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Juno PN
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Denomina-se juno P-N estrutura fundamental dos componentes eletrnicos comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. formada pela juno metalrgica de dois cristais, geralmente Silcio (Si) e (atualmente menos comum) Germnio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composio a nvel atmico. Estes dois tipos de cristais so obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto qumico.

ndice
1 Silcio puro ou intrnseco 2 Silcio "extrnseco" tipo "P" 3 Silcio "extrnseco" tipo "N" 4 Barreira interna de potencial 5 Polarizao direta da juno P-N 6 Polarizao inversa da juno P-N 7 Ver tambm

Silcio puro ou intrnseco

Os cristais de Silcio so formados a nvel atmico por uma estrutura cristalina baseada em ligaes covalentes que se produzem graas aos 4 eltrons de valncia do tomo de Silcio. Cabe tambm mencionar as lacunas ou buracos que so o lugar deixado pelo eltron quando abandona a camada de valncia e torna-se um eltron livre, isto o que se conhece com pares eltron-lacuna e sua criao se deve temperatura segundo as leis da termodinmica. Em um semicondutor puro (intrnseco), temperatura constante, o nmero de lacunas igual ao nmero de eltrons livres.

Silcio "extrnseco" tipo "P"

Um semicondutor tipo P obtido atravs do processo de dopagem, adicionando-se um
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certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto , com 3 eltrons na camada de valncia, ao semicondutor para aumentar o nmero de portadores de carga livres (neste caso positivas, lacunas). O propsito da dopagem tipo P criar abundncia de lacunas. No caso do silcio, uma impureza trivalente deixa uma ligao covalente incompleta, fazendo que, por difuso, um dos tomos vizinhos ceda-lhe um eletro completando assim as suas quatro ligaes. Assim os dopantes criam as lacunas. Cada lacuna est associada com um on prximo carregado negativamente, portanto o semicondutor mantm-se eletricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se move pela rede, um proto do tomo situado na posio da lacuna se v "exposto" e logo se v equilibrado por um eletro. Por esta razo uma lacuna comporta-se como uma carga positiva. Quando um nmero suficiente de aceitadores de carga so adicionados, as lacunas superam amplamente a excitao trmica dos eltrons. Assim, as lacunas so os portadores majoritrios, enquanto os eletres so os portadores minoritrios nos materiais tipo P. Os diamantes azuis (tipo IIb), que contm impurezas de boro (B), so um exemplo de semicondutor tipo P que se produz de maneira natural.

Silcio "extrnseco" tipo "N"

Um Semicondutor tipo N obtido atravs do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto , com 5 eltrons na camada de valncia, ao semicondutor para aumentar o nmero de portadores de carga livres (neste caso negativos, eltrons livres). Quando o material dopante adicionado, este aporta seus eltrons mais fracamente ligados aos tomos do semicondutor. Este tipo de agente dopante tambm conhecido como material doador j que cede um de seus eltrons ao semicondutor. O propsito da dopagem tipo N o de produzir abundncia de eltrons livres no material. Para ajudar a entender como se produz a dopagem tipo N considere-se o caso do silcio (Si). Os tomos do silcio tm uma valncia atmica de quatro, portanto forma-se uma ligao covalente com cada um dos tomos de silcio adjacentes. Se um tomo com cinco eltrons de valncia, tais como os do grupo VA da tabela peridica [ex: fsforo (P), arsnico (As) ou antimnio (Sb)], se incorpora rede cristalina no lugar de um tomo de silcio, ento este tomo ter quatro ligaes covalentes e um eltron no ligado. Este eltron extra d como resultado a formao de eltrons livres, o nmero de eltrons no material supera amplamente o nmero de lacunas, neste caso os eltrons so portadores majoritrios e as lacunas portadores minoritrios. Pelo fato de que os tomos com cinco eltrons de valncia tm um eltron extra para "dar" eles so chamados tomos doadores.

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Note-se que cada eltron livre no semicondutor nunca est distante de um on dopante positivo imvel, e o material dopado tipo N geralmente tem uma carga eltrica lquida final igual a zero.

Barreira interna de potencial

Ao unir ambos os cristais, manifesta-se uma difuso de eltrons do cristal N ao P (Je). Ao se estabelecer estas correntes aparecem cargas fixas em uma zona em ambos os lados da juno, zona que recebe diferentes denominaes como barreira interna de potencial, zona de carga espacial, de esgotamento ou empobrecimento, de esvaziamento, etc. medida que progride o processo de difuso, a zona de carga espacial vai aumentando sua largura aprofundando-se nos cristais em ambos os lados da juno. A acumulao de ons positivos na zona N e de ons negativos na zona P, cria um campo eltrico (E) que atuar sobre os eltrons livres da zona N com uma determinada fora de deslocamento, que se opor corrente de eltrons e terminar por det-los. A criao de ions positivos na zona N (e negativos na zona P) deve-se que as impurezas N so pentavalentes, logo ao cederem o seu electron, h mais protons que electrons criando assim um on positivo, da mesma maneira que a impureza P trivalente, ao ganhar um electron fica carregada negativamente pois fica com excesso de electrons relativamente aos protons. Este campo eltrico equivalente a dizer que aparece uma diferena de tenso entre as zonas P e N. Esta diferena de potencial de contato (V0) de 0,7 V no caso do silcio e 0,3 V se os cristais so de germnio.

Polarizao direta da juno P-N

Para que um diodo esteja polarizado diretamente, temos que conectar o polo positivo da bateria ao anodo (zona P) do diodo e o polo negativo ao catodo (zona N). Nestas condies podemos observar que: O polo negativo da bateria repele os eltrons livres do cristal N, de maneira que estes eltrons se dirigem juno P-N. O polo positivo da bateria atrai os eltrons de valncia do cristal P, isto equivalente a dizer que empurra as lacunas para a juno P-N. Quando a diferena de potencial entre os bornes da bateria maior que a diferena de potencial na zona de carga espacial P, os eltron livres do cristal N, adquirem a energia suficiente para saltar at as lacunas do cristal P, as quais previamente foram

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deslocadas para a juno P-N. Uma vez que um eltron livre da zona N salta zona P atravessando a zona de carga espacial, cai em uma das muitas lacunas da zona P convertendo-se em eltron de valncia. Uma vez que isto ocorre o eltron atrado pelo polo positivo da bateria e se desloca de tomo em tomo at chegar ao final do cristal P, atravs do qual introduz-se no fio condutor e chega bateria. Neste caso, a bateria diminui a barreira de potencial da zona de carga espacial (cedendo eltrons livres zona N e atraindo eltrons de valncia da zona P), permitindo a passagem da corrente de eltrons atravs da juno; isto , o diodo polarizado diretamente conduz a eletricidade.

Polarizao inversa da juno P-N

Neste caso o polo negativo da bateria conectado zona P e o polo positivo zona N, o que faz aumentar a zona de carga espacial, e a tenso nesta zona at que se alcana o valor da tenso da bateria. O polo positivo da bateria atrai os electrons livres da zona N, os quais saem do cristal N e se introduzem no condutor no qual se deslocam at chegar bateria. A medida que os electrons livres abandonam a zona N, os tomos pentavalentes que antes eram neutros, ao verem-se desprendidos de seus electrons no orbital de conduo, adquirem estabilidade (8 electrons na camada de valncia, ver semicondutor e tomo) e uma carga elctrica lquida de +1, o que os faz converterem-se em ions positivos. O polo negativo da bateria cede electrons livres aos tomos trivalentes da zona P. Recordemos que estes tomos s tm trs electrons de valncia, e uma vez que tenham formado as ligaes covalentes com os tomos de silcio, tm somente 7 electrons de valncia, sendo o electron que falta denominado lacuna Acontece que quando estes electrons livres cedidos pela bateria entram na zona P, caem dentro destas lacunas com o que os tomos trivalentes adquirem estabilidade (8 electrons em seu orbital de valncia) e uma carga elctrica lquida de -1, convertendo-se assim em ons negativos. Este processo se repete e de novo at que a zona de carga espacial adquire o mesmo potencial elctrico da bateria. Nesta situao, o dodo no deveria conduzir a corrente; no obstante, devido ao efeito da temperatura formam-se os pares electron-lacuna em ambos os lados da juno produzindo-se uma pequena corrente (da ordem de 1A) denominada corrente inversa de saturao. Alm disso existe tambm uma corrente denominada corrente superficial de fugas a qual, como o prprio nome indica, conduz uma pequena corrente pela superfcie
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do dodo; j que na superfcie, os tomos de silcio no esto rodeados de suficientes tomos para realizar as quatro ligaes covalentes necessrias para obter estabilidade. Este faz com que os tomos da superfcie do dodo, tanto da zona N como da P, tenham lacunas em seus orbitais de valncia e por isto os electrons circulam sem dificuldade atravs deles. No obstante, assim como a corrente inversa de saturao, a corrente superficial de fugas desprezvel.

Ver tambm
Diferena de potencial de contato Semicondutor Diodo Transistor LED Condutor Isolante Obtida de "http://pt.wikipedia.org/w/index.php?title=Jun%C3%A7%C3%A3o_PN& oldid=27688870" Categoria: Semicondutores Esta pgina foi modificada pela ltima vez (s) 19h31min de 19 de novembro de 2011. Este texto disponibilizado nos termos da licena Atribuio-Partilha nos Mesmos Termos 3.0 no Adaptada (CC BY-SA 3.0); pode estar sujeito a condies adicionais. Consulte as condies de uso para mais detalhes.

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