REVISTA COLOMBIANA DE FSICA, VOL. 36, No. 1.

2004

CARACTERIZACION Y CRECIMIENTO DE PELICULAS DELGADAS DE ZnO CRECIDAS POR DEPOSICION DE LASER PULSADO A UNA ALTA TEMPERATURA DE SUBSTRATO J. Mass1, P. Bhattacharya2, y R. S. Katiyar 2 Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia 2 Department of Physics, University of Puerto Rico, P.O.Box 23343 Rio Piedras, P.R. 00931,Puerto Rico
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RESUMEN
Pelculas delgadas de xido de zinc (ZnO) dopadas con aluminio fueron crecidas sobre un substrato de zafiro (Al2O3) por la tcnica de deposicin por l ser pulsado con diferentes concentracin de aluminio. Las pelculas delgadas fueron crecidas a una temperatura de 750C y a una presin de 1mTorr en oxigeno, obtenindose una pelculas preferencialmente orientadas en el eje-c y una transparencia de (80%). La pelcula fue caracterizada usando difraccin de rayos X y los efectos del ZnO dopado con Al fueron investigados por espectroscopia de rayos X fotn electrn (XPS). El espectro XPS indica una baja presencia de componentes hidrxido. El incremento del Al cambia el esfuerzo de tensin a compresin de acuerdo a las medidas del parmetro c. La mxima concentracin de portadores medido fu de 4x1019 cm-3 y una movilidad de 49 cm2/V-s para el 1% de concentracin de Al. Sin embargo, la resistividad se increment con el aumento de concentracin de Al. Un aumento en la brecha de banda fue observado con el incremento de la concentracin de Al, el cual se le atribuye a un desplazamiento de BursteinMoss como tambin a el esfuerzo en la pelcula.

ABSTRACT
Thin films of Al doped ZnO were grown on Al2O3 by pulsed laser deposition technique with different Al concentrations. Highly c-axis oriented and transparent (80%) thin films were obtained at 750C growth temperature and 1 mTorr of O 2 pressure. The surface morphology shows a doping effect. The effects of Al doped ZnO films were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The XPS spectra indicate low presence of hydroxides components. Increase of Al doping changes the stress in the ZnO films from tensile to compressive as measured from c-parameter. The maximum carrier concentration 4x1019 cm-3 and mobility 49 cm2/V-s for 1% Al doping were measured. However, the resistivity increased with increase in Al concentration. The band gap was observed to increase with increase of Al doping may be attributed to Burstein-Moss shift as well as the stress in the films.

INTRODUCCIN El xido de zinc (ZnO) pertenece al grupo de semiconductores II-V con amplia brecha de banda el cual es usado para varias aplicaciones tales como xido conductivo, sensores y dispositivos pticos de alta brecha de banda. Recientemente, la accin lasing se mostr en pelculas delgadas de ZnO [1], los cuales dieron resultados en varios estudios sobre la aplicacin de ZnO en laseres ultra violeta (UV) y foto detectores. Este tiene una ancha brecha de banda (3.3 eV ) y una alta energa de enlace de excitn (60 meV ) lo cual permite eficiente emisin UV del excitn [2]. El Grupo III de metales dopantes, tales como Al [3], In [4], y Ga [5] han sido convenientemente agregados para incrementar la conductividad elctrica y 44

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propiedades pticas de pelculas de ZnO. El objetivo de aquellos estudios fue producir xidos conductivos transparentes (TCO). Para aplicaciones de TCO las pelculas fueron princ ipalmente crecidas a baja temperatura de substrato para un posible remplazo del indium tin oxide (ITO) sin prestarle mucha atencin a la calidad cristalina. Sun y Kwok [6] claramente demostraron que el crecimiento epitaxial de pelculas de ZnO se iniciaron a una temperatura baja de 500C, sin embargo, la mejor calidad cristalina fu obtenida a una temperatura de substrato de 700C. Ohta et al. [7] ha reportado que las pelculas de ZnO depositadas a una temperatura de substrato de 800C dramticamente mejor la realizacin de junturas p-n hechas de p-SrCu2O2 y n-ZnO. En este trabajo, ha sido usado una alta temperatura de substrato ~ 750C para crecer pelculas delgadas de ZnO usando deposicin de laser pulsado con diferentes concentraciones de Al para obtener una buena calidad cristalina. El efecto del dopaje a alta temperatura de substrato sobre las propiedades estructurales, ptica y elctrica de estas pelculas depositadas en cristal simple de ( 0 0 0 1)Al 2O3 son presentados. EXPERIMENTAL Las pelculas delgadas de ZnO fueron crecidos sobre un substrato de Al 2O3 con eje-c orientado usando un KrF (248 nm) excimer lser con una densidad de energa pulsante de 2.5 J/cm2 a una repeticin del pulso de 5 Hz. La distancia entre el blanco y el substrato fu mantenido a 5 cm durante la deposicin de la pelcula. El blanco cermico con diferentes concentraciones de Al fueron preparados por la ruta del procesamiento de polvo usando polvos de ZnO y Al 2O3. La deposicin fue llevada a una temperatura de substrato de 750 oC en oxgeno a 1mTorr. La cmara de deposicin fu evacuada a 1x10-6 Torr antes de la introduccin de O2. Un difractmetro (XRD) (Siemens D5000) con radiacin de CuKa fu empleado para determinar la orientacin y estructura cristalogrfica para las pelculas dopadas y no dopadas de ZnO con Al. La brecha de banda ptica de las pelculas fu medida usando un espectmetro UV-VIS (Perkin Elmer) temperatura ambiente, en el rango de 490-800nm. La espectroscopia de rayos X fotn electrn fue llevado a cabo con un sistema PHI 5600 ESCA, con una energa de paso de 93900 eV, calibrado en C - 1s (284.6 eV ). Un microscopio de fuerza atmica (AFM) fue usada para observacin de la morfologa de la superficie para las diferentes pelculas de ZnO y ZnO dopadas con Al en una regin de 2 m. La resistividad y movilidad fueron medidos por configuracin estndar de Van der Pauw. RESULTADOS Y DISCUSIN El patrn de rayos X, - 2 de la pelcula delgada de ZnO sobre Al 2O3 depositado a 750C de temperatura es mostrado en la Figura 1(a). nicamente dos picos fueron registrados en el rango de difraccin de 20 a 80 correspondiendo a los picos ( 0 0 2 ) y ( 0 0 4 ) de el hexagonal ZnO, mas el pico del substrato, mostrando una buena orientacin en el eje c, perpendicular al substrato. De manera similar se obtuvieron pelculas orientadas en el eje c con diferentes dopajes de aluminio. Sin embargo, la posicin del pico se desplaz continuamente a valores mas bajos de 2 con el incremento del dopaje de Al.

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(002)

Intensity (a.u.)

(004) Al 2O 3

10

20

30

40

50

60

70

80

2 degrees

A)
(a) (c) (b)

Intensity (a.u)

(d)

(e)

33.5 34.0 34.5 35.0 35.5 36.0 36.5

2 degrees
B) Figura 1 (a) Patrn (XRD) de pelculas delgadas no dopadas de ZnO. (b) Pico (0 0 2) de pelculas delgadas de ZnO con diferentes concentraciones de Al.

El desplazamiento del pico indica un esfuerzo en la pelcula de tensin a compresin causado por la desigualdad del cristal entre la pelcula y el substrato.El espectro del XPS llevado a cabo con ZnO dopado y no dopado, se muestra en la Fig. 2. en la cual, la lnea ncleo del pico Zn 2p3/2 muestra una caracterstica similar en las diferentes pelculas de ZnO dopado, exhibiendo alta simetra en el cuerpo de la pelcula. En todas las pelculas, la energa de enlace del Zn es alrededor de 1022.83 0.05 eV. No se observaron energa de enlace metlico del Zn, lo cual confirma que el Zn existe nicamente en estado oxidado an depositado a alta temperatura de substrato. La superficie morfolgica de pelculas no dopadas fue analizada por AFM, indica que la pelcula crece con estructura de microcristal y con el incremento del Al, la rugosidad de la superficie decrece. La resistividad cambia con la variacin de concentracin de Al . La resistividad decreci con el 1%de Al y aument sobre el 2%. La mas alta concentracin de portadores se consigui para el 1% con 41019 cm-3. La resistividad fue casi constante en el rango de 140 400K sin mostrar alguna activacin de los portadores. 46

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Todas las pelculas mostraron una alta transmisin alrededor del 80% en la regin visible y el band gap se increment con el dopaje.

Figura 2 Espectro del XPS de energa de enlace Zn 2p3/2 de pelculas delgadas de ZnO.

CONCLUSIONES La pelcula creci con el eje-c orientado y el pico (0 0 0 2) se desplaz a ngulos mas pequeo a medida que se incrementaba el Al. El esfuerzo intrnseco cambia de Tensin a comprensin. La composicin qumica de las pelculas de ZnO han sido investigadas por XPS, mo strando una perdida de enlace de oxigeno o componentes hidrxidos los cuales han hecho posible el efecto sobre propiedades elctricas. La morfologa de la superficie indica que hay un decrecimiento en la rugosidad de la superficie incrementando el dopaje. La mas baja resistividad se obtuvo para el 1% de Al con una movilidad de 49 cm2V-1s-. El band gap vari incrementndose con el aumento en la concentracin. REFERENCIAS [1] Scheer, Twalter, H. W.Shock, M.L.Fearheiley, H.J. Lewerenz, Appl.Phys. Lett. 63 (1993) 3294. [2] D.M.Bagnal, J.F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M.Y. Shen, T. Goto,Appl. Phys. Lett. 70 [3] [4] [5] [6]
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