Journal of Vectorial Relativity

JVR 4 (2009) 4 117-123

Anlisis de Desempeo de Diodos p-i-n en Conmutadores de Microondas

M A Medina-Plata1, G Leija-Hernndez2 y L A Iturri-Hinojosa3
RESUMEN.El trabajo presenta un anlisis numrico de la resistencia serie, Rs, y la capacitancia de unin, Cj, caractersticas propias de diseo de los diodos PIN. Se estudian estos parmetros de los diodos buscando alcanzar niveles adecuados de prdidas de insercin y aislamiento en dispositivos conmutadores de seales de microondas diseados con diodos pi-n. PALABRAS CLAVE:

Diodos p-i-n, resistencia serie, capacitancia de unin, conmutadores de microondas, prdida de insercin y aislamiento.

I.

INTRODUCCIN

Los conmutadores de microondas son utilizados como elementos de control en gran variedad de aplicaciones en microsistemas, ya que realizan la funcin de control y direccionamiento del flujo de la energa de la seal de radiofrecuencia (RF) desde una parte de un circuito a otro, por medio de seales de control externas. Un conmutador en estado de alta impedancia se caracteriza por el aislamiento que pueda brindar entre sus puertos. El nivel de aislamiento es muy importante en toda aplicacin, por lo que el conmutador debe de ser capaz de proteger la sensibilidad del circuito receptor de la gran potencia de la seal RF transmitida. En general, los conmutadores pueden ser operados manual o electrnicamente, sin embargo, muchas aplicaciones que utilizan circuitos integrados de microondas requieren tiempos de conmutacin que no pueden ser llevados a cabo manualmente, recurriendo al control electrnico. Los conmutadores controlados electrnicamente pueden ser fabricados usando diodos p-i-n o generalmente transistores MESFETs a base de GaAs. II. DIODOS PIN PARA SISTEMAS DE MICROONDAS

El diodo p-i-n comnmente se fabrica en base al semiconductor de silicio que consta de dos regiones, una tipo P y otra tipo N. Entre estas regiones se encuentra una regin intrnseca I de alta resistividad. Trabajan con seales de frecuencia en la gama de microondas (>1 GHz). El diodo a estas frecuencias tiene una resistencia muy alta cuando est inversamente polarizado y una resistencia muy baja cuando est polarizado en sentido directo. Para todos los propsitos, el diodo pi-n puede comportarse como un cortocircuito o un circuito abierto, cuando est polarizado en directa o en inversa, respectivamente. Tambin es utilizado para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. II.1 Diodo PIN en polarizacin directa e inversa En el estado de baja impedancia, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie con una resistencia . Su modelo de circuito equivalente se muestra en la figura 1. Asumiendo que la seal de RF no afecta la carga almacenada, la resistencia serie de polarizacin directa se obtiene con la siguiente expresin [1]:
1, 2, 3

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(1) donde n es la movilidad de los electrones, y p es la movilidad de los huecos. La carga Q [C] es resultado de la recombinacin de portadores (electrones y huecos) en la regin intrnseca, y est dada por [1]: (2) En situacin de polarizacin inversa, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie con el paralelo de una capacitancia CT y una resistencia RP, tal como se muestra en la figura 1b. El capacitor se puede obtener con [1]: (3) donde es la constante dielctrica del material de diseo y A es el rea de la unin del diodo.

(a)

(b)

Fig. 1. Circuitos equivalentes del diodo p-i-n en polarizacin (a) directa y (b) inversa

Se considera a la resistencia RP infinita. III. CIRCUITOS CONMUTADORES DE MICROONDAS EN BASE A DIODOS PIN

En la actualidad, los diodos p-i-n son mayormente utilizados en los sistemas de comunicaciones inalmbricas como elementos conmutadores para el control de las seales de RF [2]. En la figura 2, se muestra los conmutadores de un polo un tiro (SPST) tipos serie y paralelo.

(a)

(b)

Fig. 2 Conmutadores en base a diodos p-i-n SPST (a) serie (b) paralelo

Otro tipo de conmutadores de microondas son los conmutadores compuestos. Estos tienen mejores respuestas de aislamiento comparados con los conmutadores de un solo diodo p-i-n. Los
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conmutadores compuestos son combinaciones de los diodos p-i-n en serie y en paralelo [2]. La figura 3 muestra dos conmutadores compuestos de un polo un tiro (SPST). En un conmutador compuesto, cuando los diodos p-i-n en serie se polarizan directamente, y los diodos en paralelo se polarizan inversamente (o estado cero), se trata la prdida de insercin. El caso inverso se trata el aislamiento. En estos casos, los circuitos de control de los diodos son ms complejos en comparacin con los conmutadores simples.

(a)

(b)

Fig. 3 Conmutadores SPST (a) serie-paralelo ELL y (b) diseo TEE

III.1

Prdidas de insercin y aislamiento de los conmutadores

Los principales parmetros de desempeo de los conmutadores son la prdida de insercin, situacin de baja impedancia de los diodos por polarizacin directa, y el aislamiento, situacin de alta impedancia de los diodos por polarizacin inversa. La prdida de insercin se define como la relacin, generalmente en decibelios, de la potencia entregada por un conmutador ideal en estado de conduccin con la potencia real entregada por el conmutador en estado de conduccin [2]. Es decir: (4) El aislamiento es una medida del desempeo del conmutador en el estado abierto. Est definida como la relacin de potencia de las seales de microondas entregadas a la carga por un conmutador ideal en estado de conduccin con la potencia actual entregada a la carga cuando el conmutador est en estado abierto [2]. Es decir: (5) La siguiente Tabla muestra las expresiones matemticas para estimar los parmetros de desempeo de los conmutadores en base a diodos p-i-n.
Tabla 1. Expresiones para el clculo de prdida de insercin y aislamiento de conmutadores SPST [2]

Tipo Serie Paralelo Serie Derivacin TEE

Aislamiento (dB)

Prdidas de insercin (dB)

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IV.

RESULTADOS DE PRDIDA DE INSERCIN EN FUNCIN A LA FRECUENCIA DE OPERACIN

Consideramos al diodo p-i-n HPND4038 del fabricante AVAGO Technologies, cuyos parmetros de circuito equivalente en situacin de polarizacin directa e inversa son: 1.5 Ohms de resistencia serie y 0.0045pF capacitancia de unin. En la figura 4 se muestran las respuestas de prdida de insercin de los conmutadores serie-paralelo, paralelo y Tee utilizando el diodo HPND4038.

Fig. 4. Prdida de insercin respecto a la frecuencia de operacin

Como se puede apreciar, los conmutadores tipos Tee y Serie-Paralelo tienen un comportamiento de prdida de insercin lineal y constante de 0.4 y 0.2 dB, respectivamente, hasta aproximadamente los 10 GHz. La prdida de insercin para frecuencias por debajo de 10 GHz es menor en el conmutador de tipo paralelo. Conforme aumenta la frecuencia de operacin, la prdida de insercin en los tres conmutadores converge hacia 3 dB. Se analizaron las respuestas de prdida de insercin de los conmutadores en serie, paralelo, serie-paralelo y Tee, para los diodos p-i-n descritos en la Tabla 2 [3-6].
Tabla 2 Caractersticas de resistencia serie y capacitancia de unin de diodos p-i-n

Diodo HPND4005 HPND0002 HPND4028 HPND4038 5082-0012

Rs () 4.7 3.5 2.3 1.5 1

Cj( pF) 0.017 0.2 0.025 0.045 0.12

La prdida de insercin obtenida de los conmutadores en serie utilizando los diodos p-i-n de la Tabla 1 se detalla en la siguiente Tabla.

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Tabla 3. Valores de prdida de insercin de los conmutadores en serie para cada uno de los diodos utilizados

Diodo HPND4005 HPND0002 HPND4028 HPND4038 5082-0012

IL(dB) 0.4 0.3 0.1975 0.1293 0.0864

La figura 5 muestra la prdida de insercin en dB de los conmutadores en paralelo, serie-paralelo y Tee en funcin de la frecuencia de operacin, hasta los 10 GHz, utilizando los diodos p-i-n de la Tabla 2. La caracterstica de prdida de insercin de los conmutadores es exponencial. El conmutador en paralelo el de menor prdida de insercin en la frecuencia de 1GHz, utilizando cualquiera de los diodos. La prdida de insercin ms baja que se percibe es utilizando el diodo p-i-n HPND4005 excepto en el conmutador serie. El diodo 5082-0012 es el ms recomendado para utilizarse en un conmutador tipo serie, por tener una resistencia de polarizacin directa ms baja respecto a los otros diodos analizados.

(a)

(b)

(c)
Fig. 5. Prdida de insercin de conmutadores (a) paralelo, (b) Serie-Paralelo y (c) TEE

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V. RESULTADOS DE AISLAMIENTO EN FUNCIN A LA FRECUENCIA DE OPERACIN La figura 6 muestra los resultados de aislamiento de los conmutadores en funcin de la frecuencia de operacin, de 1 GHz a 100 GHz. El diodo HPND4005 en el conmutador tipo serie presenta una respuesta de aislamiento superior a 19 dB para frecuencias inferiores a los 10 GHz. Los diodos p-i-n 5082-0012, HPND4028 y HPND4038 presentan mayor aislamiento en el conmutador en paralelo, superior a 21 dB. Los cuatro diodos pueden ser utilizados en los conmutadores en serie-paralelo y TEE, por sus respuestas de aislamiento superiores a los 18 dB.

(a)

(b)

(c)

(d)

Fig. 6. Aislamiento de los conmutadores (a) serie, (b) paralelo, (c) Serie-Paralelo y (d) TEE

VI.

CONCLUSIONES

Se present un anlisis de los parmetros de los diodos p-i-n que influyen en las prdidas de insercin y aislamiento de cuatro tipos de conmutadores de seales de microondas. Existe una fuerte
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dependencia de las prdidas de insercin y aislamiento con la frecuencia de operacin. Un valor bajo de resistencia serie (Rs) del diodo p-i-n en situacin de polarizacin directa, no asegura en su totalidad buen desempeo del diodo en un conmutador. Es necesario calcular el nivel de aislamiento que puede presentar el conmutador utilizando tal diodo. El nivel de aislamiento depende, en algunos conmutadores, de la capacitancia de unin (Cj) que representa al diodo en situacin de polarizacin inversa.
AGRADECIMIENTOS Esta investigacin recibi el apoyo parcial del Proyecto SIP20090676. REFERENCIAS

[1] [2] [3] [4] [5] [6]

White, J,, Semiconductor Control, Artech House, Dedham, MA, 1977, pgs. 39-87. Gerald Hiller, Design with PIN diodes, Alpha Industries. Data sheet, 5082-0012 PIN Diode Chip for Hybrid MIC Switches/Attenuators, www.avagotech.com Data sheet, HPND-0002, Small Signal RF PIN Diode Chips for Hybrid Integrated Circuits, www.avagotech.com Data sheet, HPND4005, Beam Lead PIN Diode, www.avagotech.com Data sheet, HPND-4028, HPND-4038, Beam Lead PIN Diodes for Phased Arrays and Switches, www.avagotech.com

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