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UNIVERSIDAD AUTNOMA DE NUEVO LEN FACULTAD DE CIENCIAS BIOLGICAS LICENCIADO EN BIOTECNOLOGA GENMICA

DRA. OXANA VASILIEVNA KHARISSOVA

NANOBIOTECNOLOGA

FAUSTINO DELGADO CAMACHO ALEJANDRA MARMOLEJO GARZA HECTOR USCANGA GARCIA MUSTAF CASTILLO DIPP CECILIA GUADIANA JESUS NAVA MOYA JONATHAN FLORES CASTILLO 472

SAN NICOLS DE LOS GARZA, NUEVO LEN A 18 DE NOVIEMBRE DE 2013

Microscopio electrnico de barrido de electrones secundarios:


El Microscopio electrnico de barrido o SEM (Scanning Electron Microscope), es aquel que utiliza un haz de electrones en lugar de un haz de luz para formar una imagen. Tiene una gran profundidad de campo, la cual permite que se enfoque a la vez una gran parte de la muestra. Tambin produce imgenes de alta resolucin, que significa que caractersticas espacialmente cercanas en la muestra pueden ser examinadas a una alta magnificacin. La preparacin de las muestras es relativamente fcil pues la mayora de SEM slo requiere que estas sean conductoras. En el microscopio electrnico de barrido la muestra generalmente es recubierta con una capa de carbono o una capa delgada de un metal como el oro para darle propiedades conductoras a la muestra. Posteriormente, se barre la muestra con electrones acelerados que viajan a travs del can. Un detector mide la cantidad de electrones enviados que arroja la intensidad de la zona de muestra, siendo capaz de mostrar figuras en tres dimensiones, proyectados en una imagen de TV o una imagen digital. Su resolucin est entre 4 y 20 nm, dependiendo del microscopio. Fue inventado en 1937 por Manfred von Ardenne. Permite obtener imgenes de gran resolucin en materiales ptreos, metlicos y orgnicos. La luz se sustituye por un haz de electrones, las lentes por electroimanes y las muestras se hacen conductoras metalizando su superficie. En el microscopio electrnico de barrido es necesario acelerar los electrones en un campo elctrico, para aprovechar de esta manera su comportamiento ondulatorio, lo cual se lleva a cabo en la columna del microscopio, donde se aceleran mediante una diferencia de potencial de 1000 a 30000 voltios. Los electrones acelerados por un voltaje pequeo se utilizan para muestras muy sensibles, como podran ser las muestras biolgicas sin preparacin adicional o muestras muy aislantes. Los voltajes elevados se utilizan para muestras metlicas, ya que stas en general no sufren daos como las biolgicas y de esta manera se aprovecha la menor longitud de onda para tener una mejor resolucin. Los electrones acelerados salen del can, y se enfocan mediante las lentes condensadores y objetivos, cuya funcin es reducir la imagen del filamento, de manera que incida en la muestra un haz de electrones lo ms pequeo posible (para as tener una mejor resolucin). Con las bobinas deflectoras se barre este fino haz de electrones sobre la muestra, punto por punto y lnea por lnea. Cuando el haz incide sobre la muestra, se producen muchas interacciones entre los electrones del mismo haz, y los tomos de la muestra; puede haber, por ejemplo, electrones que reboten como las bolas de billar. Por otra parte, la energa que pierden los electrones al "chocar" contra la muestra puede hacer que otros electrones salgan despedidos (electrones secundarios), y producir rayos X,

electrones Auger, etc. El ms comn de stos es el que detecta electrones secundarios, y es con l que se hace la mayora de las imgenes de microscopios de barrido. Tambin podemos adquirir la seal de rayos X que se produce cuando se desprenden estos mismos de la muestra, y posteriormente hacer un anlisis espectrogrfico de la composicin de la muestra. Los detectores de electrones secundarios son equipo estndar en todos los SEM, pero es raro que una sola mquina tenga detectores para todas las seales posibles. Las seales resultan de las interacciones del haz de electrones con tomos en o cerca de la superficie de la muestra. En el modo de deteccin ms comn o estndar, la formacin de imgenes de electrones secundarios o SEI pueden producir imgenes de muy alta resolucin de una superficie de la muestra, que revela detalles de menos de 1 nm de tamao. Debido al haz de electrones estrecho, las micrografas SEM tienen una gran profundidad de campo produciendo una apariencia tridimensional caracterstica til para la comprensin de la estructura de la superficie de una muestra. Una amplia gama de aumentos es posible, a partir de alrededor de 10 veces (aproximadamente equivalente a la de una lupa de mano de gran alcance) a ms de 500.000 veces, alrededor de 250 veces el lmite de ampliacin de los mejores microscopios de luz. Preparacin de la muestra: Todas las muestras deben ser de un tamao adecuado para caber en la cmara de muestra y son generalmente montados rgidamente sobre un soporte de muestra. Varios modelos de SEM pueden examinar cualquier parte de una oblea de 15 cm de semiconductores, y algunos pueden inclinar un objeto de ese tamao a 45. Para formacin de imgenes convencional en la SEM, las muestras deben ser elctricamente conductores, al menos en la superficie, y conectado a tierra elctricamente para evitar la acumulacin de carga electrosttica en la superficie. Los objetos metlicos requieren poca preparacin especial para SEM excepto para la limpieza y montaje. Especmenes no conductores tienden a acumular carga cuando se escanean por el haz de electrones, y especialmente en el modo de formacin de imgenes de electrones secundarios, esto provoca defectos de barrido. Estn recubiertos con un revestimiento ultra fino de material elctricamente conductor, depositada sobre la muestra, ya sea por pulverizacin catdica bajo vaco o recubrimiento por evaporacin de alto vaco. Los materiales conductores en uso actual para el recubrimiento de la muestra incluyen el oro, el oro / paladio, platino, osmio, iridio, tungsteno, cromo, y grafito. Adems, el recubrimiento puede aumentar la relacin seal / ruido para muestras de bajo nmero atmico (Z). Una alternativa al recubrimiento para algunas muestras biolgicas es para aumentar la conductividad del material a granel por impregnacin con osmio usando variantes del mtodo de tincin OTO.

Procesos y formacin de la imagen de escaneo (Figura 1): En un SEM tpico, un haz de electrones se emite termionicamente desde un can de electrones equipado con un filamento de ctodo de tungsteno. El haz de electrones, que normalmente tiene una energa que van desde 0,2 keV y 40 keV, es enfocado por uno o dos lentes de condensacin a un punto alrededor de 0,4 nm a 5 nm de dimetro. El haz pasa a travs de pares de bobinas de exploracin o pares de placas deflectoras en la columna de electrones, por lo general en el lente final, que desvan el haz en los ejes x e y para que se examine en una manera de trama sobre un rea rectangular de la superficie de la muestra. Cuando el haz primario de electrones interacta con la muestra, los electrones pierden energa por dispersin aleatoria repetida y la absorcin dentro de un volumen en forma de lgrima de la muestra conocida como el volumen de interaccin, que se extiende desde menos de 100 nm a aproximadamente 5 micras en la superficie. El tamao del volumen de interaccin depende de la energa de aterrizaje del electrn, el nmero atmico de la muestra y la densidad de la muestra. El intercambio de energa entre el haz de electrones y los resultados de la muestra en la reflexin de electrones de alta energa por dispersin elstica, emisin de electrones secundarios por dispersin inelstica y la emisin de radiacin electromagntica, cada uno de los cuales puede ser detectado por los detectores especializados. La corriente del haz absorbida por la muestra tambin puede ser detectada y utilizada para crear imgenes de la distribucin de la corriente de muestra.
Figura 1: Esquema de las partes y funcionamiento del SEI-SEM.

La explicacin del esquema se encuentra en el texto.

Magnificacin: La ampliacin en un SEM puede ser controlada en un rango de hasta 6 rdenes de magnitud de aproximadamente 10 a 500.000 veces. A diferencia de los microscopios electrnicos y pticos de transmisin, la ampliacin de la imagen en el SEM no es una funcin de la potencia de la lente objetivo. SEM pueden tener lentes de condensacin y lentes objetivo, pero su funcin es para enfocar el haz a un punto, y no a la imagen de la muestra. Siempre que el can de electrones puede generar un haz de dimetro suficientemente pequeo, un SEM podra, en principio, el trabajo completo sin condensador o lentes del objetivo, aunque tal vez no sea muy verstil o lograr una resolucin muy alta. En un SEM, como en microscopa de sonda, los resultados de aumento de la proporcin de las dimensiones de la trama en la muestra y la trama en el dispositivo de visualizacin. Deteccin de electrones secundarios: El modo de imagen ms comn recoge electrones secundarios de baja energa que son expulsadas de la capa K de los tomos de muestras por las interacciones de dispersin inelstica con haz de electrones. Debido a su bajo consumo de energa, estos electrones se originan dentro de unos pocos nanmetros de la superficie de la muestra. Los electrones son detectados por un detector Everhart-Thornley, que es un tipo de sistema de centelleador-fotomultiplicador. Los electrones secundarios se recogen al atraerlos hacia una rejilla sesgada elctricamente a unos 400 V, y luego acelerados an ms hacia un fsforo o sesgado positivamente a cerca de 2.000 V. Los electrones secundarios acelerados son ahora lo suficientemente enrgicos para hacer que el centelleador emita destellos de luz (catodoluminiscencia), que se conducen a un fotomultiplicador fuera de la columna de la SEM a travs de un tubo de luz y una ventana en la pared de la cmara de muestra. La salida de seal elctrica amplificada por el fotomultiplicador se muestra como una distribucin de intensidad de dos dimensiones que puede ser visto y fotografiado en una pantalla de vdeo analgico. Este proceso se basa en un haz primario. El brillo de la seal depende del nmero de electrones secundarios que alcanzan el detector. Como se muestra en la Figura 2, si el haz entra en la muestra perpendicular a la superficie, entonces la regin activada es uniforme alrededor del eje de la viga y un cierto nmero de electrones "de escape" de dentro de la muestra. A medida que el ngulo de incidencia aumenta, la distancia "de escape" de un lado de la viga disminuir, y ms electrones secundarios ser emitida. Por lo tanto las superficies empinadas y bordes tienden a ser ms brillante que las superficies planas, lo que resulta en imgenes con un aspecto bien definido, en tres dimensiones. Utilizando la seal de electrones secundarios la resolucin de imagen de menos de 0,5 nm es posible.

Figura 2: Deteccin de electrones secundarios en SEM .

La toma de imgenes con electrones secundarios proporciona informacin acerca de la morfologa y la topografa de la superficie. El contraste est dominado por el llamado efecto de borde: ms electrones secundarios pueden dejar la muestra en los bordes, que aumente la luminosidad all.

Referencias: McMullan, D. (2006). Scanning electron microscopy 1928 1965". Scanning 17 (3): 175. doi:10.1002/sca.4950170309. McMullan, D. (1988). Von Ardenne and the scanning electron microscope. Proc Roy Microsc Soc 23: 283288. Knoll, Max (1935). Aufladepotentiel und Sekundremission elektronenbestrahlter Krper. Zeitschrift fr technische Physik 16: 467 475. Zworykin VA, Hillier J, Snyder RL. (1942). A scanning electron microscope. ASTM Bull 117, 1523. McMullan, D. (1953). An improved scanning electron microscope for opaque specimens. doi:10.1049/pi-2.1953.0095. Oatley CW, Nixon WC, Pease RFW. (1965). Scanning electron microscopy. Adv Electronics Electron Phys 21, 181247.