1. Descreva as quatro estruturas possveis das bandas eletrnicas para os materiais slidos.

R: Um material slido possui um grande nmero de tomos que se encontram inicialmente separados e que posteriormente so agrupados e ligados para formar o arranjo eletrnico ordenado encontrado no material cristalino. Conforme os tomos ficam mais prximos uns dos outros, os eltrons so influenciados ou perturbados pelos ncleos de tomos adjacentes, essa influncia tal que cada estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados eletrnicos espaados e prximos uns dos outros, para formar a banda de energia eletrnica. So possveis quatro tipos diferentes de estruturas de bandas a 0K.

A banda (a) condutora, uma banda mais externa est parcialmente preenchida com eltrons. A energia que corresponde ao estado preenchido mais alto a 0K chamado de energia Fermi (Ef). Essa estrutura de banda caracterstica de alguns metais com um nico eltron de valncia, como por exemplo o cobre. Cada tomo de cobre possui um nico eltron 4s, contudo, para um slido composto p N tomos, a banda 4s capaz de acomodar 2N eltrons. Dessa forma, somente metade das posies eletrnicas que esto disponveis dentro dessa banda 4s est preenchida. A banda (b) um isolante, tambm encontrada nos metais, existe uma superposio de uma banda vazia com uma banda preenchida, um exemplo magnsio. Cada tomo de Mg possui dois eltrons 3s. Contudo, quando um slido formado, as bandas 3s, 3p se superpem. As duas ltimas estruturas de bandas (c) um condutor e (d) um semicondutor, so semelhantes, uma banda (de valncia) est completamente preenchida com eltrons e est separada de uma banda de conduo vazia, e existe um espaamento entre bandas de energia entre elas. A diferena entre as duas bandas reside na magnitude do espaamento, no condutor (c) este espaamento amplo e nos semicondutores (d) o espaamento estreito. A energia de Fermi para essas duas estruturas de banda est localizada dentro do espaamento entre as bandas, prxima a sua regio central. Para materiais puros, os eltrons no podem ter energia localizadas dentro desse espaamento. 2. Descreva suscintamente os eventos de excitao eletrnica que produzem eltrons livres/buracos nos: (a) metais; Nos metais que possuem qualquer uma das estruturas de bandas, existem estados de energia vazios adjacentes ao estado preenchido mais elevado, dessa forma necessria muita pouca energia para levar os eltrons para os estados mais baixos que esto vazios. (b) semicondutores (intrnsecos e extrnsecos); Os estados vazios adjacentes ao topo da banda de valncia esto disponveis. Para se tornarem livres, portanto, os eltrons devem ser levados atravs do espaamento entre as bandas de energia, para estados vazios na parte inferior. Isso s possvel dando ao eltron a diferena de energia entre esses dois estados, que aproximadamente a energia do espaamento entre as bandas. Geralmente a energia de excitao vem de uma fonte no eltrica, como o calor, ou a luz.
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Intrnseca - So caracterizados pela estrutura da banda eletrnica. A banda de valncia completamente preenchida est separada de uma banda de conduo vazia por uma zona proibida de espaamento entre bandas. Os semicondutores bsicos so o silcio e o germnio, mas existe uma outra gama de materiais que apresenta esse comportamento intrnseco, como o arseneto de glio e o antimoneto de ndio. Extrnseco - Todos os semicondutores comerciais virtualmente so extrnsecos, o comportamento eltrico determinado pelas impurezas que quando presentes introduzem um excesso de eltrons, ou de buracos. Tipo N: Um tomo de impureza tal como o fsforo , que possui 5 eltrons na camada de valncia adicionada ao silcio, que possui 4 eltrons, ficando assim um eltron livre. Neste caso , os eltrons so os portadores majoritrios, e as lacunas portadores minoritrios. Tipo P: O efeito oposto produzido pela adio de materiais trivalentes (trs eltrons na camada de valncia) como o alumnio, o boro e o glio, quando adicionados ao silcio, formam uma lacuna na ligao covalente. (c) isolantes. J no caso do isolante a banda de valncia est preenchida e a regio de energia proibida suficientemente larga de modo que dificilmente um eltron consegue passar para algum nvel permitido de energia. A mobilidade dos eltrons fica inibida o que resulta no comportamento dos materiais isolantes de eletricidade. Nos materiais isolantes, como os polmeros e a maioria dos materiais cermicos, a banda proibida muito larga e difcil de ser suplantada. Por esta razo, a condutividade eltrica destes materiais muito baixa. 3. Diferencie os materiais semicondutores intrnsecos e extrnsecos. R: Em semicondutores intrnsecos, para cada eltron excitado para a banda de conduo fica uma lacuna em uma ligao covalente ou, no conceito de bandas, um estado deixado livre. Sob influncia de um campo eltrico h um movimento do eltron livre e de eltrons de valncia em direes contrrias. O movimento dos eltrons nas ligaes covalentes pode ser visto como um movimento da lacuna. A lacuna tem a mesma carga de um eltron, mas de sinal contrrio. Virtualmente todos os semicondutores comerciais so extrnsecos; isto , o comportamento eltrico determinado por impurezas, que, quando presentes em concentraes at mesmo diminutas, introduzem eltrons em excesso ou buracos em excesso. Por exemplo, uma concentrao de impureza de 1 tomo em 1012 insuficiente para tornar o silcio extrnseco temperatura ambiente. 4. Em um grfico do logaritmo da concentrao do portador (eltron, buraco) em funo da temperatura absoluta, trace curvas esquemticas para materiais semicondutores tanto intrnsecos como extrnsecos. R: o grfico abaixo foi retirado do Callister 5edio Cap. 18, o grfico demonstra a condutibilidade eltrica como uma funo do logaritmo da temperatura absoluta para silcio intrnseco e tambm para silcio que foi dopado com 0,0013 e 0,0052 at% de boro, boro age como um aceitador no silcio. Em temperaturas abaixo de cerca de 800K (527oC), os materiais dopados com boro so extrinsecamente do tipo-p ; isto , virtualmente todos os buracos portadores resultam de excitaes extrnsecas - transies de eltron a partir da banda de valncia para o nvel do aceitador boro, que deixa para trs buracos na banda de valncia.

5. Defina a constante dieltrica em termos das permissividades. R: como o vcuo um meio linear, homogneo e isotrpico, e suas constantes eltricas so designadas por 0 a permissividade de um vcuo. Ou seja, existem tambm a . Que a permissidade eltrica do meio: r = /0 Sendo que r a constante dieltrica ou permissividade relativa. Constante dieltrica () uma propriedade do material isolante utilizado em capacitores que influi na capacitncia total do dispositivo. No vcuo ela vale: 1, ou seja, a permissividade do vcuo, a na verdade, uma constante da constante dieltrica que vale 1 proporcionalmente, quando equiparada com o meio. 6. Descreva sucintamente os fenmenos da ferroeletricidade e piezoeletricidade. R: O grupo de materiais dieltricos denominado ferroeltricos exibem polarizao espontnea, isto , polarizao na ausncia de um campo eltrico. Eles so anlogos dieltricos dos materiais ferromagnticos, que pode exibir comportamento magntico permanente. A polarizao espontnea uma consequncia do posicionamento de ons Ba2+, Ti4+ e O2- dentro da clula unitria. O fenmeno da piezoeletricidade se d por uma propriedade incomum exibida por uns poucos materiais cermicos, ou, literalmente, eletricidade sob presso; polarizao induzida e um campo eltrico estabelecido atravs de uma amostra pela aplicao de foras externas. Reverso do sinal de uma fora externa (isto , passando de trao para compresso) reverte o sentido do campo. Materiais piezoeltricos so utilizados em transdutores, dispositivos que convertem energia eltrica em deformao mecnica, ou vice versa.