Facultad de Ingeniera s Fsico Mecnicas

PRCTICA DE LABORATORIO:

Escuela de Ingenieras Elctrica, Electrnica y de Telecomunicaciones

INTRODUCCIN A ORCAD CAPTURE NMERO: 04

INTRODUCCIN: El programa Pspice, Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis, constituye una herramienta muy til para poder analizar el funcionamiento de circuitos elctricos y electrnicos tanto analgicos como digitales. Este programa incluye varias partes, entre ellas Orcad Capture que permite realizar esquemas de circuitos bajo un entorno grafico y preparar toda la informacin generada para la simulacin de circuitos o la ejecucin de circuitos impresos. PROCEDIMIENTO: 1. Crear un nuevo proyecto en Orcad Capture . Haga clic en el men File y luego en New -> Project. Project abre una ventana de dialogo a travs de la cual se define el proyecto de trabajo, as como la sesin a iniciar (Schematics, Pc Boards). Escriba el nombre del proyecto y escoga la opcin Analog or Mixed-Signal Circuit Wizard la cual sirve para diseo y simulacin de circuitos. Escoja una locacin para guardar el proyecto y de click en OK. A continuacin se abre una ventana de dialogo la cual permite incluir las libreras que contienen los elementos disponibles en el programa. Incluya las siguientes libreras las cuales se utilizarn para la prctica del laboratorio: Analog.olb: Constituida por elementos pasivos como resistencias, bobinas, condensadores y fuentes dependientes. Breakout.olb: esta constituida esencialmente por elementos activos, diodos y transistores; mas algunos elementos pasivos potencimetro, condensador, interruptor. Source.olb: Librera que encierra todas las fuentes de alimentacin, tanto de corriente como de tensin disponibles: continua, alterna, sinusoidal, exponencial, etc. Diode.olb

A continuacin aparecer la ventana de trabajo del proyecto. 2. Construccin de un circuito. Realice la construccin del circuito de la figura 1. Para insertar los componentes haga click en la opcin Place Part que se encuentra en la paleta de herramientas (Tool Palette). En la pantalla aparecer un cuadro de dialogo en el cual se debe especificar el nombre del elemento Part, que se desee colocar. En la parte inferior se escoge la librera en la cual se encuentra el elemento (se pueden seleccionar todas las libreras). Si no aparece la librera que necesita, sta se puede incluir por medio del botn Add library. En caso en que se desconozca la librera o el Part, se puede utilizar la opcin Part Search la cual muestra las libreras donde se encuentra el elemento en cuestin. Seleccione como elemento la resistencia R de la librera Analog.olb, una vez se pulsa OK, el elemento aparece enganchado del puntero del ratn y se suelta pulsando en botn izquierdo. Si quiere girar el elemento, oprima la tecla r antes de soltarlo o haga clic derecho en el elemento y escoja la opcin rotar.

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a) Inserte las resistencias R2 y oprima la tecla Esc para terminar. b) Inserte un Diodo D1N4007 que se encuentra en la librera diode.olb (Tenga en cuenta la ubicacin de las terminales nodo y Ctodo) c) Ahora inserte una fuente sinusoidal vsin de la librera source.olb realizando el mismo procedimiento anterior. d) Introduzca la tierra mediante el botn Place ground opcin 0/SOURCE. escogiendo la

e) A continuacin, conecte los elementos mediante el botn Place wire

f) Ajuste el valor y el nombre de cada componente haciendo doble click con el botn izquierdo sobre el atributo correspondiente, con lo cual aparece una ventana para escribir el valor o el nombre deseado. Los valores de los elementos son: R2= 10 K. Vsin: - Frecuencia= 1KHz. - Amplitud = 8 Vpp. - Offset= 0 V.

vs

10 k

R2

b
Figura 1

3. Simulacin del circuito en el dominio del tiempo ( Anlisis Transitorio). Se utiliza este tipo de anlisis cada vez que se estudie el comportamiento del circuito en funcin del tiempo. (Transient). a) Cree una nueva simulacin, haga clic en el men Pspice y escoga la opcin New Simulation Profile. Colquele un nombre a dicha simulacin.

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b) A continuacin aparece el cuadro de dialogo Simulation Settings el cual permite escoger el tipo de anlisis deseado. Escoja el tipo de anlisis Time domain y la opcin general settings. Luego de deben especificar los siguientes valores: Run to time: Determina el intervalo de tiempo para la presentacin de los resultados del analisis. En este caso coloque 5 ms. Start saving data after: Tiempo inicial para la realizacin del anlisis. Si no se especifica, el valor por defecto ser 0. Deje el valor por defecto. Maximum step size: Intervalo de tiempo entre los clculos del analisis. Si no se especifica el valor por defecto ser (run to time)/50. Este tiempo variar internamente, siendo mayor en los puntos donde el anlisis es ms superficial y menor en el intervalo donde el anlisis requiere mayor importancia. Deje el valor por defecto o especifique el valor 0,01 ms.

c) Oprima aceptar y luego en el men Pspice, seleccione la opcin Run. Se abre una ventana en la cual aparece la simulacin del circuito. d) Visualice la tensin suministrada por el Generador de seal y la seal de tensin presente en las terminales a y b. Para poder observar las variables de inters, haga clic en el botn Add trace y seleccione las variables que quiere visualizar. Otra forma muy til para observar las variables de inters, es colocar un marcador en el nodo del circuito en el cual se quiera observar la variable. Automticamente aparece la variable en la ventana de simulacin. e) Mediante el botn Toggle cursor , tome datos de las amplitudes pico y pico-pico de la tensin de entrada y la de salida. Si desea copiar la grafica, haga clic en el men Window y luego en la opcin copy to clipboard. Para modificar los parmetros de los ejes, haga clic en el men Plot y luego en la opcin Axis settings y escoga las opciones que desee. 4. Analizando el funcionamiento de un diodo. a) Observe la tensin de entrada y la tensin en las terminales a y b. Podra explicar tal situacin?, Qu puede concluir acerca del funcionamiento del Diodo?. Presente sus observaciones y conclusiones por escrito. 5. Variacin del voltaje de ruptura del diodo D1N4007 mediante el anlisis paramtrico. El anlisis paramtrico permite realizar el barrido de una variable en torno a un rango de valores. Posteriormente el programa realizar la simulacin del circuito para todos y cada uno de los valores que adquiera la variable especificada la cual puede ser una fuente, la temperatura, un parmetro de un modelo o un parmetro global. En este caso se desea variar un parmetro del modelo del diodo D1N4007. Este parmetro corresponde al voltaje de ruptura Vzk. El primer paso a realizar para variar el parmetro es conocer
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el nombre en Pspice del parmetro que vamos a variar. El voltaje de ruptura del diodo en Pspice se define como: BV. a) Abra la ventana Simulation Settings . Escoja el tipo de anlisis: Time domanin y la opcin Parametric sweep. Luego se deben especificar los siguientes parmetros: Sweep variable: se debe escoger el tipo de parmetro que se desea variar. En este caso escoja Model parameter. En Model Type seleccione D. En Model name, escriba el modelo de diodo, en este caso D1N4007. En parameter name, escriba el nombre del parmetro que quiera variar, en este caso BV. Sweep type: Tipo de barrido: lineal, logartmico por octavas o logaritmo por dcadas. Escoja lineal. Digite en valor inicial 3, en valor final 4 y en incremento 1. Esto define el rango de valores para los cuales se realizara el barrido.

b) Escoja aceptar y corra la simulacin (Run). c) Visualice la tensin suministrada por el Generador de seal y la seal de tensin presente en las terminales a y b para los diferentes valores de voltaje de ruptura del diodo. Qu diferencias observa con respecto al resultado del punto anterior?, Podra explicar tal situacin?, En que regiones de operacin se encuentra el Diodo?. Presente sus observaciones y conclusiones por escrito. 6. Analizando la curva caracterstica del Diodo mediante un anlisis DC Sweep. Este anlisis permite hacer un barrido en torno a una serie de valores de una fuente de entrada independiente (de intensidad o de voltaje), de la temperatura, de un parmetro interno del modelo o de un parmetro global, calculando el punto de trabajo para cada uno de los valores que tome la variable en cuestin. a) Realice la construccin del circuito que se observa en la figura 2. b) Abra la ventana Simulation Settings. Escoja el tipo de anlisis: DC Sweep y escoja las opciones Primery Sweep y Secondary Sweep. c) En la opcin Primary Sweep escoja como variable Voltaje source y coloque el nombre de la fuente de Tensin de entrada. Escoja como tipo de barrido lineal, valor inicial -10, valor final 10 y como incremento 0.1. d) En la opcin Secondary Sweep escoja como variable Model Parameter y coloque los mismos valores de los parmetros que se utilizaron el en punto 5. a). e) Escoja aceptar y corra la simulacin (Run). f) Visualice la intensidad de corriente con el fin de analizar la curva caracterstica del diodo. g) En que regiones de operacin se encuentra el diodo para los diferentes valores de tensin de la fuente de entrada?. Para que valores de tensin de la fuente de entrada el diodo cambia de regin de operacin?.

V1 1 D 1 D 1N 4007

Figura 2.
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7. Realice la construccin del circuito de la Figura 3. Condensador electroltico de 100 F entre los terminales a y b. a) Simule el circuito en el dominio del tiempo con los mismos parmetros utilizados en el punto 3. No realice anlisis parametrico. b) Visualice simultneamente la onda de tensin suministrada por el generador de seal y la onda de tensin medida entre las terminales a y b. Qu efectos aporta el condensador sobre la seal de tensin?, se modifica en algo la forma de onda de tensin con respecto al montaje del circuito de la Figura 1?. Anote sus observaciones y conclusiones y presntelas por escrito.

vs

10 k

R2

100 F

b
Figura 3.

8. Variacin de un parmetro global mediante el anlisis parametrico. Utilizando el anlisis paramtrico se quiere realizar el barrido del valor del condensador de la figura 3. Cuando se trata de un parmetro global, es necesario definir un nuevo parmetro. a) Por medio del botn Place Part , incluir el elemento PARAM que se encuentra en la librera Special.olb. b) Haga doble click en el elemento Parameters. Se abre la ventana de propiedades del elemento seleccionado, en la cual, se pueden configurar las propiedades del mismo. Haga click en el botn New e ingrese el nombre del parmetro que desea variar. Escriba c1 y oprima aceptar. Escriba un valor por defecto en el nuevo parmetro (10u). Por ultimo salga de la ventana de propiedades. c) Haga doble click en el valor del capacitor y cambie este por el nombre del parmetro escrito en corchetes {c1}. d) Abra la ventana Simulation Settings. Escoja el tipo de anlisis: Time domanin y la opcin Parametric sweep. Luego se deben especificar los siguientes parmetros: Sweep variable: se debe escoger el tipo de parmetro que se desea variar. En este caso escoja Global parameter. En parameter name, escriba el nombre del parmetro que quiera variar, en este caso c1. Sweep type: Tipo de barrido. Escoja lineal. Digite en valor inicial 100n, en valor final 100u y en incremento 50u. Esto define el rango de valores para los cuales se realizara el barrido.

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d) Visualice la tensin suministrada por el Generador de seal y la seal de tensin presente en las terminales a y b para los diferentes valores de capacitancia. Qu diferencias observa con respecto al resultado del punto anterior?, Podra explicar tal situacin?. Presente sus observaciones y conclusiones por escrito

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