INTEGRANTES: ANDRS TAPIA HERRERA JHONATAN RIVERA MATERIA: CONTROL ELECTRNICO DE POTENCIA CARRERA: ING.

ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN NIVEL: SPTIMO PARALELO: A

Ing. Franklin Silva

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INDICE
A ABSTRACT -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------4 ANLISIS DE RESULTADOS -----------------------------------------------------------------------------------------6 B BIBLIOGRAFIA --------------------------------------------------------------------------------------------------------- 11 C CONCLUSIONES -------------------------------------------------------------------------------------------------------- 11 M MARCO TEORICO--------------------------------------------------------------------------------------------------------4 O OBJETIVOS-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------3 R RECOMENDACIONES------------------------------------------------------------------------------------------------- 11 RESUMEN ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------4 T TEMA ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------3

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TEMA: Clculo de la potencia de disipacin en un semiconductor de potencia durante el estado esttico y dinmico en un circuito electrnico.
1. OBJETIVOS:

GENERAL: Calcular la potencia de disipacin en un semiconductor de potencia durante el estado esttico y dinmico en un circuito electrnico. ESPECIFICOS: Conocer cmo influyen los parmetros de tiempo de recuperacin directo y reverso en la potencia de disipacin. Calcular y analizar qu tan grande es la potencia de disipacin en los estados de transicin, para saber si el dispositivo de potencia lo podr soportar.
2. RESUMEN:

Es importante hacer el anlisis de un semiconductor en un circuito electrnico para de este modo dimensionar y conocer cules deben ser las caractersticas del elemento al usarlo en el circuito, porque al no tomar en cuenta las prdidas dinmicas puede ocurrir que el dispositivo de potencia deje de funcionar totalmente ya que dichas prdidas aunque duran por poco tiempo son muy dainas para los circuitos por sus altos valores de potencia.
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ABSTRACT:

It is important to the analysis of a semiconductor in an electronic circuit to thereby gauge and know what should be the characteristics of the element to use in the circuit, because by not taking into account the dynamic losses can happen that the power to stop fully function as such losses even last for a short time are very damaging to the circuitry by high power values.
4. MARCO TEORICO:

La potencia elctrica es la relacin de paso de energa de un flujo por unidad de tiempo; es decir, la cantidad de energa entregada o absorbida por un elemento
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en un tiempo determinado. La unidad en el Sistema Internacional de Unidades es el vatio (watt). Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pic negativo. Tiempo de cada (tb): es el tiempo transcurrido desde el pic negativo de intensidad hasta que esta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pic negativo de la intensidad hasta el 10 % de este. Tiempo de recuperacin inverso (trr): es la suma de ta y tb. La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Tiempo de recuperacin directa: El tiempo de recuperacin directo (tfr): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la Tensin anodo-catodo se hace positiva y el instante en que dicha Tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir perdidas de potencia apreciables.

Figura 1. Tiempo de Recuperacin directa Potencia mxima disipable: Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada esta potencia de trabajo. Potencia media disipable: Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
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Prdidas Dinmicas: Son las prdidas que se producen cuando el dispositivo est en su etapa de transicin. Prdidas Estticas: Son las prdidas que se producen cuando el dispositivo est en corte o saturacin.

Generalmente el fabricante incluye tablas en las hojas de caractersticas, que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante son las curvas que relacionan la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
5. ANLISIS DE RESULTADOS

DATOS: T=100 Is=200mA Vcmax=1000V Icmax=500A Vcesat=1V

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Calcular la potencia de disipacin en conduccin. a) b) c) TRAMO1 a.) Resolucin ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )

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b.) Resolucin ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )

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( ) ( ) c.) Resolucin ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )

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TRAMO2

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a.) Resolucin

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b.) Resolucin

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c.) Resolucin

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TRAMO3 a.) Resolucin ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )

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TRAMO4

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a.) Resolucin

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b.) Resolucin

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c.) Resolucin

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SUMA TOTAL PARA CADA CASO a.) * b.) * c.) *

6. CONCLUSIONES:

Las prdidas dinmicas cuando usamos el tiempo de recuperacin directa son menores que cuando usamos el tiempo de recuperacin reversa.

Las prdidas estticas cuando el transistor est en corte como en saturacin son casi las mismas.

7. RECOMENDACIONES:

Despus de encontrar las prdidas estticas y dinmicas debemos encontrar un transistor con las caractersticas ptimas para que no ocurran daos.

8. BIBLIOGRAFIA:

http://es.wikipedia.org/wiki/Potencia_el%C3%A9ctrica. http://www.monografias.com/trabajos89/semiconductorespotencia/semiconductores-potencia.shtml.

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