguiente:

Ia= Ic+Ib Vcc=IaRc+ Vce


12- 6 =IcRc+ IbRc 6= Ic(Rc+Rc/)

Vcc= IaRc + IbRb + Vbe 12- 0.7 =Ic( Rc+ Rc/ + Rb/)
2054 = 1090+ 1090/211.21 + Rb/211.21 Rb= 202.51K

1090= Rc
Rc= 1.09K Aproximando a valores comerciales: Rc= 1k Rb= 220K

V.2.2. Repita los pasos del 1 al 7 del circuito anterior. Compare y saque conclusiones. V.2.3. Mida la tensin VBE para temperatura ambiente y para una temperatura mayor. V.2.4. Que configuracin parece ms estable frente a variaciones de tensin de fuente o variaciones de temperatura? Justifique por que.

V.3. Polarizacin por emisor V.3.1. El circuito a implementar es el siguiente:

Vcc= IcRc+ Vce+ IeRe


12- 6= 5.510^-3( Rc+ Re)

Vcc= IbRb+ Vbe+ IeRe 11.3= Ic (Rb/ + Re)

( 2.05K 100 )211.21= Rb Rb= 411.859 K Asumimos que Re es muy pequea aproximadamente 100 Entonces: Rc= 1.09K 100 Rc= 990 Aproximando a valores comerciales: Re= 100 Rc= 1k Rb= 390K

V.3.2. Repita los pasos del 1 al 7 realizados con el primer circuito, a fin de calcular los valores de las resistencias que polaricen el BJT segn lo solicitado. Compare y saque conclusiones. V.3.3. Mida y anote la tensin VBE para temperatura ambiente y para una temperatura mayor. V.3.4. Que configuracin parece ms estable frente a variaciones de tensin de fuente o variaciones de temperatura? Justifique por que.

V.4. Polarizacin por Divisor de Tensin

V.4.1. El circuito a implementar es el siguiente:


VCC 12V VCC Rc1 7 Q2 5 Rb 6 Vbb 0 BC548A 4 Re1

Vbb= VccR2/ ( R1+R2) Rb= R1R2/ ( R1+R2) Vcc= IcRc +Vce+ IeRe 6= 5.510^-3 ( Rc+ Re) 1.09K = Rc +Re Asumiendo Re= 100 Rc= 990 Vbb= IbRb + Vbe+ IeRe Vbb Vbe= Ic ( Rb/+Re) Rb= 0.1Re Rb=0.1211.21100 Rb= 2112

Para este caso usamos Rb= 0.1 Re Vbb= Ic(1.1Re) + 0.7 Vbb= 1.305V

Aproximando a valores comerciales: Re= 100 Rc= 1K R1= 18K R2=2.2K

R2= 2369.7 R2= 211219420/(19420-2112) Vbb= VccR2/ ( R1+R2) Vbb= R2R112/(R1+R2)R1 1.305=12(2112)/R1 R1=19.42K

V.4.2. Se debe calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se tenga: ICQ = 1 mA, VCEQ = 5V, VREQ = 0.1VCC (Utilice RE= 1Kohm), VCC = 10 V Para el clculo de R1 y R2 emplee una Idiv >= 10 Ibase. Si lo desea, puede utilizar para R1 un preset (resistencia variable) en serie con una R fija. Esto le permitir obtener ms fcilmente el punto de polarizacin deseado.

V.4.3. Repita los pasos seguidos en el circuito anterior. Compare y saque conclusiones. V.4.4. Mida y anote la tensin VBE para temperatura ambiente y para una temperatura mayor. V.4.5. Que configuracin parece ms estable frente a variaciones de tensin de fuente o variaciones de temperatura? Justifique por que.

Tabla AUTOPOLARIZACION
Valores tericos Transistor BC548A Vb(volts) 0.7 Vc(volts) 6.02 Ve(volts) 0 Vbe(volts) 0.7 Vce(volts) 6 Ib(uA) 26.04 Ic(mA) 5.5

Valores medidos Transistor BC548A

con potencimetro en Rb=211K Vc(volts) 6.48 Ve(volts) 0 Vbe(volts) 0.668 Vce(volts) 6.48 6.43 Ib(uA) 27.5 Ic(mA) 5.51 5.61

Vb(volts) 0.672

AUMENTO DE TEMPERATURA

PREGUNTA 2.4 LA AUTOPOLARIZACION ES MAS ESTABLE PORQUE ESTE VARIO EN MENOR PORCENTAJE QUE EL DE POLARIZACION FIJA TABLA POLARIZACION POR EMISOR
Valores tericos Transistor BC548A Vb(volts) 1.25 Vc(volts) 6.55 Ve(volts) 0 Vbe(volts) 0.7 Vce(volts) 6 Ib(uA) 26.04 Ic(mA) 5.5

Valores medidos Transistor BC548A

con potencimetro en Rb=361K Vc(volts) 6.47 Ve(volts) 0.58 Vbe(volts) 0.670 Vce(volts) 5.88 5.43 Ib(uA) 29.7 Ic(mA) 5.48 5.96

Vb(volts) 1.246

AUMENTO DE TEMPERATURA

PREGUNTA 3.4 LA AUTOPOLARIZACION ES MS ESTABLE QUE LAS DEMAS CONFIGURACIONES

TABLA POLARIZACION POR DIVISION DE TENSION


Valores teoricos Transistor BC548A Vb(volts) 1.25 Vc(volts) 6.5 Ve(volts) 0.55 Vbe(volts) 0.7 Vce(volts) 6 Ib(uA) 26.04 Ic(mA) 5.5

Valores medidos Transistor BC548A

con potencimetro en Rb=361K Vc(volts) 6.11 Ve(volts) 0.592 Vbe(volts) 0.657 Vce(volts) 5.86 5.92 Ib(uA) 24.76 Ic(mA) 5.58 5.50

Vb(volts) 1.305

AUMENTO DE TEMPERATURA

PREGUNTA 4.3

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