MODULACION AM

RESULTADOS OBTENIDOS EN LA PRCTICA REALIZADA.

Se implement el siguiente circuito, un modulador balanceado con el circuito integrado LM1496 til para lograr una seal con mxima supresin de la portadora y doble banda lateral.

Seal de la portadora: Frecuencia: 50 Khz Amplitud: 0.5v

Seal de la moduladora: Frecuencia: 1 Khz Amplitud: 0.4v

Modulacin al 100%.

La modulacin llega al 100% cuando el cambio mximo de amplitud de la forma de voltaje de salida(v) es igual a la amplitud mxima del voltaje de la portadora no modulada (v). Em = Ec Vmx.=430mV Vmin.=0V Potencimetro=66Khom.

Modulacin al 50%.

El cambio mximo de amplitud de la envolvente es igual a la mitad de la amplitud de la onda modulada. Em=Ec/2 Vmx.=430mV. Vmin.=215mV.

Modulacin al 0%

Se da en m=0 Em = m * Ec Em = 0 * Ec Em = 0 Ec = 0.5v.

Sobre modulacin. Es cuando excede del 100% causando recorte, perdida de informacin. Seal tomada en paralelo a 3.9Khom. Se tom en +0 y +12v. Con paralelo a 3.9Khom.se obtuvo la seal siguiente.

EXPLIQUE LO SIGUIENTE.

1. La seal modulada AM obtenida con este circuito integrado es ptima?

Si, con este integrado la seal modulada obtenida es ptima debido a que tiene una supresin excelente de portadora (65db a 0.5 Mhz). Los moduladores balanceados en circuito integrado lineal se consigue hasta para 100Mhz, como por ejemplo el LM1496/1596, que puede proporcionar supresin de portadora de 50 dB a 500 Khz. Este modulador balanceado en circuito integrado lineal es un modulador/ demodulador doblemente balanceado, que produce una seal de salida que es proporcional al producto de sus seales de entrada. Los circuitos integrados son ideales para aplicaciones donde se requiere una operacin balanceada.

2. Cmo se calcula la potencia de las bandas laterales, superior e inferior?

En todo circuito elctrico, la potencia disipada es igual al cuadrado del voltaje dividido entre la resistencia. As. El promedio de la potencia disipada en una carga, por una portadora no modulada, es igual al cuadrado del voltaje rms de la portadora , dividido entre la resistencia de carga. Esto se expresa con la siguiente ecuacin:

Pc =

( Ec ) 2
2R

Pc: Potencia de la portadora (watt). Ec: Voltaje mximo de la portadora(v). R: Resistencia de carga (ohm). Las potencias d bandas laterales suoerior e inferior se determina con la siguiente ecuacin.

Pbls = Pbli =

m 2 Ec 2 8R

Reemplazando con la primera formula se tiene: Pbls = Pbli = m 2 Pc 4

Pbls: Potencia de banda lateral superior. Plsi: Potencia de banda lateral inferior.

3. La potencia de la portadora es afectada por la modulacin? Por qu?

No, de acuerdo con el anlisis anterior, se puede ver que la potencia de la portadora en la onda modulada es igual que en la onda no modulada. Por tanto, es evidente que la potencia de la portadora no se afecte en el proceso de a modulacin. 4. En el circuito integrado XR-2206, puede usarse como modulador AM? El circuito integrado lineal Xr-2206 de modulador DSBFC de AM tambin se puede usar para producir una onda de doble banda lateral con portadora suprimida, tan slo ajustar la polarizacin de cd a +V/2 y limitar la amplitud de a seal moduladora a +4Vp y 4Vp. Al pasar la seal moduladora por sus ceros, la fase de la portadora sufre una variacin de fase d 180. Esta propiedad tambin hace que el XR2206 sea ideal como modulador por desplazamiento de fase. El intervalo dinmico de modulacin de amplitud de este circuito este de 55dB, aproximadamente.