TRANSISTOR BJT

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que generalmente acta

como amplificador de corriente.

Existen cuatro modelos fabricados con diferente tecnologa, y con caractersticas y
propiedades fsicas bastantes diferentes, ellos son:

- Transistor Bipolar: Son de doble unin de tres terminales, y es controlado por
corriente.

- Transistor FET: Son de efecto de campo, unipolar que opera como un dispositivo
controlado por voltaje.

- Transistor MOSFET: Es un FET de metal oxido semiconductor.

- Transistor UJT: Monounin, usado esencialmente como interruptor de enganche.

1.- Estructura De Un Transistor Bipolar
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 82 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La
abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar Junction Transistor),
suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de
que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material
polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se
considera un dispositivo unipolar.
La representacin grfica de la estructura fsica y su smbolo es como se muestra en la
figura 82.


Fig. 82 Estructura de los transistores BJT

El Emisor el cual esta fuertemente dopado, la Base esta ligeramente dopada y es ms
angosta. Y el Colector esta dopado en forma intermedia.
Los transistores bipolares vienen empacados en:
- Cpsulas metlicas: Los que disipan mayor potencia, > 5 w
- Cpsulas plsticas: Los de baja potencia

2.- Modos De Operacin
Estos transistores por presentar dos uniones pueden tener en cada una de ellas dos tipos
de polarizacin directa e inversa. Dependiendo de cmo estn polarizadas las uniones se
tendrn los modos de operacin como se puede observar en la siguiente tabla.




Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 82
la operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la
funciones que cumplen el electrn y el hueco. Se realizar el estudio en el modo activo
para trabajar al transistor como amplificador, y para ello se muestra las polarizaciones,
tanto para un NPN como para un PNP. El espesor de la regin de agotamiento se redujo
debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de
portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n, mientras que la regin de
agotamiento de la otra unin aumenta debido a la polarizacin en inverso.
Al tener estas uniones polarizada de la manera indicada habr una gran difusin de
portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material
tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la
corriente de base I
B
o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a que el material
tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de
estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes (A), comparando con miliamperes (mA) para las corrientes del emisor y
del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de
la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del
colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden
atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera
que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados
aparecern como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios
inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la
regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los
portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesarn la unin con polarizacin
inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

A lo largo de este captulo todas las direcciones de corriente harn referencia al flujo
convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el
transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo
convencional) a travs del dispositivo. Ver Figura 82


Fig. 83 Polarizacin de los transistores BJT


3.- Configuracines Del Transistor

3.1-Configuracin Base Comn (B-COM).
Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa de la
base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la
salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o
que se encuentra en, el potencial de tierra.

Fig. 84 Configuracin Base Comn

Para el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de
base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, una para los parmetros de
entrada y la otra para los parmetros de la salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (I
E
) con la tensin de
entrada (V
BE
) en funcin de la tensin de salida (V
CB
). El conjunto de caractersticas de la
salida relaciona la corriente de salida (I
C
) con la tensin de salida (V
CB
) en funcin de la
corriente de entrada (I
E
). All encontramos las tres regiones bsicas de operacin.


Fig. 85 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin Base Comn NPN

En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (I
E
) es cero; esa no es
la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa I
CO
.
La corriente I
CO
real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la
escala vertical de I
C
= 0. Las condiciones del circuito que existen cuando I
E
= 0 para la
configuracin de base comn se muestra en la figura 86. La notacin que con ms
frecuencia se utiliza para I
CO
en los datos y las hojas de especificaciones es, I
CBO
.


Fig. 86 Transistor NPN con el Emisor Abierto

Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de I
CBO
para los transistores
de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana,
por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades
de mayor potencia I
CBO
, as como I
S
, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas)
son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de I
CBO
puede
convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la
temperatura.

3.2-Configuracin Emisor Comn (E-COM)

Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace
referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto
a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de
caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de
emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor que relacionar la corriente
de entrada (I
B
) con la tensin de entrada (V
BE
) en funcin de la tensin de salida (V
CE
). El
conjunto de caractersticas de la salida relaciona la corriente de salida (I
C
) con la tensin
de salida (V
CE
) en funcin de la corriente de entrada (I
B
).


Fig. 87 Configuracin Emisor Comn


Fig. 88 Caracterstica de Entrada y Salida de la Configuracin Emisor Comn NPN

3.3.-Configuracin Colector Comn (C-COM) o Configuracin Emisor Seguidor.

La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento
de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia
de salida, contrariamente a las de las configuraciones de base comn y de un emisor
comn.
La figura 89 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de
carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado
a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del
emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto de
caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito. Puede disearse
utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son la
mismas que para la configuracin de emisor comn.


Fig. 89 Configuracin Colector Comn o Emisor Seguidor

No importa la configuracin, si al transistor se quiere trabajar en un modo en particular, se
deben realizar las polarizaciones correspondientes.

4.- Curva Caractersticas

Los transistores, se estudian y analizan a travs de sus curvas caractersticas; con ellas
se puede conocer el comportamiento o funcionamiento elctrico del elemento,
expresndose las relaciones grficas de las corrientes I
B,
I
E
e I
C
en funcin de las
tensiones exteriores aplicadas y para cualquiera de las configuraciones en que puede ser
empleado el transistor E-COM, B-COM C-COM.
Las curvas no son universales, cada tipo concreto de transistor, tiene las suyas,
normalmente diferentes de los dems, aunque semejante en forma.
Las curvas dadas por el fabricante representa la caractersticas media de una serie de
fabricacin con un elevado nmero de unidades.
Existen dos (2) familias de curvas de especial importancia y son, la de entrada y la de
salida.

1. Las curvas de entrada: Expresan grficamente la relacin entre la corriente de
base (I
B
) y la tensin Base-Emisor (V
BE
) para una tensin colector-Emisor constante. Con
ellas se puede calcular la corriente que circula por la base cuando se aplica una tensin
externa entre est y el emisor. Ellas se corresponde con las curvas del diodo de unin
con polarizacin directa.




2. Las curvas de salida: Expresan la relacin entre la corriente de colector (I
c
) para
una tensin colector- Emisor (V
CE
), cuando I
B
se mantiene constante.


En estas curvas se pueden identificar tres regiones de operacin del transistor las cuales
son:

a.- Regin Activa o Lineal: Est ubicada por encima de la tensin C-E en 0,7V, donde
las curvas caractersticas son casi constantes, es decir, I
C
aumenta ligeramente a medida
que V
CE
aumenta, en esta zona I
C
depende de I
B
. En esta regin el transistor trabaja como
amplificador.

b.- Regin de Saturacin: Esta ubicada por debajo de V
CE
= 0.7V, donde las curvas se
unen; en esta regin se tiene que I
C
aumenta rpidamente para pequeas variaciones de
V
CE
, Cuando V
CE
cae por debajo de V
BE
, se tendr que V
CB
es negativa ( V
CB
= V
CE
V
BE
)
y polariza directamente a la unin C-B, entrando el transistor a saturacin.

c.- Regin de Corte: Se ubica para una corriente I
B
= 0 para este caso la corriente de
colector I
C
es muy pequea, igual a la corriente de fuga I
CEO
.

5.- Relacin De Corrientes
Por definicin I
E
= I
B
+ I
C

I
C
= o I
E
+ I
CBO


o: Es una constante de proporcionalidad, es decir, una proporcin de la corriente de
emisor en el colector, Tambin conocida como GANANCIA DE CORRIENTE BAJO LA
CONFGIGURACIN DE BASE COMN. La cual siempre tiene un valor < 1.
I
E
= f (I
B
) I
e
= I
B
+ o I
E
+ I
CBO

Si I
CBO
~ 0 I
E
= I
B
+ o I
E
o
=
1
B
E
I
I

) (
B C
I f I =

CBO E C
I I I + =o

Si I
CBO
~ 0

E C
I I o =
E
C
I
I
= o


Como
o
=
1
B
E
I
I

B C
I I
o
o

=
1
DONDE
|
o
o
=

=
1
B
C
I
I

|
: Factor de amplificacin de corriente, conocido comnmente como GANANCIA DE
CORRIENTE BAJO LA CONFIGURACIN EMISOR COMN.
|
Se puede conseguir a travs de las curvas caractersticas del fabricante normalmente
su valor oscila entre 50 y 400.

o
o
|

=
1
Y
|
|
o
+
=
1


6.- Polarizacin Del Transistor

6.1.- POLARIZACIN FIJA.


R
B
= Resistencia de la Base

R
C
= Resistencia del Colector

V
CC
= Tensin de alimentacin

I
B
= Corriente de base

I
C
= Corriente de Colector


Fig. 90 Circuito Con polarizacin Fija

El anlisis del circuito de polarizacin se realiza en forma separada, es decir, se
considerar primero el circuito de entrada (Base Emisor) y luego el circuito de salida
(Colector Emisor).

Circuito De Entrada.
En la figura 91 se muestra el circuito base-emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacin:

0 * =
BE B B CC
V R I V

Donde:
B
BE CC
B
R
V V
I

=







Fig. 91 Circuito De Entrada

Como los valores del voltaje de V
CC
y V
BE
son fijos, la seleccin de un resistor de
polarizacin de base fija el valor de la corriente de la base I
B
.

Circuito De Salida.
En la figura se muestra el circuito de colector emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacin:
0 * =
CE C C CC
V R I V






Fig. 92 Circuito De Salida

En la regin activa la corriente de colector se relaciona
con la corriente de base a travs de la ganancia de
corriente del transistor | o h
FE
y se expresa da
la siguiente forma:

B C
I I * | =

Donde la corriente de base se ha calculado a travs del circuito de entrada; se puede
observar que la corriente de colector (I
C
), solo depende de la corriente de base y no de la
resistencia R
C
en el circuito de salida.
Conociendo a I
C
por I
B
, entonces se puede calcular a V
CE
como sigue:

C C CC CE
R I V V * =

El calculo de I
C
, V
CE
e I
B
representan el punto de trabajo (Q) del transistor en corriente
continua (DC).

Ejemplo.
Calcular los voltajes y corrientes de polarizacin en CD para el circuito mostrado sabiendo
que | = 50


Fig. 93 Ejemplo de un Circuito Con polarizacin Fija



SATURACIN DEL TRANSISTOR:
Siempre y cuando el transistor este trabajando en su regin activa o lineal se cumple
B C
I I * | = , pero si el transistor se encuentra en la regin de Saturacin ya esta
ecuacin no se valida. Se debe recordar que, si el transistor trabaja en la regin activa, la
unin base- emisor debe estar polarizada en directa y la unin colector base en inverso,
esto es cierto slo si el voltaje V
CE
> V
BE
. Como V
CE
= V
CC
I
C
* R
C
que V
CC
> I
C
*R
C

para que el transistor este activo, es decir,
C
CC
C
R
V
I < . Si I
C
se hace mayor o igual a
C
CC
R
V
,
el transistor est operando en la regin de saturacin. En este caso el valor de
C
CESAT CC
C
R
V V
I

~ , siendo V
CESAT
= 0V 0.3V y
B
BE CC
B
R
V V
I

= . Si el circuito se necesita
como amplificador, no se debe esperar que el transistor este en la zona de saturacin.
CORTE DEL TRANSISTOR:
Cuando el transistor est trabajando en la regin de corte, la corriente I
B
= 0 I
C
= 0 y
V
CE
= V
CC
. Regin no deseada para el transistor cuando se quiere trabajar como
amplificador.

6.2.- POLARIZACIN CON RESISTENCIA EN EL EMISOR
Este circuito brinda una mejor estabilidad de polarizacin que el circuito de polarizacin
fija, ya que en ste
B C
I I * | = y | vara hasta para el mismo tipo de transistor, es decir,
si se cambia el transistor por uno del mismo tipo la corriente I
C
variar an con I
B

constante.



R
C
=Resistencia de colector
R
E
=Resistencia de emisor
R
B
=Resistencia de base
I
E
= Corriente de emisor
I
C
= Corriente de colector
I
B
= Corriente de base


Fig. 94 Circuito Con polarizacin con resistencia en
el emisor
Circuito De Entrada:
Se tiene que
0 * * =
E E BE B B CC
R I V R I V
por
definicin
C B E
I I I + =
e
B C
I I * | =
, por lo tanto
B B B E
I I I I * ) 1 ( * | | + = + =
entonces sustituyendo tenemos:
0 * * ) 1 ( * = +
B E BE B B CC
I R V R I V |

Donde
E B
BE CC
B
R R
V V
I
* ) 1 ( + +

=
|
e
B C
I I * | = .


Fig. 95 Circuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor

Circuito De Salida:

Se tiene que 0 * * =
E E CE C C CC
R I V R I V como
E C
I I * o = tenemos
) (
o
E
C C CC CE
R
R I V V + =
al igual que en el caso anterior el punto de trabajo (Q) viene
dado por los valores de I
C
, V
CE
e I
B
.









Fig. 96 Circuito de entrada polarizacin con
resistencia en el emisor
Ejemplo.
que | Calcular los valores de I
c
, I
B
y V
CE
sabiendo
= 50











Fig. 97 Ejemplo Circuito de entrada
polarizacin con resistencia en el emisor



Resultados:
I
B
= 40,12A; I
C
= 2.01mA; V
CE
= 13.94V

COMPARACIN
Como se mencion anteriormente, al agregar la resistencia de emisor a la polarizacin de
CD mejorar la estabilidad de est, es decir, las corriente y voltajes de polarizacin de CD
se mantienen ms cercanos a los puntos donde fueron fijados por el circuito, an cuando
cambie el valor de | del transistor.
Para el ejemplo anterior si | se cambia a 100 tendremos los siguientes resultados:
I
B
= 36.27A; I
C
= 3.62mA; V
CE
= 9.08 V

| I
B
(A) I
C
(mA) V
CE
(V)
50 40.12 2.01 13.94
100 36.27 3.62 9.08

I
C
cambia casi un 50% para un cambio de
|
al 100%. El decremento de I
B
ayuda a
mantener I
C
o al menos reducir al cambio total de I
C
con
|
.

6.3.- CIRCUITO DE POLARIZCAIN DC INDEPENDIENTE DE |.
En los circuitos de polarizacin de CD analizados anteriormente, se tena que los valores
de corriente y voltajes de polarizacin del colector dependan de |. Debido a este
problema se hizo necesario un circuito de polarizacin independiente de |, recordando de
que | es sensible a la temperatura (sobre todo si el transistor es de Silicio Si) y adems su
valor nominal no esta bien definido. El circuito que se muestra en la figura 98, cumple con
la condicin de que su polarizacin es independiente de |, Tambin conocido como

Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin.
Para el anlisis del circuito se sigue el procedimiento descrito en los circuitos anteriores;
Primero se trabaja con el circuito o malla de entrada y luego con el de salida.



Fig. 98 Circuito de polarizacin por divisor de Tensin


Circuito O Malla De Entrada
Si la resistencia que se observa desde la base (R
B
) es mayor que la resistencia R
1
,
entonces el voltaje de la base se ajusta mediante el divisor de voltaje de R
1
y R
2
; si esto
es cierto, la corriente que circula a travs de R
2
pasa casi por completo por R
1
y las dos
resistencias pueden considerarse efectivamente en serie.

Fig. 99 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin malla de Entrada

Si R
B
>> R
1

I
1
~ I
2


Entonces el voltaje en la unin de las resistencias, que es tambin el voltaje de la base
del transistor, se determina simplemente por un divisor de voltaje de R
1
y R
2
, y el voltaje
de alimentacin; por lo tanto obtendremos que:

2 1
1
*
R R
V R
V
cc
BB
+
= Y
2 1
// R R R
B
=


Dando como resultado el siguiente circuito:

Fig. 100 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Simplificado



Recorriendo la malla de entrada tenemos:
0 * * =
E E BE B B BB
R I V R I V
Como
B B B C B E
I I I I I I * ) 1 ( * | | + = + = + =

Entonces:
E B
BE BB
B
E B B BE BB
R R
V V
I
R R I V V
) 1 (
] ) 1 ( [
|
|
+ +

=
+ + =


Para que las corrientes no dependan de |, por lo general se considera que (1+|)R
E
>>
R
B
, entonces:
E
BE BB
B
R
V V
I
) 1 ( | +

= como I
c
= |I
B
y como (1+|) ~ | entonces:


E
BE BB
E
BE BB
C
R
V V
R
V V
I

~

=
|
| ) (
.

Circuito De Salida.

Fig. 101 Circuito de Polarizacin por Divisor de Tensin Malla de Salida

La ecuacin de salida es:
0 * * =
E E CE C C CC
R I V R I V

|
.
|

\
|
+ =
o
E
c C CC CE
R
R I V V






CONDICION DE SATURACIN
V
CESAT
= 0 0.3V
E C
CSESAT CC
CSAT
R R
V V
I
+

= e
|
CSAT
BSAT
I
I =
CONDICIN DE CORTE
I
B
= 0, I
C
= 0 Y V
CE
= V
CC

EJEMPLO
Hallar el punto de operacin del siguiente circuito sabiendo que V
BE
= 0,7V y
considerando un |= 70 y 140.

K
K K
K K
R
B
55 . 3
39 9 . 3
39 * 9 . 3
=
+
= V
K K
V K
V
BB
2
39 9 . 3
22 * 9 . 3
=
+
=


Transformando el circuito de entrada tenemos:
Circuito de entrada:



E B
BE BB
B
E B B BE BB
R R
V V
I
R R I V V
) 1 (
] ) 1 ( [
|
|
+ +

=
+ + =

Para |=70
A
K K
V V
I
B
81 . 11
5 . 1 * 71 55 . 3
7 . 0 2
=
+

=
mA A I I
B C
8268 . 0 81 . 11 * 70 * = = = |

Para |= 140
A
K K
V V
I
B
045 . 6
5 . 1 * 141 55 . 3
7 . 0 2
=
+

=
mA A I I
B C
846 . 0 045 . 6 * 140 * = = = |
Circuito de salida.

Para | =70
|
.
|

\
|
+ =
o
E
c C CC CE
R
R I V V
; 9859 . 0
71
70
= = o
V
K
K mA V V
CE
47 . 12
9859 . 0
5 . 1
10 8268 . 0 22 =
|
.
|

\
|
+ =

Para |=140
9929 . 0
141
140
= = o
V
K
K mA V V
CE
26 . 12
9929 . 0
5 . 1
10 846 . 0 22 =
|
.
|

\
|
+ =



| I
B
(A) I
C
(mA) V
CE
(V)
70 11.81 0.8268 12.47
140 6.045 0.846 12.26



6.4.- CIRCUITO DE POLARIZACIN EN CD CON REALIMENTACIN DE TENSIN DE
COLECTOR.
Adems de la resistencia de emisor para mejorar la estabilidad del punto de operacin
(Q), una retroalimentacin de voltaje se le suma a esta mejora. El circuito de la figura 102
muestra este tipo de polarizacin.


Fig. 102 Circuito de Polarizacin con Realimentacin de Tensin

Circuito o malla de entrada:
0 * * * =
E E BE B B C CC
R I V R I R I V

B E B C
I I I I I I * ) 1 ( | + = = + =

0 * ) ( * * ) 1 ( = + +
BE B B E C B CC
V R I R R I V |

) )( 1 (
E C B
BE CC
B
R R R
V V
I
+ + +

=
|

B C
I I * | =

Circuito de salida:
0 * * =
E E CE C CC
R I V R I V

E
I I =

) ( *
E C E CC CE
R R I V V + =


7.- ANLISIS GRFICO DE POLARIZACIN EN CD
Existe una tcnica grfica para mostrar la ubicacin del punto de trabajo de un circuito con
transistor, sta tcnica se basa en dibujar una recta llamada recta de carga de CD, la cual
se consigue con la ecuacin de salida del circuito; esta ecuacin se va a representar
sobre los ejes de las curvas de salida, que relacionan la corriente de colector (I
C
) con la
tensin Colector-Emisor (V
CE
) si se trata de una Configuracin Emisor Comn.

PASOS A SEGUIR PARA LA GRAFICACIN.
Circuito Autopolarizado.


Fig. 103 Circuito Autopolarizado
Se busca la ecuacin de salida del circuito:
|
.
|

\
|
+ =
o
E
C C CC CE
R
R I V V

Se dibuja la ecuacin de salida sobre la curva caracterstica de salida del transistor
de la siguiente forma:
1. Se hace I
C
= 0 para conseguir el punto de corte en V
CE
quedando que V
CE
=
V
CC.

2. Se hace V
CE
= 0 para conseguir el punto de corte en I
C
quedando que
o
E
C
CC
c
R
R
V
I
+
= si se considera que I
C
~ I
E

E C
CC
c
R R
V
I
+
=
3. Uniendo los dos puntos se consigue la recta de carga de CD.


Fig. 104 Recta de Carga en Continua

Se puede observar que la recta de carga en CD solo depende de V
CC
, R
C
y R
E
; la
pendiente depende de R
C
y R
E
y es el inverso de la resistencia de salida en CD.

Si los valores de R
C
y R
E
varan, la pendiente de la recta de carga tambin variar. En la
figura 105 se puede observar como vara la pendiente de la recta para las variaciones de
(R
C
+ R
E
).




Fig. 105 Recta de Carga en Continua para las Variaciones de R
C
y R
E


Tambin el cambio de voltaje V
CC
mover la recta de carga de CD en forma paralela, pero
manteniendo la pendiente, tal como se muestra en la figura 106.

Fig. 106 Recta de Carga en Continua para las Variaciones V
CC


Debido que la operacin del circuito depende tanto de las caractersticas del transistor,
como de los elementos del circuito, la graficacin de ambas curvas (las caractersticas del
transistor y la recta de carga de CD) sobre una grfica permite la determinacin del punto
de operacin (Q) del circuito. La recta de carga de CD describe todos los valores posibles
de voltaje y corriente en la seccin de colector- emisor del circuito.



Fig. 107 Recta de Carga en Continua sobre la caracterstica de Salida del Transistor

8.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (R
C
) si se
hace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor
abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de
transistor como interruptor son: el voltaje del circuito que se va a encender y la corriente
que requiere con ese voltaje. El voltaje V
CC
se hace igual al voltaje nominal del circuito, y
la corriente corresponde a la corriente I
CSAT
. Se calcula la corriente de saturacin mnima,
luego la resistencia de base mnima:
|
CSAT
BSAT
I
I =
min

min
max
BSAT
ON
B
I
V
R =
Donde V
on
es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe
usar una R
B
por lo menos 4 veces menor que R
Bmax.

Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en R
B
de apagado V
OFF
que haga que el
circuito entre en corte.
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados
lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro
campo se aplican para activar y desactivar rels, en este caso como la carga es inductiva
(bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la "patada
inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una proteccin con un
diodo en una aplicacin llamada diodo volante.


Fig. 108 El Transistor NPN como Interruptor (a) Circuito Apagado (b) Circuito Encendido


Fig. 109 Circuito para el accionamiento de un rel


FET: Transistores de efecto campo

Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el
concepto bsico de los FET se conoca ya en 1930, estos dispositivos slo empezaron a fabricarse
comercialmente a partir de la dcada de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET
han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan
menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor.
Adems su proceso de fabricacin es tambin ms simple. Adems, existe un gran nmero de
funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS (sin resistencias
ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)
Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se
muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y
drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).


Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N
Los smbolos de este tipo de dispositivos son:

Figura 2: Smbolos de los transistores JFET
Las explicaciones incluidas en este captulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET,
teniendo en cuenta que el principio de operacin del PJFET es anlogo.

PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET
A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede con los
transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operacin:
- Regin de corte
- Regin lineal
- Regin de saturacin
Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno completamente distinto
al de los transistores BJT.

Regin de corte
Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo
con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se forma una unin PN aparecen en los
bordes de la misma una zona de depleccin en la que no hay portadores de carga libres. La
anchura de dicha zona depende de la polarizacin aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms
ancha, proporcionalmente a la tensin aplicada. Aplicando una tensin VGS negativa aumentamos
la anchura de la zona de depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se extender
completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita y se impedir
el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede este fenmeno se denomina potencial de
bloqueo (Pinch Voltage, VP).


Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo
Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la
regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.

Regin lineal
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una
corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de
dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden
distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS.
Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente
La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la unin GS con una tensin
negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.

Figura 4: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0
Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que en una
primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble
dependencia:
- La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS
- La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID est limitada
por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la anchura del canal, y mayor
la corriente obtenida.
Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:


Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y a VDS.
Valores altos del voltaje drenaje-fuente
Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situacin cambia con respecto al caso
anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su comportamiento
hmico. Veamos por qu sucede esto.
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo largo del
canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser de 5 V, pero a medio camino la
corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el potencial
ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la tensin se distribuir
uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente (Figura 5). (NOTA: se
desprecia la cada de tensin en las zonas situadas por debajo de los contactos).

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V
Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es de 2 V, que se
corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensin aumenta:
en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarizacin inversa aplicada al canal no
es constante, con lo que la anchura de la zona de depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando
VDS es pequea, esta diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando
aumenta, la variacin de la seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin
no lineal de VDS, y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.

Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de conduccin no lineal

Regin de saturacin

Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo del
drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de
VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo
que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de corriente constante
La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la
tensin puerta-drenaje es ms negativa que VP, es decir:
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. En el caso del bloqueo, todo
el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es constante porque la tensin VGS se
aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la regin de corriente constante slo
parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que vara a lo largo del mismo), y es lo
que permite la circulacin de la corriente.

CURVAS CARACTERISTICAS
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer
lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso
de la regin de corte a la de saturacin (Figura 8). En la prctica slo se opera en el segundo
cuadrante de la grfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rpidamente IG.

Figura 8: Caracterstica VGS - ID del transistor NJFET

En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y
de saturacin (Figura 9). En la regin lineal, para una determinada VGS, la corriente crece
proporcionalmente a la tensin VDS. Sin embargo, este crecimiento se atena hasta llegar a ser
nulo: se alcanza el valor de saturacin, en donde ID slo depende de VGS.

Figura 9: Caracterstica VDS - ID del transistor NJFET
Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con la regin activa
normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector slo depende de
la de base, aqu la magnitud de control es la tensin VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET
en la regin lineal es muy pequea puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones
lineal de JFET y de saturacin del BJT.

PARMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores JFET que ofrecen los
fabricantes en las hojas de datos:
- IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuracin de
fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la prctica marca la mxima
intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET
presentan amplias dispersiones en este valor.
- VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS,
presenta fuertes dispersiones en su valor.
- RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se
mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de estrangulamiento.
- BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre fuente y drenaje.
Tensiones ms altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
- BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la unin entre la
puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una
conduccin por avalancha de la unin.

MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET
Anlogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para el JFET:
uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con seales continuas y otro para las
seales alternas aplicadas sobre un punto de operacin de la regin de saturacin.
En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operacin, a saber, corte,
saturacin y zona lineal. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen
posteriormente las expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de pequea
amplitud.

Modelo esttico ideal

Para el transistor NJFET, el modelo viene representado en la Figura 10. El valor de ID depende de
la regin de funcionamiento del transistor.

Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET
- 1 - Regin de corte: la condicin de la regin de corte es que el canal est completamente
estrangulado en las proximidades de la fuente, lo que sucede cuando la tensin puerta-fuente
alcance la tensin de estrangulamiento (VGS<VP). En este caso ID=0.
- 2 - Regin lineal: es la regin en que se produce un incremento de la intensidad ID al
aumentar VDS. Este incremento es lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad se pierde
cuando VDS se acerca a -VP. Para trabajar en la regin lineal se deben dar dos condiciones:
o VGS > VP
o VGD > VP VGS > VP + VDS
Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conduccin no se estrangula por la zona de
depleccin en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la fuente. El valor que toma la
corriente ID es

- 1 - Regin de saturacin: la regin de saturacin tiene lugar cuando la tensin entre
drenador y puerta alcanza la tensin de estrangulamiento. Para que ello ocurra, el canal N, tiene
que estar estrangulado en el extremo cercano al drenaje, pero no en el extremo del canal cercano
a la fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior, deben ocurrir dos condiciones:
o VGS > VP
o VGD < VP VGS < VP + VDS
En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS, siendo su expresin

Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos, mientras
que VDS e IDSS son positivos, tomando la direccin ID tal y como aparece en el modelo.

Modelo para seales alternas
Para la deduccin del mismo se consideran las siguientes hiptesis:
- Transistor polarizado en la regin de saturacin
- Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia
Expresiones generales
De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del modelo se escogen como variables
independientes las tensiones VGS y VDS, mientras que las dependientes son las corrientes IG e ID.
De este modo, las ecuaciones caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2
tales que:


Las tensiones y corrientes de un punto de polarizacin concreto vendrn dadas por las expresiones
anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operacin Q se aade una componente alterna, caracterizada
por un VGS y por un VDS. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse como:

A partir de este momento, para simplificar la notacin se escribirn con letra minscula los
incrementos de las variables. La expresin anterior admite una representacin matricial:

en donde los coeficientes yij se llaman parmetros admitancia.
- yis : Admitancia de entrada (-1)
- yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1)
- yfs : Transconductancia (-1). Se suele nombrar como gm
- yos : Admitancia de salida (-1)
Clculo de los parmetros admitancia
Para el clculo de los parmetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo
esttico para la regin de saturacin.
- Funcin f1 =>
- Funcin f2 =>


La representacin circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema presentado en
la Figura 10.

TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de
operacin y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS:
- Enriquecimiento de canal N
- Enriquecimiento de canal P
- Empobrecimiento de canal N
- Empobrecimiento de canal P
Los smbolos son:



Figura 11: Transistores MOSFET
La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de
puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es
aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET.
Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.

PRINCIPIO DE OPERACION
De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de
funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.
NMOS de enriquecimiento
En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.


Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento
Supongamos que se aplica una tensin VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en
cero. Al aplicar una tensin positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma ste con el sustrato
P se polarizar en inversa, con lo que no se permitir el paso de corriente: el MOS estar en corte.
Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras
mantenemos la VDS positiva tambin. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que
permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. A
mayor potencial aplicado, mayor nmero de electrones ser atrado, y mayor nmero de huecos
repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un
canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede
circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la
circulacin de corriente ID (Figura 13). Nos encontramos ante una regin de conduccin lineal.

Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conduccin
Si el valor de VDS aumenta, la tensin efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje (VGS
- VDS) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se pierde la linealidad en
la relacin ID - VDS. Finalmente se llega a una situacin de saturacin similar a la que se obtiene
en el caso del JFET.
NMOS de empobrecimiento
En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.


Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento
En este caso el canal ya est creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensin VDS
aparecer una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte ser
necesario aplicar una tensin VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte
Tambin en este caso, la aplicacin de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situacin de
corriente independiente de VDS.

CURVAS CARACTERSTICAS
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de grficas: la caracterstica VGS - ID, con VDS
constante, y la VDS - ID con VGS constante.
Transistor NMOS de enriquecimiento


Figura 16: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento
En la Figura 16 se pone de manifiesto cmo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se
supera la tensin umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. Es un componente idneo
para conmutacin, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conduccin a partir de un valor
de la seal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de
xido de silicio, la tensin umbral est en torno a los cinco voltios.

Figura 17: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento
La caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET,
pero los valores de VGS cambian: en este caso la conduccin se da para voltajes positivos por
encima del umbral.












Transistor NMOS de empobrecimiento

Figura 18: Caracterstica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento
El NMOS de empobrecimiento puede funcionar tambin como transistor de enriquecimiento. Si la
tensin VGS se hace positiva se atraern electrones al canal. Adems, a diferencia de los JFET, la
impedancia de entrada continua siendo muy elevada.

Figura 19: Caracterstica VDS - ID del transistor NMOS de empobrecimiento

PARMETROS COMERCIALES
Los parmetros comerciales ms importantes del transistor MOS son anlogos a los de los JFET
presentados en el apartado 1.3.

MODELOS CIRCUITALES
Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares a las de
los JFET. Por ello, todos admiten una representacin circuital anloga.
Modelo esttico de Schichman-Hodges
El modelo esttico del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. Es un
modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET, descrito anteriormente. El circuito
equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad (Figura 20) cuyo valor
ID depende de la regin de funcionamiento del transistor.


Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS
Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son:
- 1 - Regin de corte
o Condicin VGS<VTH
o Intensidad ID=0
- 2 - Regin lineal.
o Condiciones: VGS>VTH
VGD < VTH VGS < VTH+VDS
- Intensidad:
Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor

- me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la temperatura
- W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geomtricos que dependen del diseo
del transistor.
- C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de la
puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del xido de puerta.
1. Regin de saturacin
o Condiciones VGS > VTH
VGD > VTH VGS > VTH+VDS
- Intensidad:
Modelo para seales alternas
Para el caso en el que el transistor soporte seales alternas de pequea amplitud y baja frecuencia
sobre un punto de polarizacin en regin de saturacin, puede demostrarse de forma anloga a
como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se calcula a travs de la
siguiente expresin


APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Las aplicaciones generales de todos los FET son:

ELECTRONICA ANALOGICA
Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y
soportar elevadas tensiones en estado de corte.
- Resistencias variables de valor gobernable por tensin (variando la anchura del canal).
- Amplificadores de tensin, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja
potencia.
- Control de potencia elctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificacin los circuitos se disean para que el punto de operacin DC del MOS
se encuentre en la regin de saturacin. De este modo se logra una corriente de drenaje
dependiente slo de la tensin VGS.

ELECTRONICA DIGITAL
Los MOS se emplean a menudo en electrnica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos
estados diferenciados (corte y conduccin) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta
aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda
considerarse que:
- La cada de tensin en conduccin es muy pequea.
- La transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea.

EJERCICIOS
- En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = - 5 V se mide una intensidad de drenaje ID
= 1mA. Hallar cunto vale la tensin VGS si se admite que trabaja en la regin de saturacin. Hallar
la tensin de alimentacin E mnima para que el transistor trabaje en saturacin.

- En el circuito de la figura, se pide:
1.- La tensin VGS si se admite que el transistor est en saturacin.
2.- Si VIN = 5V, calcular cuanto vale VDS.
Datos del transistor: IDSS = 5mA; VP= - 3V


- Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una resistencia. Se pide:
1.- Indicar la regin de funcionamiento del transistor.
2.- Calcular el punto de operacin del transistor.
3.- Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k, hallar el nuevo punto de operacin del
transistor.
Datos del transistor: IDSS = 2mA; VP= - 3V


- El transistor NJFET de la figura tiene una IDSS=12mA y VP=-4V. Determinar el valor
mnimo de E para que el transistor trabaje en la regin de saturacin.

- Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite que ID=5mA.

- Determinar el punto de operacin del transistor FET de la figura suponiendo que se
encuentra en zona de saturacin.
Datos: IDSS=5mA VP=-4V

- Hallar el punto de operacin del transistor de la figura. Datos: IDSS=15mA; VP=-10V


- En el circuito de la figura, calcular la resistencia de entrada RIN y la tensin de salida
VOUT. Si se conecta una resistencia de 4.7k a la salida del circuito, calcular la tensin de salida.
Datos del transistor: IDSS=8mA, VP=-10V

- En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460. Calcular la ganancia de
tensin del circuito. Nota: Utilizar para ello los valores medios de los parmetros del transistor.

- Determinar la ganancia de tensin del circuito de la figura. Datos del transistor: gm=3.8
mmhos

- El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta una carga RL.
a) Calclese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra en la
regin de saturacin.

b) Hallar la resistencia RL mxima que se puede alimentar con la intensidad hallada mediante el
circuito anterior
Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486, calcular entre qu valores se
puede esperar que vare la intensidad I cuando el transistor trabaja en la regin de saturacin.
Datos: Idss=10mA; VP=-5V.

- Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios, disee una fuente de
corriente constante de 0.2mA. Cul ser la carga mxima que puede alimentar la fuente de
corriente?
- En el circuito de la figura, calcular la tensin de salida si la tensin de entrada es 3V.
Considerar que el transistor trabaja en la regin de saturacin. Datos adicionales: R=100K; E=15V

- La tensin de entrada Vin es una tensin que vara muy lentamente con el tiempo de
manera que, se puede resolver el circuito mediante un anlisis en continua. Si E=10V e ID=1mA,
calcular la relacin entre Vout y Vin. Qu intensidad ID se debe establecer en la fuente si se quiere
que Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V

- En el circuito de la figura, si ambos transistores son idnticos y se encuentran
trmicamente acoplados. Hallar la relacin entre VOUT y VIN.


- Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. Datos:
VTH = 5 V. ECC = 20 V.

- Para el diseo de una puerta lgica inversora, se realiza un esquema como el que se
representa a continuacin.

a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados lgicos
'1' y '0' de la entrada (10 V. y 0 V. Respectivamente).
b) Qu misin tiene la resistencia de 15 k?.
- El siguiente circuito lgico est diseado segn la tcnica CMOS (Complementary-MOS).
Se denomina as por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS.

a) Explicar su funcionamiento y determinar qu tipo de puerta lgica es.
b) Comparar este circuito con el del anterior. Qu ventajas presenta en cuanto a consumo de
potencia?.
- Seleccionar el transistor ms apropiado para el circuito lgico siguiente (0 < VIN < 10V)
(Calcular los parmetros comerciales del transistor):


- Determinar a qu tipo de puerta lgica corresponden los dispositivos de la figura (Entradas:
V1 y V2; Salida: VO)

Qu consumo de potencia hay en los estados lgico '1' y '0' de ambos circuitos?
- El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un interruptor. Cuando se
polariza la puerta con una tensin de 15V, el transistor deja pasar una corriente para alimentar la
resistencia de carga. Al polarizar con 0V la puerta, el transistor permanece en corte. Se pide:
a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta funcin.
b) Calcular aproximadamente la prdida de potencia en el transistor si la seal de entrada est
comprendida entre 0 y 5V.

- Un transistor NMOS de depleccin tiene un VP=-2V y K=2mA/V2. Calcular la VDS mnima
para operar en la regin de saturacin si VGS=1V.
- El transistor MOSFET de depleccin de la figura tiene una K=4mA/V2 y VP=-2V. Calcular la
tensin de la fuente


- Calcular los parmetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para
que el transistor opere con una ID=0.4mA y VD=1.Datos: VTH=2V; K=0.4mA/V2

Se desea disear un circuito de alarma para un coche de manera que al salir del coche con las
luces encendidas, suene un zumbador. Para detectar la apertura de la puerta se dispone de un
sensor magntico entre la puerta y el coche que se cierra con la puerta y da una seal de 0V. Al
abrir la puerta, el sensor da una seal de 5V. Por otro lado, se tiene un dispositivo que detecta el
paso de corriente en el circuito de iluminacin. Se obtiene una seal de 5V con las luces encendidas
y de 0V con las luces apagadas. El zumbador tiene que estar alimentado entre 1 y 16V y recibir una
corriente de 30mA. Disee el circuito con los transistores MOSFET necesarios.








(parte tema 6)
Transistor Darlington

Diagrama de la configuracin Darlington.
En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo.
La configuracin (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero
de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue
patentada por l, pero no la idea de poner un nmero arbitrario de transistores que originara la idea
moderna de circuito integrado.

Comportamiento
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de
corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la
misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores
individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda
convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas
tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par
darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la beta total.


Si
1
y
2
son suficientemente grandes, se da que:

Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos uniones
entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de
ambas tensiones base-emisor:

Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada V
BEi
es de aproximadamente 0,65 V cuando el
dispositivo est funcionando en la regin activa o saturada, la tensin base-emisor necesaria de la
pareja es de 1,3 V.
Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El transistor de salida
no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su
tensin colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colector-
emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En
ecuaciones, V
CE2
= V
BE2
+ V
CE1
, as V
C2
> V
B2
siempre.) Por lo tanto, la tensin de saturacin de un
transistor Darlington es un V
BE
(alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la tensin de saturacin de
un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este
inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado
con un nico transistor.
Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer transistor no puede
inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para
paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su
base y emisor. Esta resistencia permite una va de descarga de baja impedancia para la carga
acumulada en la unin base-emisor, permitiendo un rpido apagado.