RESPUESTA EN FRECUENCIA DE BJT Prctica 7.

Jos Pablo Montoya Vlez

jpmontoyav@unal.edu.co 2.Amplificador de emisor comn Introduccin: Circuito: El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades semiconductoras, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el caucho. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de ellas de la misma manera, la zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas positivas). Figura 3- circuito amplificador de emisor comn La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o Curva simulada: NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos un voltaje igual al voltaje directo de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el de germanio.
Figura 4 curva simulada, notamos que la onda de salida se invierte con respecto a la entrada.

Lo ms interesante de este dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, Figura 5 Anlisis AC para V (b)/V(A) vara entre 100 y 300. 3.Amplificador base comn Circuito:

Procedimiento:
Procedimos a montar los siguientes circuitos:
1.Circuito base:

Figura 6- circuito amplificador base comn

Curva simulada:

Figura 1- circuito base.

Sabemos que Curva simulada:

Figuras 7 y 8 7. Curva simulada, notamos que la onda de salida se desfasa muy levemente con respecto a la entrada. 8. Anlisis AC para V (b)/V(c) Figura 2 curva simulada

4.Amplificador seguidor emisor Circuito:

2.
Vout=5.04V

Amplificador de emisor comn.

Analytic 48 7 MHz 35 165 KHz LTSpice 107.07 6.99 MHz 66.6 150 KHz Experiment 53.4 7.1 MHz 50.4 160 KHz

Av fH,Av Avs fH,Avs

Figura 9- circuito amplificador de emisor seguidor

Tabla 2 Datos analticos, simulados y experimentales del circuito.

Curva simulada:

Figura 10 Anlisis AC para V(c)/V(A)

5.Filtro pasa alto Circuito:

Figura 13 Ganancia Vs. Frecuencia del circuito

3.
Vout =171.7mV

Amplificador de base comn.

Analytic 50.29 7.1 MHz 1.735 165 KHz

LTSpice 32.69 7.21 MHz 1.697 9.2MHZ

Experiment 67.3 9.2 MHz 1.717 107 KHz

Av fH,Av Avs
Figura 11- circuito filtro pasa alto

fH,Avs

Curva simulada:

Tabla 3 Datos analticos, simulados y experimentales del circuito.

Figura 12 curva simulada, notamos que la onda de salida se desfasa con respecto a la entrada.

Figura 14 Ganancia Vs. Frecuencia del circuito

Observaciones y Resultados:
1.
VB VE VC IE IC r'e

Circuito base.
Analytic 3,6 V 3V 10,2 V 0.5 mA 0.5 mA 52 LTSpice 3,61 V 2,98 V 10,25 V 0.491 mA 0.491 mA 53 Experiment 3,56 V 2,93 V 10,24 V 0.489 mA 0.493 mA 50.7 Av fH,Av Avs fH,Avs

4.
Vout=76.3mV

Amplificador seguidor emisor.

Analytic 0.95 650Hz 0.7 20.5 MHz LTSpice 0.985 418Hz 0.714 20.5 MHz Experiment 0.97 850Hz 0.768 370 KHz

Bias Parameter

Tabla 4 Datos analticos, simulados y experimentales del circuito.

Tabla 1 Datos analticos, simulados y experimentales del circuito.

Anlisis de datos y Discusiones:

1.
Para VB:

Circuito base:

CLCULO DEL ERROR:

Para VC:
Figura 15 Ganancia Vs. Frecuencia del circuito para AV.

Para VE:

Para IE:

Para IC:
Figura 16 Ganancia Vs. Frecuencia del circuito para Avs.

Para r'e:

5.

Filtro pasa alto. Analytic 3,46 V 2,8 V 9,65 V 1mA 1 mA LTSpice 3,473 V 2,82 V 9,6631 V 1,06 mA 1,038 mA Experiment 3.36 V 2.72 V 10 V 0.6 mA 0.45 mA
Al tener porcentajes de error por debajo del 5% consideraremos el experimento como ejecutado correctamente y los resultados simulados como fieles.

Bias Parameter VB VE VC IE IC

2.
Para Av:

Amplificador de emisor comn.

.4

CLCULO DEL ERROR:

Tabla 5 Datos analticos, simulados y experimentales del circuito para las condiciones en DC; Re = 41.66.

Experimental Av fH,Av Avs fH,Avs 6.15 122 Hz 1.66 125 Hz

Para fH, Av:

Para Avs:

Tabla 6 Datos analticos, simulados y experimentales del circuito AC.

Para fH, Avs:

Como los porcentajes de error para Av y fH, Av estn por debajo del 5% podemos considerar el experimento parcialmente vlido, para Avs consideraremos un error en la toma de datos. Para este experimento en particular no podemos considerar la simulacin como confiable.
Figura 17 Ganancia Vs. Frecuencia del circuito para AV.

3.

Amplificador de base comn.

Para VE:

CLCULO DEL ERROR: Para Av:

Para IE:

Para fH, Av:

Para IC:

Para Avs:

Para fH, Avs:

Al estar los porcentajes de error de los voltajes entre el 0 y el 5% podemos considerar este experimento como vlido, aunque los valores de corriente difieran en un alto porcentaje, sigue siendo aceptable para valores tan bajos de corriente. Adems consideraremos la simulacin como aceptable. Para el ciclo AC, se da el experimento como vlido y se garantiza el funcionamiento del filtro pasa alto en seales de frecuencia alta, adems se puede observar la cada en decibeles con el aumento de la frecuencia.

Como la mayora de los porcentajes de error estn por encima del 10% este experimento lo tomaremos como fallido, no podemos sacar conclusiones sobre la simulacin; no se garantiza la amplificacin de voltaje en seales de frecuencia alta, sin embargo se pudo ver la cada en decibeles a medida que se aumenta la frecuencia. Una posible razn para el fracaso del experimento sera el parmetro beta del dispositivo usado, el cual no permite dicha amplificacin a frecuencias altas.

Conclusiones:
Los valores ideales de los dispositivos utilizados afecta severamente el resultado simulado. En los dispositivos electrnicos usados, se debe analizar muy bien la potencia que resisten para su correcta manipulacin. Un buen barrido de frecuencia se debe superar los 20 MHz. El dispositivo por ser un semiconductor se ve severamente afectado por la temperatura, es por esto que su uso continuo lleva un desgaste del mismo. Cada dispositivo BJT tiene un beta caracterstico y esto puede afectar las medidas hechas cuando las frecuencias son realmente altas (superiores a 1MHz). Las simulaciones de circuitos tan complejos empiezan a no ser confiables si usamos componentes ideales, se sugiere entonces buscar la aproximacin de LTspice a cada componente real.

4.
Para Av:

Amplificador seguidor emisor.

CLCULO DEL ERROR:

Para Avs:

Como ambos porcentajes de error se encuentran por debajo del 10% podemos estimar el experimento como vlido, y al modelo como una buena aproximacin, sin embargo los errores en las frecuencias son bastante grandes, por tanto concluimos que hay un error en la toma de las medidas.

Bibliografa:
Boylestad, R .y Nashelsky, L Electrnica Teora de Circuitos. Prentice Hall. Allan R. Hambley Electronics. Prentice Hall. Electrnica Integrada. Editorial hispano Europeo, S.A. A. Instrumentacin Electrnica. Interamericana.

5.
Para VB:

Filtro pasa alto.

CLCULO DEL ERROR:

Para VC: