Catalogue Toutes Manips

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Descriptif des bancs de caractrisation

lectrique, hyperfrquence et optique

mise a jour : mai 200+

A : CARACTERISATION ELECTRIQUE.................................................................................... 3
A.1. TESTS PARAMETRIQUES : MESURE DE COURANT, DE TENSION, DU TEMPS....................................... 5
A.1.1. Caracterisation standard (Mesure de I, J et t) .............................................................................. 5
A.1.2. Caracterisation bas niveau (Mesure de I, J et t) ........................................................................... 6
A.1.3. Caracterisation des composants de puissance (Mesure de I et J) ................................................. 7
A.1.4. Traceurs de caracteristiques I(J)................................................................................................... 8
A.1.5. Test aux decharges electrostatiques (ESD) . caracterisation par TLP.......................................... 9
A.2. MESURE D'IMPEDANCE..................................................................................................................10
A.2.1. Mesure de capacites inter-electrodes de transistor MOS............................................................. 10
A.2.2. Mesure RLC dans la gamme 20H: f 1MH:........................................................................... 11
A.2.3. Mesure RLC dans la gamme 75kH: f 30MH: ....................................................................... 12
A.2.4. Mesure C(J) avec Sonde au Mercure .......................................................................................... 13
A.3. OBSERVATION DE MICRO/NANO SYSTEMES...................................................................................14
A.3.1. Microscope a force atomique (AFM) tte topographie ............................................................ 14
A.3.2. Profilometre et vibrometre par interferometrie............................................................................ 15
A.3.3. Observation par binoculaire ........................................................................................................ 16
A.3.4. Caracterisation par deflexion optique de la reponse dvnamique de microstructures
mecaniques.................................................................................................................................. 17
A.3.5. Microscope a force atomique et microscope optique inverse....................................................... 18
A.3.6. Table X,Y,Z,0 pour letude de dispositifs de micro-depots, de nano-stamping, et de
profilometrie en micro-cavites profondes. .................................................................................. 19
A.4. LOCALISATION/MESURE DE POINTS CHAUDS ................................................................................20
A.4.1. Mesure de photoemission............................................................................................................. 20
A.4.2. Reponse thermique transitoire par thermometrie Infrarouge ...................................................... 21
A.4.3. Thermographie Infrarouge........................................................................................................... 22
A.4.4. Thermographie Infrarouge rapide ............................................................................................... 23
A.4.5. AFM tte thermique .................................................................................................................. 24
A.5. CARACTERISATION DE SUBSTRATS ...............................................................................................25
A.5.1. Mesure de duree de vie des porteurs............................................................................................ 25
A.5.2. DLTS (Deep Level Transient Spectroscopv) ................................................................................ 26
A.5.3. Mesure par Effet Hall................................................................................................................... 27

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A.5.4. AFM tte Spreading Resistance................................................................................................ 28
A.6. CARACTERISATION DE COMPOSANTS DISCRETS / MICROSYSTEMES...............................................29
A.6.1. Caracterisation de micromirroirs ................................................................................................ 29
A.6.2. Mesure de parametres de transistors MOS.................................................................................. 30
A.6.3. Mesure de temps de commutation de transistor MOS.................................................................. 31

B : CARACTERISATION HYPERFREQUENCE ......................................................................33
B.1. MESURE DE BRUIT.........................................................................................................................35
B.1.1. Bancs de mesures de bruit basse frequence (BF)......................................................................... 35
B.1.2. Banc de mesures de bruit de phase, ............................................................................................. 36
B.1.3. Banc de mesures de bruit lineaire haute frequence (HF) de 1GH: a 40GH:, ............................. 37
B.1.4. Banc de mesures de bruit non lineaire haute frequence (HF)...................................................... 38
B.2. BANCS DE MESURES DE PARAMETRES S........................................................................................39
B.3. BANC DE FIABILITE DE COMMUTATEURS MEMS HYPER ENTIEREMENT AUTOMATISE ..................40
B.4. BANCS DE MESURES DC (EN IMPULSION, EN CONTINU ET ANALYSE IMPEDANCE BASSE
FREQUENCE) .....................................................................................................................................................41

C : CARACTERISATION OPTIQUE...........................................................................................43
C.1. TESTS PARAMETRIQUES : MESURE DE PUISSANCE, DE TENSION, SPECTRE......................................45
C.1.1. Caracterisation JCSEL (Mesure de I, J, P, spectre, diagramme de ravonnement) Bat. C,
86 ................................................................................................................................................ 45
C.1.2. Caracterisation de diodes laser emettant par la "tranche" (Mesure de I, P, J, spectre,
diagramme de ravonnement) Bat. C, 88 .................................................................................. 46
C.2. CARACTERISATION MATERIAUX ET COMPOSANTS.........................................................................47
C.2.1. Mesure de gain des diodes laser Bat. C, 86 .............................................................................. 47
C.2.2. Reflectivite en lumiere blanche Bat. C, 86 ................................................................................ 48
C.2.3. Caracterisation des guides fluorures dopes TR Bat. C, 86 ....................................................... 49
C.2.4. Optique non lineaire Bat. A, S28............................................................................................... 50
C.2.5. Reseaux de diffraction Bat. A, S12............................................................................................ 51
C.3. SPECTROSCOPIE............................................................................................................................52
C.3.1. Photoluminescence Bat. C, 86................................................................................................... 52
C.3.2. Excitation de luminescence Fluorures dopees TR Bat. C, 86................................................. 53
C.4. BRUIT ...........................................................................................................................................54
C.4.1. Optique et Micro-Ondes Bat. E, sous-sol .................................................................................. 54

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A : CARACTER!SAT!ON ELECTR!QUE

Caractrisation Electrique

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A.1. Tests paramtriques : mesure de courant, de tension, du temps
A.1.1. Caractrisation standard (Nesure de !, v et t)

- Responsable scientifique : G. Sarrabayrouse
- Utilisateur(s) habituel(s) : Tout chercheur
- Objectifs : Acquisition des courbes courant-tension et courant (ou tension) en
fonction du temps lors d'une polarisation a tension (ou courant)
constant dans des gammes de courant et de tension courantes :
courant de quelques nA a 100mA et tension jusqu'a 100v, a
temprature ambiante.
- Autonomie des utilisateurs : totale aprs une formation par le personnel de 2i
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes (taille max 6")
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis (logiciel Netrics !Cv)
- Dure de la mesure : de quelques minutes a plusieurs heures
- Frquence d'utilisation : quotidien
- Fluides utiliss : Air comprim, vide (pour les stations sous pointes)
- Appareils : 2 testeurs sous pointe SET TC550, 1 testeur paramtrique HP+155
- Performances :
Celles du HP+155 : Courant : Nax 100mA f Rsolution 10fA
Tension : Nax 100v f Rsolution 2v
- Bibliographie : aucune
- Amliorations souhaites
- Pour l'instrumentation : Prise en compte des 3 probers et du cryostat etfou tuve
- Pour l'automatisation :


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A.1.2. Caractrisation bas niveau (Nesure de !, v et t)

- Objectifs : Acquisition des courbes courant-tension lors d'une polarisation a
tension (ou courant) constant dans des faibles gammes de courant : de
quelques fA a quelques mA et tension jusqu'a 100v, a temprature
comprise entre 5C et 300C.
- Utilisation :
- Frquence d'utilisation : Quotidien, proche de 100
- Appareils : 1 station sous pointe Cascade Summit 12k, 1 testeur paramtrique
Keithley +200-SCS, 1 testeur paramtrique Agilent +156C
- Performances :
Celles du Keithley +200 : Courant : Nax 100mA f Rsolution 0.1fA
Celles du Agilent +156C :
Courant : Nax 1A f Rsolution 1fA
- Bibliographie : Nanuel d'utilisation de la station Cascade rdig par P. Nnini


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A.1.3. Caractrisation des composants de puissance (Nesure de ! et v)

- Responsable scientifique : H. Tranduc
- Objectifs : Acquisition des courbes courant-tension lors d'une polarisation a
tension (ou courant) constant dans des les gammes suivantes : de
quelques nA a 10A et tension jusqu'a 1000v, a temprature comprise
entre 0C et 220C (sur wafer) et de -75C a 220C sur composant
discret.
- Utilisation :
- Frquence d'utilisation : Quotidien
- Appareils : - Nesure sur wafer : 1 station sous pointe semi-automatique Karl Suss
PA200 + 1 testeur paramtrique Agilent +1+2B
- Nesure sur composant discret : 1 testeur p paramtrique Agilent
+1+2B + Thermostream TP0+200A
- Performances :
Celles du Agilent +1+2B : Gamme en courant (continu) : 1 pA -> 1 A
Gamme en courant (puls) : 1A -> 10A
Gamme en tension : 2v -> 1000 v
Puissance : 20 W
Thermostream : -75C a +225C


8
A.1.+. Traceurs de caractristiques !(v)

- Utilisateur(s) habituel(s) : Tous
- Objectifs : Caractristiques !(v), bipolaire ou unipolaire en continu, en puls dans
le domaine 1mA-500A et 3kW
- Utilisation :
- Composants : Discrets
- Dure de la mesure : Quelques minutes sans temprature, ~1f2h avec temp.
- Frquence d'utilisation : Hebdomadaire
- Fluides utiliss : Air comprim
- Appareils : 3 Traceurs de courbes Tektronix 370A, 371, et model 57
Thermostream TP0+200A
- Performances :
Traceur 370A : Nini 1A, Naxi 20A f 2kv, Puissance 220W, dure de l'impulsion 300s
ou 80s toutes les 10ms.
Traceur 371 : 500A f 3kW ou 3kv f 30W
Thermostream : -75C a +225C


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A.1.5. Test aux dcharges lectrostatiques (ESD) : caractrisation par TLP

- Responsable scientifique : N. Nolhier
- Utilisateur(s) habituel(s) : N. Nolhier, D. Tremouilles, P. Besse, N. Bafleur
- Objectifs : Caractrisation des circuits ou composants en tenue aux ESD par
application d'un stimulus proche du modle du corps humain (HBN),
soit un courant de quelques ampres pour des dures d'impulsion de
100ns. Une courbe !(v) statique est mesure aprs chaque impulsion
afin de dceler une ventuelle dgradation du composant.
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = 8"
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis (labview)
- Dure de la mesure : ~5 minutes par composant, ~5h par wafer
- Frquence d'utilisation : quasi quotidienne
- Fluides utiliss : Air comprim, vide(pour la station sous pointes)
- Appareils : Station sous pointes KARL SUSS PA200, Oscilloscope Tektronix 1GHz
TDS68+C, Alimentation Bertan 3kv, Agilent +1+2B
- Performances :
TLP : longueur de l'impulsion : 100ns, Courant max : 7A, Tension max: 100v
Nesures statiques : Courant max +f-1A, Tension max +f-200v

- Bibliographie : Nmoire Cnam de Nicolas Nauran : "Conception et ralisation d'un
banc de caractrisation sous pointes pour mesures impulsionnelles
haute nergie"


10
A.2. Mesure d'impdance
A.2.1. Nesure de capacits inter-lectrodes de transistor NOS

- Utilisateur(s) habituel(s) : C!P
- Objectifs : Acquisition des capacits inter-lectrodes d'un transistor NOS et
extraction des paramtres. Les mesures sont effectues a frquence
fixe f=1NHz
- Utilisation :
- Fonctionnement : Automatis (labview)
- Dure de la mesure : 1h
- Frquence d'utilisation : Rare
- Fluides utiliss : aucun
- Appareils : Boonton 7200 capacitance meter
- Performances : f = 1NHz, appareil de mesure surtout efficace si c<2nF
- Bibliographie : Nmoire Cnam de P.F. Calmon
- Pour l'instrumentation :


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A.2.2. Nesure RLC dans la gamme 20Hz < f < 1NHz

- Objectifs : Acquisition des courbes C(v) capacit-tension et G(v,) conductance-
tension-frquence et extraction des paramtres.
- Utilisation :
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis
- Dure de la mesure : 1h
- Frquence d'utilisation : Quasi quotidienne
- Appareils : HP+28+ et 3 testeurs sous pointes TC550(2x) + station Cascade.
- Performances : Celles du HP+28+ : de 20Hz a 1NHz
- Bibliographie : Pas de manuel exploitable, uniquement un manuel utilisateur trs
ancien


12
A.2.3. Nesure RLC dans la gamme 75kHz < f < 30NHz

- Utilisateur(s) habituel(s) : P. Nnini
- Objectifs : Nesure d'impdance
- Utilisation :
- Fonctionnement : Nanuel
- Dure de la mesure : variable
- Frquence d'utilisation : variable
- Appareils : HP+28+ et 3 testeurs sous pointes TC550(2x) + station Cascade.
- Performances : Celles du HP+285 : de 75kHz a 30NHz


13
A.2.+. Nesure C(v) avec Sonde au Nercure

- Responsable scientifique : ?

- Objectifs : Acquisition de courbes capacit-tension entre deux lectrodes (face
avant et face arrire) en fonction d'une gamme de frquence (du Hz
au NHz) par application d'une goutte de mercure sur l'oxyde d'une
plaque de silicium
- Utilisation :
- Composants : Plaquettes (taille max : + )
- Fluides utiliss : vide
- Appareils : HP+28+ et sonde a mercure

- Performances : Celles du HP+28+

- Bibliographie : Notice d'utilisation simplifie


1+
A.3. Observation de microJnano systmes
A.3.1. Nicroscope a force atomique (AFN) + tte topographie

- Utilisateur(s) habituel(s) : N. Dilhan
- Objectifs :
- Autonomie des utilisateurs : aucune
- Utilisation :
- Composants : Plaquettes, taille max =
- Fonctionnement : Automatis
- Dure de la mesure :
- Frquence d'utilisation :
- Fluides utiliss :
- Appareils :
- Performances :
- Bibliographie :


15
A.3.2. Profilomtre et vibromtre par interfromtrie

- Responsable scientifique : C. Bergaud, E. Scheid
- Utilisateur(s) habituel(s) : C. Bergaud, E. Scheid
- Objectifs : Caractrisation mcanique de microsystmes en rgime statique
(profilomtrie) ou dynamique (vibromtrie).
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = + pouces
- Fonctionnement : Automatique
- Dure de la mesure : Quelques minutes (suivant la rsolution). Rglages initiaux assez longs
(plusieurs dizaines de minutes)
- Appareils : profilomtre Fogale Zoom Surf 3D

- Performances :
Rsolution maximale : 1 nm en z et 1 m dans le plan xy avec une bande passante de 2 NHz
en rgime dynamique
- Bibliographie : Node d'emploi fourni et aide en ligne (trs sommaire)
- Pour l'automatisation : Automatisation du rglage du tilt par microcontrleurs


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A.3.3. Observation par binoculaire

- Objectifs : Observation de puces de grandes tailles et acquisition d'image
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes
- Dure de la mesure : Observation : immdiate, Acquisition : 5 minutes
- Frquence d'utilisation : Quotidienne
- Appareils : Binoculaire LE!CA NZ12, Appareil photo numrique POLARO!D, PC
- Performances : Grossissement max x205, Champ visuel 1.1mm
Grossissement min x5, Champ visuel +1.7mm

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A.3.+. Caractrisation par dflexion optique de la rponse dynamique de
microstructures mcaniques

- Responsable scientifique : C. Bergaud, L. Nicu
- Utilisateur(s) habituel(s) : C. Bergaud (6+27), N. Guirardel (6351), D. Saya
- Objectifs : Caractrisation de la rponse dynamique de microstructures (leviers,
ponts, membranes..) avec actionnement etfou dtection intgre.
Possibilit d'actionnement externe (pour la caractrisation de
structures passives) par l'intermdiaire d'un actionneur pizo-lectrique
propre au banc de mesures. Ce type de mesures permet d'accder aux
proprits mcaniques de matriaux en couches minces (module
d'Young, contrainte, fatigue, vieillissement..). On peut galement
dterminer la rponse lectrique de couches actives (pizolectrique
ou pizorsistive) soumise a des sollicitations mcaniques.
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = 1cm
- Dure de la mesure : De quelques minutes a quelques heures
- Appareils :

- Performances : Bande passante de mesure ~ 1NHz (utilisation d'un dtecteur
synchrone Perkin-Elmer). Possibilit d'tude des modes de vibration
transversaux (flexion) etfou de torsion (utilisation d'un photodtecteur
a + cadrans actifs).
- Bibliographie : Rapport LAAS n00+15, Thse de L. Nicu


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A.3.5. Nicroscope a force atomique et microscope optique invers

- Responsable scientifique : C. Bergaud, L. Nicu
- Utilisateur(s) habituel(s) : C. Bergaud (6+27), N. Guirardel (6351), D. Saya, L. Nicu
- Objectifs : Caractrisation physique 'tude de topographie, forces de friction,
rugosit de surface..) de divers chantillons conducteurs ou non
conducteurs (~1cm) ; fentre de balayage 100mx100m max. Node
contact et non-contact. Caractrisation en milieu sec ou liquide. Nesure
d'interactions spcifiques entre molcules biologiques. L'utilisation du
microscope optique invers couple a celle du microscope a force
atomique permet d'obtenir simultanment une caractrisation optique
de l'chantillon (en fluorescence) et une caractrisation physique de
surface avec une trs grande rsolution.
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = 2 cm de diamtre
- Dure de la mesure : De quelques minutes a 1h (suivant la rsolution)
- Appareils : Topometrix Explorer

- Performances : Rsolution maximale de l'ordre de 0.1nm en z et de 1nm en x et y pour
le microscope a force atomique.
Rsolution maximale de l'ordre du micron pour le microscope optique
invers (champ clair, contraste de phase et fluorescence)

- Bibliographie : http:ffwww.thermomicro.comfspmguidefcontents.htm

- Pour l'instrumentation : Adaptation de l'AFN pour des mesures sur des chantillons biologiques
pour des applications de type biopuces.


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A.3.6. Table X,Y,Z,0 pour l'tude de dispositifs de micro-dpots, de nano-stamping,
et de profilomtrie en micro-cavits profondes.

- Responsables scientifiques : J.B. Pourciel, C. Bergaud, C. vieu
- Utilisateur(s) habituel(s) : J.B. Pourciel, P. Belaubre
- Objectifs : Nise en place d'un micro-positionneur X,Y,Z,0 pilot par micro-
ordinateur destin a une utilisation pour plusieurs thmes dvelopps
dans le groupe Nano Adressage. Le dispositif est complt par des
actionneurs pizo-lectriques pour des dplacements nanomtriques et
de diffrents modules d'acquisition rapide et de commande.
- Etude des proprits de mouillage lors de dpts de picolitres de
liquide. Etude physique de dispositifs de chargement et de dpt par
utilisation d'un champ lectrique pour le chargement et le dpt.
- Dispositif de placement (alignement automatique par rapport a la
surface) d'un dispositif de nano-impression.
- Profilomtrie et trac de surface a l'intrieur de cavits micro-usines
prsentant un haut facteur de forme (mthode par mesure de force).
- Utilisation :
- Composants : Leviers pizo-lectriques, "plumes" pour le dpt, composants en
PDNS
- Dure de la mesure : quelques minutes (rptitive)
- Fluides utiliss : Aucun
- Appareils :
- Performances : Prcision de la table: 0,5 m sur x, y, z et 0.005 d sur 0. Prcision
globale du positionnement (avec actionneurs pizo-lectriques): 5 nm.
Prcision en profilomtrie : +f- 25 nm.
- Bibliographie : (utilisation en profilomtrie)
Jean-Bernard Pourciel, Laurent Jalabert and Takahisa
Masuzawa, "Profile and Surface Neasurement tool for high aspect-
ratio microstructures", !nternational Journal of the Japan Society of
Nechanical Engineers. Series C, vol +6, N3, 9-2003, pp916-922
- Pour l'instrumentation : Exprimentation en cours de dveloppement.
- Pour l'automatisation : - id -

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A.4. LocalisationJMesure de points chauds
A.+.1. Nesure de photomission

- Responsable scientifique : N. Nolhier
- Utilisateur(s) habituel(s) : N. Bafleur, N. Nolhier, D. Tremouilles
- Objectifs : Localiser sur une puce le lieu d'une focalisation de courant d'avalanche
ou la distribution de courants de recombinaison. La mesure est
effectue sur la face avant de la plaquette. Une mesure sur puce en
botier avec fentre optique peut tre envisage.
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = 8 pouces
- Dure de la mesure : De quelques secondes a 1h
- Frquence d'utilisation : Hebdomadaire (80 C!P)
- Fluides utiliss : Air comprim, vide
- Appareils : Station Karl Suss PA200, Camra C+880-10 HANANATSU. Attention
cette manipulation utilise la station de la manip 10. Les deux
manipulations ne peuvent donc pas tre effectue en parallle.
- Performances : Observation qualitative
5 grossissements : x2, x10, x20, x50 (!R), x100(!R)


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A.+.2. Rponse thermique transitoire par thermomtrie !nfrarouge

- Responsable scientifique : J.N. Dorkel
- Utilisateur(s) habituel(s) : J.N. Dorkel, P. Tounsi
- Objectifs : Relev de la rponse thermique transitoire ponctuelle et rapide d'un
composant soumis a un stress de dissipation de puissance. En principe
adapt pour la mesure des chauffements lors des tests de tenue en
nergie.
- Utilisation :
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis
- Dure de la mesure : variable suivant le nombre de points a relever
- Frquence d'utilisation : peu utilis a l'heure actuelle a cause de la mauvaise qualit du signal
dlivr par le microscope !R Barnes RN23
- Appareils : mmes appareils que pour la thermographie !R + table XY Karl Sss et
microscope !R Barnes RN23
- Performances : rsolution spatiale : 25 m; dure de la rponse thermique transitoire :
de 0,5 ms a 100 ms environ
- Bibliographie : Documentation technique du RN23 et rapports de stage de Frdric
Coste et Brigitte Sirgant pour le pilotage de la table XY (programme
LABv!EW).
- Pour l'instrumentation : il serait ncessaire d'amliorer les performances en bruit de l'ensemble
dtecteur-pr-amplificateur du microscope !R Barnes RN23.
- Pour l'automatisation : les programmes de conduite automatique sont faits mais pas
entirement tests.

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A.+.3. Thermographie !nfrarouge

- Responsable scientifique : J.N. Dorkel
- Utilisateur(s) habituel(s) : J.N. Dorkel, P. Tounsi
- Objectifs : Caractrisation thermique de composants et circuits intgrs de
puissance
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = quelques cm
- Fluides utiliss : Bouteille d'Argon
- Appareils : Systme de thermographie TvS +100, alimentations de puissance,
oscilloscope Tektronix TDS +30, gnrateurs de fonction, PC,
thermomtres a thermocouple, bain thermostat
- Performances : Rsolution spatiale de la thermographie !R : 25 m avec objectif
microscope, vitesse d'acquisition : 30 images par seconde.
- Bibliographie : pas de manip ddie mais organisation flexible, la documentation
technique des appareils est disponible prs du site
- Pour l'instrumentation : envisageable si l'on pouvait trouver une camra !R capable de prendre
100 images par milliseconde, sinon il faudrait envisager un r-
talonnage de la camra existante.
- Pour l'automatisation : pas a l'ordre du jour car la manip doit rester fortement adaptative.


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A.+.+. Thermographie !nfrarouge rapide

- Responsable scientifique : E. Scheid, P. Tounsi
- Utilisateur(s) habituel(s) : E. Scheid, tout chercheur
- Objectifs : Caractrisation thermique de composants, circuits ou microsystme en
rgime statique ou transitoire
- Autonomie des utilisateurs : A voir .
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = quelques cm
- Appareils : Camra infrarouge CED!P

- Performances : Dtecteur HgCdTe : 320 x 2+0 pixels (Bande 3,6m a +,8m)
Rsolution spatiale de la thermographie !R : 1pixel = 10 m avec
objectif G1, vitesse d'acquisition max : environ 20kHz en fentrage
2x6+ pixels.

2+
A.+.5. AFN + tte thermique

- Objectifs :
- Utilisation :
- Fluides utiliss :
- Appareils :
- Performances :
- Bibliographie :


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A.5. Caractrisation de substrats

A.5.1. Nesure de dure de vie des porteurs

- Utilisateur(s) habituel(s) : G. Sarrabayrouse
- Objectifs : Nesure et cartographie de dure de vie des porteurs minoritaire sur
plaquette, lingot ou couche pitaxie
- Autonomie des utilisateurs : ?
- Utilisation :
- Composants : Plaquettes, taille max = 6"
- Dure de la mesure : 10'-1h
- Frquence d'utilisation : rare
- Fluides utiliss : vide
- Appareils : EP!TEST -WT85
- Performances :
Laser: 90+ nm, 15 ns fall time
2 antennes micro-ondes: contact, non contact
rsolution: 0.5mm min
rapidit: 30 msfpoint
Densit de fer: > 109 cm-3
Passivation liquide, solide
1 s<dure de vie< 10 ms
Possibilit d'extension SPv


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A.5.2. DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)

- Responsable scientifique : F. Olivi
- Utilisateur(s) habituel(s) : F. Olivi
- Objectifs : Dtermination des signatures des centres profonds, profils des dfauts,
!(v) en temprature.
- Autonomie des utilisateurs : Non
- Utilisation :
- Composants : Discrets et Plaquettes, taille max = 1cmx1cm
- Dure de la mesure : DLTS (25mn)
- Fluides utiliss : Azote
- Appareils : Banc de mesures B!ORAD 8000
- Performances :
Trap concentration sensitivity : 10-7(ND-NA)<NT<10-5(ND-NA)
Energy accuracy : +- 1, Energy resolution 10mev
Emission rate range 5.10-+s-1<en<1.5.10+s-1
Signal : 1NHz, 100mv
Ranges : 1-3000pF, Sensitivity : 0.01fF
Offset compensation :0-3000pF
Compensation Reproductibility : <100fF
Pulse width : 500ns to 1000s, Pulse reolution 500ns, Pulse period 16s
to +000s
DC voltage : -20v to 20v, resolution 1mv
DC Current : -10mA to +10mA, resolution 10pA
- Bibliographie : Nanuel d'emploi trs mal rdig
- Pour l'instrumentation : achat carte tension +f-100volts de B!ORAD

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A.5.3. Nesure par Effet Hall

- Responsable scientifique : E. Bedel-Pereira
- Objectifs : Nesure de la rsistivit, de la concentration et la mobilit des porteurs
dans les semiconducteurs (type n et p) a la temprature ambiante ou a
77K (en utilisant de l'azote liquide)
- Autonomie des utilisateurs : Oui, aprs une formation
- Utilisation :
- Composants : Plaquettes, taille max = 2x2 cm
- Dure de la mesure : 15min
- Frquence d'utilisation : A voir
- Fluides utiliss : Azote liquide pour mesures a 77K
- Appareils : Accent HL5500PC
- Performances :
Aimant de 0.32T
Rsistivit de 0.1NOf a 100GOf
Source de courant : 1pA - 19.9mA
Compliance : 20v
- Bibliographie :
- Pour l'instrumentation : ?


28
A.5.+. AFN + tte Spreading Resistance

- Objectifs :
- Utilisation :
- Fluides utiliss :
- Appareils :
- Performances :
- Bibliographie :

29
A.6. Caractrisation de composants discrets J microsystmes
A.6.1. Caractrisation de micromirroirs

- Responsable scientifique : H. Camon
- Utilisateur(s) habituel(s) : H. Camon, C. Ganibal
- Objectifs : Caractrisation angulaire dynamique a la rsonance et en basculement
en fonction de la pression environnante
- Autonomie des utilisateurs : oui
- Utilisation :
- Dure de la mesure : jour
- Frquence d'utilisation : par campagne de quelques jours
- Fluides utiliss : vide (pompe)
- Appareils : source de tension (jusqu'a 1700v), gnrateur de frquence, pompe a
vide, oscilloscopes, ordinateur PC, capteur PSD et lectronique
associe, laser rouge 1mW (scurit oculaire), bouteille d'azote
prochainement.
- Performances : Les micromiroirs peuvent tre valus en rponse statique et
frquentielle (jusqu'a 800v), et indicielle (jusqu'a 1700v), a diffrentes
pressions. La commande est indiffremment applique a l'une des
lectrodes, ou aux deux. Les rsultats sont mmoriss par un
oscilloscope numrique et transfrs sur PC.
- Bibliographie : Aucune pour l'instant
- Pour l'instrumentation : possibilit d'teindre l'clairage non sur la zone, plutt que d'imposer
l'obscurit a tout le monde
- Pour l'automatisation : non envisag


30
A.6.2. Nesure de paramtres de transistors NOS

- Objectifs : Caractristiques de sortie !d(vd), caractristiques de transfert !d(vg),
!d(vg) sous le seuil, caractristiques !(v) en direct de la diode drain-
canal.
Extraction des paramtres : Kp (facteur de pente), vt (tension de
seuil), Ron (rsistance a l'tat passant), Rsrie (Rsistance srie de
drain), courants de fuite, !0 (courant extrapol a vdiode=0), et n
(facteur d'idalit de la diode).
- Utilisation :
- Fonctionnement : Nanuel ou Automatis
- Dure de la mesure : 5 minutes pour 1 composant
- Appareils : HP+1+2B, Karl Suss PA200
- Performances :
Gamme en courant : 1 pA -> 1 A
Gamme en tension : 0.1 mv -> 200 v
Puissance : 20 W
En puls : 1A -> 10A et 0.2 mv -> 10v
- Pour l'automatisation : Nettre a jour les procdures d'extraction des paramtres

31
A.6.3. Nesure de temps de commutation de transistor NOS

- Objectifs : Nesure de temps de commutation sur charge rsistive. La maquette
est a raliser au coup par coup par l'utilisateur.
- Autonomie des utilisateurs : ?
- Utilisation :
- Dure de la mesure : Quand la maquette existe : de quelques minutes a 1 heure
- Fluides utiliss : Aucun
- Appareils : Oscillo Tektronix 500 NHz, + voies
Alim Fontaine 500vf+A, Alim HP 60vf9A, Alim HP 120vf+A
- Performances : Temps de commutation a partir de 10 ns.
- Pour l'automatisation : Traitement des donnes pour extraire les temps de commutation.

33

B : CARACTER!SAT!ON HYPERFREQUENCE

Caractrisation Hyperfrquence

35
B.1. Mesure de bruit
B.1.1. Bancs de mesures de bruit basse frquence (BF)

- Responsable scientifique : R. Plana
- Utilisateur(s) habituel(s) : R. Plana, L. Bary, doctorants,.
- Objectifs : Nesure du bruit basse frquence de 1 Hz a 100 kHz, deux bancs (a) et
(b) bass sur des mthodes diffrentes
- Localisation : E56
- Autonomie des utilisateurs : accs limit, longue formation ncessaire
- Utilisation :
- Fonctionnement : banc (a) automatis, banc (b) manuel
- Appareils : commun : station sous-pointes Cascade Nicrotec 9600, cages de
Faraday, multimtres HP 3++01A,
banc (a) : FFT Takeda Riken TR9+05A, amplificateur faible bruit EG8G
518+,.
banc (b) :FFT HP 89+10A, amplificateurs transimpdance EG8G5182,.
- Performances : Nesures permettant d'observer des niveaux de bruit d'amplitude d'
l'ordre de 10
-1+
AfHz
Temps de mesure : - banc (a) : 5 a 10 min pour un diple, +5 a 60 min pour un
quadriple,
- banc (b) : 5 min pour un diple, 15 a 20 min pour un quadriple.
- Bibliographie : Thses R. Plana, L. Bary
- Pour l'instrumentation : mesure en temprature
- Pour l'automatisation : a dvelopper sur la banc (b)


36
B.1.2. Banc de mesures de bruit de phase,

- Responsable scientifique : O. Llopis
- Utilisateur(s) habituel(s) : O. Llopis, doctorants,.
- Objectifs : Nesure du bruit de phase d'oscillateurs et d'amplificateurs de 1 Hz a
100 kHz, Nesure active ou passive jusqu'a 18 GHz, et par conversion
de frquence jusqu'a +0 GHz
- Utilisation :
- Dure de la mesure : 10 a 15 min
- Appareils : Station sous-pointes Nicrotec Nodel 22, Analyseur de spectre Anritsu
NS2665C, FFT Advantest R9211B, cage de Faraday, synthtiseur
Wiltron 691+7A,.
- Performances : Bruit de phase de quadriple : plancher de l'ordre de -180 dBcfHz
(dpend de la frquence)
Bruit de phase d'oscillateurs : dpend de la technique utilise (active
ou passive) et de la frquence
- Bibliographie : Thse N. Rgis, Thse G. Cibiel, rapport LAAS 02591 (dition Herms)
La mesure de bruit de phase en Hyperfrquence O. Llopis
- Pour l'instrumentation : utilisation d'une rfrence saphir, monte en frquence.
- Pour l'automatisation : remplacement du PC (ancien) et changement ou volution du logiciel
de programmation

37

B.1.3. Banc de mesures de bruit linaire haute frquence (HF) de 1GHz a +0GHz,

- Responsable scientifique : L. Escotte
- Utilisateur(s) habituel(s) : L. Escotte, J.-G. Tartarin, doctorants,.
- Objectifs : - Paramtres du bruit et paramtres S entre 1 et +0 GHz de transistors
sous-pointes ou discret,
- Facteur de bruit d'amplificateurs,
- Nesure en temprature (sous-pointes): -60Cf200C (26-+0 GHz).
- Utilisation :
- Dure de la mesure : 30 a +0 min
- Frquence d'utilisation : hebdomadaire
- Fluides utiliss : Air comprim, vide (pour les stations sous pointes), air assch (pour
les mesures en temprature)
- Appareils : station sous-pointes Sss Nicrotec PN8, tuner Naury NT986A,
analyseur de rseau Agilent HP8510, analyseur de spectre Rhode 8
Schwarz FSEK, source programmable HP6625A,.
- Performances :

- Bibliographie : Thse S. Long, Thse J.-G. Tartarin

38

B.1.+. Banc de mesures de bruit non linaire haute frquence (HF)

- Responsable scientifique : L. Escotte, O. Llopis
- Utilisateur(s) habituel(s) : L. Escotte, doctorants,.
- Objectifs : Nesure du facteur de bruit de dispositifs actifs en rgime de
compression, application : dispositifs non linaires tels que les
mlangeurs
- Utilisation :
- Dure de la mesure : 10 min
- Appareils : station sous-pointes Sss Nicrotec PN8, source programmable
HP6625A, analyseur de rseau Rhode 8 Schwartz ZvRE, analyseur de
spectre HP 70000, synthtiseur Anritsu NG369+A,.
- Performances : en cours d'valuation

- Bibliographie : stage de DEA en cours


39
B.2. Bancs de mesures de paramtres S

- Responsable scientifique : T. Parra
- Utilisateur(s) habituel(s) : D. Dubuc, L. Bary,.
- Objectifs : Gamme frquentielle couverte entre 9 kHz et 67 GHz,
Possibilit de mesures en temprature sous pointes (min -60C,
max+200C),
- Utilisation :
- Fonctionnement : Semi-automatis
- Appareils : stations sous-pointes Sss Nicrotec PN8 etfou PA200, analyseurs de
rseau Anritsu 37397C etfou Wiltron 360B.
- Performances :

- Bibliographie : -
- Pour l'instrumentation : Evolution vers des mesures a 110 GHz


+0
B.3. Banc de fiabilit de commutateurs MEMS hyper entirement
automatis

- Responsable scientifique : D. Dubuc
- Utilisateur(s) habituel(s) : D. Dubuc, doctorants,.
- Objectifs : - Contrle d'activation du commutateur (cyclage),
- Nesures paramtres en S, possibilit de mesurer en temprature,
- Nesures electro-mcanique et de fiabilit.
- Utilisation :
- Frquence d'utilisation : hebdomadaire
- Appareils : stations sous-pointes Sss Nicrotec PA200, analyseur de rseau Anritsu
37397C, Hotte a flux laminaire d'ADS laminaire, Contrleur en
temprature avec thermo-chuck TP03200A de Temptronic, Scheur
d'air par adsorption DAn2, sources programmables HP6625A,
oscilloscope numrique HP5+501A,.
- Performances :
- Bibliographie : Nmoire lve ingnieur J.-L. Salan


+1
B.4. Bancs de mesures DC {en impulsion, en continu et analyse
impdance basse frquence)

- Responsable scientifique :
- Utilisateur(s) habituel(s) : O. Llopis, L. Bary, J.-G. Tartarin, doctorants,.
- Objectifs : caractrisation de diodes, transistors bipolaires et a effet de champ,.
- Localisation : E56 8 E35
- Utilisation :
- Dure de la mesure : 10 min DC, de quelques secondes a quelques heures pour impulsion
- Frquence d'utilisation : journalire
- Appareils : station sous-pointes Cascade Nicrotec Nodel 22, source programmable
Agilent HP+1+2, Diva 225, analyseur d'impdance Agilent HP+192A,.
- Performances :

- Bibliographie :
- Pour l'instrumentation : pour les mesures en impulsion, acquisition d'un appareil entirement
automatis (valuation en cours de l'Accent Diva 225)

+3

C : CARACTER!SAT!ON OPT!QUE

Caractrisation Optique

+5
C.1. Tests paramtriques : mesure de puissance, de tension, spectre
C.1.1. Caractrisation vCSEL (Nesure de !, v, P, spectre, diagramme de
rayonnement) - Bat. C, 86

- Responsables scientifiques : v.Bardinal, T.Camps, G.Almuneau
- Utilisateur(s) habituel(s) : v.Bardinal, T.Camps, G.Almuneau, C.Bringer, stagiaires
- Objectifs : Acquisition des courbes tension et puissance dlivre par composant
vCSEL en fonction du courant. Gammes de courant : courant de
quelques nA a 200mA et tension jusqu'a 7v, a temprature ambiante.
- Autonomie des utilisateurs : accs limit, formation ncessaire
- Utilisation :
- Composants : Discrets, a mission par la surface
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis (commande du monochromateur via visual
Basic)
- Dure de la mesure : quelques minutes par composant a plusieurs heures
- Fluides utiliss : purge azote dans le monochromateur HR1000
- Appareils : 1 alimentation PRO8000 avec module LDC8002, 1 ampremtre TT!, 1
dtection synchrone HTDS 128A, 1 photodiode Si, 1 alimentation
tension, optique et opto-mcanique, 2 FO (1 multimode, 1
monomode), 1 source de lumire blanche fibre, 1 camra SONY +
moniteur, 1 monochromateur HR1000 + systme acquisition, 1 LASER
Ar + Ti:Al
2
O
3
.
- Performances :
Celles du LDC8002 : Courant : Nax 200mA f Rsolution 10A
Tension : Nax 7v
- Bibliographie : Rapports de stage de J.POLESEL-NAR!S, N.R!v!ERE

- Pour l'instrumentation : Rgulation en temprature du support de vCSEL
- Pour l'automatisation : Contrle en temprature du support via le programme vB et alim
PRO8000

+6
C.1.2. Caractrisation de diodes laser mettant par la "tranche" (Nesure de !, P, v,
spectre, diagramme de rayonnement) - Bat. C, 88

- Responsables scientifiques : S.Bonnefont, O.Gauthier-Lafaye
- Utilisateur(s) habituel(s) : S.Bonnefont, O.Gauthier-Lafaye, D.Nulin, N.Boutillier
- Objectifs : Caractrisation des diodes laser : P(!), v(!), spectre, diagramme de
rayonnement
- Utilisation :
- Composants : Discrets, a mission par la tranche
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis (commande monochromateur et systme
acquisition via visual Basic)
- Dure de la mesure : quelques minutes a quelques heures par composant
- Appareils : 1 alimentation !LX, optique et opto-mcanique, camra SONY +
moniteur, spectrographe ANDO, photodiode
- Performances :
Celles de l'!LX: Courant : Nax 200mA f Rsolution 10A,
Tension : Nax 7v
Celles de l'ANDO: Rsolution : 0.05nm, entre fibre FCfPC, de 0.6m a 1.7m
- Bibliographie : Rapports de stage ?
- Pour l'instrumentation : Rgulation en temprature et humidit de la salle (viter la rouille)

+7
C.2. Caractrisation matriaux et composants
C.2.1. Nesure de gain des diodes laser - Bat. C, 86

- Responsables scientifiques : S.Bonnefont, O.Gauthier-Lafaye, D.Nulin
- Utilisateur(s) habituel(s) : S.Bonnefont, O.Gauthier-Lafaye, D.Nulin, B.Nessant
- Objectifs : Nesure du gain de diodes laser mettant par la tranche a 1.3m ou
1.5m en mode impulsionnel.
- Utilisation :
- Dure de la mesure : quelques minutes par composant
- Appareils : Alimentation !LX, monochromateur HR1000, 1 dtection synchrone
EG8G 5209 ou Boxcar, dtecteur PN AsGa Hamamatsu, 1 PC de
commande
- Performances : Celles du HR1000 : rsolution 0.008nm
- Bibliographie : Rapports de stage
- Pour l'instrumentation : Exprimentation pouvant voluer vers la mesure de lumire spontane
Stabilit de la temprature et des vibrations (influence sur les mesures)


+8
C.2.2. Rflectivit en lumire blanche - Bat. C, 86

- Responsables scientifiques : v.Bardinal
- Utilisateur(s) habituel(s) : v.Bardinal
- Objectifs : Rflectivit sur chantillons vCSEL, et sur plaques de silicium
- Utilisation :
- Frquence d'utilisation : 3-+ jours de mesures, a raison de 2 a 3 campagnes par an
- Appareils : Source de lumire blanche Jobin-Yvon, monochromateur HR1000
(bientt DK+80), 1 dtection synchrone EG8G 5209, dtecteurs
!nGaAs, AsGa, 1 PC de commande

- Performances : Celles du HR1000 : rsolution 0.008nm
- Bibliographie : Rapport de stage tudiant BTS 2003
- Pour l'instrumentation : Exprimentation qui sera transfre en salle RTP (Bat.C, 17+b) sur le
monochromateur DK+80 pilot en Labwindows Cv!


+9
C.2.3. Caractrisation des guides fluorures dops TR - Bat. C, 86

- Responsables scientifiques : E.Daran
- Utilisateur(s) habituel(s) : E.Daran, B.viallet
- Objectifs : Caractrisation du guidage dans les chantillons fluorures dops TR :
dure de vie, pertes a la propagation, luminescence en mode guid,
caractrisation de rseaux.
- Utilisation :
- Composants : Discrets, a mission par la tranche
- Fonctionnement : Nanuel et Automatis (commande moteur Lyot, monochromateur et
systme acquisition via visual Basic)
- Frquence d'utilisation : quelques campagnes par an, a raison de 2 jours par semaine
- Appareils : Laser Argon 7W, Laser Ti:Saphir, objectifs pour injection,
monochromateur HR1000, dtecteurs !nGaAs, Ge, Si, PN AsGa, 1 PC
de commande

- Performances :
Celles du couplage : !njection de la lumire du Ti:Saphir via un objectif optique dans le
guide (p. 2m)
- Bibliographie :


50
C.2.+. Optique non linaire - Bat. A, S28

- Responsables scientifiques : C.De Natos, N.Pugnet
- Utilisateur(s) habituel(s) : C.De Natos, N.Pugnet
- Objectifs : Exploration de puissances crtes leves a des longueurs d'onde
ajustables pour l'optique non linaire
Application possible : ondes de choc dans les semiconducteurs
- Utilisation :
- Frquence d'utilisation : quelques campagnes par an
- Appareils : Laser YAG puls + gnrateur optique paramtrique, Boxcar,
photodiodes rapides Si, Ge, optomcanique.

- Performances :
Celles Laser : !mpulsions : 10Hz, 15ps, ajustable de 75nm a 2m, puissance 50mJ
a 1.06m, 25mJ dans le vert.
- Bibliographie :


51
C.2.5. Rseaux de diffraction - Bat. A, S12

- Responsables scientifiques : Ph.Arguel
- Utilisateur(s) habituel(s) : Ph.Arguel
- Objectifs : Caractrisation des rseaux de diffraction (mesure du pas, uniformit),
Nesure de l'indice effectif des matriaux et composants.
- Utilisation :
- Frquence d'utilisation : quelques campagnes par an
- Appareils : Laser Argon a 363nm, Laser He-Ne, optiques, diodes laser du
commerce a diffrentes longueurs d'onde, moteur pas a pas,
puissance-mtre Advantest, montage mcanique 3D
- Performances :
Celles du puissance-mtre : Surface de dtection 1cm
2
, P dtecte de 1nW a 50mW, de +00nm a
1.1m
Celles du montage 3D : Prcision 10
-3
degr
- Bibliographie :
- Pour l'instrumentation : veiller a conserver l'environnement propre et stable thermiquement
ncessaire aux caractrisations des rseaux, ainsi que la possibilit
d'obscurit totale.


52
C.3. Spectroscopie
C.3.1. Photoluminescence - Bat. C, 86

- Responsables scientifiques : E.Bedel, C.Fontaine, A.Arnoult
- Utilisateur(s) habituel(s) : E.Bedel, C.Fontaine, A.Arnoult, P.Gallo
- Objectifs : Contrle de l'intensit et de la longueur d'onde mises par les
structures pitaxies dans le bati de NBE, et contrle de l'tat et de la
rponse du bati NBE
- Utilisation :
- Dure de la mesure : quelques minutes par composant. Ajouter le temps ncessaire pour
pomper le cryostat (environ .min).
- Frquence d'utilisation : au moins 2 jours par semaine pendant une campagne de croissances
NBE
- Fluides utiliss : balayage d'azote dans le monochromateur HR1000
- Appareils : Laser Argon 7W, laser Ar 1W, monochromateur HR1000, cryostat, 1
dtection synchrone 5209, dtecteurs (PD !nGaAs, PN GaAs), 1 PC de
commande

- Performances : Celle du HR1000: Rsolution 0.008nm
Celle du cryostat :Temprature minimale : 15K
- Pour l'instrumentation : Rgulation en temprature et humidit de la salle (viter la rouille)


53
C.3.2. Excitation de luminescence - Fluorures dopes TR - Bat. C, 86

- Responsables scientifiques : E.Daran
- Utilisateur(s) habituel(s) : E.Daran, B.viallet
- Objectifs : Caractrisation spectrale des chantillons fluorures dops Terres Rares
en fonction de la longueur d'onde d'excitation. Dtermination de la
dure de vie.
- Utilisation :
- Dure de la mesure : quelques minutes par composant.
- Frquence d'utilisation : 1 fois tous les 2 mois a 2 fois par mois a raison de +-5 jours par
campagne
- Fluides utiliss : balayage d'azote dans le monochromateur HR1000
- Appareils : Laser Argon 7W, laser Ti:Saphir, laser Ar 1W, monochromateur
HR1000, cryostat, 1 dtection synchrone 5209, dtecteurs (PD Si,
!nGaAs, Ge, PN GaAs), 1 PC de commande

- Performances :
Celle du HR1000 : rsolution 0.008nm
Celle du cryostat : temprature minimale : 15K


5+
C.4. Bruit
C.+.1. Optique et Nicro-Ondes - Bat. E, sous-sol

- Responsables scientifiques : O.Llopis
- Utilisateur(s) habituel(s) : O.Llopis, B.Onillon
- Objectifs : Bruit des liaisons optiques analogiques, caractrisation de composants,
ralisation d'oscillateurs contrls par fibre optique.
Ces mesures sont ralises sur des modules connectoriss ou sous
pointe.
- Utilisation :
- Fluides utiliss :
- Appareils : Nodules Laser Tlcom, photodiode fibre, photodiodes, wattmtre,
attnuateurs, diode laser (830nm, 16mW)
- Performances : Celle des modules Tlcom : =1.5m, 10mW, modulable a 3GHz,
=1.5m, 3mW, modulable a 15GHz,
Celle de la photodiode fibre : rapide, caractrise jusqu'a 30GHz
Celle du wattmtre : de 800nm a 1.5m
- Bibliographie :

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Descriptif des bancs de caractrisation

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