YILDIZ TEKNK NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

YKSEK GL YUMUAK ANAHTARLAMALI TAM KPR BR ANAHTARLAMALI G KAYNAI UYGULAMASI

Elektrik Mhendisi Hidayet BLR

FBE Elektrik Mhendislii Anabilim Dal Kontrol ve Otomasyon Programnda Hazrlanan

YKSEK LSANS TEZ

Tez Danman: Yrd. Do. Dr. A. Faruk BAKAN

STANBUL, 2005

NDEKLER Sayfa SMGE LSTES ....................................................................................................................... iv KISALTMA LSTES ............................................................................................................... vi EKL LSTES .......................................................................................................................vii ZELGE LSTES ................................................................................................................... ix NSZ....................................................................................................................................... x ZET ......................................................................................................................................... xi ABSTRACT .............................................................................................................................xii 1. 2. 2.1 2.2 2.3 3. 3.1 3.2 3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.2.4 3.3 3.3.1 3.3.2 3.3.2.1 3.3.2.2 3.3.2.3 3.3.2.4 4. 4.1 4.2 4.2.1 4.2.2 4.2.3 4.2.4 GR ....................................................................................................................... 1 ANAHTARLAMALI G KAYNAKLARI ......................................................... 4 Tanm ve DC-DC Dntrme Kavram ................................................................. 4 Anahtarlamal G Kaynaklarnn zellikleri......................................................... 4 Anahtarlamal G Kaynaklarnn Snflandrlmas ............................................... 6 ANAHTARLAMALI G KAYNAKLARININ KONTROL ........................... 7 Darbe Genilik Modlasyonu (PWM) Teknii ....................................................... 7 PWM Kontrol Yntemi Topolojileri ....................................................................... 9 Gerilim Kontrol ................................................................................................... 10 leri Ynde Beslemeli Gerilim Kontrol ............................................................... 12 Akm Kontrol....................................................................................................... 13 Sistem in En Uygun Kontrol Topolojisinin Seimi............................................ 15 Faz Kaydrmal PWM Metodu .............................................................................. 16 Tanm ve Faz Kaydrmal PWM Kavram ............................................................ 16 UC3875 Entegresi ile Faz Kaydrmal PWM Metodunun Gerekletirilmesi ...... 17 UC3875 Entegresinin Temel zellilkleri .............................................................. 17 UC3875 Entegresinin Yaps ................................................................................. 18 UC3875 Entegresinin Pin Fonksiyonlar ............................................................... 20 UC3875 Entegresinin alma Prensibi ................................................................ 22 YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER .................................................. 25 Yumuak Anahtarlama ve Bastrma Hcresi Kavram .......................................... 25 Yumuak Anahtarlama Teknikleri......................................................................... 27 Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS).......................................................................... 28 Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS) ...................................................................... 28 Sfr Akmda Gei (ZCT) ..................................................................................... 28 Sfr Gerilimde Gei (ZVT) ................................................................................. 28 ii

5. 5.1 5.2 5.3 5.4 6. 6.1 6.2 6.3 7.

TAM KPR SIFIR GERLM GEL FAZ KAYDIRMALI PWM DC-DC DNTRCNN NCELENMES ............................................................. 30 alma Prensibi .................................................................................................... 30 alma Aralklarnn Analizi................................................................................ 33 ZVT Aralnn Salanmasnda Tasarm Kriterleri............................................... 41 Kayp Bal letim Sresinin Optimizasyonunda Tasarm Kriterleri .................... 45 YKSEK GL AGK UYGULAMA DEVRES ............................................ 48 AGK G Devresi ................................................................................................. 48 AGK Kontrol ve Srme Devresi ........................................................................... 49 Deneysel Sonular ................................................................................................. 50 SONULAR.......................................................................................................... 59

KAYNAKLAR......................................................................................................................... 60 ZGEM .............................................................................................................................. 62

iii

SMGE LSTES Coss MOSFET kaak kapasitesi CR Rezonans kapasitesi CT Osilatr frekansn belirlemek iin FREQSET pinine balanan kapasite CTR Transformatr sarg kapasitesi D Bal iletim sresi Etkin bal iletim sresi De fo alma frekans fs Anahtarlama frekans Id k dorultucu diyot akm Io k akm Iokr k akm ZVT snr deeri Transformatr primer akm Ip Ip0 Primer balang akm Ipkr Primer akm ZVT snr deeri LR Rezonans endktans N Transformatr primerden sekondere dntrme oran Np Transformatr primer sarm says Ns Transformatr sekonder sarm says RD l zaman ayarlamak iin DELAYSET pinine balanan diren MOSFET kanal-kaynak direnci RDS(on) RT Osilatr frekansn belirlemek iin FREQSET pinine balanan diren tD Gecikme zaman (l zaman) tf Dme zaman tL Sol kol rezonans sresi Sol kol en uzun rezonans sresi tLmax ton G anahtarnn iletimde kalma sresi toff G anahtarnn kesimde kalma sresi tr Ykselme zaman trr Ters alglama zaman Sa kol rezonans sresi tR Sa kol en uzun rezonans sresi tRmax tyd Primer akmnn yn deitirme sresi To alma periyodu TR Rezonans periyodu Anahtarlama periyodu Ts DC giri gerilimi Vi Vimax Maksimum DC giri gerilimi VDS MOSFET kanal-kaynak gerilimi VGS MOSFET kap-kaynak gerilimi VEA Hata ykselteci k gerilimi Vk Kontrol gerilimi Vo k gerilimi VP Transformatr primer gerilimi Vref Referans gerilimi VS Transformatr sekonder gerilimi Alg direnci gerilimi Vs Vt Testere dii dalga eklindeki gerilim WCR Rezonans kapasitesinde depolanan enerji WLR Rezonans endktansnda depolanan enerji iv

ZR D R

Rezonans empedans Kayp bal iletim sresi Faz fark Rezonans asal frekans

KISALTMA LSTES AC Alternatif Akm AGK Anahtarlamal G Kayna DC Doru Akm EMI Elektromanyetik Giriimi HS Sert Anahtarlama PWM Darbe Genilik Modlasyonu RFI Radyofrekans Giriimi SS Yumuak Anahtarlama ZCS Sfr Akmda Anahtarlama ZCT Sfr Akmda Gei ZVS Sfr Gerilimde Anahtarlama ZVT Sfr Gerilimde Gei

vi

EKL LSTES ekil 2.1 Anahtarlamal g kayna blok diyagram. ............................................................... 4 ekil 3.1 Temel bir anahtarlamal DC-DC dntrc. ........................................................... 7 ekil 3.2 PWM kontrol sinyalinin retilmesi. ............................................................................ 8 ekil 3.3 PWM kontroln salanmas. ....................................................................................... 9 ekil 3.4 Gerilim kontrol ve ilgili dalga ekilleri. .................................................................. 11 ekil 3.5 leri ynde beslemeli gerilim kontrolne ait dalga ekilleri...................................... 13 ekil 3.6 Akm kontrol ve ilgili dalga ekilleri. ..................................................................... 14 ekil 3.7 Tam kpr DC-DC dntrc devre emas ve anahtarlara ait srme sinyalleri. 16 ekil 3.9 UC3875 entegresi blok diyagram............................................................................. 18 ekil 3.9 Osilatr frekansnn FREQSET pinine balanan R ve C deerine gre deiimi..... 19 ekil 3.10 Rampa reteci devre emas. ................................................................................... 20 ekil 3.11 UC3875 entegresi balant emas. ......................................................................... 21 ekil 3.12 UC3875 entegresi k sinyalleri ve aralarndaki faz fark. ................................... 23 ekil 3.13 Deiik VEA deerleri iin faz modlasyonlar (a) VEA< 1 V =0 (b) 1 V < VEA < Rampa alt snr c) Rampa alt snr <VEA < Rampa st snr (d) VEA> Rampa st snr =180.................................................................... 24 ekil 4.1 (a) Bir anahtarlama g elemann kontrol sinyali ile (b) HS (c) ZCS ile ZVS ve (d) ZCT ile ZVT almalaryla ilgili temel dalga ekilleri. ............................. 27 ekil 5.1 Tam kpr DC-DC dntrc devre emas. ........................................................ 31 ekil 5.2 Tam kpr DC-DC dntrcde anahtarlara ait srme sinyalleri ve primer gerilimi dalga ekilleri. ..................................................................................... 31 ekil 5.3 Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcde anahtarlara ait srme sinyalleri ve primer gerilimi dalga ekilleri. ..................................................... 32 ekil 5.4 Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devre emas....................... 33 ekil 5.5 t = t0 an iin edeer devre emas............................................................................ 34 ekil 5.6 t0 < t < t1 aral iin edeer devre emas. ............................................................... 35 ekil 5.7 t1 < t < t2 aral iin edeer devre emas................................................................ 37 ekil 5.8 t2 < t < t3 aral iin edeer devre emas................................................................ 38 ekil 5.9 t3 < t < t4 aral iin edeer devre emas................................................................ 40 ekil 5.10 t4 < t < t5 aral iin edeer devre emas.............................................................. 40 ekil 5.11 Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcde alma aralklarna ait temel dalga ekilleri. ......................................................................................... 42 ekil 5.12 Sol kol rezonansnda kapasite gerilimi dalga eklini gsteren ayr durum. ....... 43 ekil 5.13 Kayp bal iletim sresinin gsterilmesiyle ilgili primer gerilim ve akm ile sekonder gerilimi dalga ekilleri....................................................................... 45 ekil 6.1 Laboratuvarda gerekletirilen anahtarlamal g kaynana ait g devresi........... 48 ekil 6.2 Laboratuvarda gerekletirilen anahtarlamal g kaynana ait kontrol ve srme devresi. .............................................................................................................. 49 ekil 6.3 Deiik faz fark deerleri iin tetikleme sinyalleri deiimleri ............................... 51 ekil 6.4 Ayn kola ait iki anahtarn tetikleme sinyalleri deiimleri ve aralarndaki l zaman. ............................................................................................................... 51 ekil 6.5 Srme transformatrnn primer (stte) ve sekonder (altta) gerilimi deiimleri. .. 52 ekil 6.6 Srme transformatr primer gerilimi ve akm deiimleri..................................... 52 ekil 6.7 Vi =100 V iin g transformatr primer gerilimi ve akm deiimleri. ............... 53 ekil 6.8 Vi =300 V iin g transformatr primer gerilimi ve akm deiimleri. ............... 53 ekil 6.9 k dorultucu diyodu gerilimi ve k akm deiimleri. ................................... 54 ekil 6.10 k dorultucu diyodu gerilimi ve akm deiimleri. ......................................... 54 ekil 6.11 k gerilimi ve primer akm deiimleri. ............................................................ 55 ekil 6.12 Primer akmnn yn deitirmesi iin geen srenin belirlenmesi. ....................... 55 vii

ekil 6.13 MOSFET gerilimi ve akm deiimleri.................................................................. 56 ekil 6.14 MOSFET gerilimi ve akm deiimleri (kesime girme ilemi). ............................ 56

viii

ZELGE LSTES izelge 1.1 DC g kaynaklarnn karlatrlmas. .................................................................. 5 izelge 6.1 Devrede kullanlan yar iletken elemanlarn baz nominal deerleri. ................... 49

ix

NSZ Yksek gl, yumuak anahtarlamal tam kpr bir anahtarlamal g kaynan inceleyip, uygulama devresini gerekletirdiim bu uzun ve yorucu tez almamda, bir kez daha insan ve eserinin kusursuz olamayaca gereiyle yz yze geldim. Azimle almann, sabrla engelleri amann ve sonucunda -mkemmel olmasa da- bir eser ortaya koymann insana byk bir mutluluk ve muhteem bir coku yaattn bir kez daha anladm. Yllarn G Elekroniine adam ve gerek dersleri gerekse mthi sinerjisiyle; alma alan olarak G Elektroniini sememde byk bir pay olan deerli hocam Sayn Prof. Dr. Hac BODUR'a, tez almalarm srasnda byk bir sabr ve zveriyle bana her konuda yardmc olup, yol gsteren danmanm Sayn Yrd. Do. A. Faruk BAKAN'a, daima beni destekleyen ve izimleriyle tezime katkda bulunan Sayn Ara. Gr. smail AKSOY'a, bilgilerini cmerte paylaarak; transformatr tasarm ve sarmnda yardmlarn esirgemeyen Elektrik Mhendisi Sayn Ender KASIM'a ve ELEKTRA firmasna ve son olarak G Elektronii Laboratuvarndaki tm asistan arkadalarma teekkr bir bor bilirim. Ve tabi ki; bugne kadar maddi ve manevi olarak beni srekli destekleyen sevgili aileme, hayatmdaki ok farkl, ok zel insanlara ve dostluklaryla hayatma renk katan tm dostlarma teekkrlerimi sunarm.

ZET Tam kpr faz kaydrmal PWM kontroll DC-DC dntrc, yksek gl ve yumuak anahtarlamal g kaynaklar iin ok uygun bir devre topolojisidir. lave bastrma hcreleri kullanlmakszn, g anahtarlar iin sfr gerilim geiinin (ZVT) saland bu devre yksek frekanslarda alarak, g younluunun artmasna olanak salamaktadr. Yumuak anahtarlamann artlarn tayan bu devre, olumsuz ynlerini ortadan kaldran optimize edilmi yeni devre modelleriyle cazibesini daha da arttrmaktadr. Bu almada, ilk olarak, anahtarlamal g kaynaklar, faz kaydrmal PWM kontrol ve yumuak anahtarlama teknikleri hakknda temel bilgi verilmi, daha sonra tam kpr faz kaydrmal PWM kontroll DC-DC dntrc ayrntl olarak incelenmi ve nemli tasarm kriterleri deerlendirilmitir. Son olarak giri gerilimi 220 V AC, anahtarlama frekans 220 kHz, k gc 1400 W (20V / 70A) olan bir anahtarlamal g kayna prototipi gerekletirilmi ve laboratuvarda alnan deneysel sonulardan, topolojinin yksek frekansl ve yksek gl uygulamalar iin iyi bir seim olduu ve ZVT ile anahtarlama kayplarnn azald dorulanmtr. Bununla beraber, snrl ZVT aral, kayp bal iletim sresi ve k dorultucu diyotlarnn ok ciddi parazitik salnmlara maruz kalmas gibi dezavantajlarndan tr, klasik sistemin mutlaka optimize edilmesi gereklilii de grlmtr. Anahtar kelimeler: Yksek gl DC-DC dntrc, tam kpr, yumuak anahtarlama, sfr gerilimde gei, sfr gerilimde anahtarlama, faz kaydrmal PWM.

xi

ABSTRACT Full bridge phase shifted PWM DC-DC converter is a very suitable topology for the high power, soft switched, switched-mode power supplies. This circuit, its power switches operate under zero voltage transition (ZVT) without being used any snubbers, enables high switching frequency for improved power density. Having merits of soft switching, this circuit, has been having more attraction due to the optimized circuit models eliminating its disadvantages. In this study, firstly, a basic information about switched-mode power supplies, phase shifted PWM control and soft switching tecniques is given. Then full bridge phase shifted PWM DCDC converter is examined in detail including some important design criteria. Finally a switched-mode power supply prototype is fabricated with 220 V AC input voltage, 220 kHz switching frequency at 1400 W (20V / 70A) output power. Judging the results of the laboratory experiments, it is verified that this topology is a good choice for high frequency, high power applications having less switching losses owing to ZVT. In addition to this, it is seen that conventional system has to be optimized because of drawbacks like narrow ZVT range, loss of duty cycle and very severe parasitic oscillations across rectifier diodes. Keywords: High power DC-DC converter, full bridge, soft switching, zero voltage transition, zero voltage switching, phase shifted PWM.

xii

1 1. GR

Anahtarlamal g kaynaklar, g elektroniinin endstrideki en nemli ve yaygn uygulamalarndan birisi olup; knda dzgn ve regleli sabit ya da ayarlanabilen DC gerilim salayan cihazlardr (Bodur, 2004). Yksek verim ve dk hacme sahip olan anahtarlamal g kaynaklar, 1960larn balarnda yaygn olarak kullanlmaya balanmtr. Bu kaynaklar, haberleme sistemlerinden, uzay endstrisine kadar uzanan ok geni bir kullanm alanna sahiptirler. zellikle yksek k gcnn arzu edildii endstriyel uygulamalarda, sistemin vazgeilmez bir paras olagelmilerdir (Batrk, 1996). Anahtarlamal g kaynaklar, temel olarak, darbe genilik modlasyonu (PWM) kontroll, yksek g younluu ve hzl gei cevabna sahip anahtarlamal DC-DC dntrclerdir. Yksek g younluu ve hzl gei cevab anahtarlama frekans ykseltilerek elde edilebilmektedir; fakat frekansn ykseltilmesi, anahtarlama kayplarn ve elektromanyetik giriimi (EMI) ve radyofrekans giriimi (RFI) grltlerini arttrmaktadr. Bu nedenle, bu kayp ve grltler azaltlarak frekansn ykseltilmesi gerekmektedir. Bu noktada, zm olarak, son yllarda akademik ve endstriyel almalarda nemi gittike artan yumuak anahtarlama teknikleri karmza kmaktadr (Bodur, 2003). Yumuak anahtarlama (SS), anahtarlama kayplar ile EMI ve RFI grltlerinin zel

dzenlerle yok edilmesi veya en aza indirilmesidir. SS, anahtarlama srasnda, elemann maruz kald akm ve gerilim deerleri ile akm ve gerilim ykselme hzlarnn bastrlmas, akm ve gerilim deiimlerinin ekillendirilmesi, anahtarlama enerjisinin yke ya da kaynaa transfer edilmesi fonksiyonlarn kapsar. Yumuak anahtarlama amacyla gelitirilen ve dntrcnn temel bir paras olmayan ilave dzen ve devrelere bastrma hcreleri denilmektedir (Bodur, 2003). Yksek gl anahtarlamal g kaynaklarnn geliimi, anahtarlama frekansnn

ykseltilmesine dolaysyla anahtarlama problemlerinin yumuak anahtarlama teknikleri ile zmne baldr. Yumuak anahtarlamayla ok yksek frekanslarda alabilen tam kpr faz kaydrmal PWM kontroll DC-DC dntrc, yksek gl anahtarlamal g kayna uygulamalar iin en uygun devre topolojisidir (Vieria vd.,1992). Yumuak anahtarlama tekniklerinden sfr gerilim geiinin (ZVT) saland bu topolojide, anahtarlama frekans 1 MHzler mertebesine (Hamo, 1995), g de % 95 verimle 100 kW mertebesine ulaabilmektedir (Steigerwald vd., 1996).

2 Sabit frekansta alan bu devrede faz kaydrmal PWM kontrol, g anahtarlarnn sfr gerilimde anahtarlanarak iletime girmelerini salamak iin kullanlr. Bu zel kontrol teknii, yksek frekanslarda transformatr kayplarn lme amacyla kullanlm (Carsten, 1986), daha sonra tam kpr g kayna uygulamalarnda kontrol amal kullanlarak (Sabate vd., 1991), yine o uygulamalardan birisinde Faz kaydrmal PWM olarak adlandrlmtr (Fisher vd., 1988). Transformatr kaak endktans, MOSFET kaak kapasitesi gibi parazitik elemanlarn yumuak anahtarlamada etkin bir ekilde kullanlarak, pahal ve karmak bastrma hcrelerine gerek duyulmad bu devre, zellikle haberleme g sistemlerinde yaygn bir ekilde kullanlmaktadr (Saro vd., 1998). ZVT aralnn snrl ve yk akmna bal olmas, bu araln geniletilmesi amacyla kaak endktansn arttrlmas sonucunda; bal iletim sresinde olduka byk bir kaybn olumas ve k dorultucu diyotlarnn ok ciddi parazitik salnmlara maruz kalmas sistemin nemli dezavantajlardr (Chen vd., 1995). Bununla beraber ok yksek glerde MOSFET yerine IGBT kullanma zorunluluu ve IGBTnin kesime girme karakteristiinden tr gerilim ykselme hzn snrlamak amacyla IGBTye paralel kondansatr balanmas gereklilii ise dier bir dezavantajdr (Cho vd., 1994). Bu dezavantajlar ortadan kaldrarak, klasik faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc sistemini optimize eden bir ok devre modeli sunulmutur (Jang vd., 2003). Bylece sistem, olumsuz zelliklerinin de giderilmesiyle yksek gl ve yumuak anahtarlamal uygulamalar iin daha da cazib bir hale gelmitir. Bu almada, tam kpr faz kaydrmal PWM kontroll DC-DC dntrc ayrntl olarak incelenmi ve bir uygulama devresi gerekletirilmitir. Blm 2de anahtarlamal g kaynaklar hakknda genel bilgi verilmi, Blm 3te bu kaynaklarn kontrol zerinde durulmu, zellikle faz kaydrmal PWM metodu ayrntl bir ekilde anlatlm ve Blm 4te yumuak anahtarlama teknikleri konusunda temel bilgi verilmi, bylece incelenen yksek gl, yumuak anahtarlamal g kaynann anlalmasnda bir temel oluturulmas amalanmtr. Blm 5te, tam kpr sfr gerilim geili faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devresinin bir anahtarlama periyodu ierisindeki kararl durum almasna ait alma aralklar; edeer devre emalar ve bu aralklarla ilgili temel dalga ekilleri gsterilerek

3 anlatlm ve devrenin tasarmyla ilgili nemli kriterlere deinilmitir. Blm 6da, laboratuvarda gerekletirilen, giri gerilimi 220 V AC, anahtarlama frekans 220 kHZ ve gc 1400 W (20V / 70A) olan bir anahtarlamal g kayna devresi ile bu devreden alnan deneysel sonulara yer verilmitir. Deneysel sonularla topolojinin yksek frekansl ve yksek gl uygulamalar iin ok uygun olduu ve ZVT ile anahtarlama kayplarnn azald dorulanmtr. Bunun yan sra, snrl ZVT aral, kayp bal iletim sresi ve k dorultucu diyotlarnn ok ciddi parazitik salnmlara maruz kalmas gibi dezavantajlarndan tr, klasik sistemin mutlaka optimize edilmesi gereklilii de grlmtr. Son blmde ise, tez almasnda varlan sonular belirtilmitir.

4 2. ANAHTARLAMALI G KAYNAKLARI

2.1

Tanm ve DC-DC Dntrme Kavram

ekil 2.1 Anahtarlamal g kayna blok diyagram. Genel olarak anahtarlamal g kaynaklarnda, k g katndaki yar iletken kontroll eleman ya da elemanlar uygun bir frekans ve aralklarla anahtarlanr, dalgal bir DC gerilim veya AC gerilim retilir. DC gerilim dorudan, AC gerilim ise dorultularak szlr. Bylece, dzgn ve ayarlanabilen bir DC gerilim elde edilmi olur. Anahtarlamal temel DC DC dntrcler, bir kontroll yar iletken g eleman, bir yar iletken g diyodu ve bir anahtarlama endktansndan oluan temel elemann farkl ekillerde balanmasyla elde edilmitir. Devrede ya tam iletimde ya da tam kesimde olarak altrlan kontroll g elemanna, g anahtar veya aktif eleman denilmektedir. Diyot ise yar iletken pasif g elemandr. Ayrca, alma frekansna gre endktans deerinin yeterince byk olduu ve bylece endktanstan geen akmn genellikle kesintisiz ve dzgn olduu kabul edilmektedir. Anahtarlamal DCDC dntrclerin alma prensibi, anahtarlanan endktansn enerji aktarmna dayaldr. Bu dntrclerde, bir anahtarlama peryodu ierisinde ya g anahtar ya da g diyodu iletimdedir. Genellikle, anahtar iletimde iken endktansa enjekte edilen enerji, diyot iletimde iken ka aktarlr (Bodur, 2004).

2.2

Anahtarlamal G Kaynaklarnn zellikleri

Anahtarlamal g kaynaklar, dier DC g kaynaklar olan lineer ve rezonansl g

5 kaynaklarna gre daha yaygn kullanlmaktadr. Tasarmlar ok kolay fakat verimleri ok dk olan (%30-%50 arasnda) lineer g kaynaklar dk glerde (10Wtan daha kk gler iin) ve sabit k gerilimi istenilen yerlerde kullanlmaktadr. Yumuak anahtarlama ile anahtarlama kayplarnn ortadan kaldrld ve dolaysyla anahtarlama frekansnn ok yksek olduu, verimleri yksek fakat tasarmlar da ar derecede zor olan rezonansl g kaynaklar ise genellikle ok yksek gl zel uygulamalarda tercih edilmektedir. izelge 1.1de DC g kaynaklarnn karlatrlmas gsterilmitir.

izelge 1.1 DC g kaynaklarnn karlatrlmas. Karlatrma Konusu Tasarm Verim G Younluu k Gerilimi Cevap Verme Sresi Lineer ok Kolay ok Dk ok Dk Az Dalgal ok Ksa Anahtarlamal Zor Yksek Yksek Dalgal Uzun Rezonansl ok Zor ok Yksek Dk ok Dalgal ok Uzun

G Elemann almas Yar letimli Sert Anahtarlamal Yumuak Anahtarlamal zolasyon Yok Salanabilir Salanabilir

Aada belirtilen zelliklere sahip olan anahtarlamal g kaynaklar, kk elektronik ev cihazlarndan bilgisayarlara, televizyonlardan mikrodalga frnlara kadar ok geni bir kullanm alanna sahiptir. Endstride ise bata PLC ve alglama elemanlarnn beslemeleri olmak zere regleli, sabit ya da ayarlanabilen DC gerilime ihtiya duyulan hemen her yerde karmza kmaktadr. Anahtarlamal g kaynaklarnn zellikleri: Verimleri ok yksektir.(>%95) G younluklar yksektir. Tasarmlar zordur. k gerilimleri dalgaldr. Cevap verme sresi uzundur.

6 2.3 Transformatrl olan trlerinde izolasyon salanmaktadr. Transformatrl olan trlerinde ok sayda k salanabilmektedir (Bodur, 2004) Anahtarlamal G Kaynaklarnn Snflandrlmas

k g katndaki elemanlara gre anahtarlamal g kaynaklar, Diyot ve kondansatrl Endktans ve tek kl Transformatrl

olmak zere ksma ayrlr. Diyot ve kondansatrl anahtarlamal g kaynaklarnn, Drc Ykseltici Drc-Ykseltici

olmak zere 3 tr mevcuttur. Bu kaynaklar, genellikle dk akmlarda giriten daha yksek gerilimler elde etmek iin kullanlr. itme aletlerinde, sv kristal gstergeli saatlerde ve pil gerilimlerinin ykseltilmesinde bu kaynaklar yaygn olarak kullanlmaktadr. Endktans ve tek kl (temel, izolasyonsuz) anahtarlamal g kaynaklarnn, Drc (Buck) Ykseltici (Boost) Drc-Ykseltici veya Ters kl (Buck-Boost)

olmak zere 3 tr bulunmaktadr. Genel olarak, bu kaynaklarn tasarm transformatrl olanlardan daha kolaydr. Ancak, en nemli dezavantajlar giri ve k arasnda toprak izolasyonunun olmamasdr. Transformatrl (izolasyonlu) anahtarlamal g kaynaklarnn ise, Geri Dnl (Fly Back) leri Ynl (Forward) Tam Kpr (Full Bridge) Yarm Kpr (Half Bridge) Push Pull (Push-Pull)

trleri mevcuttur. Bu kaynaklarn en nemli zellii, giri ile k arasnda tam izolasyonun salanmas ve ok sayda kn elde edilebilmesidir (Bodur, 2004).

7 3. ANAHTARLAMALI G KAYNAKLARININ KONTROL

3.1

Darbe Genilik Modlasyonu (PWM) Teknii

Anahtarlamal g kaynaklar, temel olarak anahtarlamal DC-DC dntrclerdir ve k g katndaki DC-DC dntrcnn topolojisine gre adlandrlrlar. Bununla beraber, anahtarlamal g kaynaklarnn kontrol dendiinde, genellikle DC-DC dntrclerin kontrol anlalmaktadr. DC-DC dntrclerde, k gerilimi yle kontrol edilmelidir ki, giri gerilimi ve k yk deise bile, k geriliminin ortalamas istenen deerde olmaldr. DC-DC dntrclerde, belli deerdeki bir DC gerilimi daha dk ya da daha yksek bir DC gerilime dntrmek iin bir ya da daha fazla anahtar kullanr. Blm 2de bu kontroll yar iletken g elemannn g anahtar ya da aktif eleman olarak adlandrld belirtilmiti. Bir DC-DC dntrcde verilen bir giri gerilimi deeri iin k gerilimi, g anahtarlarnn iletimde ve kesimde olduu srelerin kontrol edilmesiyle ayarlanr. ekil 3.1de temel bir anahtarlamal DC-DC dntrc gsterilmitir.

ekil 3.1 Temel bir anahtarlamal DC-DC dntrc. k gerilimi Vonun ortalama deeri ekil 3.1de grld gibi ton ve toff srelerine baldr.k gerilimini kontrol etme yntemlerinden biri anahtarlamay sabit frekansta yapmak - ki bylece anahtarlama periyodu da sabit olur (Ts = ton + toff )- ve anahtarn iletimde

8 kalma zamann ayarlayarak ortalama k gerilimini kontrol etmektir. En ok tercih edilen ve endstride en yaygn olarak kullanlan Darbe Genilik Modlasyonu (PWM - Pulse Width Modulation) teknii denilen bu yntemde, anahtarn alma orann ifade eden, bal iletim sresi (D) deitirilir. D, anahtarn iletimde olduu srenin, anahtarlama peryoduna orandr. Bal iletim sresi Dnin kontrol ile, DC k geriliminin ayarlanmas ve bu gerilimin, kaynak gerilimi ile yk akmndaki deimelere kar regle edilmesi salanmaktadr (Mohan vd., 1995).
D= t on Ts

0<D<1

(3.1)

Gerekletirilmesi olduka kolay olan PWM tekniinde, g anahtar kontrol sinyalinin nasl elde edildii ekil 3.2de grlmektedir.

ekil 3.2 PWM kontrol sinyalinin retilmesi. PWM tekniinde, istenen bir referans gerilimi (Vref) ile ktan alnan geri besleme gerilimi, bu iki gerilimin farkn bularak bu fark ykselten, glendiren bir ykselteten geirilmekte ve bylece kontrol gerilimi (Vk) elde edilmektedir. Vk gerilimi ise, istenen frekansta testere dii eklindeki bir gerilimle (Vt), kna lojik 1 ya da lojik 0 veren bir karlatrc devresi ile karlatrlmakta ve bu karlatrma ilemi sonucunda g anahtar kontrol sinyali retilmektedir. Burada, referans gerilimi ile DC k geriliminin ayar, geri besleme giri gerilimi ile de DC k geriliminin reglasyonu salanmaktadr (Bodur, 2003). Tepe deeri sabit olan testere dii eklindeki periyodik dalgann frekans anahtarlama frekansn belirler. PWM kontrolde bu frekans sabit tutularak birka kilohertzden MHzler arasndaki bir deere ayarlanabilir. Dyi belirleyen ise kontrol gerilimidir. ekil 3.3de kontroln nasl saland

9 prensip olarak gsterilmitir.

ekil 3.3 PWM kontroln salanmas. Anahtarlama zaman ile karlatrldnda olduka yava deien ykseltilmi kontrol gerilimi, testere dii dalgann genliinden byk olduu zaman, g anahtar kontrol sinyali retilerek anahtarn iletime sokulmas salanr.Aksi durumda anahtar kesimdedir. DC-DC dntrcler, alma srasnda iki farkl durumda olabilirler. Bunlar srekli akm (CCM- Continuous Current Mode) ve sreksiz akm (DCM- Discontinuous Current Mode) alma durumlardr. Uygulamada bir dntrc, birbirinden olduka farkl zellikteki bu iki durumda da alabilir. Bu nedenle, dntrc ve kontrol devresi bu iki alma durumu dikkate alnarak tasarlanmaldr (Mohan vd., 1995). Anahtarlamal DC-DC dntrclerin k gerilimi, ayrca frekans modlasyonu (FM) teknii ile de kontrol edilebilmektedir. Bu teknikte ise, darbe genilii sabit tutularak anahtarlama frekans veya peryot deitirilerek, bal iletim sresi ve bylece DC k gerilimi kontrol edilmektedir. Bu kontrol yntemi, ancak hafif yk veya geici rejim artlarnda alma gibi zorunlu hallerde ve geici olarak kullanlmaktadr (Bodur, 2004).

3.2

PWM Kontrol Yntemi Topolojileri

Topoloji, devreyi oluturan elemanlarn, belirli bir alma prensibiyle alarak, belli bir ilevi gerekletirmesi amacyla, bir sistematik ierisinde bir araya getirilmesiyle oluturulan devre modelidir. Bu tanmdan yola karak bir kontrol sistemi topolojisi dendiinde; hangi

10 geri beslemelerin nasl ve ne ekilde algland, bunlarn ne ekilde deerlendirildii ve bunlarn kontrol deikenlerine ne ekilde etkidii gibi temel sorular akla gelmektedir. Bunlarn yan sra kontrol devresinin btn sistem iindeki durumu ve almas, sisteme ait parametreleri nasl etkiledii de dier nemli noktalardr. Bu blmde PWM teknii iin kullanlan farkl temel topoloji ele alnmtr. Bu modellerin isimleri ve literatrde yer alan ngilizce karlklar aada belirtilmitir. Gerilim kontrol (Voltage Mode Control) leri ynde beslemeli gerilim kontrol (Voltage Feedforward Control) Akm kontrol (Current Mode Control)

Btn uygulamalar iin optimum olan bir kontrol devresi modeli sylemek pek mmkn grnmemektedir. Bununla birlikte en iyi yntem bu demek de doru deildir. Yukardaki topolojinin de bir takm art ve eksileri bulunmaktadr. Bununla birlikte baz uygulamalar iin gerilim kontrol cazipken bazlar iin de akm kontrol ok byk nem tamakta ve sistemin olmazsa olmaz niteliini tamaktadr. rnein akm kontrol dier iki ynteme kyasla pek ok stnle sahiptir ancak bu topoloji beraberinde baka problemleri getirmektedir. Bu nemli hususlar ileride ele alnp, deerlendirilecektir (Mammano, 1994) 3.2.1 Gerilim Kontrol

Gerilim kontrol, en eski ve en basit kontrol topolojisidir. yle ki; Blm 1de Darbe Genilik Modlasyonu tanm iin anlatlanlar aslnda gerilim kontrol topolojisine karlk gelmektedir. Yani PWM denildiinde, kastedilen hep gerilim kontrol olagelmitir. ekil 3.2de prensip emas gsterilen PWM teknii, aada ekil 3.4te bir anahtarlamal DC-DC dntrc sistemi iinde gsterilmitir. Uzun yllar endstride baarl bir ekilde kullanlan bu yntemde, istenen bir referans gerilimi ile geri besleme geriliminin bir ykseltecten geirilmesiyle kontrol gerilimi elde edilmekte ve bu gerilim ile istenen frekansta testere dii eklindeki bir gerilimin karlatrlmasyla g anahtarnn kontrol sinyali elde edilmektedir. Gerilim kontrol ynteminde akm snrlamas ayr olarak gerekletirilmelidir; nk kontrol evrimi her hangi bir akm snrlamas ya da ayarlamas yapmamaktadr. Bu yzden kontrol evrimi yar iletken g elemann ksa devre akm gibi ar akmlara kar korumakta yetersiz kalmaktadr (Mammano, 1994).

11

ekil 3.4 Gerilim kontrol ve ilgili dalga ekilleri. Yukardaki ekilde hata ykselteci, girilerine uygulanan k gerilimi geri beslemesi ile referans geriliminin farkn alp, bu fark ykselten bir devredir. PWM karlatrcs ise, giriindeki Vk kontrol gerilimi ile Vt testere dii eklindeki gerilimi karlatrarak kna lojik 1 ya da lojik 0 veren bir devredir. Flip-flop k dalga eklinden de anlald zere Vk gerilimi karlatrcnn eviren ucuna, Vt gerilimi ise evirmeyen ucuna balanmtr. Vk gerilimi, Vt geriliminden byk olduunda ka lojik 1 verilmekte, aksi durumda ise k lojik 0 olmaktadr. kn lojik 1 olmas yar iletken elemann iletime gemesi, lojik 0 olmas ise kesimde olmas anlamna gelmektedir. S-R flip flopu, R ucu lojik 1 olduunda k resetlemekte yani 0 yapmakta, S ucu 1 olduunda ise k set etmekte yani 1 yapmaktadr. ekilde grld zere testere dii eklindeki gerilim, bir kondansatrn arj ve dearj ile salanmaktadr. Bu kondansatre rampa reteci ad da verilmektedir. Burada zerinde durulmas gereken bir dier nemli nokta ise saat iaretinin peryodunun da yine bu kondansatrn arj sresi ile belirlenmesi ve ayarlanmasdr.

12 Gerilim kontrolnn avantajlar: Tek bir geri besleme evrimi olduu iin tasarm ve analizi olduka kolaydr. Yksek deerli bir genlie sahip testere dii dalga , kararl bir modlasyon sreci iin iyi bir grlt snr aral salamaktadr. Dk empedansl bir k, ok kl g kaynaklar iin daha iyi bir apraz reglasyona olanak salamaktadr. Gerilim kontrolnn dezavantajlar: Sistemin cevap verme sresi uzundur. Giri gerilimindeki ya da k akmndaki deiiklik, k gerilimine yansdktan ve k gerilimi alglanp kontrol evrimine geri besleme olarak dahil edildikten sonra deerlendirilip, bal iletim sresi ona gre ayarlanmaktadr. k filtresi kontrol evrimine iki adet kutup ilave etmektedir. evrim kazanc giri gerilimi ile deitii iin kompanzasyon olduka karmak bir hal almaktadr (Mammano, 1994). 3.2.2 leri Ynde Beslemeli Gerilim Kontrol

Gerilim kontrolnn en nemli dezavantajlarndan birisi, giriteki deiimlere yant olarak, k dzenleyen yava bir dinamik baarm elde edilmesidir. leri ynde beslemeli gerilim kontrolnde bu sakncay ortadan kaldrmak iin sabit genlikli bir testere dii dalga yerine, genlii ve eimi giri gerilimiyle orantl olarak deien bir testere dii dalga kullanlmaktadr. Sadece bu deiiklikle, gerilim kontrolndeki pek ok saknca ortadan kalkmaktadr. Ak evrim hat reglasyonu dzelmekte, evrim kazanc sabit olmakta, giri gerilimindeki deiimlere ani ve mkemmel ekilde cevap verilmektedir. Bununla birlikte k filtresine ait kutuplarn, normal kontrol evrimi band geniliinin daha stnde bir aralkta yer almasna olanak salayan yksek frekanslarda alma yeteneini sisteme kazandrmaktadr. Aada ekil 3.5te ileri ynde beslemeli gerilim kontrolnde PWM kontrolnn nasl gerekletirildiine dair dalga ekilleri gsterilmitir. Vt1 genlikli testere dii dalga iin iletim sresi ton1, daha byk olan Vt2 genliine sahip testere dii dalga iinse iletim sresi ton2 olmaktadr. Grld zere bal iletim sresi hzl bir ekilde deitirilmektedir. Testere dii dalgann giri gerilimiyle orantl deimesi bal iletim sresinin giri gerilimindeki deiime kar ok hzl bir ekilde cevap vermesini salamaktadr. (Mammano, 1994).

13

ekil 3.5 leri ynde beslemeli gerilim kontrolne ait dalga ekilleri.

3.2.3

Akm Kontrol

Akm kontrol gerilim kontrolne gre olduka yeni bir kontrol metodudur. Gerilim kontrolndeki ok nemli dezavantajlarn hepsinin, akm kontrol ile tamamen ortadan kaldrlmas tasarmclar akm kontrol konusunda almaya motive eden en nemli etkendir. ekil 3.6da grld gibi, akm kontrolnde, gerilim kontrolnden farkl olarak ilave bir i evrim kullanlmaktadr. Bu i evrim vastasyla endktans akm ya da yar iletken g anahtar akm alglanmakta ve akm geri beslemesi olarak tm kontrol evriminde etkili olmaktadr. zerinden endktans akmnn ya da yar iletken g anahtar akmnn getii bir alg direnci, zerinde oluan gerilim ile PWM karlatrcsna balanmaktadr. Karlatrcnn dier ucuna ise tpk gerilim kontrolnde olduu gibi d evrimden elde edilen Vk kontrol gerilimi balanmaktadr. Bu kontrol gerilimi, k gerilimi geri beslemesi ile referans geriliminin hata ykseltecinden geirilmesiyle elde edilmektedir. Yar iletken g anahtar her evrim banda osilatrn saat iareti ile iletime sokulmaktadr. Ve osilatr frekans gerilim kontrolnde olduu gibi, bir kondansatrn arj sresine bal olmayp, sistemin dier elemanlarndan tamamen bamszdr. Dier nemli bir nokta ise, deeri dorudan endktans ya da yar iletken g anahtar akmna bal olan alg direnci gerilimi Vs, kontrol gerilimi Vk tarafndan ayarlanan eik deere ular ulamaz anahtar kesime sokulmaktadr. Bu ise; d evrime ait olan Vk kontrol geriliminin, i evrime ait olan Vs alg gerilimini kontrol ederek endktans akmn dorudan kontrol ettiini gstermektedir (Mammano, 1994).

14

ekil 3.6 Akm kontrol ve ilgili dalga ekilleri. Akm kontrolnn avantajlar: Endktans akmnn eimi, giri gerilimi ile k geriliminin farkna bal olduu iin; giri gerilimindeki deiimlere ge cevap verilmesi, giri gerilimindeki deiimlerden kaynaklanan kazan deiimleri ve sistem cevabnn gecikmesi problemleri ortadan kaldrlmaktadr. Sistemde endktans akm, akm geri beslemesi olarak kullanld iin, k endktansnn etkisi en aza indirilmekte dolaysyla k filtresi, kontrol evrimine tek kutup ilave etmektedir. Bu da daha kolay bir kompanzasyon ve daha yksek bir kazan band genilii anlamna gelmektedir. Darbeli akm snrlama (pulse-by-pulse current limiting) zelliine sahiptir. Ve birden fazla paralel bal k g nitelerinde yk paylam daha kolaydr. Akm kontrol, sunduu avantajlar ve dier iki topolojiye gre sahip olduu stnlklere ramen kendine zg bir takm problemleri de beraberinde getirmektedir. Tasarm srecinde, bu problemlerin zerinde durulmas ve zlmesi gerekmektedir.Aada akm kontrolnn dezavantajlar belirtilmitir.

15 Akm kontrolnn dezavantajlar: Devre analizini daha da zorlatran iki kontrol evrimi mevcuttur. Eim kompanzasyonu sisteme dahil edilmedii takdirde %50nin zerindeki bal iletim srelerinde kontrol evrimi kararsz hale gelmektedir. Kontrol modlasyonu k akmndan elde edilen iarete bal olduu iin, g katndaki rezonanslar kontrol evrimine grltler katmaktadr. Yk reglasyonu olduka ktdr. Birden fazla k olduu durumda apraz reglasyonun istenen deerlerde elde edilebilmesi iin kuplajl endktanslar kullanlmaldr (Mammano, 1994). 3.2.4 Sistem in En Uygun Kontrol Topolojisinin Seimi

Yukarda anlatlanlar dikkate alndnda ileri beslemeli gerilim kontrol en optimum zm gibi grnse de, bu; akm kontrolnn, neminin ve stnlnn tamamen gz ard edilebilecei anlamna gelmemektedir. Hangi topolojinin en optimum zm olduu gerekletirilecek uygulamaya baldr. Aada bu hususta dikkate alnacak baz noktalar belirtilmitir. Eer, G kaynann k bir akm kayna gibi kullanlacaksa ya da ok yksek bir k gerilimine sahip olacaksa Belirli bir frekanstaki en hzl dinamik cevap isteniyorsa Giri gerilimi deiimi olduka snrl olacaksa Yk paylamnn olaca paralel almal modler uygulamalar yaplacaksa Transformatr ak dengesinin nemli olduu Push-Pull devresi tasarlanacaksa En az elemann kullanlaca dk fiyatl uygulamalar gerekletirilecekse

akm kontrol tercih edilmelidir. Eer, Giri gerilimi ya da k akm aral ok genise zellikle akm eiminin kararl PWM almas iin ar derecede dar olduu dk giri gerilimi ve hafif yk koullarnda alacaksa Akm dalga ekli zerindeki grltnn zor kontrol edilebilecei yksek gl ve/veya yksek grltl uygulamalar yaplacaksa ok iyi apraz reglasyona sahip ok kl uygulamalar gerekletirilecekse

16 Sekonder reglatr olarak doyumlu reaktrler kullanlacaksa ki kontrol evriminin ve/veya eim kompanzasyonunun getirecei zorluklardan kanlacaksa gerilim kontrol ya da ileri beslemeli gerilim kontrol tercih edilmelidir (Mammano, 1994).

3.3 3.3.1

Faz Kaydrmal PWM Metodu Tanm ve Faz Kaydrmal PWM Kavram

Faz kaydrmal PWM, tam kpr DC-DC dntrclerde, g anahtarlarnn yumuak anahtarlama ile iletime girmelerini salamak iin kullanlan zel bir kontrol tekniidir. Bu teknik, yksek frekanslarda transformatr kayplarn lme amacyla kullanlm (Carsten, 1986), daha sonra tam kpr g kayna uygulamalarnda kontrol amal kullanlarak (Sabate vd., 1991), yine o uygulamalardan birisinde Faz kaydrmal PWM olarak adlandrlmtr (Fisher vd., 1988). Tam kpr DC-DC dntrclerde drt adet g anahtar bulunmaktadr. Klasik sistemde ayn anda iletime sokulan Q1 ve Q2 ile Q3 ve Q4, faz kaydrmal PWM tekniinde, aralarnda bir gecikme braklarak iletime sokulurlar. ekil 3.7de grld zere Q1 ve Q2 ayn anda

ekil 3.7 Tam kpr DC-DC dntrc devre emas ve anahtarlara ait srme sinyalleri. iletime sokulmayp; Q1 g anahtar iletime sokulduktan bir sre sonra Q2nin tetikleme sinyali verilip, eleman iletime sokulmaktadr. Ayn durum Q3 ve Q4 iin de geerlidir.

17 Anahtarlar arasndaki bu gecikme yani faz fark ktan alnan geri beslemelere gre kontrol devresi tarafndan salanmaktadr. G anahtarlarnn bal iletim sreleri % 50 olup sabittir. Faz kaydrmal PWM kontrole ait olan etkin bal iletim sresi ise, bu faz fark tarafndan belirlenmektedir. Alt ya da st koldan iki elemann ayn anda iletimde olduu sre, anahtarlama periyodunun toff olarak gsterilen kapal kalma ksmdr. Bu ksm, istenen k gerilimini elde etmek iin kontrol edilerek, gerilim reglasyonu salanm olur. Faz kaydrmal PWM, gerilim ya da akm kontrol uygulanarak gerekletirilebilir. Gerilim kontrolnde gerilim geri beslemesi, akm kontrolnde ise hem gerilim hem akm geribeslemesi deerlendirilerek gerekli faz fark salanr. Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc Blm 5de ayrntl olarak incelenecektir. 3.3.2 UC3875 Entegresi ile Faz Kaydrmal PWM Metodunun Gerekletirilmesi

Pek ok stn zellie sahip UC3875 entegresi, faz kaydrmal PWM kontrol iin retilmi zel bir entegre olup; faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc uygulamalarnda, tasarmclarn ilk tercihi olagelmitir. Daha sonra UC3879 ve UC3895 modelleri de gelitirilmitir. Bu iki entegrenin daha stn zellikleri olmakla birlikte, bu blmde sadece, bunlara temel oluturan UC3875 entegresi, zellikleri, yaps, pin fonksiyonlar ve almas ele alnarak ayrntl bir ekilde incelenmitir. 3.3.2.1 UC3875 Entegresinin Temel zellilkleri Aada UC3875 entegresine ait temel zellikler sralanmtr: 0 ile %100 bal iletim sresini salayabilme. Gerilim ve akm kontrol topolojilerine uygunluk. 4 adet 2 Alik klara sahip olma 2 MHz anahtarlama frekansnda alabilme. Yumuak balangla alma. Ar akm korumasna sahip olma. Dk balang akm deeriyle -150A- alma. Dk besleme geriliminde otomatik kapanma. Ayarlanabilir, 5 V referans gerilimine sahip olma. k sinyalleri arasndaki l zamanlarn bamsz olarak programlanabilmesi. 10 MHzlik bir hata ykseltecine sahip olma.

18 UC3875 entegresi, en fazla 20 V besleme gerilimiyle alabilmektedir. En uygun besleme gerilimi ise 12 Vtur. knda ortalama 0.5 A, darbe olarak da 0.5sde 3 A DC akm verebilmektedir. Entegrenin besleme ve toprak ular dnda kalan pinleri en fazla 5.3 Vluk gerilime dayanabilmektedir. Entegrenin dayanabilecei maksimum jonksiyon scakl ise 150 Cdir. Entegreye ait dier parametreler ve bilgiler veri sayfasnda mevcuttur (Unitrode, 1999). 3.3.2.2 UC3875 Entegresinin Yaps ekil 3.8de UC3875 entegresinin blok diyagram gsterilmitir. Entegreyi oluturan temel birimler, osilatr, rampa reteci ve eim kompanzatr, PWM ve gei Flip-Floplar, hata ykselteci, yumuak balatma ve ar akm koruma devreleri ile k sinyalleri arasnda braklacak l zamanlar ayarlayan gecikme devreleridir. Aada bu birimler hakknda bilgi verilmitir.

ekil 3.9 UC3875 entegresi blok diyagram.

19 Osilatr: NPN transistrlerden oluan osilatr, 2 MHze kadar alabilmektedir.Ancak pratikte 1 MHze kadar altrlmas tercih edilir. Osilatr frekans, FREQSET pinine balanan RT ve CT elemanlaryla belirlenir. Osilatr kndaki anahtarlama frekansndaki sinyal, entegre iindeki Flip-Floplar srer. ekil 3.9da, FREQSET pinine balanan R ve C elemanlarna gre osilatr frekansnn alaca deer grlmektedir.

ekil 3.9 Osilatr frekansnn FREQSET pinine balanan R ve C deerine gre deiimi. Rampa reteci: Bu birim, entegrenin hangi kontrol topolojisini salayacan belirleyen ksmdr. Gerilim kontrolnde, SLOPE pinine sabit bir gerilim kayna ile beslenen bir diren ve RAMP pinine ise bir kondansatr balanr. Bu kondansatrn arj ve dearj olmasyla, sabit eimli bir rampa gerilimi elde edilir. ekil 3.10 da gerilim kontrol topolojisiyle alan rampa reteci devre emas gsterilmitir. SLOPE pinine balanan diren, g kaynann giri gerilimi tarafndan beslendii durumda ise ileri beslemeli gerilim kontrol salanm olur. Bu durumda deiken eimli bir rampa gerilimi elde edilir. SLOPE pini topraa balanarak, RAMP pinine dorudan geri besleme olarak alglanan akm verildiinde ise akm kontrol gerekleir. Hata Ykselteci: Bu blmn ilevi, ktan alnan gerilim geri beslemesi ile bir referans gerilimini karlatrmak ve fark ykselterek PWM karlatrcsna vermektir. Yksek frekansl uygulamalarda osilatrn performansnn yan sra, iaret aknda gecikmeleri en aza indirmek iin; sistemdeki hata ykseltecinin geni bir bant geniliine sahip olmas da nemlidir. Anahtarlama frekans yksek olduu iin; hata ykselteci, g kaynana bal dardan gelen uyarlara hzl cevap verebilmelidir.

20

ekil 3.10 Rampa reteci devre emas. k Katlar: Entegrenin klar yksek hzl totem pole srme zelliine sahiptir. Bu zellik entegrenin yaklak 50 ns 3 Alik bir pik akm verebilmesini salar. k katnda bulunan 4 adet NPN transistr lojik devreden gelen sinyali kuvvetlendirmektedir. k sinyalleri arasndaki l zamanlarn bamsz olarak programlanabilmesini salayan gecikme devreleri de k katnda bulunur. Arzu edilen l zaman deeri, DELAYSET pinine balanan bir direnle ayarlanr. l zaman, 50-400 ns aralnda ayarlanmaktadr. stenen l zaman iin balanmas gereken diren deeri aadaki eitlik yardmyla hesaplanr (Mammano, 1991a).

tD = 25.10-12 RD
3.3.2.3 UC3875 Entegresinin Pin Fonksiyonlar

(4.1)

VREF: Bu pin 5 V luk bir referans gerilimi salar. 60 mAlik akm verebilen bu pinin gerilimi, 4.75 V deerinin altnda kald srece entegre aktif olarak almaya balamaz. yi bir alma iin, VREF pini 0.1 Flk bir kondansatr ile toprak noktasna balanmaldr. E/A OUT: Hata ykseltecinin k olan bu pin, ayarlanacak faz fark iin kilit rol oynamaktadr; nk btn geribeslemelere bal kontrol devresi kazanc burada belirlenir. Bu pinin gerilimi 1 Vun altna dtnde 0 faz fark salanr. Olduka dk bir srme akm kapasitesine sahiptir.

21

ekil 3.11 UC3875 entegresi balant emas. EA- : Hata ykseltecinin eviren ucudur. G kayna k gerilimini alglayan gerilim blc direnler bu pine balanr. EA+ : Hata ykseltecinin evirmeyen ucudur. Bu u genellikle bir referans gerilimine baldr. Bu pinin gerilmi, eviren ula alglanan g kayna k gerilimi ile karlatrlr. CS+ : Entegreye ait akm alg ucudur ve ar akm korumasn salar. Bu pinin gerilimi, 2.5 Vu atnda, klar kapatlr. SOFTSTART: Entegrenin yumuak balangla alma zelliini kontrol eden ucudur. Uygulamalarda bu pine 1 Flk bir kondansatr balanr. DELAYSET C-D: C ve D klar arasnda braklacak l zaman ayar, bu pine balanacak olan RD direnci ile yaplr. OUT A - OUTD: G anahtarlar iin %50 bal iletim sresine sahip tetikleme sinyallerinin verildii klardr. A ve B, C ve D klar tam kprye ait kollarn sinyal iftlerini oluturur. VC: Entegrenin k katlarn besleyen gerilim bu pine verilir. Gerilim deeri 3 Vtan byk olmal, en iyi performans iinse 12 Vu gemelidir. Bu gerilim kayna mutlaka kondansatrlerle toprak noktasna balanmaldr. VIN: Entegrenin iindeki analog ve lojik devreleri besleyen gerilim, bu pine verilir. Normal alma iin gerilim deeri 12 V olmaldr. Bu gerilim kayna da mutlaka kondansatrlerle

22 toprak noktasna balanmaldr. PWRGND: k katlarna ait toprak noktasdr. G devresi topra olarak da adlandrlabilir. GND: Btn gerilimlerin lld referans toprak noktasdr. Sinyal topra olarak da adlandrlabilir. G devresi topra ile sinyal topra ortak bir noktada birletirilerek kullanlabilir. DELAYSET A-B: A ve B klar arasnda braklacak l zaman ayar, bu pine balanacak olan RD direnci ile yaplr. A ve B ile C ve D klar iin farkl RD deerleriyle, farkl l zaman ayar yapmak mmkndr. Bylece tam kprye ait yarm kollardaki l zamanlar yani bir g elemannn kesime girmesi ile dierinin iletime girmesi arasnda braklacak gecikme zamanlar birbirinden bamsz olarak ayarlanm olur. FREQSET: Bu pine balanan R ve C ile osilatr frekens belirlenir. CLOCKSYNC: Bu pin k olarak kullanlrsa darya saat iareti verir. Giri olarak kullanldnda ise senkronizasyon noktas olarak grev yapar. Birden fazla entegre kullanldnda, bu pin kullanlarak entegrelerin hepsi en hzl osilatr frekansna gre senkronize edilmi olur. SLOPE: Blm 3.3.2.2de anlatld zere bu pine bir diren balanarak ya da pin topraa balanarak kontrol topolojisi belirlenir. RAMP: Bu pin, PWM karlatrcsnn giri ularndan birisidir ve blm 3.3.2.2de anlatld zere, bu pine bir kondansatr balanarak ya da dorudan akm iareti verilerek kontrol topolojisi belirlenir. Ayrca akm kontrol topolojisi kullanldnda bu pin eim kompanzasyonu iin de kullanlr. RAMP girii ile PWM karlatrc arasndaki 1.3 Vluk offset geriliminden dolay; hata ykselteci k gerilimi rampa pik gerilimini aamaz ve bal iletim sresi uygun R ve C deerleriyle belli bir deerde sabitlenir (Mammano, 1991b; Unitrode, 1999). 3.3.2.4 UC3875 Entegresinin alma Prensibi UC3875 entegresinde osilatr devresi ile anahtarlama frekansnda bir iaret retilerek, bu iaretle gei Flip-Flopuu srlr. Bu Flip-Flopun klar A ve B k katlarn altrr. Ayn anda C ve D k katlarnn almasnda grev alan EXOR kapsn da tetikler. Faz farkn belirleyecek olan geri beslemeler, kontrol topolojisine bal olarak, hata ykselteci ve

23 rampa reteci kullanlarak deerlendirilir ve bir PWM karlatrcsna verilir. Bu karlatrc EXOR kapsna bal olan PWM Flip-Flopunu srer. EXOR kapsnn klar ise; C ve D k katlarn srer. Bylece C ve D k sinyalleri alnan geri beslemelere bal olarak A ve Bye gre belli bir faz fark ile verilmi olur (Mammano, 1991b). ekil 3.8de k sinyalleri ve aralarndaki faz fark gsterilmitir.

ekil 3.12 UC3875 entegresi k sinyalleri ve aralarndaki faz fark. Faz fark ile gsterilmitir. =0 iken bal iletim sresi %100 olup, k gerilimi maksimum olmakta; =180 olduunda ise bal iletim sresi sfra eit olup, k gerilimi sfr olmaktadr. Faz kaydrmal PWM metodunda, bal iletim sresinin %100e ulamas en nemli noktalardan birisidir. k darbelerinin geni olmas daha dk akm pikleri anlamna gelir. Bunun yansra ka g aktarmnn olmamas istendii durumlarda da anahtarlama devam eder. Yaplmas gereken faz farknn 180 olarak ayarlanmasdr. Sonu olarak, etkin ve iyi bir kontrol iin ayarlayc devrenin 0-180 faz fark oluturabilmesi gerekmektedir. Aada ekil 3.13de hata ykselteci k gerilimine gre drt farkl faz modlasyonu durumu grlmektedir. Gei Flip-Flopuna ait Q k ile EXOR k arasndaki faz fark kollardaki faz farkn da gstermektedir. k gerilimi geri beslemesi ve referans geriliminin farkn alarak kuvvetlendiren hata ykseltecinin k, tetikleme sinyalleri arasndaki faz farkn dorudan etkilemektedir.

24

ekil 3.13 Deiik VEA deerleri iin faz modlasyonlar (a) VEA< 1 V =0 (b) 1 V < VEA < Rampa alt snr c) Rampa alt snr <VEA < Rampa st snr (d) VEA> Rampa st snr =180.

25 4. YUMUAK ANAHTARLAMA TEKNKLER

4.1

Yumuak Anahtarlama ve Bastrma Hcresi Kavram

Anahtarlama, temel olarak bir g elemannn iletim ve kesime girme ilemleridir. Anahtarlama ilemlerinde, g anahtarnn akm ve geriliminin stste binmesiyle oluan anahtarlama kayplar yannda, g diyodunun ters toparlanma kayb ve g anahtarnn parazitik kondansatrnn dearj kayb da olumaktadr. Bu anahtarlama kayplarnn hepsi anahtarlama frekans ile doru orantldr. Ek bir dzen kullanlmadan doal olarak gerekleen anahtarlamalara Sert Anahtarlama (HS) denilmektedir. Sert anahtarlamayla alan devrelerde, anahtarlama kayplar arttka, kullanlan g elemanlarnn nominal deerleri ile soutucu ve soutma sisteminin boyutlar da artar. Sonu olarak, devrenin hacmi ile maliyeti artar ve g younluu der. Bununla beraber, anahtarlama ilemleri srasnda, byk deerli olan akm ve gerilim ykselme hzlar, yksek deerli Elektromanyetik Giriimi (EMI) ve Radyofrekans Giriimi (RFI) grltlerine neden olur. Bu grltler ise, kontrol ve haberleme sinyallerini bozar. Sert anahtarlamadaki bu problemlerin zlmesi arzusu Yumuak Anahtarlama (SS) kavramn ortaya karmtr. Yumuak anahtarlama, temel olarak, anahtarlama kayplar ile EMI grltnn zel dzenlerle yok edilmesi veya en aza indirilmesi eklinde tanmlanr. Yaynlarda stres azaltma, bastrma, yk hattn ekillendirme gibi terimlerle de ifade edilen yumuak anahtarlama, anahtarlama esnasnda, elemann maruz kald akm ve gerilim deerleri ile akm ve gerilim ykselme hzlarnn bastrlmas, akm ve gerilim deiimlerinin ekillendirilmesi, anahtarlama kayplar ile EMI grltnn azaltlmas ve anahtarlama enerjisinin yke veya kaynaa transfer edilmesi fonksiyonlarn kapsar. Yumuak anahtarlama amacyla gelitirilen ve dntrclerin temel bir paras olmayan ilave dzen ve devrelere ise bastrma hcreleri denilmektedir. Bastrma hcreleri, klasik ve modern olarak iki gruba ayrlr. Bu hcreler arasndaki temel fark, modern hcrelerin bir ksmi rezonansa sahip olmalardr. Bu rezonans, sadece anahtarlama ilemleri srasnda etkili olan geici, periyodun tmne yaylmayan ve yk akmndan bamsz bir rezonanstr. Ksmi rezonans, temel olarak, bastrma ileminin ksa sreli ve mkemmel olmas ile bastrma enerjisinin geri kazanlmasn salar. Bastrma hcreleri, dntrcnn ana anahtar ve ana diyodu zerinde ilave akm ve gerilim streslerinin veya ek kayplarn olumasna neden olabilir. Bu ek kayplar yok edilmeli veya en

26 dk seviyelerde tutulmaldr. Ayrca, bu hcrelerin almas g anahtarnn iletim ve kesime girme srelerinin dna tanabilir. Bu tamalar minimum seviyelerde kalmal, bylece bastrma hcresi PWM kontroluna mani olmamal ve dntrc deiken veya hafif yklerde de alabilmelidir. lave olarak, bastrma hcreleri dntrcnn karmaklk ve fiyatn arttrabilir. Bu artlar da dk seviyelerde kalmaldr. Yumuak anahtarlama veya bastrma hcrelerinde nihai amacn devrenin g younluunun arttrlmas olduu daima gz nnde tutulmaldr. Bir bastrma hcresinin seilme karar, bu hcrenin salad btn yumuak anahtarlama yararlar ile bu hcrenin neden olduu ek klfetler iyice karlatrlarak verilmelidir. Yumuak anahtarlamadan istenen fonksiyonlar, genel olarak aada sralanmtr. Bu fonksiyonlarn ou birbirine bal veya birbirinin tamamlaycs niteliindedir. Anahtarlama geileri esnasnda akm ve gerilimin stste binmesini azaltmak. Akm ve gerilimin ykselme hzlarn snrlamak. Yk hatt akm ve gerilim deiimlerini dzenlemek. Anahtarlama enerji kayplarn bastrmak. EMI ve RFI grltlerini bastrmak. Anahtarlama enerjilerini geri kazanmak. alma frekansn ykseltmek. Peryodun byk bir ksmnda PWM almay korumak. Hafif yklerde de yumuak anahtarlamay srdrmek. Devrenin boyut ve maliyetini drmek. Devrenin verim ve g younluunu arttrmak.

DC-DC dntrclerde, iletim ve kesim durumlarndaki akm ve gerilim deiimlerinde dalgalanmalar olmadndan, sirklasyon enerjisi veya reaktif enerjinin de olmad sylenebilir. Bu durum ise, anahtarlama ilemleri dikkate alnmadnda, bu devredeki g younluunun ok yksek olduunu gsterir. Ayrca, anahtarlama frekans ykseldike, endktans ile kapasitans deerleri orantl olarak der ve g younluu daha da artar. Ancak, frekans ykseldiinde, anahtarlamadaki enerji kayplar ve EMI grlt de artmaktadr. Bu nedenle, endstride yaygn olarak kullanlan PWM DC-DC dntrclerin geliimi, anahtarlama problemlerinin zmne dayaldr. Bu yzden yumuak anahtarlama teknikleri, anahtarlama kayplarn drerek, alma frekansnn arttrlmasna olanak salad iin PWM DC-DC dntrclerin geliiminde ok nemli bir role sahiptir. Ve

27 akademik ve endstriyel almalarda her geen gn artan bir ekilde srdrmektedir (Bodur, 2003). cazibesini

4.2

Yumuak Anahtarlama Teknikleri

Yumuak anahtarlama teknikleri, genel olarak, Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS) Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS) Sfr Akmda Gei (ZCT) Sfr Gerilimde Gei (ZVT)

eklinde 4 genel gruba ayrlr. ekil 4.1de, bir anahtarlama elemannn kontrol sinyali ile sert anahtarlama (HS) ve yumuak anahtarlama (SS) teknikleriyle ilgili temel dalga ekilleri grlmektedir. ZCS ile ZVS temel ve ZCT ile ZVT ileri yumuak anahtarlama teknikleridir.

Kontrol Sinyali (a) HS HS

t
v i
(b) ZCS SS

i v

t
Vm v i

Im i v
(c)

ZVS SS

ZVT SS

ZCT SS

i v

v i

tr

(d)

tf

ekil 4.1 (a) Bir anahtarlama g elemann kontrol sinyali ile (b) HS (c) ZCS ile ZVS ve (d) ZCT ile ZVT almalaryla ilgili temel dalga ekilleri.

28 4.2.1 Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS)

Sfr Akmda Anahtarlama (ZCS), iletime girme ileminde gerekletirilen bir SS tekniidir. Bu teknikte, temel olarak g anahtarna kk deerli bir endktans seri balanarak, iletime girme ileminde elemandan geen akmn ykselme hz snrlanr. Bylece, akm ile gerilimin stste binmesi ve anahtarlama enerji kayb azaltlr. Aslnda, iletime girme ilemindeki anahtarlama enerjisi endktansa aktarlr. Endktanstaki bu enerji, klasik hcrelerde bir dirente harcanr, fakat modern hcrelerde ksa sreli bir ksmi rezonans ile gerilim kayna veya yke aktarlarak geri kazanlr. 4.2.2 Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS)

Sfr Gerilimde Anahtarlama (ZVS), kesime girme ileminde gerekletirilen bir SS tekniidir. Bu teknikte, temel olarak g anahtarna kk deerli bir kondansatr paralel balanarak, iletimden kma ileminde elemann ularnda oluan gerilimin ykselme hz snrlanr. Bylece, iletimden kma ileminde, anahtarlama enerji kayb azaltlr ve anahtarlama enerjisi kondansatre aktarlr. Kondansatrdeki bu enerji, modern hcrelerde geri kazanlr. ZCS ve ZVS tekniklerinde anahtarlama enerji kayb tamamen yok edilememektedir. Bu nedenle, bu tekniklere yaklak ZCS ve yaklak ZVS teknikleri de denilmektedir. Genel olarak, ZCSde kullanlan endktansa seri bastrma eleman ve ZVSde kullanlan kondansatre paralel bastrma eleman denilir. Normal olarak, seri endktans g eleman zerinde ilave bir gerilim stresine ve paralel kondansatr ise ilave bir akm stresine neden olur. Seri endktansn neden olduu ek gerilim stresinin nlenemedii kabul edilmektedir. 4.2.3 Sfr Akmda Gei (ZCT)

Sfr Akmda Gei (ZCT), kesime girme ileminde gerekletirilen ileri bir SS tekniidir. Bu teknikte, g anahtarndan geen akm ksa sreli bir ksmi rezonansla sfra drlr ve akm sfrda tutulurken kontrol sinyali kesilir. Bylece, akm ile gerilimin stste binmesi ve anahtarlama enerji kayb tamamen yok edilir. Mkemmel bir kesime girme ilemi salanr. Burada hem ZCS hem de ZVSnin saland sylenebilir. Akmn sfra dmesi ileri alnarak gerekletirilen bir SS tekniidir. Anahtarlama enerjisinin geri kazanld bu teknik, ancak modern hcrelerle salanabilir ve bir yardmc veya ilave yar iletken anahtar gerektirir. 4.2.4 Sfr Gerilimde Gei (ZVT)

Sfr Gerilimde Gei (ZVT), iletime girme ileminde uygulanan ileri bir SS tekniidir. Bu

29 teknikte, g anahtar ularndaki gerilim ksa sreli bir ksmi rezonansla sfra drlr ve bu gerilim sfrda tutulurken kontrol sinyali uygulanr. Bylece, anahtarlama enerji kayb tamamen yok edilir ve mkemmel bir iletime girme ilemi salanr. Gerilimin sfra dmesi ileri alnarak gerekletirilen bu teknikte de hem ZVS hem de ZCSnin salad sylenebilir. Anahtarlama enerjisinin geri kazanld bu teknik de modern hcrelerle elde edilir ve ilave bir anahtar gerektirir. Burada hemen unun belirtilmesi gerekir ki, sadece bu teknikte g anahtarnn parazitik kondansatrnn dearj enerji kayb yok edilir ve bu enerji geri kazanlr. Yksek deerlerde parazitik kondansatrlere sahip olan MOSFET g elemanlarnda bu SS teknii byk nem tar (Bodur, 2003).

30 5. TAM KPR SIFIR GERLM GEL FAZ KAYDIRMALI PWM DC-DC DNTRCNN NCELENMES

5.1

alma Prensibi

PWM DC-DC dntrclerde, devrede kullanlan manyetik malzemelerin boyut ve hacimlerini kltmek iin anahtarlama frekans ykseltilir. Ancak frekansn ykseltilmesi anahtarlama kayplarn arttrarak dntrcnn performansn olumsuz etkiler. Bu durum yksek gl uygulamalarda koruma amal bastrma devrelerinin kullanlmasn gerekli klar. Bunlarn beraberinde getirdii kayplar verimi daha da drr. Bu blmde yksek gl uygulamalarda tercih edilen tam kpr DC-DC dntrcnn faz kaydrmal PWM yntemi ile kontrol edilerek yumuak anahtarlamal olarak almas incelenecektir. Sfr gerilimde gei (ZVT) ile g anahtarlarnn, anahtarlama kayplarnn azaltld ve ok dk akm streslerine maruz kald bu devre PWM tekniinin kontrol kolaylna da sahip olmasyla yksek gl ve yksek frekansl uygulamalarda tercih edilmektedir. Bu devrede primer tarafndaki g elemanlar sfr gerilim altnda iletime girmektedir ve yumuak anahtarlamann gereklemesi iin hibir aktif ya da pasif ilave elemana gerek kalmamaktadr. Ayrca devre, klasik tam kpr PWM dntrcden daha yksek efektif akm deerlerine ulamaktadr (Sabate vd., 1991). ekil 5.1de klasik bir tam kpr DC-DC dntrcye ait devre emas gsterilmitir. Devrede Q1 ve Q2 anahtarlar ayn anda iletim ve kesime sokulmaktadr. Q1 ve Q2 anahtarlar iletimdeyken transformatrn primerine pozitif giri gerilimi uygulanmakta ve ka g aktarlmaktadr. Q1 ve Q2 anahtarlar ayn anda kesime sokulduktan sonra belirli bir sre sonra Q3 ve Q4 anahtarlar iletime sokulur. Bu durumda transformatrn primerine negatif gerilim uygulanmaktadr ve yine ka g aktarlmaktadr. Sonu olarak transformatr primerinde yksek frekansl bir AC gerilim olumaktadr. Elemanlara ait srme sinyalleri ve transformatrn primer gerilimi ekil 5.2de gsterilmitir. Transformatr ile belli bir dntrme oranna gre deeri deitirilen AC gerilim, sekonder diyotlar D1 ve D2 ile dorultularak DC k gerilimi elde edilmektedir. Sabit frekansta alan bu devrede k gerilimi reglasyonu darbe genilik modlasyonu ile salanmaktadr. Lo ve Co elemanlar k filtresi olarak almaktadr. Bu devrede btn g anahtarlarnn kesimde olduu aralkta, primer akm deeri sfr olup, yk akm ise dorultucu diyotlar zerinden serbest dolamaktadr. Bu durumda ekil-5.1de LR ile gsterilen, transformatrn kaak endktans ile g

31

ekil 5.1 Tam kpr DC-DC dntrc devre emas.

ekil 5.2 Tam kpr DC-DC dntrcde anahtarlara ait srme sinyalleri ve primer gerilimi dalga ekilleri. anahtarlar olan MOSFETlerin kaak kapasiteleri arasnda parazitik salnmlar oluur. Bu ise sistemdeki kayplar arttracak olan bastrma elemanlarnn kullanlmas ihtiyacn dourur. Bastrma elemanlar kullanlmad takdirde kullanlacak olan g elemanlarnn daha yksek gerilimlere dayanacak ekilde seilmesi gerekir. Bu seim sonucunda ise elemanlarn gerilim dayanmlarnn artmasyla birlikte iletim kayplar da artar. Ayn anda verimin dmesine paralel olarak sistemin maliyeti de ykselir. Parazitik salnmlar minimum klmak iin tam kpr DC-DC dntrcdeki g

32 elemanlarnn srme sinyalleri faz kaydrmal PWM yntemiyle salanr. Bu yntemde Q2 ve Q4 elemanlarnn srme sinyalleri, Q1 ve Q3 elemanlarna gre geciktirilerek (faz kaydrlarak) verilir. Bu srme sinyalleri ekil 5.3de gsterilmitir.

ekil 5.3 Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcde anahtarlara ait srme sinyalleri ve primer gerilimi dalga ekilleri. ekil 5.3de grld gibi, Q1 ve Q2 ayn anda iletime sokulmayp, Q1 g anahtar iletime sokulduktan bir sre sonra Q2nin srme sinyali verilip, eleman iletime sokulmaktadr. Ayn durum Q3 ve Q4 iin de geerlidir. Anahtarlar arasndaki bu gecikme yani faz fark ktan alnan geri beslemelere gre kontrol devresi tarafndan salanmaktadr. G anahtarlarnn bal iletim sreleri % 50 olup sabittir. Faz kaydrmal PWM kontrolne ait olan etkin bal iletim sresi ise bu faz fark tarafndan belirlenmektedir. Devrede transformatrn primeri ya giri gerilimine maruz kalmakta, ya da sa ve sol kolun st sra elemanlar veya alt sra elemanlar ayn anda iletimdeyken ksa devre edilmektedir. Sa ve sol kolun st sra veya alt sra elemanlarnn iletimde olduu arala serbest dolam aral denir. Bu aralk, alma periyodunda rezonans geileri ve g aktarm aralklar arasndaki boluu doldurur ve etkin bal iletim sresin dorudan etkileyen faz farkn da belirler. Devrede, klasik tam kpr sisteminde salnm problemine yol aan kaak endktans akm asla kesintiye uramamakta, mknatslama akm trafonun primerinden akmaya devam etmektedir. Devrede kaak endktansta depo edilen enerji, iletime girecek olan MOSFETin kaak kapasitesini dearj ederek, elemann sfr gerilim altnda iletime girmesini salamaktadr (Andreycak, 1993a). ekil 5.4te tam kpr sfr gerilim anahtarlamal faz kaydrmal PWM DC-DC

33 dntrcnn devre emas gsterilmitir. Bu devrede ekil 5.1deki klasik sistemden farkl olarak, yar iletken g elemanlar olan MOSFETlerin dahili diyotlar, D1, D2, D3, D4 ve veri sayfalarnda Coss olarak verilen kaak kapasiteleri C1, C2, C3 ve C4 gsterilmitir. Rezonanslarda etkin olan kaak endktans deerini deitirmek iin transformatr primerine seri bir endktans eklenebilir. Bunun sebebi, transformatrn kaak endktansn, uygun ZVT aralnda almay salayacak ekilde hassas olarak ayarlamann olduka zor olmas ya da bu endktans deerinin rezonanslarda gerekli olan endktif enerjiyi salayamayacak kadar kk olmasdr. ekildeki LR, transformatrn kaak endktansnn ve eer varsa ilave seri endktansn toplamn ifade eden rezonans endktansn gstermektedir (Andreycak, 1997).

ekil 5.4 Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devre emas.

5.2

alma Aralklarnn Analizi

Bu blmde, tam kpr sfr gerilim geili anahtarlamal faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devresinin bir anahtarlama periyodu ierisindeki kararl durum almasna ait alma aralklar, edeer devre emalar ve bu aralklarla ilgili temel dalga ekilleri (ekil 5.11) gsterilerek anlatlmtr. Balang Koullar [t = t0 : ekil 5.5] Q1 ve Q2 anahtarlar iletimdedir. Transformatr primerine giri gerilimi uygulanmaktadr ve yke g aktarlmaktadr. Primer balang akm Ip0 olarak gsterilir.

34

ekil 5.5 t = t0 an iin edeer devre emas. Aralk 1 [t0 < t < t1: ekil 5.6] t0 annda Q2 anahtarnn srme sinyalinin kesilmesiyle, Q2 kesime girer ve sa koldaki rezonans balar. Primer akm yaklak olarak Ip0 deerini koruyarak rezonans endktans olarak kabul edilen, transformatrn kaak endktans zerinden akmaya devam eder. Q2 kesime sokulduu iin akm yolunu bu elemann kaak kapasitesi C2 zerinden tamamlar. Bu srada C2 sfrdan giri gerilimi deerine arj olur. Ayn anda transformatr sarg kapasitesi ve Q4 anahtarnn kaak kapasitesi olan C4 de dearj olur. Sa koldaki bu rezonans sonucunda C4 kapasitesinin gerilim deerinin sfra ulamasyla Q4e ait VDS gerilimi 0 V olur ve anahtarn dahili diyodu D4 iletime girer. Bylece bu anahtar sfr gerilimde anahtarlanmaya hazr konuma gelir. Sa koldaki rezonans srasnda, transformatr primer gerilimi giri geriliminden sfra der. Bu srete primer gerilimi, yansm sekonder gerilimi olan Vo.N deerinin altna dtnde, k endktansndaki gerilim yn deitirir ve depolad enerji ile azalan primer gcn telafi edecek ekilde yk beslemeye balar. Primer gerilimi sfra dtnde, sekonder gerilimi de sfr olur ve artk transformatr tarafndan ka g aktarlmaz (Andreycak, 1997). Sa kolda rezonans salayan primer akm, yaklak olarak, k akmnn primere yansm yani indirgenmi deeridir. Yani bu aralkta ZVTnin gereklemesi iin kullanlan enerji, k filtre endktansndaki akma baldr. Bu enerji kaak kapasitelerde depolanan kapasitif

35

ekil 5.6 t0 < t < t1 aral iin edeer devre emas. enerjiden ok byk olduu iin ZVT ok kolay bir ekilde salanr. Rezonans devresinin primer akmna etkisi, indirgenmi yk akm yannda ihmal edilmektedir. Bu aralkta transformatrn kaak endktans ile MOSFETlerin kaak kapasiteleri arasnda gerekleen enerji transferine dayanarak, bir sa kol rezonansndan sz edilmi olsa da; aslnda gerekleen sre CR olarak adlandrlan rezonans kapasitesinin sabit kabul edilen Ip0 akmyla lineer olarak arj olmasdr (Dierberger, 1997). Aada bu aklamaya bal olarak, sa kol rezonans iin geen sreye ait eitlik elde edilmitir.

CR =

4 8 (C2 + C4 ) + CTR = Coss + CTR 3 3

(5.1)

(5.1) eitlii ile rezonans kapasitesinin deeri bulunur. Eitlikteki 4/3 katsays, MOSFET reticilerinin uygulama notlarndan alnmtr. Bu deer deien kanal gerilimine kar; kaak kapasitenin ortalama deerini bulmak iin kullanlr. Ayrca yksek frekansl uygulamalarda transformatre ait sarg kapasitesi de hesaba katlmaldr. zellikle dk glerde bu deer kesinlikle ihmal edilmemelidir. I p 0 = CR dV dt (5.2)

(5.2) eitliinde dV=Vi alnrsa,

36
dt =CR Vi I p0 Vi I p0

(5.3)

t R = CR

(5.4)

(5.4) eitliinde elde edilen sa kol rezonans sresi ayn zamanda Q2 anahtarnn srme sinyalinin kesilmesi ve Q4 anahtarnn srme sinyalinin verilmesi arasnda braklmas gereken gecikme sresine yani l zamana karlk gelmektedir. Bu sre, en yksek giri gerilimi ve en dk yk akmnda gerekleecek olan sa kol en uzun rezonans sresine gre ayarlanmaldr. ZVT aralnn salanmasnda nemli bir kriter olan sa kol en uzun rezonans sresi eitlii Blm 5.3de verilecektir. Bu aralk ile ilgili dier bir husus ise, sa belirlemesidir.
Aralk 2 [t1 < t < t2 : ekil 5.7]

kol rezonans sresinin primer ve sekonder

gerilimlerinin deiim hzyla birlikte, k endktansna ait akm deiim hzn da

Sa kol rezonansnn sona ermesiyle birlikte, primer akm Q1 anahtar ile C4n dearj olmasyla birlikte iletime giren D4 zerinden akarak serbest dolamaya balar. Primer gerilimi ise, transformatr primer sargs ksa devre edildii iin 0 Vtur. Akm deeri, elemanlar ideal kabul ettiimiz takdirde, bir sonraki rezonans gerekleene kadar sabit kalacaktr ve k akm hala primere yansmaktadr. Q4 anahtarnn srme sinyali bu aralkta verilir. D4 iletimde olduu iin, Q4 g anahtar sfr gerilimde iletime girmi olur. Ayrca D4 iletimdeyken Q4n srme sinyalinin verilmesi, MOSFETin RDS(on) direncini diyotla paralel bal duruma getirerek; RDS(on) deerini drr ve iletim kayplarn da azaltr. Akm, MOSFETin her iki ynde de akm geirebilmesi zellii sayesinde zt olarak kaynaktan kanala doru akarak diyot ve anahtar arasnda paylalmaktadr. Bu serbest dolam aralnn sresi kontrol edilerek, faz fark ve ona bal olarak da etkin bal iletim sresi kontrol edilerek, darbe genilik modlasyonuyla gerilim reglasyonu salanm olur. Blm 5.1de anlatld zere, faz kaydrmal PWM tekniinde srme sinyalleri sabit % 50 bal iletim sresine sahip olup; gerilim reglasyonu apraz g elemanlarnn srme sinyallerinin arasnda braklan faz fark ile salanr. Bu faz farkn belirleyen ise; Q1 ve Q4 elemanlar iletimdeyken, Q1 elemannn kesime sokulmasyla sona eren Aralk 2 iin geen sredir. Bu sre, arzu edilen k gerilimini salamak iin ihtiya duyulan, anahtarlama periyodunun toff , kapal kalma ksmdr ve yk arttka azalmaktadr (Andreycak, 1993a).

37

ekil 5.7 t1 < t < t2 aral iin edeer devre emas. Yine bu aralkta, LR sayesinde, primer akm akmaya devam edecek ve k akm da D5 zerinden akmaya devam edecektir. Buradaki nemli nokta, akmn klasik tam kpr DC-DC dntrcde olduu gibi k dorultucu diyotlar arasnda ikiye blnmemesidir. Bu durum, k akmnn bu aralkta da primere yansmasnda etkin rol oynar; nk yk akm k diyotlar zerinden serbest dolama balamaz. Klasik sistemde sekonder geriliminin sfra dmesiyle k akm, k dorultucusu diyotlarnda serbest dolamaya balamaktadr. Faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcde yumuak anahtarlamann salanmasndaki en nemli noktalardan biri de, akmn k diyotlarnda deil de primer tarafnda serbest dolamasdr (Dierberger, 1997).
Aralk 3 [t2 < t < t3 : ekil 5.8]

LR rezonans endktans sayesinde, Aralk 2 boyunca da akmaya devam eden primer akm, t2 annda, kayplar yznden Ip0 deerinden kktr. Bu aralk Q1 anahtarnn kesime sokulmasyla balar. Buna bal olarak sol kol rezonans balar. Q1in kesime sokulmasyla Ip, yolunu C1 zerinden tamamlar. Bu rezonans srecinde, C1 arj olurken, C3 ise dearj olur. D3n iletime girmesiyle birlikte Q3de sfr gerilimde anahtarlanmaya hazr konuma gelir. Sol koldaki rezonans, sa koldaki gibi lineer deildir. Sol kol rezonans balar balamaz, k akm primere yansmaz duruma gelir. Bunun sebebi primer sargsnn negatif gerilime maruz kalmaya balayarak D5den D6ya bir komtasyonun balamas ve sekonder sargsnda bir ksa devre olumasdr. ekil 5.11de de grld zere t2-t4 aralnda D5 ve D6 diyotlar

38

ekil 5.8 t2 < t < t3 aral iin edeer devre emas. birlikte iletimdedir. D5 diyodunun akm sfra derken D6 diyodu ise k akmnn tamamn zerinden geirmeye balar. Bu komtasyon srasnda oluan ksa devre, k akmnn yansmasn primerden kaldrr. Sa kolda rezonans salayan, k akmnn primere yansm deeriydi. Sol kol rezonansnda ise k akmnn yukarda aklanan sebepten tr bir etkisi sz konusu deildir. Bu kolda, endktans bir ilk akm deerine sahip olan bir seri L-C rezonans devresi sz konusudur. LR, rezonans iin gerekli enerjiyi depolam olmaldr. Yani endktanstaki enerji kaak kapasitelerde depo edilmi enerjiden byk olmaldr. Bundan dolay hafif yklerde endktansta yeterli enerji depolanamad iin ZVT gereklemez. Bu arala ait enerji denklemleri ve ZVT aralnn salanmasnda primer akm kritik deeri eitlii Blm 5.3de verilecektir. Transformatre ait kaak endktans yeterli gelmediinde ise, primere bir seri endktans ilave etmek gerekmektedir. Aksi takdirde rezonans iin gerekli enerji depolanmad iin rezonans tamamlanmayacak ve iletime sokulacak g anahtarnn kaak kapasitesi dearj olmad iin ZVT yine salanamayacaktr (Andreycak, 1997). Aada bu arala ait, rezonans kapasitesi, rezonans empedans, rezonans asal frekans, rezonans peryodu ve sol kol rezonans sresi eitlikleri verilmitir. CR = 4 8 (C1 + C3 ) + CTR = Coss + CTR 3 3 (5.5)

39
ZR = LR CR

(5.6)

R =

1 LR CR

(5.7)

TR = 2 LR CR
tL =
1 arcsin

(5.8)
Vi I p 0 LRR

(5.9)

Eitlik (5.9)da verilen sol kol rezonans sresi ayn zamanda Q1 anahtarnn srme sinyalinin kesilmesi ve Q3 anahtarnn srme sinyalinin verilmesi arasnda braklmas gereken gecikme sresine yani l zamana karlk gelmektedir. Bu sre, sol kol en uzun rezonans sresine gre ayarlanmaldr. ZVT aralnn salanmasnda nemli bir kriter olan sol kol en uzun rezonans sresi eitlii Blm 5.3 de verilecektir.
Aralk 4 [t3 < t < t4 : ekil 5.9]

Bu aralk Q3n iletime sokulmasyla balar. Q3 ve Q4 birlikte iletimdedir; fakat klasik tam kpr DC-DC dntrcde olduu gibi yke g aktarm olmamaktadr. Bunun sebebi primer gerilimi -Vi deerine ulam olmasna ramen; LRden dolay primer akmnn hemen yn deitirememesidir. zellikle gerekli enerjiyi depolayabilmesi iin, bu deerin ilave seri bir endktansla arttrlmas geen sreyi daha da uzatmaktadr. Primer akmnn yn deitirme sresi LRden baka, giri gerilimi ve yk akmna da baldr. Bir nceki aralktaki sol kol rezonans sresi de bu sreye dahil edilir; nk akmn yn deitirmesi sol kol rezonansyla balamaktadr. Bu sre sekonderde bal iletim sresinde bir kayba yol aar; nk primer gerilimi -Vi deerinde olmasna ramen sekonder gerilimi hala sfrdr. Faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devresine ait en nemli dezavantaj budur. Bu aralkla ilgili matematiksel bantlar da ieren daha kapsaml bilgi ve kayp bal iletim sresinin optimizasyonundaki tasarm kriterleri Blm 5.4de verilecektir.

40

ekil 5.9 t3 < t < t4 aral iin edeer devre emas.

Aralk 5 [t4 < t < t5: ekil 5.10]

Q4 ve Q3 g elemanlar birlikte iletimdedir. Transformatr primeri negatif giri gerilimine maruz kalmaktadr ve Ip akm ters ynde akmaktadr. Ipnin ykselme hzn belirleyen giri gerilimi ve LR endktansdr. Sekonder tarafnda ise artk D6 diyodu iletimdedir.

ekil 5.10 t4 < t < t5 aral iin edeer devre emas.

41 Bu aralk klasik tam kpr DC-DC dntrcdeki g aktarm aral ile edeerdir. Anahtarlarn iletim araln belirleyen, klasik sistemde olduu gibi, giri gerilimi Vi, k gerilimi Vo, ve transformatr dntrme oran Ndir.
Anahtarlama Periyodu Sonu [t = t5]

t5 annda Q4 anahtarnn kesime sokulmasyla bir anahtarlama periyodu yani bir alma yar periyodu sona ermi olur. Akm yolunu C4 zerinden tamamlayarak, onu arj eder ve C2yi de dearj ederek Q2 anahtarnn sfr gerilimde anahtarlanmasna olanak salar. Sre Aralk 1de olduu gibi devam eder. Dier aralklar da devrenin simetrik alma zelliinden tr; zde olarak Aralk 1i takip eder. Farkl olan, ilk serbest dolam aralnn Q2 ile Q3 arasnda, sonrakinin ise Q4 ve Q1 arasnda gereklemesidir. alma aralklarna ait temel dalga ekilleri ekil 5.11de gsterilmitir.

5.3

ZVT Aralnn Salanmasnda Tasarm Kriterleri

Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devresinde, g anahtarlar iin ZVT belli bir aralkta gerekleebilmektedir. Bunun sebebi yumuak anahtarlamann olmasn salayan rezonans srelerinin yk akmna bal olmasdr. (5.4) ve (5.9) eitlikleri, her iki kol iin de rezonans sresinin yk akmna bal olduunu gstermektedir. Bu durum zellikle sol kol rezonans iin bir sorun oluturmaktadr; nk Blm 5.2de anlatld zere bu koldaki rezonans sadece kaak endktansta depolanan enerji ile salanmaktadr. Hafif yklerde endktansta yeterli enerji depolanmad iin ZVT gereklemez. Sa kolda ise, k endktansnda depolanan enerji, kaak kapasiteleri arj ve dearj etmek iin gereken enerjiden ok byk olduu iin sol koldaki gibi ciddi bir probleme yol amaz; ama k endktansnda depolanan enerji de yk akmna bal olduu iin, bu koldaki rezonans da ykten tamamen bamsz deildir. Sonu olarak devrede, g anahtarlar iin ZVT, belirli bir yk akm deerinin zerinde gereklemektedir (Sabate vd., 1991). ekil 5.12de sol kol rezonansna ait ayr durum gsterilmitir. 5.12ada LRde depo edilen endktif enerji, MOSFETlerin kaak kapasitelerini arj ve dearj etmek iin gereken kapasitif enerjiden daha byk olduu iin, rezonans periyodunun drtte birinden daha ksa srede, kapasitelerin birinin gerilimi sfra derken, dierininki ise Vi deerine arj olmakta ve ZVT salanmaktadr. 5.12bde ise, LRde depo edilen enerji tam olarak gerekli kapasitif enerjiye eit olduundan sre periyodun drtte birinde tamamlanmakta ve yine ZVT salanmaktadr. Son olarak 5.12cde endktif enerji, kapasitif enerjiden kk olduu iin, primer gerilimi

42

ekil 5.11 Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcde alma aralklarna ait temel dalga ekilleri.

43 sinsoidal olarak deimekte ve periyodun drtte bir annda birden sert bir ekilde Vi deerine ulamakta bylece ZVT gereklememektedir (Hamo, 1995).

ekil 5.12 Sol kol rezonansnda kapasite gerilimi dalga eklini gsteren ayr durum. Sistemde ZVT aralnn salanmasnda iki nemli tasarm kriteri vardr. Birincisi primer akm kritik deerinin ve dolaysyla k akm kritik deerinin hesaplanarak, devre kna balanabilecek ykn belirlenmesidir. Devre belirlenen ykten daha hafif yklerde de alabilir; fakat ZVT salanamad iin kayplar artar. kincisi, bu rezonanslarn hesaplanan sreler ierisinde gerekleebilmesi iin ayn kolda bulunan g anahtarlarnn srme sinyallerinin arasnda yeterli l zamann braklmasdr. Bunun iin de sa ve sol kol iin en uzun rezonans srelerinin hesaplanmas gereklidir. Hesaplanan bu sreler bize braklmas gereken l zaman deerlerini verir. Bu blmde, nce primer ve k akm kritik deerleri, ardndan sa ve sol kol en uzun rezonans sreleri, ilgili matematiksel bantlar kullanlarak karlmtr. Sol koldaki rezonans iin enerji denklemleri yazlacak olursa, 1 WCR = CRVi 2 2
4 1 WCR = CossVi 2 + CTRVi 2 3 2 WLR = 1 LR I p 2 2

(5.10)

(5.11)

(5.12)

(5.11)de rezonans kapasitesi enerjisi ve (5.12)de rezonans endktans enerjisi eitlikleri verilmitir. ZVTnin salanmas iin endktansta depo edilen enerji, kapasiteleri arj ve dearj edecek enerjiden byk olmaldr.

44 1 4 1 LR I p 2 > CossVi 2 + CTRVi 2 2 3 2 (5.13) eitliinde Ip ekilecek olursa, I pkr = 2 LR 1 4 2 2 CossVi + CTRVi 3 2 (5.14) (5.13)

primer akm ZVT snr deerine ait eitlik elde edilir. Bu eitlii basitletirmek amacyla transformatr sarg kapasitesi ihmal edilirse, (5.15) eitlii elde edilir.

I pkr =

CRVi 2 2 4 2 CossVi = LR 3 LR

(5.15)

k akmnn snr deeri ise, (5.15)e bal olarak I okr = Np Ns I pkr (5.16)

eklinde bulunur. Ipkr deeri sol kol rezonansna dair bir tasarm kriteri oluturmasnn yan sra, sa kol rezonansna ait maksimum srenin hesaplanmasnda da kullanlr. Blm 2de anlatld zere sa kol en uzun rezonans sresi, en yksek giri gerilimi ve en dk yk akmnda olumaktayd. Bu durumda sol kol rezonansn salayan en kk primer akm deerine gre; sa kol en uzun rezonans sresi aadaki ekilde bulunur.
t R max = CRVi max I pkr

(5.17)

Sol kolda ise, rezonans en ge rezonans periyodunun drtte bir sresinde gereklemek durumundadr. Bunun sebebi, endktans bir ilk akm deerine sahip olan seri bir L-C devresinde, peryodun drtte birinde endktans akmnn sfra dmesi ekil 5.12bde bu durum grlmektedir. Buradan yola karak ve (5.8) eitliini kullanarak sol kol en uzun rezonans sresi aadaki gibi bulunur.
t L max = TR 2 L R C R = = LR C R 4 4 2

(5.18)

45
5.4 Kayp Bal letim Sresinin Optimizasyonunda Tasarm Kriterleri

Tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc devresinin en nemli dezavantaj, primer akmnn rezonans endktansna bal olarak aniden yn deitirememesinden dolay, sekonderde oluan kayp bal iletim sresidir. Bu kayp, k geriliminin deerini drerek, istenilen k gerilimi deeri iin transformatr dntrme orannn kltlmesini zorunlu klar. Transformatr dntrme orannn kltlmesi beraberinde, primerdeki iletim kayplarnn artmas ve k dorultucusu diyotlarnn daha yksek gerilim streslerine maruz kalmas gibi problemleri getirir (Chen vd., 1995). Kayp bal iletim sresinin optimizasyonunda en nemli tasarm kriteri rezonans endktans deeridir. Bu deerin ok byk olmas kayp bal iletim sresini ar derecede drerek k gerilimi deerinin de arzu edilenden ok alt seviyelerde olmasna yol aar. Dier yandan bu sakncadan kurtulmak iin LRyi ok kltmek de ZVT aralnn salanmasnda problemler douracaktr. Bu balamda LR deerinin belirlenmesinde bu iki kriter birlikte deerlendirilmelidir.Aada ekil 5.13deki tanmlamalara uygun olarak LR deerinin, k geriliminin ve sol kol en uzun rezonans sresinin Dye bal olan ifadeleri elde edilmitir.

ekil 5.13 Kayp bal iletim sresinin gsterilmesiyle ilgili primer gerilim ve akm ile sekonder gerilimi dalga ekilleri.

46 k gerilimi ifadesi,

Vo =

Vi De N

(5.19)

Etkin bal iletim sresi, normal bal iletim sresi ile kayp bal iletim sresinin farkdr.

De = D D D = D De
Primer akmnn yn deitirme sresi, primer akmna ait dorunun eiminden,

(5.20) (5.21)

tyd

I0 = N Vi Lr LR I 0 Vi N

(5.22)

t yd =

(5.23)

olarak bulunur. Bu eitlik anahtarlama frekansna bal olarak yazlrsa,

t yd = DTs D =

(5.24) (5.25)

2 LR I 0 f s NVi

eitlikleri elde edilir. (5.25) eitliinde LR ekilirse, rezonans endktansnn, kayp bal iletim sresine bal eitlii elde edilmi olur (5.26).
LR = DVi N 2 fs I0

(5.26)

k gerilimi ise,
V0 = Vi ( D D ) N DVi 2 LR I 0 f s N N2

(5.27)

V0 =

(5.28)

olarak bulunur.

47 Sol kol en uzun rezonans sresinin, kayp bal iletim sresine bal eitlii ise, (5.18) eitlii kullanlarak aadaki gibi bulunur.
t L max = DTsVi C R N 2 2I o

(5.29)

48
6. YKSEK GL AGK UYGULAMA DEVRES

6.1

AGK G Devresi

ekil 6.1de laboratuvarda gerekletirilen giri gerilimi 220 V AC, anahtarlama frekans 220 kHz ve k gc 1400 W (20V / 70A) olan anahtarlamal g kaynana ait g devresi gsterilmitir. Kullanlan elemanlar ve bunlarn byklkleri de ekil zerinde belirtilmitir. Devre 220 kHz anahtarlama frekansnda almaktadr. Bu durumda alma frekans da 110 kHzdir. alma frekans transformatrn ve her bir g anahtarnn alt frekans deeridir. Anahtarlama frekans ise, btn g anahtarlarnn , k dorultucu diyotlarnn ve k filtresinin alt frekans olup, kontrol devresi tasarmlarnda bu frekans deeri kullanlr (Dixon, 1996).

ekil 6.1 Laboratuvarda gerekletirilen anahtarlamal g kaynana ait g devresi.

49 Gerekletirilen devrede kullanlan yar iletken elemanlarn veri sayfalarnda yer alan baz nominal byklkleri izelge 6.1de verilmitir.

izelge 6.1 Devrede kullanlan yar iletken elemanlarn baz nominal deerleri. ELEMAN ADI IRFP 460 DSEI60-02 V 500 V 200 V I 18.4 A 69 A Coss 410 pF tr 21 ns tf 21 ns trr 35 ns

6.2

AGK Kontrol ve Srme Devresi

ekil 6.2de laboratuvarda gerekletirilen anahtarlamal g kaynana ait kontrol ve srme devresi gsterilmitir. Kullanlan elemanlar ve bunlarn byklkleri de ekil zerinde belirtilmitir.

ekil 6.2 Laboratuvarda gerekletirilen anahtarlamal g kaynana ait kontrol ve srme devresi.

50 Kontrol devresi elemanlar Blm 3.3.2de anlatlan bilgiler nda belirlenmitir. UC3875 entegresi, totem pole zelliine sahip olduu iin, MOSFETin iletime girmesi iin gerekli kap akmn salayabilmektedir. Bu yzden srme katnda, srme entegreleri yerine srme transformatr kullanlmtr. Bylece srme devresi iin ek bir gerilim kaynana ihtiya duyulmamtr.

6.3

Deneysel Sonular

ncelenen tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcnn k g katn oluturduu anahtarlamal g kayna, laboratuvarda gerekletirilmi ve eitli deneyler yaplmtr. Bu blmde deneylerden elde edilen sonular, osiloskoptan alnan grntler kullanlarak anlatlmtr. ekil 6.3te deiik faz fark deerleri iin tetikleme sinyalleri deiimleri grlmektedir. Ak evrim alan sistemde 1 kluk potansiyometre ile geri besleme gerilimi deitirilerek farkl faz fark deerleri elde edilmitir. alma periyodu yaklak olarak 110 kHzdir. Bal iletim sresinin %50den az olmasnn sebebi, braklan l zamanlardr. ekil 6.4te ayn kola ait iki anahtarn tetikleme sinyalleri deiimleri ve aralarndaki l zaman gsterilmitir. l zaman deeri 400 ns civarndadr. Balanan 22 klk diren deeri (4.1) eitliinde yerine konulup, hesaplandnda l zaman deeri 550 ns kmaktadr. Bu noktada veri sayfasnda verilen forml ile uygulamada bir fark olumutur. ekil 6.5te srme transformatrnn primer ve sekonder gerilimi deiimleri ve ekil 6.6da ise primer gerilimi ve akm deiimleri verilmitir. Deiimlerden primer ve sekonder gerilimi arasndaki faz farknn 100 ns civarnda olduu, ideale yakn bir srme sinyalinin elde edildii, srme transformatrnn MOSFETin arj ve dearj iin gerekli ani akmlar verebildii grlmektedir. ekil 6.7 ve ekil 6.8de g transformatrnn primer gerilimi ve akm deiimleri gsterilmitir. Giri gerilimi varyakla arttrlarak, farkl giri gerilimlerinde devrenin almas gzlemlenmitir. Devrenin Blm 5te anlatlan teoriye uygun ekilde alt grlmtr. Primer akm srekli akmaktadr ve klasik tam kpr DC-DC dntrcde olduu gibi kesintiye uramamaktadr. Primer gerilimi, gerekleen sa ve sol rezonans sreleri sayesinde, yaklak kare dalga (quasi-square wave) eklini almtr.

51

ekil 6.3 Deiik faz fark deerleri iin tetikleme sinyalleri deiimleri.

ekil 6.4 Ayn kola ait iki anahtarn tetikleme sinyalleri deiimleri ve aralarndaki l zaman.

52

ekil 6.5 Srme transformatrnn primer (stte) ve sekonder (altta) gerilimi deiimleri.

ekil 6.6 Srme transformatr primer gerilimi ve akm deiimleri.

53

ekil 6.7 Vi =100 V iin g transformatr primer gerilimi ve akm deiimleri.

ekil 6.8 Vi =300 V iin g transformatr primer gerilimi ve akm deiimleri.

54

ekil 6.9 k dorultucu diyodu gerilimi ve k akm deiimleri.

ekil 6.10 k dorultucu diyodu gerilimi ve akm deiimleri.

55

ekil 6.11 k gerilimi ve primer akm deiimleri.

ekil 6.12 Primer akmnn yn deitirmesi iin geen srenin belirlenmesi.

56

ekil 6.13 MOSFET gerilimi ve akm deiimleri.

ekil 6.14 MOSFET gerilimi ve akm deiimleri (kesime girme ilemi).

57 ekil 6.9da k dorultucu diyodu gerilimi ve k akm deiimleri gsterilmitir. Diyodun maruz kald parazitik salnmlar grlmektedir. Bu salnmlar, bastrma hcresi kulllanmn gerektirecek kadar ciddi seviyelerdedir. Bu salnmlarn sebebi, transformatr kaak endktans ile dorultucu diyotlarnn jonksiyon kapasiteleri arasnda gerekleen rezonanstr. Uygulamada, klasik faz kaydrmal PWM DC-DC dntrcnn bu dezavantaj maksimum k gerilimi deerini de snrlandrmtr. Seilen DSEI60-02 diyodunun VRRM deeri 200 V olmasna ramen yaklak 22 V k gerilimi deerinde, parazitik salnmlarn gerilim seviyesi bu deere erimeye yaklamtr. Dolaysyla maksimum k gerilimi 20 V olarak kabul edilmitir. ekil 6.9da k akmnn ok dzgn olduu grlmektedir. Devrede akmlar 15 Alik akm probu ile llmtr. Primer akmnn lmnde yeterli olan bu prob, maksimum k akmnn llmesinde kullanlamamtr. k akmnn maksimum deeri yk hesabyla bulunmutur. Deeri 0.8 olarak llen 3 adet rezistans paralel balanmtr ve yk deeri 0.8/3 = 0.26 olarak hesaplanmtr. Yk deeri, daha sonra devreden alnan deiik k gerilimi ve akm lm deerleri kullanlarak tekrar hesaplanm ve yaklak 0.29 olarak kabul edilmitir. k gerilimi l aleti ile belirlenmi; 20 V k geriliminde, maksimum k akm yaklak 70 A hesaplanmtr. ekil 6.10da k dorultucu diyodu gerilimi ve akm deiimleri ile ekil 6.11de k gerilimi ve primer akm deiimleri verilmitir. k geriliminin dzgn olduu grlmektedir. Devrede k dorultucu diyotlar sert anahtarlama ile almaktadr, bu nedenle diyotlarn bal olduu soutucularda olduka fazla bir scaklk art gzlemlenmitir. k dorultucu diyodu akm deiimi primer akm deiimiyle benzerdir. Primer akmndaki yn deitirme, diyot akm deiiminde de grlmektedir. Buradaki nemli nokta, bu yn deitirme srecinde sekonder geriliminin sfr olmasdr. ekil 6.10da sekonder geriliminin sfr olduu yaklak 1 slik kayp bal iletim sresi grlmektedir. Blm 5te anlatld zere, burada primer akmnn yn deitirmeye balamasyla birlikte primer gerilimi giri gerilimi deerine ulamakta; ancak sekonder gerilimi bu sre boyunca sfr kalmaktadr. ekil 6.12de primer akmnn yn deitirmesi iin geen srenin belirlenmesi gsterilmitir. Primer akmnn yn deitirme sresi, rezonans srelerini karrsak, yaklak 1 sdir. Transformatr tasarmnda kaak endktans iin bir optimizasyon yaplmad iin, LR 30 H gibi ok yksek bir deere sahiptir. Kaak endktansn ok byk olmas, primer akmnn yn deitirme sresini uzatmakta, bu da sekonderdeki kayp bal iletim sresini

58 arttrmaktadr. Bylece tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc

uygulamalarnda, g transformatr tasarm aamasnda kaak endktans deerinin ok iyi bir ekilde optimize edilmesi gerektii grlmtr. Bu balamda Blm 5.4te anlatlan tasarm kriterleri ok byk nem tamaktadr. ekil 6.13 ve ekil 6.14te MOSFET gerilimi ve akm deiimleri verilmitir. ekil 6.13te MOSFETin sfr gerilim altnda iletime (ZVT) girdii grlmektedir. MOSFET akm negatif ynde akarkan, elemann dahili diyodu iletimdedir ve ularndaki gerilim sfrdr. Ancak kesime girme ilemi, akm ve gerilim dalga ekillerinin birbirini kesmesinden de anlalaca zere, sert olarak gereklemektedir. MOSFETe paralel balanacak bir kondansatr ile gerilimin ykselme hz snrlandrlarak kesime girme ileminde ZVS salanabilir. Uygulamada, btn MOSFETler ortak bir soutucuya balanmtr ve srekli almada, bu soutucuda dikkate deer bir scaklk art gzlenmemitir.

59
7. SONULAR

Bu almada, tam kpr faz kaydrmal PWM DC-DC dntrc incelenmi ve k g katn, bu dntrcnn oluturduu bir AGK uygulama devresi gerekletirilmitir. Yksek gl AGKlar iin ok uygun olan bu topoloji aadaki avantajlara sahiptir.
Primer tarafndaki g anahtarlar sfr gerilim altnda iletime girerek yumuak

anahtarlama ile almakta ve anahtarlama kayplar olduka dmektedir.

Yumuak anahtarlama iin ilave bastrma hcreleri kullanlmamakta, transformatr

kaak endktans ve MOSFET kaak kapasitesi gibi parazitik elemanlar etkin bir ekilde kullanlmaktadr.
Devre 1 MHz gibi yksek anahtarlama frekanslarnda, sabit frekansla almaktadr.

Frekansn ykselmesi g younluunu arttrmaktadr.

Yksek verimle (%95), ok yksek glere ulamak (100 kW) mmkndr. zellikle

yksek giri gerilimli uygulamalarda tercih edilmektedir. Haberleme sistemlerinde yaygn olarak kullanlan devrenin aadaki dezavantajlar vardr.
ZVT aral snrldr ve yk akmna baldr. ZVT araln arttrmak iin kaak endktansn arttrlmas, sekonderde bal iletim

sresinde bir kayba yol amaktadr. Bunun sebebi, primer akmnn yn deitirme sresinin kaak endktasn artmasna bal olarak uzamasdr.
k dorultucu diyotlar ok ciddi parazitik salnmlara maruz kalmaktadr.

Laboratuvarda gerekletirilen giri gerilimi 220 V AC, anahtarlama frekans 220 kHz ve gc 1400 W (20 V / 70A) olan uygulama devresi ile, topolojinin yksek frekansl ve yksek gl uygulamalar iin iyi bir tercih olduu, MOSFETlerin ZVT ile alarak anahtarlama kayplarnn dt ve devrenin yumuak anahtarlamann artlarn tad grlmtr. Bununla beraber, yukarda belirtilen, k dorultucu diyotlarndaki ar parazitik salnmlar ve bal iletim sresindeki kayp gibi dezavantajlar da gzlenmitir. Devrede bu dezavantajlarn etkilerini azaltmak iin transformatr kaak endktans deerinin, ZVT aralnn ve kayp bal iletim sresinin optimizasyonu deerlendirilerek belirlenmesi ve tasarm aamasnda bunun dikkate alnmas gereklilii grlmtr. Kaak endktans deeri en uygun ekilde belirlenmesine ramen, devre, geni bir yk aralnda alamamaktadr. Buna dayanarak klasik sistemin optimize edilmesinin zorunlu olduu sonucuna varlmtr.

60
KAYNAKLAR

Andreycak, B., (1993a), Designing a PhaseShifted Zero Voltage Transition (ZVT) Power Converter, Unitrode Power Design Seminar Note, 1993 Andreycak, B., (1993b), Design Review: 500Watt, 40W/in3 Phase Shifted ZVT Power Converter Unitrode Power Design Seminar Note, 1993 Andreycak, B., (1997), Phase Shifted, Zero Voltage Transition Design Considerations and the UC3875 PWM Controller, Unitrode Application Note, May 1997 Batrk, H., (1996), Anahtarlamal G Kaynaklarnn ncelenmesi ve Bir Uygulama Devresinin Gerekletirilmesi,Yksek Lisans Tezi, YT Fen Bilimleri Enstits, 1996, stanbul Bodur, H., (2003), DC-DC Dntrclerde Yumuak Anahtarlama TeknikleriYT Ders Notlar, 2003, YT, stanbul Bodur, H., (2004), G Elektronii Endstriyel Uygulamalar 1 YT Ders Notlar, 2004, YT, stanbul Carsten,B., (1986), Fast Accurate Measurement of Core Loss at High Frequencies, PC & IM Magazine, March 1986 Chen, W., Lee, F. C., Jovanovic ve M. M., Sabate, J. A., (1995), A Comparative Study of a Class of Full Bridge Zero-Voltage-Switched PWM Converters, IEEE Applied Power Electronics Conference, March 1995, Vol.2, 893-899 Cho, J. G., Sabate, J. A. ve Lee, F. C., (1994), Novel Full Bridge Zero-Voltage-Transition PWM DC/DC Converter For High Power Applications, IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, February 1994, 143-149 Dierberger, K., (1997), A New Generation of Power MOSFET Offers Inproved Performance at Reduced Cost, Advanced Power Technology Application Note, December 1997 Dixon, L. H., (1996), Magnetics Design for Switching Power Supplies, Unitrode Power Design Seminar Note, 1996 Fisher, R. A., Ngo, K. D. T. ve Kuo, M. H., (1988),500 kHz 250 W DC-DC Converter with Multiple Outputs Controlled by Phase-Shift PWM and Magnetic Amplifier, High Frequency Power Conversion Proceedings, May 1988, 100-110 Hamo, D. J., (1995), A 50W, 500kHz, Full-Bridge, Phase-Shift, ZVS Isolated DC to DC Converter Using the HIP4081A, Intersil Application Note, 1995 Jang, Y.,Jovanovic ve M. M., Chang, Y., (2003), A New ZVS-PWM Full-Bridge Converter, IEEE Transactions On Power Electronics, Vol.18, No.5, September 2003, 11221129 Mammano, B. ve Putsch, I., (1991a), Phase-Shifted PWM Control A New Integrated Controller Eases the Design of Efficient High-Frequency Bridge Power Switching, Applied Power Electronics Conference Proceedings, March 1991, 263-268 Mammano, B., (1991b), Fixed Frequency, Resonant-Switched Pulse Width Modulation with Phase- Shifted Control, Unitrode Power Design Seminar Note, 1991 Mammano, B., (1994), Switching Power Supply Topology Voltage Mode vs. Current

61 Mode, Unitrode Design Note, 1994 Mohan, N., Undeland, T. M., Robbins, W. P., (1995), Power Electronics Converters, Applications and Design, Second Edition, John Wiley, 1995 Sabate, J. A., Vlatkovic, V., Ridley, R. B., Lee, F. C. ve Cho, B. H., (1990), Design Considerations for High Voltage, High Power Full-Bridge Zero Voltage Switched PWM Converter, IEEE Applied Power Electronics Conference, 1990, 275-284 Saro, L., Redl, R. ve Dierberger, K., (1998), High-Voltage MOSFET Behavior in SoftSwitching Converter: Analysis and Reliability Improvements, International Telcommunication Conference, San Francisco, 1998 Steigerwald, R. L., De Doncker, R. W. ve Kheraluwala, H. M., (1996), A Comparison of High-Power DC-DC Soft-Switched Converter Topologies, IEEE Transactions On Industry Applications,Vol. 32,No. 5, September/October 1996, 1139-1145 Unitrode Corporation, (1999), UC3875 Phase Shift Resonant Controller Datasheet, 1999 Vieria, J. L., Gabiatti, G. ve Barbi, I., (1992), On The Design and Experimentation of a High Performance 25 A/48 V Rectifier Unit, IEEE Telecommunications Energy Conference, October 1992, 540-547

62
ZGEM Doum tarihi

26.04.1981 stanbul 1995-1999 1999-2003 Pendik Lisesi (Yabanc Dil Arlkl) Yldz Teknik niversitesi Elektrik-Elektronik Fakltesi Elektrik Mhendislii Blm Yldz Teknik niversitesi Fen Bilimleri Enstits Elektrik Mhendislii Anabilim Dal Kontrol ve Otomasyon Program

Doum yeri Lise Lisans

Yksek Lisans

2003-2005

alt kurum

2004-Devam ediyor YT Elektrik Mh. Bl. Aratrma Grevlisi