RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN JFET RESUMEN: El transistor de efecto de campo (FET) usado en esta prctica tiene su uso particularmente en circuitos

integrados, obtiene su nombre de efecto de campo debido al hecho de que la corriente est controlada por un campo elctrico creado entre la puerta y la fuente cuando el FET est saturado. El presente trabajo brinda informacin acerca de la polarizacin y respuesta en frecuencia de un JFET con la herramienta de simulacin Pspice. INTRODUCCIN: Podemos mencionar algunas caractersticas del JFET: Los JFET generan un nivel de ruido menor que los BJT Los JFET so ms estables con la temperatura que los BJT. La alta impedancia de entrada de los JFET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.

Por el contrario los FET se pueden daar al manejarlos debido a la energa esttica. PASOS PARA EL CORRECTO FUNCIONAMIENTO DEL JFET: Para un correcto funcionamiento de un JFET, consideramos los siguientes aspectos: Especificaciones del diseo Obtencin de los puntos de trabajo en las curvas caractersticas de entrada y salida del JFET Determinacin de los valores de los componentes de polarizacin Clculo de los capacitares, las cuales brindan las asntotas de ganancia en funcin de la frecuencia Ajustes y anlisis de errores. OBJETIVO: Disear un amplificador de seal utilizando un JFET, determinando la obtencin de un punto de trabajo en las curvas caractersticas de entrada y salida del JFET. Determinar los valores de los componentes y clculos de todos los componentes del diseo.

PROCEDIMIENTO: P1.- Utilizando las curvas caractersticas de entrada y salida del Jfet 2N3819,Se hallo por simulacin los puntos de trabajo, tomando como referencia el circuito de la figura.

CARACTERSTICAS DE ENTRADA : A continuacin se mostrara las curvas caractersticas de polarizacin del transistor, simuladas en Pspice y el punto de trabajo que elegimos para el desarrollo de la prctica: La primera curva caracterstica de polarizacin donde se elige el punto de operacin del dispositivo. Qi = (-0,87 6mA)

CARACTERSTICA DE SALIDA : En la segunda curva elegimos el punto Qo, tomando en cuenta la corriente drenador surtidor obtenida en la primera curva. Por lo tanto el puntode trabajo en la salida es: Qo = (11,55 V, 6 mA)

POLARIZACIN EN DC Para realizar la polarizacin en DC realizamos los siguientes clculos:

Vg 1[ M ] Rs =

Vgs + Vs = 0 Vs = Vgs = 0.87 [ V ] Vs = 145 [ ] Rs = 150 [ ] Id

Valor comercial: 150 []

Vgs = 0.87 [ V ]

Vd = 11.55 [ V ] Rd =

Vd = 1.93 [ K ] Rd = 2 [ K ] Id

Valor comercial:2000 []

Entonces obtenemos los valores comerciales de las resistencias para poder polarizar en DC que son: Rg=1 [M] ; Rs= 150 [] ; Rd= 2[K] Con una fuente de DC de Vdd= 24 [V] Para comprobar la polarizacin vemos en el Pspice la polarizacin en DC los voltajes y las corrientes a continuacin:

ANLISIS EN AC: Para realizar la polarizacin en AC obtenemos primero la ganancia de voltaje y el ancho de banda: Para nuestro grupo: Av= 12 dB y Bw= 480 KHz. Para hacer los clculos de los capacitares dibujamos el circuito hibrido o el circuito equivalente del JFET para la respuesta en frecuencia. ANLISIS EN BAJA FRECUENCIA PARA CALCULAR C1, C2 Y CS: Para C1 y C2 calculamos a una frecuencia de f= 10Hz para C1 obtenemos la relacin siguiente: Calculo C1:

C1 =

( 2* * f ( Rg + Ri ) )

= 56 [ nF ]

Valor comercial: C1=150 [nF]

Calculo C2:

C2 =

1 = 3.12 [ uF ] 2* * f ( Rd + RL ) / / ( Rs + r0 )

Valor comercial: C2= 4.7 [uF]

El circuito equivalente para Cs es:

Y para calcular Cs con una frecuencia de f = 100 Hz Analizando el circuito equivalente hallamos la resistencia equivalente que es igual a: Req= [Rd// (RL + r0 )//Rs)] Aprox:Req= 180[] Y la relacin de Cs es:

Cs =

1 ( 2* * f * Re q

= 8.8 [ uF ]

Valor comercial: Cs= 10 [uF]

ANLISIS DE ALTA FRECUENCIA PARA HALLAR CX

Para realizar el clculo de Cx analizamos el siguiente circuito que es el equivalente despus de descolgar los capacitares parsitos del transistor por Miller:

Entonces tenemos las relaciones siguientes para una frecuencia que es igual al ancho de banda f= 300 [KHz]:

Cx =

1/ (2* * Ri) - Cgs - Cgd = 3.64 Cx = 3.64 Valor comercial: Cs= 3.3[nF] 1- Av

Para poder calcular RL se acudi a:

Primero para RL calculamos en medias frecuencias y obtenemos la siguiente relacin:

RL =

( Av - gm * Rd )

( - Av * Rd )

= 1.1[ K ]

Valor comercial: RL= 2 [K ]

Teniendo todos los clculos realizados y con valores comerciales de resistencias y capacitares obtenemos el circuito y la polarizacin tanto en DC como en AC.

A continuacin le presentaremos las graficas de la transiente:

Grafica del ancho de Banda y la ganancia:

TABLA DE COMPONENTES TERICOS Y PRCTICOS: COMPONENTE S Ri C1 C2 Rg Rs Rd RL Cs Cx TEORICO S 600[] 150[nF] 4.7 [uF] 1[M] 150[ ] 2000[] 1.2[K ] 10[uF] 470[pF] SIMULADO S 600[] 150[nF] 4.7[uF] 1[M] 150[ ] 2[K] 1.2[ k] 10[uF] 470[pF] PRACTICO S 600[] 150[nF] 4.7[uF] 1[M] 150[] 2[K] 7[K] 10[uF] 4.5[pF]

Explicacin de las diferencias en la tabla. Terico:

Los valores para el diseo se obtienen a partir de modelos matemticos, estos valores son exactos y no comerciales. o No se toman en cuenta sobrecalentamientos, prdidas y otros factores que hacen variar los resultados en la prctica. Practico: o los valores comerciales vienen determinados desde las fabricas, el valor ms prximo a nuestro diseo es el que se utiliza o estos valores tienen un error especfico de su valor real o las prdidas son considerables, segn el medio de trabajo que se le da. o

Los resultados que obtenemos en la parte terica, simulacin y prctica obtuvimos algunas discrepancias debido a la variacin de los componentes. CONCLUSIONES: De acuerdo a los objetivos planteados sealamos: Los transistores no se comportan de forma lineal y eso conlleva a grandes cambios como ser la impedancia de entrada, impedancia de salida, ganancia, ancho de banda. Se llegaron a la conclusin de que una pequea variacin en punto de operacin nos provoca un gran cambio a los valores esperados. Con la realizacin de esta prctica llegamos a aprender el manejo del programa de simulacin Pspice para obtener respuestas aproximadas antes de ir a laboratorio. Adems que se logro realizar el anlisis de el diseo del amplificador con el transistor JFET. Pero a pesar de todas las dificultades y facilidades que se tuvo con la culminacin de esta prctica la concluimos con xito en la presentacin mas no en lo que se tena que obtener con la ganancia y el ancho de banda

BIBLIOGRAFIA Savant-Roden-Carpenter: Diseo Electrnico Belove: Circuitos Electrnicos discretos e Integrados

UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMON FACULTAD DE CIENCIAS Y TECNOLOGIA LABORATORIO DE ANALOGICA II

UNIV: Juaniquina Fulguera Marcos Dino Mercado Andia Juan Pablo Sotelo Canelas Jhonny

DOCENTE: Ing. Arturo Zaramani

COCHABAMBA - BOLIVIA