Tema1 SemiConduct

1
Mara J ess Martn Martnez : mjmm@usal.es

TEMA 1. SEMICONDUCTORES
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
2
TEMA 1. SEMICONDUCTORES TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1. 1. Slidos Cristalinos Slidos Cristalinos
2. 2. Semiconductores Semiconductores
3. 3. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
4. 4. Densidad de portadores en un semiconductor Densidad de portadores en un semiconductor
5. 5. Transporte de portadores en un semiconductor Transporte de portadores en un semiconductor
- - Arrastre Arrastre
- - Difusin Difusin
- - Generacin Generacin- -recombinacin recombinacin
6. 6. Ejercicios propuestos Ejercicios propuestos
3
Slidos cristalinos
Una posible clasificacin de los
materiales atendiendo a su estructura
cristalina: cristalinos, policristalinos,
amorfos.
Los slidos cristalinos son agrupaciones
peridicas de una estructura base, que
por traslacin reproduce todo el material
cristalino.
Existen siete sistemas cristalinos
En particular nos va a interesar el
sistema cbico (centrado en las caras)
dado que es el sistema en el que
cristalizan la mayora de los materiales
slidos electrnicos.
1.1. SLIDOS CRISTALINOS 1.1. SLIDOS CRISTALINOS
http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais
D. Pardo, et al. 1999
4
Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades elctricas
Los Semiconductores son materiales que poseen propiedades intermedias de
conduccin.
Los materiales semiconductores ms importantes son
Silicio
Germanio
GaAs
Ambos cristalizan en el sistema cbico con red centrada en las caras.
Para comprender mejor esta definicin es necesario recordar la clasificacin de los
elementos segn su capacidad de conduccin; en la naturaleza encontramos
materiales:
Conductores
Aislantes
Semiconductores
D. Pardo, et al. 1999
5
Clasificacin de Slidos cristalinos en funcin de sus propiedades
elctricas
Metales, semiconductores, aislantes
Pero cuales son las caractersticas fsicas
que diferencian a cada uno de ellos?.
Debemos ahondar un poco mas en el
estudio de la fsica de los componentes.
Los materiales que encontramos en
nuestro medio son la combinacin
ordenada o estructurada de una serie de
elementos conocidos como tomos
Estos se unen entre s para formar las
molculas y la unin de estas forma a la
vez los diferentes elementos de la
naturaleza.
Desde el punto de vista electrnico nos
interesa la CONDUCTIVIDAD elctrica del
materialelectrones libres que puedan ser
arrastrados por un campo elctrico (o
potencial) y contribuyan a una corriente
www.textoscientificos.com
6
- - Difusin Difusin
7
Anlisis Fsico: La existencia de electrones libres (que puedan dar corriente) es
una cuestin energtica:
tomo aislado de H(nmero atmico 1)
Durante el estudio del tomo, muchos cientficos han tratado de explicar como esta formado y
ordenado este, existen muchas teoras algunas de las cuales se contradicen; se pueden citar
algunos modelos: Modelo Atmico de Dalton, Rutherford, Bohr y Schrdinger.
Las energas discretas que puede tener el electrn son:
1.2. SEMICONDUCTORES 1.2. SEMICONDUCTORES
2
n
cte
E
n
=
colos.inf.um.es www.sc.ehu.es
http://www.quimicaweb.net
8
Semiconductores
http://www.politecnicocartagena.com
9
En estado puro tiene propiedades fsicas y qumicas parecidas a las del diamante.
El dixido de silicio (slice) [SiO
2
] se encuentra en la naturaleza en gran variedad de
formas: cuarzo, gata, jaspe, nice, esqueletos de animales marinos.
Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras. En estado muy puro y
con pequeas trazas de elementos como el boro, fsforo y arsnico constituye el material
bsico en la construccin de los chips de los ordenadores.
Silicio : Si
Descubridor : J ns J acob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ao : 1823
Etimologa : del latn silex
10
tomo aislado de Si
(nmero atmico 14)
Los dos primeros niveles (E
1
y E
2
) acomodan: 2 y 8 electrones
Estos electrones estn ligados al tomo y no pueden ser perturbados
En el tercer nivel E
3
restan 4 electrones Son los llamados electrones de
valencia Pueden ser fcilmente liberados de sus posiciones para formar
enlaces.
11
Los cristales de semiconductores estn formados por tomos donde los vecinos
ms cercanos estn enlazados de manera covalente (mas o menos polar).
Los materiales semiconductores ms importantes cristalizan en el sistema cbico con red
centrada en las caras:
Estos SC tienen en su ultimo orbital 4 electrones de valencia (que estn atrapados en los
enlaces).
Sin embargo, el electrn puede abandonar el enlace y pasar a ser electrn libre (mvil en el
cristal) y formar parte de una corriente si recibe energa
Trmica (ejemplos: 0 K, 300 K)
ptica
Elctrica
GaAs: estructura
Zinc-Blenda
Si, Ge: estructura
diamante
http://www.esacademic.com Cortesa de wie@acsu.buffalo.edu
12
Niveles electrnicos de un slido que es la unin de N tomos (N del orden de 20
23
)
Aparecen superpuestos los niveles de energa atmicos de los N tomos
Cada nivel se ensancha y forma una banda de valores discretos de energa
(aunque muy juntos) para contener los 4N electrones.
Los cristales de semiconductoresModelo de bandas de energa
Electrones
n=3
n=2
n=1
1 tomo de Si
n=3
n=2
n=1
2 tomos de Si
n=3
n=2
n=1
N tomos de Si
4N
electrones
8N
electrones
2N
electrones
Banda de
electrones de
Valencia
13
Modelo de bandas de energa: Clasificacin
Las energas que tienen los electrones en el cristal son semejantes a las que tienen
en los tomos libres pero los electrones deben obedecer al principio de exclusin
de Pauli (no puede haber dos e- en el mismo estado cuntico)
En los slidos, debido a la interaccin entre los tomos que forman el cristal, aparece un
desdoblamiento de estados desdoblamiento de energas.
Cada nivel en el tomo forma una banda. Para la distancia intertomica de equilibrio pueden
las bandas estar
SolapadasMETAL
Separadas (0.5-4 eV) SEMICONDUCTOR
Muy separadas (>4eV)AISLANTE
Aparece un GAP de
energas no
permitidas: E
g
http://www.esacademic.com
14
Introduccin: conceptos bsicos Introduccin: conceptos bsicos
- - Difusin Difusin
15
Cristal Semiconductor intrnseco:
A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones
a travs de sus bandas de energa
Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los e- estn formando
enlaces.
Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar
libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura
cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrn libre (e-), pero
tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
Representacin
bidimensional de la
estructura cristalina
del Si
16
E
g
(Si) ~ 1,1 eV
E
g
(Ge) ~ 0,7 eV
E
g
E
T = 0 K
Banda de valencia
Banda prohibida
Banda de conduccin
Modelo de bandas de energa: Conduccin intrnseca
1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS 1.3. SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Y EXTRNSECOS
T > 0 K
n: n electrones/m
3
p: n electrones/m
3
n
i
: densidad intrnseca
de portadores
n =p = n
i
n =p = n
i
FFI-UPV.es
17
n =p = n
i
n =p = n
i
n: nmero de electrones (por unidad de volumen) en la banda de conduccin
p: nmero de huecos (por unidad de volumen) en la banda de valencia
n
i
: concentracin intrnseca de portadores
En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y
de huecos son iguales:
2.4 10
-9
1.42
1.810
6
GaAs
- 4.5 10
-6
Conductividad
(O
-1
cm
-1
)
0.66 1.12 E
g
: GAP (eV)
2.410
13
1.510
10
n
i
(port./cm
3
)
Ge Si T=300 K
T > 0 K
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
18
Estructura de un metal
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
~10
23
e
-
libres/cm
3
Estructura de un semiconductor
~10
13
e
-
libres/cm
3
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
19
0
10
20
30
40
50
250 275 300 325 350 375 400
T (K)
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

i
n
t
r
n
s
e
c
a
(
1
0
1
8

m
-
3
)
Ge
Si
n AT e
i
E
kT
g
=

3
2
2
0
10
20
30
40
50
250 275 300 325 350 375 400
T (K)
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i
n

i
n
t
r
n
s
e
c
a
(
1
0
1
8

m
-
3
)
Ge
Si
n AT e
i
E
kT
g
=

3
2
2
T > 0 K
kT 2
E
2
3
i
g
e AT ) t ( f n

= =
Dependencia con la Temperatura: Grfico n
i
= f(T)
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
20
Semiconductor Intrnseco:
Intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro contiene
una cantidad insignificante de tomos de impurezas. En l se cumple:
Semiconductor Extrnseco:
En la prctica nos interesa controlar la concentracin de portadores en un
semiconductor (n o p).
De este modo se pueden modificar las propiedades elctricas: conductividad
Para ello se procede al proceso de DOPADO:
Un pequeo porcentaje de tomos del SC intrnseco se sustituye por tomos de otro
elemento (impurezas o dopantes).
Estas impurezas sustituyen a los tomos de Silicio en el cristal formando enlaces.
De este modo podemos
Favorecer la aparicin de electrones (Semiconductores Tipo N: donde n > p)
Favorecer la aparicin de huecos (Semiconductores Tipo P: donde p>n).
TEMA 1. SEMICONDUCTORES TEMA 1. SEMICONDUCTORES TEMA 1. SEMICONDUCTORES TEMA 1. SEMICONDUCTORES
n =p = n
i
n =p = n
i
21
Caso particular del Silicio
Material extrnseco Tipo n:
Se ha dopado con elementos pentavalentes
(As, P o Sb) que tienen 5 electrones en la
ltima capa: IMPUREZA DONADORA.
Al formarse la estructura cristalina, el quinto
electrn no estar ligado en ningn enlace
covalente.
Con muy poca energa (slo la trmica, 300 K)
el 5 electrn se separa del tomo y pasa la
banda de conduccin.
La impureza fija en el espacio quedar
IONIZADA (cargada positivamente)
En un semiconductor tipo n, los dopantes contribuyen a la
existencia extra de electrones, lo cul aumenta
enormemente la conductividad debida a electrones .
n >>p
n >>p
http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
22
Material extrnseco Tipo P:
Cuando se sustituye un tomo de Si por un
tomo como (Boro, Galio) que tienen 3
electrones en la ltima capa: IMPUREZA
ACEPTADORA.
Al formarse el cristal, los tres electrones forman
el enlace covalente con los tomos de Si, pero
queda un hueco (un enlace vacante).
A ese hueco se pueden mover otros electrones
que dejarn a su vez otros huecos en la Banda de
Valencia.
La impureza fija en el espacio quedar cargada
negativamente
En un semiconductor tipo p, los dopantes contribuyen a la
existencia extra de huecos sin haber electrones en la banda
de conduccin.
p >>n
p >>n
23
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
6,941
4
Be
9,012
5
B
10,811
6
C
12,011
7
N
14,007
8
O
15,999
9
F
18,998
10
Ne
20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Donadores y aceptadores para el Si
FFI-UPV.es
24
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Impurezas grupo V Impurezas grupo V
300K
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Electrones libres Electrones libres tomos de impurezas ionizados tomos de impurezas ionizados
Resumiendo, semiconductores extrnsecos
Material extrnseco Tipo N:
Impurezas del grupo V de la tabla peridica.
Con muy poca energa se ionizan (pierden
un electrn.
Material extrnseco Tipo P
Impurezas del grupo III de la tabla peridica
A T=300 K todos los tomos de impureza
han captado un electrn.
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo N son Electrones libres
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
300K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Huecos libres Huecos libres tomos de impurezas ioniza tomos de impurezas ioniza
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo P son Huecos: Actan como
portadores de carga positiva.
25
- - Difusin Difusin
26
Ley de accin de masas
En un semiconductor tanto intrnseco como extrnseco, se cumple:
A una Temperatura dada: el producto de las densidades de los dos tipos de
portadores e mantiene constante
En un semiconductor extrnseco, el incremento de un tipo de portador tiende a reducir el
otro.
Ley de cuasi-neutralidad elctrica (general)
Lo que indica que las cargas positivas deben ser igual que las negativas
np = n
i
2
np = n
i
2
n: nmero de e- /volumen
p: nmero de h+/volumen
n
i
: concentracin intrnseca
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR 1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
N
A
+n = N
D
+p
N
A
+n = N
D
+p
N
A
: densidad de impurezas aceptadoras
N
D
: densidad de impurezas donadoras
27
Leyes de accin de masas y de cuasi-neutralidad elctrica. Casos particulares
Semiconductor intrnseco:
N
A
= N
D
= 0 p = n = n
i
Semiconductor tipo N
N
A
= 0; n ~ N
D

Semiconductor tipo P
N
D
= 0; p ~ N
A

1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR 1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
N
A
+n = N
D
+p
N
A
+n = N
D
+p
N
A
: dens. iimpurezas aceptadoras
N
D
: dens. impurezas donadoras
D
2
i
N
n
p~
np = n
i
2
np = n
i
2
A
2
i
N
n
n~
28
- - Difusin Difusin
29
El movimiento de electrones y huecos (partculas cargadas) da lugar a
una corriente.
Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos electrnicos
Que a su vez controlan la corriente en la malla en la que estn situados.
Veamos los diferentes fenmenos a los que estn expuestos los
portadores:
Movimiento aleatorio trmico
Arrastre o desplazamiento
Difusin
Generacin-recombinacin
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR 1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
30
El portador se mueve rpidamente dentro del cristal en
todas las direcciones alternando recorridos libres y
colisiones con los tomos de la red.
En equilibro trmico y sin campo elctrico aplicado
(E=0), el movimiento de todos los portadores se cancela
y la corriente media en cualquier direccin es nula.
Movimiento aleatorio trmico
En equilibrio trmico, los portadores dentro del semiconductor estn siempre en
movimiento trmico aleatorio.
La mecnica estadstica nos dice que: un portador a una temperatura T tiene una
energa trmica media de 3K
B
T/2
Esta energa trmica le sirve para moverse (convertirla en energa cintica) a una
velocidad trmica : v
th
T K v m
B th
2
3
2
1
2 *
=
m*: masa efectiva del portador
K
B
: Constante de Boltzmann
K
B
T (300K): 0.026 eV
Albella. J. M. et al, 1996
31
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva
Movimiento de los portadores
Cuando se aplica E: los portadores sufren una
fuerza igual a :
F= - e E para electrones (acelerados en sentido
opuesto al campo)
F= e E para huecos (acelerados en el sentido
del campo)
Estas fuerzas proporcionan una aceleracin (2 ley de Newton)una velocidad
media neta que se puede escribir (estadsticamente, en media)
E E
m
e
v
n
n
n
dn

t
= =
*
E E
m
e
v
p
p
p
dp

t
= =
*
m
n
*: masa efectiva de electrones
t
n
: tiempo medio entre choques
Los valores: m*, t, son propios de cada tipo
de portador y del semiconductor.
En general m
p
*>m
n
*, y t
n
=t
p
v
dn
>v
dp
n
: movilidad de electrones
Movimiento de un electrn
bajo la accin de un E
Albella. J. M. et al, 1996
32
Semiconductor tipo N homogneo:
La corriente elctrica (n de portadores que atraviesan una superficie por unidad de tiempo) es:
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (II)
Clculo de las corrientes de arrastre
Consideramos un pedazo de semiconductor homogneo de rea A transversal y
longitud L.
E n A e v n A e I
n dn n
= =
v
n
= -
n
E

v
p
=
p
E
E
ext
L
A
FFI-UPV.es
33
Sustituyendo en la ecuacin anterior, obtenemos que en un semiconductor se cumple la Ley
de OHM:
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (III)
Semiconductor tipo N homogneo, en el que se cumple:
El campo elctrico es constante y depende de
la diferencia de potencial externo aplicado entre extremos:
La resistencia de la muestra est relacionada con su
conductividad/resistividad:
n
n n n
R
V
L
V
A
L
V
n A e I = = = o
A
L
A
L
R
L
V
E
n
n n
o
1
= =
=
n n
n e o =
Siendo la conductividad del semiconductor debida a los electrones
34
Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (IV)
De manera anloga en un semiconductor tipo P homogneo:
La corriente de arrastre de huecos:
De nuevo, la resistencia de la muestra est relacionada
con su conductividad/resistividad:
Sustituyendo obtenemos : con:
A
L
A
L
R
p
p p
o
1
= =
p p
p e o =
L
V
p A e E p A e v p A e I
p p dp p
= = =

p
p p p
R
V
L
V
A
L
V
p A e I = = = o
35
Corrientes de deriva/arrastre/desplazamiento en SC
p = n = n
i
o = e(n
n
+ p
p
)
o = e n
i
(
n
+
p
)
P
p >> n
o ~ qp
p
n >> p
o~ qn
n
N
Extrnsecos
En un semiconductor con ambos tipos de portadores:
L
V
A I I I
p n p n
) ( o o + = + =
L
V
A
I
p n
) ( o o + =
E E J
T p n
o o o = + = ) (
kT 2
E
2
3
i
g
e AT ) t ( f n

= =
Intrnsecos
FFI-UPV.es
.
www.textoscientificos.com
36
Fenmenos de difusin (I)
La difusin ocurre como consecuencia de la no-homogeneidad de concentracin
los portadores se difunden desde donde la concentracin es mas alta hacia donde
es ms baja.
D: coeficiente de difusin
N: concentracin de portadores
dx
dN
D F =
Cmo son partculas cargadas este movimiento da lugar a corrientes de difusin:
obedecen a la Ley de Fick:
Vn = 0
dx
n d
n

= V
FFI-UPV.es
37
Fenmenos de difusin (II)
Las corrientes de difusin de electrones y de huecos, se pueden calcular partiendo
del flujo como:
Corrientes TOTALES (arrastre+ difusin)
La corriente total en un semiconductor en general (con ambos tipos de portadores)
debe obtenerse por la suma de las componentes de arrastre ms las de difusin de
ambos tipos de portadores:
p n
n n p
n n n
I I I
dx
dn
D E n A e I
dx
dn
D E n A e I
+ =
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
+ =

dx
dp
D A e eAF I
dx
dn
D A e eAF I
p p
n n
= =
= =
D
n
: coeficiente de difuson de electrones
D
p
: coeficiente de difuson de huecos
Los signos indican que la corriente de difusin de huecos es opuesta a su gradiente.
38
Es importante resaltar como en equilibrio, ambos fenmenos se
compensan:
(de manera que se mantiene la validez de la ley de accin de masas). Siendo n
0
y p
0
son
las densidades de electrones y de huecos en la BC y BV en equilibrio.
Tambin un electrn de la BC puede pasar a la BV (desaparece un
par electrn-hueco)fenmeno de recombinacin.
Fenmenos de generacin-recombinacin (g-r) (I)
En equilibrio trmico: Para una T dada, los portadores poseen
una energa trmica:
Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un
hueco en la BV Se genera un par e-h: fenmeno de generacin.
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : G
th
(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo.
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : R
th
(nmero de pares recombinados por unidad de volumen y de tiempo)
n
0
p
0
= n
i
2
n
0
p
0
= n
i
2
R
th
= G
th
R
th
= G
th
G
th
G
th
=2
R
th
R
th
=1
n
0
p
0
FFI-UPV.es
39
EJ EMPLO INYECCION OPTICA
Hacemos incidir sobre el SC un rayo de luz cuya
energa es igual o superior que el GAP del material.
Fenmenos de g-r (II)
En situaciones de NO equilibrio trmico:
c= hu > GAP
SC
c= hu > GAP
SC
h: Cte de planck: 4.14 10-15 eV s
u: frecuencia de la radiacin
Si la energa de los fotones es absorbida por un
electrn de la BV que pasa a la BC se produce el
fenmeno ADICIONAL de generacin llamado
FOTO-generacin aumento de la
cantidad de portadores (tanto electrones como huecos)
Este fenmenos es la base de los fotodetectores:
La consecuencia es que tiene lugar un aumento de
la conductividad que depende de la iluminacin
FOTO-CONDUCTIVIDAD.
luz
A
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones
F
o
t
o
c
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

d
e
l

S
i
GAP
SC
FFI-UPV.es
40
Tenemos una nueva componente g-r : FOTOGENERACION
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : G
L
(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo.
Ahora el nmero de electrones y de huecos en las bandas de valencia
y conduccin ser:
De manera que ahora ya no se cumple la ley de accin de masas.
Debido a esa generacin extralos g-r intentarn reestablecer el
equilibrio: aumentarn los fenmenos de recombinacin:
RECOMBINACION RADIATIVA: U Al final habr una densidad
estacionaria de portadores (diferente de equlibrio).
Fenmenos de g-r (III)
En situaciones de NO equilibrio trmico: Inyeccin ptica
np >n
i
2
np >n
i
2
n=n
0
+ An
p=p
0
+ Ap
o = e(n
n
+p
p
) = o
0
+ Ao
Aumento de conductividad
debido a la iluminacin
G
L
Luz
hu >GAP
SC
U
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
41
Fenmenos de g-r (III)
De modo, que en total, bajo situaciones de NO equilibrio trmico:
EJ EMPLO de Inyeccin ptica
El nmero de portadores generados GLOBAL por foto-conductividad se puede expresar como:
Finalmente, debemos considerar las 4 componentes mencionadas
An = G
L
t
Ap= G
L
t
G
L
: nmero de portadores que se generan/ (m
3
s)
t: tiempo de vida media por recombinacin (s)
G
L
Luz
hu >GAP
SC
G
th
R
th
U
FFI-UPV.es
42
Agradecimientos
Jose Antonio Gomez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica.
Universidad Politcnica de Valencia.
Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de Electrnica.Universidad
de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999.
Albella J . M, y Martnez-Duart, J .M. Fundamentos de electrnica fsica y
microelectrnica. Ed. Addison Wesley/UA Madrid, 1996
http://www.textoscientificos.com/imagenes/quimica/variacion-conductividad.gif
http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/456727 (Fisica del estado slido).
http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/67/Celdi1.PNG
http://www.politecnicocartagena.com/img%20dto%20fisica/semiconductores.ppt
http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais
http://colos.inf.um.es/carmfisica/FisicaCurricu/GO_AtomoSchrodinger.html
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica_/cuantica/principios/caja/atomo_bohr2.gif
http://www.quimicaweb.net/grupo_trabajo_fyq3/tema4/imagenes/Bohratommodel.png

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