NOMBRE DEL TRABAJO: INVESTIGACION DE LA TERCER UNIDAD. NOMBRE DE LA MATERIA: TEC. DE LOS MATERIALES. NOMBRE DEL PROFESOR: ING.

PEDRO GARCIA S. ALUMNO: ANTONIO MATUS ARAGON GRUPO: SEGUNDO 2L ESPECIALIDAD: INGENIERA ELCTRICA

PERIODO: ENERO - JULIO 2013 H. CD. DE JUCHITAN DE ZARAGOZA A DEL 2013. 29 DE ABRIL

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NDICE:
Introduccin...................pgina 3 Semiconductores.......pgina 4 Teora de bandas....pgina 4 Dopar (dopaje).pgina 5 Semiconductores intrnsecos......pgina 5 Semiconductores extrnsecos.....pgina 6 Disposicin esquemtica de los tomos de un c. de silicio.pgina 7 Influencia de la temperatura sobre los semiconductores....pgina 8 Estructura atmica de los semiconductores....pgina 8 La conduccin elctrica en los semiconductores...pgina 8 La corriente elctrica por arrastre de campo ...pgina 8 Electrones librespgina 9 Huecos.pgina 9 Aplicacin de los semiconductorespgina 10 Bibliografa..pgina 11 Conclusin..pgina 12

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Introduccin. Los materiales se comportan de modo diferente segn su capacidad para transportar la corriente elctrica. Basndose en este comportamiento, los diferentes tipos de materiales existentes se pueden clasificar en conductores, aislantes y semiconductores, que constituyen la base de los dispositivos electrnicos. Un semiconductor es un material o compuesto que tiene propiedades aislantes o conductoras. Unos de los elementos ms usados como semiconductores son el silicio, el germanio y selenio, adems hay otros que no son elementos como los mencionados anteriormente si no que son compuestos como lo son el Arseniuro de Galio, el Telurio de Plomo y el Seleniuro de Zinc.(1) Describiremos la importancia y las propiedades de los semiconductores intrnsecos y los semiconductores dopados.

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Los semiconductores: Son materiales que presentan unas caractersticas intermedias entre los conductores y los aislantes. En condiciones normales son aislantes y no dejan pasar la corriente elctrica, pero bajo ciertas circunstancias, si reciben energa externa, pueden pasar a ser conductores. Los materiales semiconductores pueden ser intrnsecos o extrnsecos. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones).

Teora de bandas:
Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente desde una perspectiva ms cientfica. Definimos Banda de Valencia (BV) al conjunto de energa que poseen los electrones de valencia. Definimos Banda de Conduccin (BC) al conjunto de energa que poseen los electrones para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn en esta banda pueden circular por el material si existe una tensin elctrica que los empuje entre dos puntos. En base a estos dos conceptos tenemos tres casos: Conductor: En este caso la Energa de la banda de valencia es mayor que la de los electrones de la banda de conduccin. As pues, las bandas se superponen y muchos electrones de valencia se sitan sobre la de conduccin con suma facilidad y, por lo tanto con opcin de circular por el medio. Aislante: En este caso la energa de la banda de conduccin es mucho mayor que la energa de la banda de valencia. En este caso, existe una brecha entre la banda de valencia y la de conduccin de modo que, los electrones de valencia no pueden acceder a la banda de conduccin que estar vaca. Es por ello que el aislante no conduce. Slo a temperaturas muy altas, estos materiales son conductores. Semiconductores: En este caso, la banda de conduccin sigue siendo mayor que la banda de valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms pequea, de modo que, con un incremento pequeo de energa, los electrones de valencia saltan a la banda de conduccin y puede circular por el medio. Cuando un electrn salta desde la banda de valencia a la de conduccin deja un hueco en la banda de valencia que, aunque parezca extrao, tambin se considera portador de corriente elctrica. En resumen: en los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente Elctrica: Los electrones: con carga negativa Los huecos con carga positiva.

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Dopar (dopaje): Otro mtodo para obtener electrones para el transporte de electricidad consiste en aadir impurezas al semiconductor o doparlo. La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de conduccin negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto se ilustra en el diagrama adjunto, que muestra un cristal de silicio dopado. Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). Se requieren dos para formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.

Semiconductores intrnsecos
Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son elementos simples, como el silicio (Si) y el germanio (Ge). Estos elementos son tetravalentes, es decir, tienen cuatro electrones de valencia, y forman enlaces covalentes en los que comparten estos electrones con los tomos vecinos. Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el

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nombre de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minontarios. El enlace covalente mantiene anclados a los electrones e impide su desplazamiento, por lo que da lugar a materiales que no pueden conducir la corriente elctrica.

Semiconductores extrnsecos:
Los semiconductores intrnsecos presentan una conductividad muy baja, por lo que se han buscado mtodos para aumentar su valor. Esto ha dado lugar al desarrollo de los semiconductores extrnsecos. Tambin podemos conseguir que un material semiconductor se convierta en conductor aportndole las cargas elctricas necesarias para que pueda conducir la corriente elctrica. Esto se logra introduciendo impurezas en el material, mediante un proceso denominado dopado, y en este caso hablamos de conduccin extrnseca. Si en un material hay un exceso de cargas negativas (electrones), muchas de ellas no podrn encontrar pareja para formar el enlace. Como consecuencia, estos electrones de sobra se situarn libremente alrededor de los tomos y podrn moverse con facilidad. Este exceso de cargas negativas se consigue introduciendo impurezas con ms electrones de valencia que el material semiconductor base. Estas impurezas se denominan impurezas donadoras, y el material obtenido, semiconductor tipo N. Por ejemplo, el silicio (que tiene cuatro electrones de valencia) se dopa con pequeas cantidades de fsforo, arsnico o antimonio (que tienen cinco electrones de valencia y, por tanto, un electrn de ms). Los electrones sobrantes quedan libres y se encargan de conducir la corriente elctrica.

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De forma anloga, tambin se puede introducir un exceso de cargas positivas en el material. En este caso se produce un defecto de electrones o, dicho de otra forma, un exceso de huecos (entendiendo por hueco la ausencia del electrn que compensa la carga positiva). La presencia de estos huecos tambin facilita la conduccin de la corriente elctrica, pues tienden a captar electrones y permiten el desplazamiento de estos. El exceso de cargas positivas se consigue introduciendo impurezas con menos electrones de valencia que el material semiconductor base. Estas son impurezas aceptadoras, y el material obtenido se denomina semiconductor tipo P. El silicio se dopa con impurezas de boro, galio o indio (que tienen tres electrones de valencia y, por tanto, un electrn de menos). En general, los semiconductores extrnsecos presentan una conductividad elctrica mayor que la de los semiconductores intrnsecos. Por este motivo, en la fabricacin de dispositivos electrnicos se utilizan principalmente semiconductores extrnsecos (silicio tipo P y tipo N). DISPOSICIN ESQUEMTICA DE LOS TOMOS DE UN SEMICONDUCTOR DE SILICIO PURO: La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos vecinos para as formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendr tan poca energa que no har posible la conduccin elctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formacin de un espacio vaco, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se lo denomina hueco. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto nmero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo, La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene

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ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco. Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste.

Influencia de la temperatura sobre los semiconductores:

Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es de tipo N P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.

ESTRUCTURA ATMICA DE LOS SEMICONDUCTORES:

La mayor parte de los dispositivos electrnicos modernos estn fabricados a partir de semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un circuito elctrico, es necesario conocer el comportamiento de los componentes desde un punto de vista fsico. Por ello, en este tema se presentan las propiedades y caractersticas fundamentales de este tipo de materiales. Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los conductores. CONDUCCION ELCTRICA EN SEMICONDUCTORES Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse dos tipos de corrientes: Corrientes por arrastre de campo Corrientes por difusin 1 CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los portadores de carga:

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Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la facilidad con que estos se mueven por la red, es decir:

Je = en(qE)
en donde: Je = Densidad de corriente de electrones e = Movilidad de los electrones en el material n = Concentracin de electrones q = Carga elctrica E = Campo elctrico aplicado La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del electrn a travs de la red cristalina. Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces. La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese que los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico. Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos viene dada por:

Jh = hp(qE)
En donde: Jh = Densidad de corriente de huecos h = Movilidad de los huecos en el material p = Concentracin de huecos q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn E = Campo elctrico aplicado

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La movilidad h es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La facilidad de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones. Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los electrones se movern en el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, se mire por donde se mire, la densidad de corriente global es la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:

J = Jh + Je = hp (qE) + en (qE)
2 CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES

Antes de entrar en el fenmeno de conduccin por difusin vamos a explicar el concepto de difusin. Imaginad (el que no tenga mucha imaginacin que mire la Figura 4) que tenemos una caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento introducimos un gas A, y en el otro un gas B. Aplicacin de los semiconductores: Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera elctrica. Los ltimos avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos. La aplicacin ms eficiente de este tipo de chips es la fabricacin de circuitos de semiconductores de metal - xido complementario o CMOS, que estn formados por parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo circuito. Adems, se estn fabricando dispositivos extremadamente pequeos utilizando la tcnica epitaxial de haz molecular.

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Bibliografa: http://www.wikipedia.com.mx Libro: Fsica universitaria. Autores: Raymond chand Quinta edicin. Editorial: Mc Graw Hill.

CONCLUSION
Bueno como hemos visto en este trabajo esta conformado en los tipos de materiales en el cual los materiales tienen capas para transportar la corriente elctrica con el
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cual se pueden clasificar en conductores aislantes y semiconductores en el cual son dispositivos elctricos. Los semiconductores es una material que tienes aislantes o conductores para la corriente elctrica

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