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F
12
= k
e
q
1
q
2
r
1
r
2
[
r
1
r
2
[
3
, Ley de Coulomb (1)
= k
e
q
2
q
1
r
r
2
, con
r =
r
1
r
2
, (2)
k
e
= 8.988 10
9
Kgm
3
C
2
s
2
=
1
4
0
, constante elctrica, (3)
0
= 8.8542 10
12
C
2
Nm
2
= permitividad elctrica del vaco, (4)
[q] = Coulomb=6.245 10
18
e (5)
e = carga del electrn, (6)
con lo que introducimos una nueva unidad: el Coulomb (pasamos de MKS a MKSC). En
consecuencia la fuerza que sufre la partcula 2 debido a la 1 (
r
1
r
2
) est dado
por
F
21
= k
e
q
2
q
1
r
2
r
1
[
r
2
r
1
[
3
=
F
12
, (7)
Se desprende que:
F
21
=
F
12
, por lo que se satisface el ppio. de accin y reaccin.
Si el signo(q
1
q
2
)=+1, las partculas se repelen;
F
12
r, y
F
21
( r)
Si el signo(q
1
q
2
)=-1, las partculas se atraen;
F
12
( r), y
F
21
r
Comparando con la gravitacin
F
21
= Gm
1
m
2
r
2
r
1
[
r
2
r
1
[
3
, G = 6.673 10
11
m
3
Kgs
2
, (8)
G es entonces 20 rdenes de magnitud ms grande que k
e
. Ms an; si comparamos la
interaccin elctrica con la gravitatoria en un sistema electrn-protn (m
p
= 1836m
e
, m
e
=
9.1094 10
31
Kg); La elctrica resulta ser 39 rdenes de magnitud mayor!
2
Principio de conservacin de la carga elctrica: En un sistema aislado, la carga
total se conserva (ser importante para la ecuacin de continuidad), es decir
q
tot
=
i
q
i
= constante (suma algebrica). (9)
Principio de superposicin: La fuerza
F
0
que sobre una partcula (q
0
en
r
0
) ejerce
un sistema de partculas (q
i
en
r
i
) est dado por (suma vectorial):
F
0
=
i
F
0i
=
i
k
e
q
0
q
i
r
0
r
i
[
r
0
r
i
[
3
. (10)
A. Distribuciones de carga
Para determinar la fuerza que ejerce cualquier cuerpo continuo sobre una carga puntual
(q
0
en
r
0
) nos conviene dividir el cuerpo en pequeos diferenciales centrados en
r
i
con
carga dq
i
y usar el principio de superposicin:
F
0
=
i
k
e
q
0
(dq
i
)
r
0
r
i
[
r
0
r
i
[
3
. (11)
Pasando al clculo diferencial, podemos especicar si el cuerpo es:
volumtrico, dq
i
= d
r
(variable continua) por
lo que
F
0
= k
e
q
0
_
_
_
d
r
(r
)
da
(a
)
dl
(l
)
_
_
. .
dq
r
0
r
[
r
0
r
[
3
, (12)
donde hemos considerado una posible variacin espacial (
r
, a
) de la densidad de
carga.
Si estamos interesados en calcular la interaccin entre cuerpos continuos, hacemos lo
mismo: dividimos los dos cuerpos en pequeos diferenciales, usamos el principio de super-
3
posicin y pasamos a la integral. Para el caso de dos volumenes tendremos que la fuerza que
sobre el cuerpo 1 (con
1
) le ejerce el 2 (con
2
), est dado por (como en gravitacin)
F
12
= k
e
_ _
d
r
1
1
(
r
1
)
. .
dq
1
r
1
r
2
[
r
1
r
2
[
3
2
(
r
2
)d
r
2
. .
dq
2
. (13)
Retrocediendo, si en lugar de cuerpos continuos tuvieramos una partcula puntual a (q
a
en
r
a
) y otra b (q
b
en
r
b
), las distribuciones pueden escribirse como
1
(
r
1
) = q
a
(
r
1
r
a
) y
2
(
r
2
) = q
b
(
r
2
r
b
) , (14)
usando la propiedad de la delta, obtenemos
F
12
= k
e
q
a
q
b
r
a
r
b
[
r
a
r
b
[
3
, (15)
que es la Ley de Coulomb original (1). La densidad de carga de las partculas puntuales son
representadas por funciones .
B. Campo elctrico
Vimos que la fuerza que sufre la partcula (q en
r ) debido a la 1 (q
1
en
r
1
) est
dada por
F = k
e
qq
1
r
1
[
r
1
[
3
. (16)
Denimos el campo elctrico
E(
r ) como
E(
r ) = lim
q0
F
q
= k
e
q
1
r
1
[
r
1
[
3
, (17)
F = q
E , (18)
en forma similar al caso gravitatorio:
F = m
g , donde
E(
r ) = k
e
_
_
_
d
r
(r
)
da
(a
)
dl
(l
)
_
_
. .
dq
r
[
r
[
3
= campo elctrico. (19)
El lmite en (17) conlleva un concepto fsico importante: la carga tiene que ser lo suciente-
mente pequea para no distorsionar las distribuciones que ocacionan el campo
E. Por esa
razn a q se la llama carga de prueba (test charge).
C. Potencial elctrico
Usando ecuaciones del Apndice, resulta que (19) puede reescibirse as:
E = k
e
_
d
r
(r
)
_
r
_
1
[
r
[
__
, (20)
=
r
V (
r ), (21)
V (
r ) = k
e
_
d
r
(r
)
1
[
r
[
= potencial elctrico , (22)
V (
F = q
E = q
r
V (
r ) =
r
[qV (
r )] =
r
U(
r ) , (23)
U(
r ) = k
e
_
_
_
d
r
(r
)
da
(a
)
dl
(l
)
_
_
1
[
r
[
. (25)
5
D. La fuerza elctrica es conservativa
Si
E =
r
V (
E =
r
[
r
V (
r )] = 0. (26)
Si el
E =
_
C
E d
l = 0 =
1
q
_
C
_
q
E
_
d
l =
1
q
_
C
F d
l = 0 . (27)
Si
_
C
F d
E
=
__
S
d
E
=
__
S
v n da=m
3
/seg =caudal). Vamos a demostrar la ley de Gauss en dos etapas. Primero
consideremos una partcula puntual de carga q
1
en la posicin
r
1
. El campo elctrico
E
1
generado por esa partcula es por Coulomb
E
1
= k
e
q
1
r
1
[
r
1
[
3
= k
e
q
1
r
1
[
r
1
[
, entonces (29)
E
1
= k
e
q
1
r
1
[
r
1
[
= k
e
q
1
2
1
[
r
1
[
(30)
= 4k
e
q
1
(
r
1
) =
q
1
0
(
r
1
) (31)
donde hemos usado la propiedad del laplaciano de la funcin (ver Apndice, teorema de
Poisson) y la relacin entre k
e
y
0
dado por la relacin (3). Ahora tomemos cualquier
supercie cerrada o que encierra un volumen 1, y hagamos la integral sobre dicho volumen
6
_
V
d
E
1
=
_
V
d
r
q
1
0
(
r
1
) =
_
_
_
q
1
/
0
, si q
1
dentro de 1
0, si q
1
fuera de 1
(32)
=
__
S
0
__
S
E n da = q
enc
=
_
_
_
q
1
, si q
1
dentro de 1
0, si q
1
fuera de 1
(34)
Ahora generalicemoslo para cualquier cuerpo continuo. Como siempre, discreticemoslo en
pequeos volumenes con cargas dq
j
= d
r (r
j
)
E =
1
j
dq
j
(
r
j
), (35)
_
V
d
E =
1
j dentro de V
dq
j
(
r
j
) = (36)
Tomado el lmite, pasamos de
j
a la integral
_
V
con dq
j
d
r (
r
). entonces llegamos
a
0
__
S
E n da = q
enc
=
_
V
d
r
(
r
) Ley de Gauss , (37)
( _o signica supercie que encierra a 1). Por q
enc
nos referimos a la suma de las cargas
que estn dentro de 1, no fuera. Y sta es la famosa ecuacin de Gauss que se utiliza para
calcular campos elctricos cuando la simetra del caso es simple: esfrica, cilndrica o planar.
Usando el teorema de la divergencia, tenemos
0
__
S
E n da =
0
_
V
d
E =
_
V
d
r
(
r
). (38)
Como vale para cualquier volumen que consideremos, entonces podemos decir que
E =
(
r )/
0
. Las ecuaciones fundamentales del campo electricosttico son entonces
7
E =
(
r )
0
Ecuacin de la divergencia,
E = (
r )/
0
con la del rotor que deduce
que
E =
r
V, y sabiendo
=
2
, llegamos a la ecuacin de Poisson
2
V = /
0
, Ecuacin de Poisson .
(40)
(para simplicar, de aqu en ms omitiremos (
2
V = 0 , Ecuacin de Laplace .
(41)
Que debe resolverse con condiciones de contorno sobre una supercie cerrada, y la solucines
unica.
Si en dicha supercie se impone V , las condiciones se denominan condiciones de
Dirichlet.
Si en dicha supercie se impone V/n ( n la direccin normal a la supercie, esen-
cialmente el campo elctrico) se denominan condiciones de Neuman y tambien la solucin
es nica.
Se puede imponer condiciones mixtas. Las condiciones no pueden ser redundantes.
G.
H. Lneas de campo
Es una curva imaginaria que se dibuja de tal manera que su direccin en cualquier punto
coincida con la direccin del campo elctrico. Tiene una semejanza con las lneas de uido.
Se encuentra que:
Las lneas de campo NO se cruzan.
8
Nacen en las cargas positivas (fuentes) y mueren en las negativas (sumideros). [Analogia
con los uidos: canillas y rejillas].
El campo es ms intenso donde se juntan las lneas de campo [velocidad de salida del
uido es mayor cuando se exsrangula una manguera].
La lneas equipotenciales (igual valor de V ) son perpendiculares a las lneas de campo.
La demostracin ses simple; hagamos un desarrollo de Taylor del potencial en el punto
r =
r
0
V (
r ) = V (
r
0
) + (x x
0
)
V
x
r
0
+ (y y
0
)
V
y
r
0
+ (z z
0
)
V
z
r
0
+...,
= V (
r
0
) +
V = V (
r
0
)
E , (42)
si
r es perpendicular a
E entonces
E = 0 y V (
r
0
) = V (
r ) (direccin equipotencial).
II. EXPANSIN MULTIPOLAR
Usando las expansiones del Apndice para grandes distancias se muestra que, para
cualquier distribucin de carga, a grandes distancias (r ) su potencial se comporta
como
V (
r ) = k
e
_
d
r
(r
)
1
[
r
[
(43)
r
k
e
_
d
r
(r
)
_
1
r
+
r
r
r
3
+
1
2r
5
_
3(
r
)
2
r
2
r
2
_
+O
_
1
r
4
__
, (44)
V (
r )
r
k
e
q
r
+k
e
r
r
3
+k
e
r .Q.
r
2r
5
+O
_
1
r
4
_
, (45)
donde r es mucho mayor que las dimensiones del cuerpo en cuestin, y
q =
_
d
r
(
r
) monopolo , (46)
p =
_
d
r
(
r
)
r
dipolo , (47)
Q
i,j
=
_
d
r
(
r
)[3x
i
x
j
r
2
ij
] cuadrupolo . (48)
9
A. Dipolo
El caso ms elemental se ilustra como dos cargas de igual magnitud q pero de signos
opuestos colocadas en
r ) = +q(
d /2) q(
r +
p =
_
d
r
_
q(
d /2) q(
r
+
d /2)
_
r
= q
d
2
_
q
d
2
_
(50)
p = q
d , /
d va de . (51)
Usando el lgebra del Apndice, el campo elctrico resulta
E =
V (
r ) =
_
k
e
r
r
3
_
= k
e
_
(
r )
_
1
r
3
_
+
1
r
3
r )
_
(52)
=
k
e
r
3
[3 (
p r) r p] . (53)
Usaremos mucho esta expresin.
B. Dipolo en un campo electrico
El dipolo permanente debe considerarse como un rgido. En un campo elctrico constante
(digamos
E
x,y,z
= 0) la resultante de las fuerzas
F es nula por lo que su centro de masa
permanece en reposo,
F = (+q)
E + (q)
=
j
r
j
F
j
= (
d /2) (q
E) + (
d /2) (q
E) = (q
d )
E (55)
=
p
E . (56)
Esto implica que un dipolo oscila en presencia de un campo elctrico como un pndulo
intercambiando energa cintica y potencial. Supongamos un dipolo originariamente alineado
10
con el campo elctrico (
ext
, que resulta ser
_
0
ext
d
..
1
_
0
pE sin()d = pE cos() +pE cos(0) = U() U(0) (57)
U() =
F =
U =
E) = (
E + (
p
. .
0
+
p (
E
. .
0
) +
E (
p
. .
0
) , (59)
F =
_
E =
_
p
x
x
+p
y
y
+p
z
z
_
(E
x
, E
y
, E
z
) (60)
C. Interaccin carga-dipolo
Apliquemos la ecuacin (60) para un dipolo
F =
U =
_
_
_
k
e
q
r
[
r [
3
_
=
2k
e
q(
p r)
r
3
r (61)
Entonces vale:
Si q > 0 y
p r > 0, entonces
F r < 0, el dipolo es atraido.
Si q < 0 y
p r > 0, entonces
F r > 0, el dipolo es repelido.
Lo cual es lgico.
D. Interaccin dipolo-dipolo
Consideremos el campo elctrico
E
1
creado por dipolo
p
1
en el origen, cuya expresin
est dado por (52), si colocamos en ese campo
E
1
un dipolo
p
2
, la energa de interaccin
11
estara dada por (58), o sea
U
2
=
p
2
E
1
=
p
2
k
e
r
3
[3 (
p
1
r) r p
1
] , (62)
=
k
e
r
3
[ p
1
p
2
3 (
p
1
r) (
p
2
r)] . (63)
Notar que U
1
(
p
1
,
p
2
) = U
1
(
p
2
,
p
1
), lo que resulta equivalente a poner
p
1
en el campo
elctrico
E
2
creado por
p
2
: o sea U
2
=
p
1
E
2
= U
1
= U. Hay que aclarar que los
dipolos estan jos y no les permitimos rotar (electrosttica). Si estamos interesados en la
fuerza que sobre el dipolo
p
2
ejerce el dipolo
p
1
, usando (23) se obtiene (ver Apndice)
F
21
=
U
2
=
k
e
r
4
[3( p
1
p
2
) r 15( p
1
r)( p
2
r) + 3( p
2
r) p
1
+ 3( p
1
r) p
3
] . (64)
Cuatro casos son interesantes:
p
1
= r, y p
2
= r, entonces
F
21
= 6k
e
( p
1
p
2
) r/r
4
se atraen.
p
1
= r, y p
2
= r, entonces
F
21
= +6k
e
( p
1
p
2
) r/r
4
se repelen.
p
1
= p
2
y p
1
r= p
2
r = 0, entonces
F
21
= +3k
e
(p
1
p
2
) r/r
4
= se repelen.
p
1
= p
2
y p
1
r= p
2
r = 0, entonces
F
21
= 3k
e
(p
1
p
2
) r/r
4
= se atraen.
Estas conguraciones sern de utilidad cuando consideremos los dielctricos.
E. Dipolo inducido
Hasta ahora hemos visto la interaccin con dipolos permanentes, tales como molculas
de NaCl H
2
O. Pero tambin una molcula o tomo neutro (sin momento dipolar perma-
nente) en presencia de un campo elctrico puede distorsionarse al punto de que se induce un
dipolo. A estos dipolos se los llaman dipolos inducidos. El clculo del dipolo a nivel tomico
se obtiene con la mecnica cuntica. De cualquier manera podemos hacer un modelito uni-
dimensional simple para entenderlo. Supongamos un electron de carga (negativa) e ligado a
su nucleo (positivo) con un resorte de constante k en su estado de equilibrio (u oscilando
alrededor de su posicin de equilibrio). En presencia de
E
adicional, por lo tanto ocurre un desplazamiento alrededor de su posicin de equilibrio, tal
que -eE = kd, y genera dipolo = ed, entonces podemos escribir
= e
d =
e
2
k
E . (65)
12
(es inducido ya que si
E = 0, entonces
= 0 ). Su energa resulta ser en general (Debye,
London)
U =
E = e
2
E
2
/k .
Si adems ese campo E es creado por una carga puntual q a una distancia r, entonces
U =
E =
e
2
E
k
E =
e
2
k
_
k
e
q
r
2
_
2
=
q
2
2
r
4
, = polarizabilidad. (66)
La magnutud es muy importante en fsica atmica. Volveremos cuando veamos Claussius
Mossotti.
Si ese campo E es creado por dipolo permanente
p en el origen, entonces resulta
U =
E =
e
2
k
_
k
e
r
3
[3 (
p r) r p]
_
2
1
r
6
(67)
F. Interaccin dipolo inducido-dipolo inducido
Otro caso muy importante es la interaccin de dos tomos neutros que se inducen uno
al otro dipolos La energa de interaccin es U C
6
/r
6
y ese potencial se conoce como
Lennard Jones, que explica la formacin de molculas tales como H
2
, N
2
, O
2
, etc, cluster de
gases raros, cristales de gases raros a bajas temperaturas (BE ), etc. La forma ms comn
es escribirla as
U
LJ
= U
0
_
2
_
r
0
r
_
12
_
r
0
r
_
6
_
Lennard Jones , (68)
(el trmino (r
0
/r)
12
es un artefacto matemtico irreal). Se puede probar que la posicin de
equilibrio de la molcula (dU
LJ
/dr = 0) es r = r
0
.
G. Potenciales a largas distancias. Resumen
Las energas de interaccin entre cargas puntuales (), dipolos permanentes (), cuadrupo-
los (), y diplos inducidos (), se pueden resumir asi:
_
_
_
E = cte sobre q,
F = q
E
E = cte sobre
p ,
=
E
(69)
13
_
_
q interactuando con q
, U
1
r
q
p , U
1
r
2
q Q, U
1
r
3
q
, U
1
r
4
(70)
_
p interactuando con q
, U
1
r
2
p
p
, U
1
r
3
p Q, U
1
r
4
p
, U
1
r
6
(71)
_
Q interactuando con Q
, U
1
r
5
(72)
_
interactuando con
, U
1
r
6
.
(73)
Con estas dependencias se puede interpretar gran parte de la Qumica (ligaduras, mecan-
ismos de reaccin), la Fisicoqumica (entalpas, etc), la Termodinmica (coecientes de
Virial), etc.
III. ENERGIA ELECTROSTATICA
Para construir una conguracin de cargas elctricas, se requiere energa (trabajo). En
esta seccin calcularemos la energa necesaria para construir un ensamble de cargas puntuales
y distribuciones continuas.
A. De un sistema de cargas puntuales
Primeramente calcularemos la energa necesaria para construir un ensamble de cargas
puntuales q
i
en
r
i
. Las vamos trayendo de a una desde el innito, considerando que
V()=0. La primera partcula, la 1, no requiere energa: U
1
= 0. La segunda, la 2, la
traemos en presencia de la 1 y hacemos un trabajo U
2
= q
2
V
12
, donde V
12
es el potencial
creado por la partcula 1 en la posicin 2. En general denimos
V
ij
=
k
e
q
i
[
r
i
r
j
[
. (74)
14
Luego traemos la 3, en presencia de la 1 y 2; U
3
= q
3
V
13
+q
3
V
23
. Y asi sucesivamente,
produciendo
U =
j=1
U
j
=
j=1
q
j
i<j
V
ij
. (75)
Usando el hecho que q
j
V
ij
= q
i
V
ji
obtenemos
U =
1
2
i=j
j,i=1
q
j
V
ij
=
1
2
i=j
j,i=1
q
j
k
e
[
r
i
r
j
[
q
i
=
1
2
i=j
j,i=1
q
j
p
ji
q
i
. (76)
que se puede poner en forma vectomatricial, deniendo un vector q = (q
1
, q
2
.....), y una
matriz p, entonces
U =
1
2
q p q, con p
ji
=
k
e
[
r
i
r
j
[
y p
ii
= 0 . (77)
B. De una distribucin continua
Para una distribucin continua, la rutina es siempre la misma: dividir el volumen dado
en pequeos volumenes de carga dq = (
r )d
r (r)V (
r ) . (78)
donde
_
d
r (r) k
e
_
d
r
(r
)
1
[
r
[
. .
V (
r )
(79)
=
1
2
__
d
r d
r
(
r )
k
e
[
r
[
(
r
) . (80)
Esta ltima expresin es muy uilizada en Qumica Cuntica (ntese que la energa elec-
trosttica depende slo de , o sea que es un funcional de la densidad (density functional
theory). Para otras ditribuciones podemos usar la equivalencia (??).
Una tercera expresin de la energa, muy util, se obtiene a partir de (78) expresandola
en trminos del campo elctrico. Usando la ecuacin de la divergencia (39)
15
U =
1
2
_
d
r
(
r
)V (
r
) =
1
2
_
d
r
_
E
_
. .
(
r
)
V (
r
) (81)
Hagamos ahora un truco para cambiar la posicin de
EV
_
=
_
E
_
V +
E
_
V
_
. .
E
= V
_
E
_
V [E[
2
(82)
reemplazando en (81), resulta
U =
0
2
_
d
r
_
[E[
2
+
EV
__
, (83)
=
0
2
_
d
r
[E[
2
+
0
2
_
d
EV
_
. .
S
d
s
EV
, (84)
donde hemos usado el teorema de la divergencia. Como integramos en todo el espacio, la
supercie cerrada
__
S
es una integral supercial en el innito. All en el peor de los casos
(
2
, (86)
y recordemos que
_
d
r
involucra todo el espacio.
Resumamos entonces las tres expresiones de la energa
U =
1
2
__
d
r d
r
(
r )
k
e
[
r
[
(
r
) (87)
=
1
2
_
d
r
(
r
)V (
r
) =
0
2
_
d
2
(88)
16
C. Autoenerga
Notemos que si partimos de (78) y queremos calcular la energa para construir una sola
partcula puntual de carga q , entonces (
r
) = q(
r ), y resulta
U =
1
2
_
d
r
(
r
)V (
r
) =
1
2
_
d
r
[q(
r )] V (
r
) =
q
2
V (0) = !!! (89)
La forma de lidiar con el problema es salirse de la funcin (
r ) =
q
4
3
R
3
(R r) , (90)
V (r) =
q
4
0
_
_
_
1
r
r > R
3R
2
r
2
2R
3
r < R
, y (91)
U =
1
2
_
d
r
(
r
)V (
r
) =
3
5
q
2
4
0
R
. (92)
Efectivamente, cuando R 0, U .
Igualando la energa U a la famosa expresin encontrada en la teora de la relatividad
U = E = mc
2
y no considerando el trmino 3/5 (que representa el factor de forma), resulta
que
q
2
4
0
R
= mc
2
= energa de la partcula en reposo . (93)
Con lo que el as llamado radio clsico de una partcula puntual es
R =
q
2
4
0
mc
2
. (94)
Para el caso del electrn R
e
= 2.8179 10
15
m= 5.32 10
5
atomic units. R
e
se conoce
como radio de Thompson y aparece en muchos procesos materia-radiacin (scattering de
Thompson, Compton y Klein Nishina, Raman scattering, scattering de Rayleigh, etc.).
IV. CONDUCTORES IDEALES Y CAPACITORES
El conductor ideal , es el primer material elctrico que veremos. Es una idealizacin de
los metales. Los metales se caracterizan por tener electrones libres (digamos ~10
28
elec/m
3
)
17
que son aportados por las capas exteriores (de valencia) de los tomos. La fsica fundamen-
tal es que estos electrones reaccionan en presencia del campo elctrico para neutralizarlo en
su interior. En principio no pueden escaparse del metal debido a la funcin trabajo. La
velocidad de los electrones en un metal es alta 1 atomic unit.=c/137= 2.210
6
m/s y el
tiempo de neutralizacin del campo elctrico puede variar entre los 10
15
(femptoseconds)
a 10
9
(nanoseconds) segundos. Nos ocupamos del caso esttico nal. La propiedad funda-
mental es que dentro del conductor vale
E = 0 para fsicos,
V = cte para ingenieros.
(95)
Si caracterizamos a la supercie del conductor ideal con el versor normal saliente n, entonces
Usando
_
C
E d
= 0. donde
E
E n = 0. (96)
Usando la ley de Gauss
0
__
S
E n da = q
enc
, y haciendo nuevamente uso del echo que
E = 0 dentro del conductor, se demuestra que en la supercie
E n = E
0
. (97)
Si usamos la denicin de V = cte (incluyendo la supercie), resulta obvio que el
campo elctrico es perpendicular a las supercie, por ser sta simplemente una supercie
equipotencial.
Se demuestra que, en una cavidad dentro de un conductor, el campo elctrico es nulo
(jaula de Faraday). Si se sospechase que existe un campo elctrico dentro de la cavidad,
al hacer una circulacin usando
_
C
E d
l = 0, con
E d
1
R
1
; y V
2
= k
e
Q
2
R
2
= k
e
4R
2
2
2
R
2
, (98)
y considerando que el alambre los une para formar un slo conductor, resulta que V
1
= V
2
,
entonces
2
=
R
2
R
1
=
E
(R
1
)
E
(R
2
)
. (99)
Si R
1
0, entonces
1
, y E
(R
1
) (efecto puntas, pararayos).
A. Mtodo de las imagenes
Supongamos una carga +q en las posicin
d = (d, 0, 0) frente a un semiespacio (x < 0)
conductor. El potencial dentro del conductor es V = cte = 0, y el el espacio exterior est
dado por
V (r) = +
k
e
q
+k
e
__
da
i
(a
)
[
r
[
, (100)
donde da
= dydz,
r
= (0, y, z) y
i
es la carga inducida en la supercie del conductor
que NO la conocemos. Sabemos adems que el campo elctrico sale en forma perpendicular
a la supercie del conductor que est a un potencial constante. El mtodo de las imagenes
aqu consiste en inventar una carga q
en la posicin
d
= (d, 0, 0), para simular el efecto
del segundo termino de la RHS, o sea el potencial es ahora
V (r) = +
k
e
q
+
k
e
q
r +
. (101)
La condicinde que V = 0 en la supercie se satisface haciendo q
= q y
d
=
d con lo
cual garantizamos el conocimiento del potencial en la supercie cerrada (la cerramos en el
innito) y por lo tanto la solucines nica y estable (Dirichlet). La solucin se usa slo fuera
del conductor, en el interior obviamente vale V = 0. El campo elctrico en la supercie es,
19
E =
V =
k
e
q
k
e
q
r +
(102)
= +k
e
q
r
3
k
e
q
r +
r +
3
= k
e
q
2
3
E
x
(x = 0) = k
e
2q
(d
2
+y
2
+z
2
)
(103)
Sabiendo que
E n = E
= E
x
=
i
/
0
, entonces
i
=
qd
2(d
2
+y
2
+z
2
)
3/2
, (104)
Expresin muy importante para representar iones frente a supercies metlicas (adsorcin,
catlisis, plasmones, etc.)
Otros dos casos son de inters:
Una carga puntual colocada frente a dos hemisespacios conductores.
Una carga puntual frente a una esfera conductora.
B. Sistema de conductores
Consideremos un sistema de N conductores de forma cualquiera y carga arbitraria q
j
.
Sabemos que:
Las cargas netas de cada conductor se van a conservar (los electrones no se pueden
escapar, debido a la funcin trabajo).
Las cargas se van a distribuir (inducidas unas a las otras), pero permanecern en la
supercie de cada conductor. Nos conviene denir una densidad supercial de carga de cada
conductor normalizada tal que
j
(s
j
) =
j
(s
j
)
q
j
, tal que
_
S
j
ds
j
j
(s
j
) = 1 . (105)
Dentro (y en la supercie) de cada conductor el potencial es constante (o campo nulo
en su interior) y lo notaremos con V
j
con respecto a un valor de referencia (generalmente
V = 0 en el innito). Entonces si V (r) es el potencial en todo lugar del espacio podremos
20
armar que
V (
r ) = V
j
r
j
j
, j = 1, ..N , (106)
donde
j
es el espacio que ocupa el conductor j. La expresin (106) vale tambin para
los valores de
r
j
que estan en la supercie o
j
y que lo denotaremos con el vector posicin
r
sj
. De acuerdo a la denicin (22) podemos escribir que el potencial en cualquier punto
de espacio resulta ser:
V (r) =
N
j=1
k
e
_
S
j
ds
j
j
(s
j
)
[
r
sj
[
=
N
j=1
q
j
k
e
_
S
j
ds
j
j
(s
j
)
[
r
sj
[
=
N
j=1
q
j
P
j
(r) , (107)
P
j
(r) = k
e
_
S
j
ds
j
j
(s
j
)
[
r
sj
[
. (108)
Si las supercies de los conductores son complicadas, los valores d P
j
son muy diciles
de calcular debido al desconocimiento de
j
(s
j
). La ecuacin (107) se puede dividir en N
ecuaciones imponindoles las N condiciones (106), resultando entonces
V
i
= V (r
i
) =
N
j=1
P
ij
q
j
, P
ij
=coecientes de potencial , (109)
P
ij
= P
j
(r
i
),
r
i
i
, i = 1, ..N . (110)
Obviamente los elementos P
ij
son una generalizacin de los elementos puntuales p
ij
denidos
en (77). Se puede demostrar adems que P
ij
= P
ji
(tal como en Eq.(77)). La energa de
formacin de este sistema es de acuerdo a (78)
U =
1
2
N
j=1
_
d
j
(s
j
)V (
r
) =
1
2
N
j=1
q
j
V
j
_
d
j
(s
j
)
. .
1
=
1
2
N
j=1
q
j
V
j
, (111)
donde hemos usado el hecho de que el potencial es constante en la supercie del conduc-
tor. Pasemos a la representacin vectomatricial. Entendiendo los trminos P
ij
como los
elementos de la matriz P, las ecuaciones (107) y (111) se reducen a
V = P q = q P, y (112)
U =
1
2
q V = U =
1
2
q P q , (113)
21
donde hemos usado el hecho que P
ij
= P
ji
. Deniendo C como la matrix inversa de P,
C P = P C = 1 C
ij
= coecientes de capacitancia (114)
con C
ij
= C
ji
, resulta que
q = C V = V C , y (115)
U =
1
2
V C V . (116)
C. Capacitores
Sean dos conductores (armaduras) de cualquier forma con cargas q
1
= +q y q
2
= q, las
ecuaciones anteriores se reducen a
_
_
_
V
1
= P
11
q P
12
q
V
2
= P
21
q P
22
q
restando (117)
V = V
1
V
2
= (P
11
+P
22
P
12
P
21
)q, deniendo (118)
C = q/V , capacitancia , con (119)
C =
1
(P
11
+P
22
2P
12
)
=
C
11
C
22
C
2
12
(C
11
+C
22
+ 2C
12
)
, (120)
[C] =
[q]
[V ]
=
Coul
V ol
=Faradio . (121)
En la gran mayora de los casos reales los valores de C no se calculan sino que se miden.
El capacitor es el primer elemento circuital (veremos adems la resistencia (R) y la in-
ductancia (L)). A todos los elementos circuitales se los puede poner en serie o en paralelo.
Si conectamos 2 capacitores C
1
y C
2
en paralelo las armaduras estarn al mismo potencial
y cada uno de ellos acumular cargas Culombianas q
1
y q
2
, con lo que
_
_
_
C
1
=
q
1
V
C
2
=
q2
V
, sumando
C
1
+C
2
=
(q
1
+q
2
)
V
= C (122)
22
O sea el armado se comporta como un solo capacitor de valor C = C
1
+C
2
y que acumula
carga q
1
+ q
2
. Si estuviesen dentro de una caja negra no sabriamos diferenciarlos. Si los
conectamos en paralelo los capacitores acumularn la misma carga q y en cada uno de ellos
habr una cada de tensin V
1
y V
2
_
_
_
V
1
=
q
C
1
V
2
=
q
C
2
, sumando
V
1
+V
2
= V = q
_
1
C
1
+
1
C
2
_
=
q
C
, (123)
produciendo la ley de las inversas. La generalizacin a varios capacitores es inmediata
_
_
_
1
C
=
i
1
C
i
en serie
C =
i
C
i
en paralelo
. (124)
D. Capacitores de placas paralelas
Sean dos placas paralelas innitas (por ahora) cargadas con densidad supercial de carga
+ y -, ubicadas en las posiciones x = l/2 y x = l/2, la ecuacin de Poisson en una
dimensin resulta en trminos de la de Dirac
2
V =
1
0
_
_
x +
l
2
_
+ ()
_
x
l
2
__
. (125)
La solucin es
V (x) =
_
0
l
2
, x
l
2
0
x, l/2 x
l
2
0
l
2
, x
l
2
, (126)
y el campo elctrico resulta ser
E
x
=
V
x
=
_
_
0, x
l
2
0
, l/2 x
l
2
0, x
l
2
, mejor (127)
E
x
=
_
x +
l
2
_
_
x
l
2
_
. (128)
23
Lo cual es correcto, ya que si tomamos la divergencia:
E /xE
x
=
2
/x
2
V (x)
2
V (recordar que la derivada de la de Heviside es la de Dirac), reproduce la frmula
de partida (125). De (126) resulta que la diferencia de potencial entre las armaduras V est
dado por
V = V (l/2) V (l/2) =
0
l
2
+
0
l
2
=
0
l =
1
0
q
S
..
l
2
(129)
C =
q
V
=
0
S
l
= (medio geometria) (130)
donde hemos considerado que el capacitor tiene una dimensin nita (approximacin!) de
supercie S.
Son igualmente calculables:
dos cilindros concntricos innitos con radios R
1
y R
2
dos caparazones esfricos concntricos con radios R
1
y R
2
E. Energa acumulada dentro de un capacitor de placas paralelas
segn la ecuacin (86) y considerando que
E ,= 0 slo dentro del cubo de volumen Sl,
resulta
U =
0
2
_
V
d
2
=
0
2
2
Sl , (131)
U =
0
2
2
Sl =
0
2
q/S
2
Sl =
q
2
2
0
l
S
, (132)
usando C =
0
S/l, resulta
U =
q
2
2C
=
qV
2
=
CV
2
2
(133)
Notar la analoga con las ecuaciones (113) y (116). Podemos denir la densidad de energa
por unidad de volumen
w
E
=
U
Sl
=
0
2
2
densidad de energa elctrica por unidad de volumen ,
(134)
24
que ser importante cuando se calcule la energa del campo electromagntico y en denitiva
la energa de la luz (fotn).
V. DIELECTRICOS
Ya hemos introducido los conductores y los hemos caracterizado como un material que
tiene electrones libres. Hay otro tipo de materiales llamados dielctricos que no poseen
electrones libres, sino dipolos (permanentes o inducibles). Ante la presencia de un campo
elctrico el medio se polariza. Aun cuando el material es, en principio, elctricamente
neutro los dipolos inducen un campo elctrico que inuye localmente. Podemos decir que
los electrones libres hacen a los conductores tanto como a los dipolos a los dielectricos.
A. Modelo Simple
Supongamos dos capacitores idnticos geometricamente (caracterizados por S y l) uno
en el vaco y el otro con un cierto material (dielctrico) dentro. Hagamos dos experiencias.
Primera experiencia de Faraday: Si el capacitor en el vaco acumula una carga Q
0
cuando
a sus armaduras se las somete a una diferencia de potencial V
0
, de modo tal que C
0
= Q
0
/V
0
,
se encuentra que el capacitor con el dielctrico acumula una carga Q = K
e
Q
0
cuando a las
armaduras se las somete a la misma diferencia de potencial V
0
, con lo que
C =
Q
V
0
=
K
e
Q
0
V
0
= K
e
C
0
, (135)
donde K
e
es una caracterstica del medio. Hicimos esta experiencia considerando el mismo
potencial V
0
en ambos capacitores. Hagamos otra experiencia para estar seguros.
Segunda experiencia de Faraday: Conectemos ambos capacitores a una batera de modo
tal que en las armaduras se deposite la misma carga Q
0
. Se encuentra que el capacitor con
el dielctrico presenta una diferencia de potencial entre sus armaduras V = V
0
/K
e
donde
V
0
es la diferencia de potencial medida en el capacitor en el vaco. Resulta entonces la misma
relacin, ya que
C =
Q
0
V
=
Q
0
(V
0
/K
e
)
=
K
e
Q
0
V
0
= K
e
C
0
, (136)
25
El modelo ms simple es pensar que hay una cierta carga inducida Q
ind
en la supercie del
dielctrico en contacto con la armadura de signo opuesto, provocada por la alineacin de los
dipolos, tal que la carga total Q es
Q
ind
= Q
0
_
1
1
K
e
_
. (137)
Y con este concepto sencillo vamos a explicar los comportamientos bsicos. Esta expresion
no es caprichosa la justicaremos ms adelante.
En el caso del capacitor en el vaco podemos usar la ley de Gauss sin inconvenientes
0
__
S
E
0
d
a = Q
0
. (138)
En el caso del capacitor con el medio dielctrico tenemos un problema, ya que la carga
encerrada es Q = Q
0
Q
ind
, entonces
0
__
S
E d
a = Q
0
Q
ind
= Q
0
Q
0
_
1
1
K
e
_
=
Q
0
K
e
. (139)
0
K
e
__
S
E d
a = Q
0
(140)
Comparando (138) con (140), y llamando
= K
e
0
permitividad elctrica del medio, (141)
D =
0
K
e
E =
Dd
a =Q
0
ley de Gauss para medios dielctricos.
(143)
Comparando los integrandos de (138) con (143) y la identidad (142), encontramos que
D =
E =
0
E
0
(144)
26
Podemos pensar que tenemos dos campos elctricos:
E
0
(el campo externo generado por
Q
0
) y otro
E
ind
(generado por las cargas Q
ind
) y por lo tanto se opone a
E
0
, tal que
E =
E
0
E
ind
. (145)
Podemos entonces determinar
E
ind
ya que
E =
E
0
E
ind
=
0
E
0
=
1
K
e
E
0
=
E
ind
=
_
1
1
K
e
_
E
0
(146)
El campo
E
ind
es generado por las densidad de cargas inducidas
ind
asi como el campo E
0
es creado por la densidad de cargas libres
0
,
_
_
_
E
ind
=
ind
0
=
Q
ind
S
0
E
ind
=
_
1
1
Ke
_
E
0
=
_
1
1
Ke
_
0
0
=
_
1
1
Ke
_
Q
0
S
0
Q
ind
= Q
0
_
1
1
K
e
_
(147)
que es la hypotesis de partida .(137). Lo importante de la ley de Gauss para medios
dielctricos es que con el uso de nos evitamos trabajar con las cargas inducidas. En las
ecuaciones slo intervienen las cargas libres Q
0
. Veamos dos ejemplos.
Como primer ejemplo, consideremos una partcula con carga Q
0
en un medio dielctrico
(uido) caracterizado con . Usando la ecuacin (143), e integrndola sobre una supercie
esfrica de radio r, resulta
__
S
D d
a = Q
0
=D =
Q
0
4r
2
= E = E =
Q
0
4r
2
(148)
que es lo mismo que la ley de Coulomb con en lugar de
0
.(se podra decir tambin que la
carga Q
0
resulta apantallada y se comporta como Q
0
0
/ = Q
0
/K
e
).
Como segundo ejemplo consideremos un capacitor con une dielctrico caracterizado con
. Usando gauss en un cilindro de supercie S que encierre la armadura
__
S
D d
a = Q
0
=D =
Q
0
S
=
0
= E = E =
0
(149)
que resulta ser igual al del vaco con en lugar de
0
. Si queremos calcular la capacitancia
C, en la forma ms simple, resulta
C =
Q
0
V
=
Q
0
El
=
Q
0
l
=
Q
0
l
Q
0
S
=
S
l
= K
e
C
0
..
0
S
l
= K
e
C
0
(150)
27
que conrma el resultado experimental de partida (136). En la siguiente seccin vamos a
echar luz sobre lo que aqu hemos obtenido en forma grosera. Un clculo ms detallado
requiere de un lgebra ms compleja, que veremos a continuacin.
B. Electrosttica macroscopica
Pasemos a una descripcin macroscpica en trminos de valores medios. Consideremos
un elemento de volumen d
r
centrado en la posicin
r
j
. Un solo dipolo
p
j
ubicado en la
posicin
r
j
dentro de dicho diferencial genera un potencial V
j
en la posicin
r , que est
dado por (43)
V
j
(r) = k
e
p
j
(
r
j
)
[
r
j
[
3
. (151)
Sumemos ahora todos los dipolos ubicado en el elemento de volumen
j
V
j
(r) = d V (r) = k
e
p
j
(
r
j
)
[
r
j
[
3
r
j
r
k
e
p
j
(
r
)
[
r
[
3
, (152)
= k
e
p
j
r
)
[
r
[
3
. (153)
Deniendo
P (
r
) =
p
j
d
r
= densidad de dipolos por unidad de volumen, (154)
y haciendo
j
V
j
(r) = d V (r) resulta
d V (r) = k
e
P (
r
)
(
r
)
[
r
[
3
d
r
, (155)
V (r) = k
e
_
d
P (
r
)
(
r
)
[
r
[
3
. (156)
Si estamos interesados en el valor medio del campo elctrico
_
E(r)
_
se obtiene como siempre
haciendo
_
E(r)
_
= V (r) , y usando las formulas del Appendice, llegamos a
_
E(r)
_
= k
e
_
d
r
_
_
3
_
P (
r
) (
r
)
_
(
r
)
[
r
[
5
P (
r
)
[
r
[
3
_
_
. (157)
28
Para chequear que est bien, consideremos un solo dipolo en el origen
P (
r
) =
p (
r ),
entonces recobramos la ecuacin (52).
Sabiendo que
(
r
)
[
r
[
3
=
r
1
[
r
[
(158)
podemos reescribir la ecuacin ?? as
V (r) = k
e
_
d
P (
r
)
r
1
[
r
[
(159)
Ahora recurrimos al truco de cambiar la posicin de
:
r
_
P (
r
)
1
[
r
[
_
=
P (
r
)
_
r
1
[
r
[
_
+
1
[
r
[
_
P (
r
)
_
(160)
Reemplazando en (159) resulta
V (r) = k
e
__
S
ds
P (
r
) n
_
[
r
[
+ k
e
_
V
d
r
_
P (
r
)
_
[
r
[
. (161)
Donde hemos usado el teorema de la divergencia para el primer trmino de la RHS. aqu
tenemos dos caminos a seguir.
Primer camino. Si integramos SOLO en el volumen 1, o sea donde
P (
r
) ,= 0, y la
segunda integral sobre la supercie que lo encierra, entonces podemos interpretar que V (r)
es ocacionado por dos densidades de carga inducidas, por el volumen (
ind
) y por la supercie
(
ind
)
V (r) = k
e
_
V
d
r
ind
(
r
)
[
r
[
+ k
e
__
S
ds
ind
(
r
)
[
r
[
, (162)
ind
(
r
) =
P (
r
) y
ind
(
r
) =
P (
r
) n , (163)
ind
es igual a la introducida en la seccin anterior que se formaba en la supercie del
dielctrico en contacto con la armadura. Adems aparece una (inesperada) densidad de
volumen
ind
, que est relacionada con la variacin de la densidad, si la hubiese. Ya que las
inducciones deben conservar la carga, entonces debe valer
29
0 =
_
V
d
ind
(
r
) +
__
S
ds
ind
(
r
) , (164)
=
_
V
d
r
_
P (
r
)
_
+
__
S
ds
P (
r
) n
_
, (165)
que se satisface, ya que es el teorema de Gauss. Este camino no es el ms conveniente.
Segundo camino. Si integramos en TODO el espacio (aqu especicado con
_
), hasta el
innito, all:
P (
r
) = 0, por lo que la integral sobre la supercie cerrada en el innito es
nula (all
P (
r
) = 0). Queda slo el primer trmino de la RHS, que tiene la estructura de
un potencial con slo las carga inducida de polarizacin en volumen
ind
(
r
) =
P (
r
) , tal que (166)
V (r) = k
e
_
r
ind
(
r
)
[
r
[
. (167)
Como las densidades de polarizacin deben compensarse (no generan cargas sino que se
reordenan los dipolos), entonces debe valer
_
ind
(
r
) = 0 . (168)
(notar que aqu aparece
_
E
_
=
total
=
0
+
ind
=
0
P , (169)
0
_
E
_
+
P
_
=
0
, llamando, (170)
0
_
E
_
+
P =
D = vector desplazamiento , (171)
D =
0
, entonces, (172)
__
S
D d
a = Q
0
, ley de Gauss para medios dielctricos . (173)
Notemos que ahora
D =
D =
0
_
E
_
= (
0
+
ind
) /
0
D =
P .
_
E
_
= 0.
(174)
Observes que la determiacin de
D se relaciona con
0
, nos independizamos totalmente
de
ind
que es un inconveniente ya que generalmente la desconocemos. Para calcular
_
E
_
se requiere el conocimiento de
P segn la relacin
_
E
_
= (
P )/
0
. En la prxima
seccin nos independizaremos de tambin de
D depende de la Polarizacin
P segn la ecuacin
(171). Lo ms general es que la polarizacin sea dada por una expansin perturbativa
P =
P (
r ) =
P
0
+
1
E
_
+
_
E
_
E
_
+O(E
3
) (175)
Si
P
0
,= 0 signica que el material tiene una polarizacin an en ausencia de campo elctrico
(E = 0). El material se llamam electrete y tiene una fsica similar al magnetismo
(ferromagnetismo) por lo que a veces se lo llama ferroelctricos. Si
P
0
= 0 y el segundo
trmino es suciente para describir la polarizacion, entonces
P =
1
E y el trmino se
llama lneal. Si adems es istropo entonces
1
(
r ) = susceptibilidad elctrica.
Si adems el material es homogeneo, no depende de la posicin (y lo denotaremos con
LIH) entonces = cte. Por conveniencia escribimos =
0
:
P =
e
_
E
_
= (
0
)
_
E
_
, entonces (176)
D =
0
_
E
_
+
P =
0
_
E
_
+ (
0
)
E =
E (177)
que es la expresin conocida. Vimos que
_
E
_
es un valor medio,
P tambin es un valor
medio (densidad de dipolos) por lo que deberamos haberlo notado como
_
P
_
, por lo que
D tambin debe entenderse como un valor medio y lo tendramos que haber notado como
_
D
_
. No se usa, se sobrentiende. Es por este concepto de valores medios (promedios sobre
la escala microscpica) que se llama electrosttica macroscpica.
31
D. Efecto de bordes
Hemos desarrollados dos caminos. El primero es elemental. Llegamos a una carga su-
percial inducida
ind
(
r
) =
P (
r
) n tal cual lo vimos en el el modelo simple cuando
incorporamos la carga inducida Q
ind
. En segundo camino que integramos hasta el innito
no apareci tal carga inducida sinop la de volumen en todo el espacio. Donde est
ind
?.
Analizemos el primer camino a la luz del segundo. Reconsideremos el caso del capacitor
de placas paralelas en donde colocamos un dielctrico LIH con polarizacin constante P. Por
simplicidad trabajaremos en una dimensin e integraremos hasta el innito como lo requiere
el segundo camino. La polarizacin es entonces
P(x) =
_
_
0 x < l/2
P l/2 < x < l/2
0 x > l/2
(178)
que se puede escribir en trminos de la funcin de Heaviside as
P(x) = P(x +l/2) P(x l/2) (179)
El camino 2 solo dene la
ind
(
r
) =
P (
r
), que en una dimensin es
ind
(x) =
x
P(x) =
x
[P(x +l/2) P(x l/2)] (180)
= (P)(x +l/2) +P(x l/2)
ind
(x) . (181)
La lectura ahora es simple: hay dos densidades de carga P y +P en las posiciones x = l/2
y x = l/2, respectivamente. Y esas son las densidades de carga inducidas. ms an, la
ecuacin de neutralidad (168) se cumple perfectamente
_
+
dx
ind
(x) =
_
+
r
0
(r
) V (
r
) , (183)
donde hemos introducido el trmino V (
r
) dado por la ecuacin (167) ms el de las cargas
libres, o sea
V (r) = k
e
_
r
_
0
(r
P (
r
)
_
[
r
[
. (184)
Fsicamente construimos una distribucin de cargas (externas )
0
en presencia de todos los
potenciales, las otras cargas externas ms las inducidas. Sabiendo que
D =
0
, tenemos
de (183)
U =
1
2
_
d
0
(r
)
..
_
D
_
V (
r
) (185)
Ahora recurramos al truco de cambiar la posicin de
D V
_
=
_
D
_
V +
V
. .
E
(186)
_
D
_
V =
_
D V
_
+
D
_
E
_
, entonces (187)
U =
1
2
_
d
r
_
D V
_
+
1
2
_
d
r
D
_
E
_
, (188)
usando el teorema de la divergencia
U =
1
2
__
S
d
s
_
D V
_
+
1
2
_
d
r
D
_
E
_
, (189)
y como siempre, en el innito la integral sobre la supercie se anula ya que
oDV
r
r
2
1
r
2
1
r
r
1
r
(190)
33
quedando
U =
1
2
_
V
d
r
D
E . (191)
Un ejemplo. Para el caso de un capacitor de placas paralelas con dielctrico LIH con ,
tenemos (siguiendo las mismas approximaciones)
U =
1
2
E
V
..
(Sl) =
1
2
D
E
..
_
D
_
Sl =
1
2
D
2
..
_
q
0
S
_
2
Sl =
q
2
0
2
l
S
=
1
K
e
q
2
0
2
0
l
S
, (192)
U
0
= U(K
e
= 1) =
q
2
0
2
0
l
S
(193)
U =
U
0
K
e
(194)
donde U
0
es la energa acumulada por el capacitor en el vaco con C
0
. Como K
e
> 1,
entonces U < U
0
[ de aqu sale el tradicional problema de una pastilla dielectrica oscilando
dentro de un capacitor ]. En trminos de C = q/V = K
e
C
0
, tenemos
U =
1
2
E Sl =
2
E
2
Sl =
2
E
2
..
_
V
l
_
2
Sl =
1
2
V
2
S
l
=
V
2
C
2
(195)
U =
CV
2
2
=
q
2
2C
=
qV
2
. (196)
como C S/l, resulta simple predecir como ser el resultado del problema con dos
pastillas dielctricas de diferentes dentro de un conductor dispuestos en paralelo o en
serie.
F. Sobre la ley de Coulomb en medios LIH
Consideremos una partcula cargada con carga q
0
ubicada en el origen de una esfera
dielctrica (uido) LIH de radio R
0
. Usando la ley de Gauss para medios dielctricos
tenemos
34
q
0
=
__
S
D d
a ,
D =
q
0
r
4r
2
, (197)
_
E
_
=
1
D =
q
0
r
4r
2
=
1
K
e
q
0
r
4
0
r
2
=
1
K
e
E
0
=
q
..
(q
0
/K
e
) r
4
0
r
2
, (198)
con lo cual vemos claramente que la carga q
0
est disminuida (apantallada) en un factor K
e
1. Veamos como se distribuyen las cargas inducidas. Calculemos primero la polarizacin
P =
D
0
_
E
_
=
_
1
1
K
e
_
q
0
r
4r
2
, (199)
Por un instante consideremos que la partcula q
0
posee un radio r
0
pequeo, pero nito. Las
cargas inducidas en las supercies (interna y externa) (
interna
da
_
P n
_
+
__
externa
da
_
P n
_
, (200)
=
_
1
1
K
e
_
q
0
r
4r
2
0
n
i
4r
2
0
+
_
1
1
K
e
_
q
0
r
4R
2
0
n
e
4R
2
0
, (201)
=
_
1
1
K
e
_
q
0
. .
q
i
+
_
1
1
K
e
_
q
0
. .
Q
i
= 0 OK, neutralidad , (202)
q
i
es la carga inducida que apantalla la partcula y Q
i
= q
i
es la carga remanente en la
supercie externa. Ahora podemos tender R
0
, entonces la carga elctrica total de la
partcula ser la externa ms la inducida, o sea
q = q
0
+q
i
= q
0
_
1
1
K
e
_
q
0
=
q
0
K
e
. (203)
Como K
e
1 entonces cada partcula q
0
queda apantallada en un factor K
e
= /
0
y
se comporta como q
0
/K
e
. Valen entonces todas las expresines del campo elctrico con
q = q
0
/K
e
.
G. Ecuaciones de Poisson y Laplace en medios dielctricos LIH
De acuerdo a la ley de Coulomb una partcula cargada en la posicin
r
un medio LIH
con genera un campo elctrico en
r tal que
35
E(
r ) =
q
4
r
[
r
[
3
, (204)
y las ecuaciones siguen lo mismo con en lugar de
0
. Entonces
_
E
_
= V , y
_
E
_
=
0
/ por lo que llegamos a la ecuacin de Poisson
2
V =
0
E
1
y
D
1
normal n, y un medio
2 con
E
2
y
D
2
. Si hacemos un blister en la supercie y aplicamos el teorema de Gauss,
resulta
__
S
D d
a = q
0
_
D
1
D
2
_
n =
0
. (206)
Si hacemos una circulacin
_
C
_
E
_
d
l = 0
__
E
1
_
E
2
__
n = 0 . (207)
De (206) y (207) se determinan la componente perpendicular del vector desplazamiento y
la paralela del campo elctrico
(D
1
D
2
) =
0
_
E
1
E
2
_
= 0
(208)
Si adems estamos en presencia de medios dielctricos LIH, tal que
D
12
=
1,2
E
1,2
se
encuentra que, en ausencia de cargas libres (
0
= 0), vale
tan
1
tan
2
=
1
2
, (209)
36
donde cos
1,2
= n
E
1,2
. Si los medios son dielctricos y sus propiedades magnticas son
despreciables resulta que
1
/
2
= n = ndice de refraccin con lo que (209) derivara en la
ley de Snell de la ptica.
Conductores. Hemos estrictamente considerado dos dielctricos. En algunos casos es
posible modelizar a los conductores ideales considerando que K=/
0
. El argumento
es muy rebuscado, pero vale la pena plantearlo. Consideremos la condicin (206) para medios
LIH. En ausencia de
0
, se resume a D
1
=
1
E
1
=
2
E
2
= D
2
. Si el medio interno 1
es un conductor entonces E
1
= 0, con lo que
1
debe tender a de tal forma que se verique
0 =
2
E
2
(!).
I. Clausisus Mossotti
(Mossotti vivi en Argentina alrededor de 1830 y ense fsica. Trabajaba en el convento
de Santo Domingo). Supongamos que una esfera dielctrica de permitividad
2
y radio a es
colocada en medio de un (uido) dielctrico con permitividad
1
, con un campo inicialmente
constante y que a grandes distancias tiene el valor E
0
en la direccin z. Resolviendo la
ecuacin de Laplace para el potencial (no nos importa el lgebra) se llega a que la solucin
es
_
_
_
V
1
=
_
2
2
+2
1
a
3
r
3
1
_
E
0
z, fuera de la esfera
V
2
=
3
1
2
+2
1
E
0
z, dentro de la esfera
(210)
Veriquemos que la solucin satisface todos los requerimientos que demostramos
V
1
(a) = V
2
(a).
E
1
=
V
1
r
E
0
z.
E
1
(a) r =
E
2
(a) r (
E
1
E
1
)
Si hacemos
D
1
=
1
E
1
y
D
2
=
2
E
2
, entonces se verica que
D
1
(a) r =
D
2
(a) r.
Dentro de la esfera
E
2
=
V
2
= cte y su valor es
E
2
=
3
1
2
+ 2
1
E
0
z =
D
2
2
. (211)
Y afuera de la esfera el campo es igual a E
0
ms el creado por un dipolo
(inducido) en
el origen dado por (53).
37
E
1
= E
0
z +
k
e
r
o3
[3 (
r) r ] . (212)
y el valor de
est dado por
=
2
2
+ 2
1
4
0
a
3
E
0
z , (213)
con lo cual se redujo el efecto de la esfera a un dipolo inducido
por
E
0
. Veamos tres
casos.
Cavidad en un dielctrico En ese caso
2
=
0
, y deniendo la permitividad relativa
K
1
=
1
/
0
, resulta
E
2
=
3K
1
1 + 2K
1
E
0
z =
D
2
2
. (214)
=
1 K
1
1 + 2K
1
4
0
a
3
E
0
z . (215)
Esfera dielctrica en el vaco En ese caso
1
=
0
, y deniendo la permitividad relativa
K
2
=
2
/
0
, resulta
E =
3
2 +K
2
E
0
z =
D
2
2
, (216)
=
K
2
1
K
2
+ 2
4
0
a
3
E
0
z . (217)
y esta es la famosa formula de Clausius Mossotti (1850).
Esfera conductora en el vaco. Como vimos, en ese caso se toma K
2
, por lo
que
= 4
0
a
3
E
0
z =
E
0
, (218)
= 4
0
a
3
= polarizabilidad , (219)
que ya vimos en la ecuacin (66). Notese que en el sistema gaussiano (4
0
1) por lo que
= a
3
= (3/4) Volumen. En este modelo la polarizacin de los tomos (considerados
como esferas conductoras) es proporcional al volumen. Ser importantsimo para determinar
las propiedades pticas de ciertos materiales (aisladores por ejemplo).
38
VI. MATERIALES OHMICOS Y CIRCUITO DE CORRIENTE CONTINUA
A. Ley de Ohm microscpica. Modelo de Drude.
Supongamos un electrn (q = e) que se mueve libremente en presencia de un campo
elctrico
E. segn la 2da ley de Newton recibe una fuerza
F = e
E = m
e
a = m
2
d
v /dt
y el electrn se acelera. Si el medio fuese un conductor ideal, el electrn se movera hacia
la supercie y permanecera all ya que no puede escapar. Si es un material hmico el
electrn choca con los otros electrones e iones del cuerpo y recibe una fuerza de rozamiento
F
r
=
F = e
v = m
e
d
v
dt
(220)
el coeciente de rozamiento tiene dimensiones de masa sobre tiempo, por lo que nos
conviene escribir = m
e
/ , y a se lo conoce como relaxation time (o mean free time) y
tiene que ver con el tiempo entre colisin y colisin. En el estado estacionario d
v /dt = 0,
entonces
v = e/
J = en
v = en(e/m
e
)
E =
e
2
n
m
e
E, entonces (221)
J =
= resistividad . (224)
Ntese que los campos elctricos a nivel atmico son muy grandes. Por ejemplo tomemos
el cobre con una densidad electrnica n 8 10
28
elec./m
3
, de lo que se deduce que la
distancia entre ellos es del orden de d
3
n 10
9
. El campo elctrico, ser del orden de
E
ee
1
4
0
e
d
2
10
11
N
C
10
11
V olts
m
, (225)
39
lo cual es enorme. Pensemos a nivel humano (distancias del orden del metro): las bateras
son del orden del Voltio, la red domiciliaria 220 Voltios. Aun el transporte de corriente
que se hace va las torres de alta tensin son del orden de los 10
4
Volts. En este sentido, la
ley de Ohm
J =
J (
v
j
. Se dene corriente elctrica i como la cantidad de carga
(Coulombs) que uye sobre una determinada supercie S por unidad de tiempo (en forma
analoga al caudal en un uido), matematicamente
i =
dq
dt
. (226)
La corriente entonces es un escalar y su unidad es [i]=C/seg=Ampere. En general vales
i =
Q
t
=
__
S
n ) = (q)nS((
v )
n ). Luego,
i tiene el mismo valor cuando tenemos cargas elctricas q que se mueven en direccin de
J n ds = JS = envS, v =
i
enS
. (228)
De esta manera podemos calcular la velocidad de desplazamiento de los electrones en la
direccin del campo elctrico. Supongamos un cable de Cu ( n 8.5 10
28
, e = 1.6
10
19
Coulombs, radio del cable= 0.5 mm) por el que circulan 5 Amperes, los electrones
tienen una velocidad de 0.46 mm/seg; extremadamente lentos. ms an si lo comparamos
con la velocidad al azar del orden de 1500 Km/seg.
D. Ley de Ohm macroscopica
Volvamos al conductor ms simple, nuevamente el cable cilindrico, podemos escribir
i =
__
S
l
S
= resistencia (medio geometria) (233)
entonces
R =
V
i
Ley de Ohm macroscopica ,
(234)
o equivalentemente
C =
1
R
=
S
l
Conductancia . (235)
Ahora podemos redenir las unidades en trminos macroscpicos
41
[R] =
V ol
ampere
=Ohm= , (236)
[C] =
Ampere
V ol
=
1
C) resulta
(T) = (T
0
) +
T
T=T
0
(T T
0
) + O
_
(T T
0
)
2
(247)
= (T
0
) [1 +(T T
0
)] , (248)
=
T
T=T
0
(T
0
)
=
1
(T
0
)
(T) (T
0
)
T T
0
(249)
A se lo conoce como coeciente medio de temperatura de la resistividad. Para
conductores Al, Cu y Ag 3.910
3
K
1
o sea la resistencia aumenta con la temperatura.
El comportamiento de (T) es bastante lineal en un amplio rango de T. En otros casos tales
como el grato la resistividad decrece con la temperatura 510
4
K
1
. Para construir
resistencias patrones se usaba la manganina con muy pequenos: 1 10
5
K
1
F. Ecuacin de continuidad. Corrientes estacionarias
La ecuacin de continuidad expresa el principio de conservacin de la carga (vlida
tambin para uidos e inclusive para la cuntica). Consideremos una supercie cerrada
cualquiera o que intercambia carga con el exterior via una densidad de corriente
J . La
corriente que ingresa al volumen encerrado por o es
i =
__
S
J n ds =
dQ
dt
(250)
43
y n es el versor perpendicular (saliente) de la supercie. Donde
J n < 0 entra carga. Por otro lado la carga en el interior estara dada por
Q =
_
V
(
r
) d
r
Q
t
=
_
V
d(
r
)
dt
d
r
. (251)
La conservacin de la carga implica que todo lo que entra se acumula, por lo tanto vale
__
S
J n ds +
_
V
t
(
r
) d
r
= 0 . (252)
Usando el teorema de la divergencia resulta que
_
V
_
t
(
r
) +
J
_
d
r
= 0 . (253)
Como esta expresin es vlida para cualquier volumen que consideremos, entonces
t
+
J = 0 , ecuacin de continuidad .
(254)
En el caso particular de que no se acumule carga en ningun lugar o sea que /dt = 0,
podemos decir que
t
= 0 =
J regimen estacionario
(255)
En lo que sigue trabajaremos con corrientes estacionarias.
G. Circulacin del campo elctrico. Fuerza electromotriz
Debido al rozamiento, para mantener la corriente elctrica en un circuito es necesario
la existencia de fuerza externas (digamos qumicas.) no conservativas que compensen la
energa disipada por los choques.
Circulacin sin f.e.m. Tomemos una espira cerrada de material hmico y supongamos
que circulase una corriente elctrica. Sabemos que los electrones se mueven forzados por un
campo elctrico
E que debe satisfacer
E = 0, o lo que es lo mismo
_
E d
l = 0
tomando
E |
dl siendo
dl un diferencial de espira. Si el material es Ohmico, entonces vale
J =
E, por lo que
0 =
_
E d
l =
_
J
l =
_
J d
l Jl > 0 . (256)
44
Lo que resulta una contradiccin (a menos que = 0!). No es posible entonces que el ujo
J se mantenga indenidamente en el tiempo.
Circulacin con f.e.m. Supongamos el mismo caso, pero ahora intercalamos una batera
en un cierto punto del circuito. Dentro de la batera se hace un trabajo por unidad de carga
elctrica W/q. Los electrones sufrirn una cierta fuerza, que la podriamos llamar qumica
F
quim
. En analoga con E = F/q, podemos imaginar un campo (no conservativo, a este
nivel) tal que sea
F
Quim
/q. Consideremos dos puntos del circuito a y b que encierran la
batera, podemos escribir entonces
J =
_
E +
F
quim
q
_
E =
1
J
F
quim
q
, (257)
e integrando resulta
_
b
a
E d
l =
_
b
a
1
J d
l
_
b
a
F
quim
q
d
l . (258)
Analizando cada trmino, tenemos
_
b
a
E d
l =
_
b
a
V d
J d
l =
Jl
=
i
A
l
= i
_
l
A
_
. .
R
= iR , (260)
_
b
a
F
quim
q
d
F
quim
d
F
quim
, en nuestro caso, trabaja en la direccin de d
J n ds =
n
J
n
S
n
=
n
i
n
. (266)
2da. ley de Kirchho. Una malla (loop) es un camino cerrado en el circuito. Dice: la
suma algebrica de las caidas de potencial a lo largo de un circuito cerrado debe ser nula,
o sea
j
i
j
R
j
= 0 , (267)
donde aqu i
j
es la corriente que circula sobre la resistencia R
j
. Su demostracin es una simple
extensin de la ecuacin (262). Hay que tener cuidado en el caso tener mallas adyacentes.
En caso de tener mallas lindantes hay que considerar el pasaje de corriente de las dos mallas
sobre una resistencia comn. Hay que tener en cuenta el sentido de las corrientes y bateras.
El sentido de las bateras es del + al -. Hay una total analoga entre la circulacin del agua
en presencia de la gravedad con la corriente elctrica. Una resistencia se comporta como
una pendiente con piedras. Una batera es como una noria que eleva baldes de agua para
ganar energa potencial.
J. Resistencia interna
La bateras tienen resistencia interna. Se puede demostrar su existencia haciendo un
cortocircuito entre sus bornes. En ese caso debera ser i = /R = /0 = , que no es cierto
sino que se llega cierta i
max
= /r
i
, y a r
i
se lo conoce como resistencia interna. De esta
manera la fuerza electromotriz real
real
= (i) diere de la ideal . La forma ms simple es
considerar que entre los bornes de una batera hay un fem real tal que
real
=
real
(i) = ir
i
, (268)
Si no circula corriente
real
(0) = , y a medida que crece la demanda de corriente,
real
disminuye. A esa resistencia interna se la trata como a cualquier otra del circuito y entra
dentro de las ecuaciones de Kirchho.
47
Por ejemplo, si tomamos una pila de ZnCo tiene =1.5 Voltios siempre, no importa su
estado de uso. Pero su r
i
crece con el estado de uso. Si la pila es nueva entonces r
i
= 0.5
y aumenta con el uso hasta valores de, digamos r
i
= 5. Un ejemplo: supongamos que a
esa pila se le coloca una lamparita de resistencia R = 10. Usando la 2da ley de Kirchho,
resulta que la intersidad que circula es i = /(R+r
i
) y la potencia disipada por la lamparita
ser de
P
R
= i
2
R =
_
R +r
i
_
2
R, entonces (269)
P
R
=
_
1.5
10 + 0.5
_
2
10 = 0.2 W batera nueva , (270)
P
R
=
_
1.5
10 + 5
_
2
10 = 0.1 W batera vieja . (271)
En este caso la lamparita ha disminuido un 50% de su intensidad lumnica y la batera debe
ser cambiada. Para reducir la resistencia interna, conviene acoplar pilas en paralelo ms que
en serie ya que encontramos que
_
_
_
r
i
= r
i1
+r
i1
en serie
1
r
i
=
1
r
i1
+
1
r
i2
en paralelo
(272)
VII. MATERIALES ELECTRICOS. RESUMEN
Resumamos los materiales elctricos:
Conductores ideales (E = 0, o V = cte). Los electrones libres son los responsables
de esta propiedad.
Materiales dielctricos. Caracterizados por polarizarse y presentar una densidad
de dipolos por unidad de volumen
P tal que (para medios LIH)
P =
P
0
+
E + ... la
polarizacin
P surge debido a 3 posibles situaciones:
Ferroelelctricos o electretes: tienen momentos dipolares permanentes (
P
0
,= 0).
Dipolares permanentes: El material est formado por molculas polares que se alinean
con el campo (por ejemplo H
2
O).
Dipolares inducidas: molculas originariamente no polares que en presencia de un campo
elctrico se polarizan (el modelo del resorte) (por ejemplo, tomos en gral. H
2
, O
2
).
Materiales Ohmicos
(J =