Electrnica de dispositivos

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Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

Cap. 3: K. Kano

Introduccin Densidad de Estados (DeE) Funcin de distribucin de Fermi-Dirac Densidad de portadores en semiconductores intrnsecos. Nivel de Fermi Semiconductores extrnsecos: tipo p y tipo n Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos

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Introduccin
Objetivo Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados Motivo Poder determinaran los comportamientos caractersticos tensin/corriente de los dispositivos Esquema

Densidad de portadores Probabilidad de ocupacin Densidad de estados

Concepto: Equilibrio trmico Es el estado en que un proceso es acompaado por otro, igual y opuesto (estado dinmico), mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de energa con el exterior.
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Densidad de estados
Definicin La densidad de estados es el nmero de estados electrnicos posibles por unidad de volumen y por unidad de energa. En un metal (los electrones son libres):

N (E ) =

8m
2 h2

[1]
Apndice C K. Kano

Puede considerarse como una funcin continua en E Est expresin tambin ser vlida para un semiconductor cristalino (electrones quasi-libres, ligados a un potencial peridico) Para adaptarla, hemos de introducir EC, EV y m*

Nn (E ) = N p (E ) =

8m
2 2 h
2 2 h p n

E EC para E > EC EV E para E < EV

[2]

8m

[3]

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Funcin de distribucin de Fermi-Dirac

Los electrones son fermiones, i. e., partculas que cumplen el principio de exclusin de Pauli As, vendrn gobernados por la estadstica de Fermi:

f (E ) = e

1
E EF kT

+1

[4]

f(E) es la probabilidad que un estado de energa E est ocupado, EF es el nivel de Fermi, k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta.
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html

Comentarios Un estado con energa E>EF tendr mas posibilidades de ser ocupado a mayor temperatura. A una temperatura T, la probabilidad de ocupacin disminuye si aumenta la energa Para cualquier T, la probabilidad de encontrar un electrn con una energa EF es 1/2. A T=0, la probabilidad de encontrar un electrn con E>EF es 0 y con E<EF es 1 Si la probabilidad de encontrar un electrn es f(E), la probabilidad de no encontrarlo es 1-f(E) Aproximacin de Boltzmann (facilitar los clculos posteriores)

electrones fC (E ) = f (E )

exp[ (E EF ) kT ] para (E EF ) > 3kT

[5] [6]
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huecos

fV (E ) = 1 f (E ) exp[ (EF E ) kT ] para (EF E ) > 3kT

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Densidad de portadores
2m kT E EF n = Nn (E ) fC (E ) dE = ... = NC exp C N con 2 = C EC kT h
n 2 3 2

[7]

Densidad efectiva de estados de la banda de conduccin

2m kT EF EV p = N p (E ) fV (E )dE = ... = NV exp con NV = 2 kT h

EV p 2

[8]

Densidad efectiva de estados de la banda de valencia

semiconductor Si Ge GaAs

N C (cm -3) 3.22 10 19 1.03 10 19 4.21 10 17

N V (cm -3) 1.83 10 19 5.35 10 18 9.52 10 18

E g (eV) 1.12 0.66 1.42

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Densidad de portadores (cont.)

Densidad intrnseca de portadores: ley de accin de masas

n p = NC NV e

E E C V kT

=n np =n
2 i

Eg

2 i

[9]

2kT ni = 2 2 h

(m m )
n p

Eg exp 2kT [10]

Posicin del nivel de Fermi De ecuaciones anteriores:

EF =

Si usamos la relacin 3 3 2 2 m NV mn p [12] = = m NC mp n Entonces mn mp EC + EV 3 EC + EV 3 + kT ln = kT EF = ln m m [13] 2 4 2 4 n p Para un semiconductor intrnseco:

mn 3 kT ln E i = EF = EV + 2 4 mp

EC + EV kT NV ln + 2 2 NC

[11]
ni(Si,300K)=1.451010cm-3

EC E F=E i Eg

Eg

[14]

EV
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Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres. Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados. En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n. Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III II III IV V VI

p
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n
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Semiconductores tipo n y tipo p

Tipo n En general, los elementos de la columna V convierten al Si en tipo n. Estos elementos tienen cinco electrones de valencia en su ltima capa y se les llama impurezas dadoras.
electrones no generan huecos!

estados localizados (cargas fijas)

ionizacin completa

Tipo p

En general, los elementos de la columna III convierten al Si en tipo p. Estos elementos tienen tres electrones de valencia en su ltima capa y se les llama impurezas aceptoras.
estados localizados (cargas fijas)

ionizacin completa

huecos no generan electrones!

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Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos

En los semiconductores tipo n, los electrones son los portadores mayoritarios. En los semiconductores tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios. La ley de accin de masas se cumple para semiconductores extrnsecos, en equilibrio trmico

Nc, Nv = ctes. Eg f(n)

n0 p0 = ni2

[15]
Dependencia de la concentracin de portadores con la temperatura

Para cumplir la neutralidad de la carga:

) = q (p0 + ND+ ) q (n0 + N A

[16]
1 2

De ambas:
n0 = ND N A ND N A 2 + + ni 2 2
2

[17] Para un semiconductor tipo n, ND>>NA, y ND>>ni :

Condicin de ionizacin completa

n0 N D
tipo n n0 ND tipo p p0 NA

p0 n0

ni2

ND

[18]

Para un semiconductor tipo p, NA>>ND, y NA>>ni : T~300K

p0 N A

ni2

NA

[19]
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Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos

Nivel de Fermi y densidad de portadores De las ecuaciones [7] y [8]:
E Ei n = ni exp F kT E EF p = ni exp i kT
cambiando: n, p ni EF Ei

semiconduc tor tipo n [22] n N EF Ei = kT ln 0 kT ln D ni ni

semiconduc tor tipo p [23] p N E i EF = kT ln 0 kT ln A ni ni

= n0 [20] = p0 [21]

EC EF Ei EV

EC E F-E i Eg Ei EF EV Eg E i-E

http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/fermi/bandAndLevel/fermi.html

desde otro punto de vista ...

http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education /semicon/fermi/levelAndDOS/index.html

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Ejemplo
Sea una muestra de silicio a 300K. a) Calcule la densidad de portadores intrnsecos. b) Calcule la densidad de electrones y huecos si se dopa con fsforo en una concentracin de 1017 cm-3. c) Calcule la posicin de los niveles de Fermi intrnseco y extrnseco. a) Utilizando la ecuacin [9]:
ni2 = NC NV e
Eg kT 1.12 eV 86.2 10
6

= 3.22 1019 cm 3 1.83 1019 cm 3 e

eV K -1 300K

ni 1010 cm 3

b) El P dopa el Si tipo n. A 300 K, habr ionizacin completa se da: ND>>ni (1017>>1010).

n0 ND = 10 cm
17 -3

2 n i p0

ND

= (10

10

cm 3 )

10 cm

17

= 10 3 cm 3

c) El nivel de Fermi intrnseco se localizar en el centro de la banda prohibida. El extrnseco: n N EF Ei = kT ln 0 kT ln D ni ni 1017 1 = 86.2 eV K 300 K ln 10 10 17 10 = 0.025 eV ln 10 = 0.403 eV 10
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EC EF Ei EV E g= 1.12eV

0.403 eV
E g/2 = 0.56 eV

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Hoja de datos 2.1

En fermiones: En semiconductores intrnsecos:
mn 3 kT ln E i = EV + 2 4 mp

f (E ) = e

1
E EF kT

Eg

+1

n p = ni2

Densidades efectivas de estado

semiconductor Si Ge GaAs N C (cm -3) 3.22 10 19 1.03 10 19 4.21 10 17 N V (cm -3) 1.83 10 19 5.35 10 18 9.52 10 18 E g (eV) 1.12 0.66 1.42

ni(Si,300K)=1.451010cm-3

En semiconductores extrnsecos:

n0 p0 = ni2
semiconduc tor tipo n n N EF E i = kT ln 0 kT ln D ni ni ni2 n0 ND y p0 ND
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semiconduc tor tipo p p N E i EF = kT ln 0 kT ln A ni ni ni2 p0 N A y n0 NA

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Tema 3: Tcnicas de dopado

Bibliografa diversa

Varias tcnicas:
Durante el crecimiento Difusin Implantacin inica

Estudiaremos:
Aplicaciones Sistemas/mtodos/tecnologas Teora Ejemplos

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