LOS SENSORES DE TEMPERATURA

Luis A. Brice no,* Daniel A. Saavedra,** Iv an J. Pulido,*** and Juan S. Rojas****

Departmento de F sica, Universidad Nacional de Colombia. (Dated: 28 de agosto de 2012) En este trabajo se muestra la caracterizaci on de distintos sensores de temperatura entre los que se encuentran: termistor, termopar, diodo semiconductor, resistencia met alica y circuito integrado. Esto se realiz o mediante la medici on de propiedades termom etricas de cada uno de estos term ometros y la comparaci on con la variaci on de la temperatura de una muestra de agua registrada con un term ometro de mercurio. Se encontr o que la termocupla utilizada es de tipo K con un coeciente Seebeck de SAB = (3,94 0,02) 102 mV/ C; tambi en se comprobaron las relaciones lineales entre el voltaje y la temperatura en un circuito integrado y en un diodo, la resistencia y la temperatura en un hilo met alico de cobre. I. INTRODUCCION

expresar como[1]: E = S T (2)

La ley cero de la termodin amica enuncia que si dos sistemas estan en equilibrio t ermico con un tercero de manera independiente entonces estos deben estar en equilibrio t ermico entre s [1]. Partiendo de esto se dene temperatura emp rica como la propiedad que determina si un sistema se halla o no en equilibrio t ermico con otros sistemas[2]. Un term ometro es un sistema con propiedades termom etricas apropiadas para adoptar un m etodo de asignaci on de valores num ericos a la temperatura de sus isotermas. Existen distintos tipos de term ometros, cada uno de los cuales tiene su propio par ametro termom etrico, algunos de ellos se muestran a continuaci on:

donde S es llamado el coeciente Seebeck absoluto del material. Un termopar consiste de la uni on de al menos dos materiales conductores, en particular en un circuito como el de la gura 1, en el cual las dos junturas de los materiales estan a diferente temperatura. Aplicando (2) a este circuito: E = =
T0 T2

E dr =
C T1 C

S T dr
T2 T0

SB dT +
T1

SA dT +
T2 T2

SB dT

=
A. Expansi on de l quidos
T1

(SA SB ) dT =
T1

SAB dT

Este tipo de term ometros est an basados en un fen omeno conocido como expansi on t ermica, el cual consiste en el aumento del volumen de un s olido o un l quido debido a aumentos en la temperatura de este, el cambio en volumen es proporcional al volumen inicial Vi y al cambio en temperatura de acuerdo con la relaci on[3]: V = Vi T
B. Termopar

donde se ha denido el coeciente Seebeck efectivo SAB = SA SB del par, se obtiene una relaci on que permite conocer la diferencia en la temperatura entre los dos puntos cuando SAB (T ) es conocido[4]. Si se mantiene ja la temperatura de una de las junturas, T1 = cte, se obtiene: dE = SAB dT
C. Term ometros de resistencia el ectrica

(1)

(3)

Un termopar es un term ometro que permite medir la diferencia de temperatura entre dos puntos, su funcionamiento se basa en el efecto Seebeck, el cual consiste en la generaci on de campo ele ctrico dentro de un conductor debido a gradientes de temperatura y se puede

Estos term ometros est an basados en la variaci on de la resistencia de un metal o un semiconductor con respecto

* labricenov@unal.edu.co ** dasaavedram@unal.edu.co *** ijpulidos@unal.edu.co **** jusrojasar@unal.edu.co

Figura 1. Circuito termoel ectrico de conductores diferentes con junturas a diferentes temperaturas.

2 a la temperatura, generalmente abarcan un gran rango de temperaturas. Termistor: es un semiconductor muy utilizado en la actualidad para medir temperaturas debido a su gran precisi on y su bajo costo. La relaci on entre resistencia y temperatura est a dada por la siguiente expresi on: B T
D. Diodo como sensor de temperatura

El diodo semiconductor est a fabricado de un material semiconductor con impurezas para crear una regi on de cargas positivas o negativas. Se caracteriza por premitir el ujo de corriente en un solo sentido. Este material es muy com un y econ omico. El modelo te orico que permite caracterizar el diodo en buena aproximaci on es denominado ecuaci on del diodo ideal de Shockley: e(V V0 ) kT

ln R = A +

(4) I = IS exp

(9)

the reverse bias saturation current (or scale current) De manera equivalente esta relaci on se puede expresar en forma exponencial como:

R(T ) = R0 (T ) exp

Eg k

1 1 T T0

(5)

Donde la temperatura est a medida en Kelvin, R(T0 ) = R0 , k es la constante de Boltzmann y Eg es la energ a del gap del semiconductor. Este modelo es una aproximaci on te orica obtenida a partir de la consideraci on de la energ a libre de un gas electr onico [? ]. Debido a la desviaci on de los datos respecto al modelo te orico John Steinhart y Stanley Hart en 1968 encontraron una relaci on emp rica dada por la expresi on: 1 = A + B log R + C (log R)3 T

Donde IS es la corriente de saturaci on, V V0 es la diferencial de potencial entre el las terminales del diodo, k es la constante de Boltzmann, T la temperatura en la que se encuentra el diodo. La raz on kT /e, tomando T = 300K una temperatura similar a la del ambiente, adquiere un valor de 25,85mV . Para una diferencia de potencial V V0 >> 25,85mV , la exponencial toma un valor grande y el 1 en (9) se puede despreciar, de lo que se obtiene: e(V V0 ) kT

I = IS exp

(10)

Si al diodo se le suministra una corriente constante, lo cual se puede hacer con una fuente de corriente, para mantener la igualdad la exponencial debe ser una constante, esto es: e(V V0 ) = constante kT De donde, despejando V , se obtiene: V = V0 bT (12)

(6)

(11)

Donde A, B y C son constantes por determinar. Esta ecuaci on satisface distintas propiedades de utilidad y tambi en se ajusta mucho mejor a los datos experimentales que la expresi on comunmente usada, inclusive se puede observar que la ecuaci on 4 es una aproximaci on de la ecuaci on de Steinhart y Hart cuando C = 0 [5]. Metales: entre estos el platino es el m as preciso y abarca un gran rango de temperaturas, aunque es de alto costo [1]. En este experimento se utiliz o cobre, el cual no tiene tan amplio rango de validez, pero tambi en es muy preciso. La relaci on entre la resistencia el ectrica de un metal y la temperatura es aproximadamente lineal y en un rango limitado se puede expresar de la siguiente manera:

Con b una constante de valor ck/e, c = ln(I/IS ), constante que indica la relaci on entre la corriente jada y la de saturaci on.

E.

Circuito integrado

R(T ) = R0 (1 + (T T0 )) R = T

(7) (8)

Donde se le denomina par ametro de variaci on y R0 es la resistencia a la temperatura T0 , R0 = R(T0 ).

Los circuitos integrados que se utilizan como sensores de temperatura emiten en su conexi on de salida alg un par ametro que se encuentra relacionado con la temperatura seg un una funci on denida. Existen circuitos integrados con salidas de voltaje, corriente, resistencia y salida digital. En particular, el circuito LM335 emite una salida de voltaje que es directamente proporcional a la temperatura, la constante de proporcionalidad se conoce como coeciente t ermico del dispositivo. Una caracter stica que destaca a los term ometros basados en circuitos integrados respecto a los dem as, es la facilidad que posee para conectar con dispositivos electr onicos de toma de datos.

3
II. EXPERIMENTAL DISENO

Para realizar el experimento se utilizaron los siguiente materiales: 1 Termistor 1 Termopar 1 Diodo 1n4004 Hilo de Cobre 1 Circuito Integrado LM335 1 Resistencia de 10k 1 Resistencia de 100k 1 Beaker 2 Mult metros 1 Term ometro de Mercurio Fuente de Voltaje DC Estufa La pr actica se dividi o en cinco partes, cada una con su montaje experimental los cuales se presentan a continuaci on.
B. Caracterizaci on de un Termopar Figura 2. Esquema del montaje experimental utilizado.
Estufa Termistor Agua Termmetro de mercurio A circuito

A.

Caracterizaci on de un Termistor

El montaje para el termopar es similar al del termistor. Se coloca el beaker con agua en la estufa, en el se sumerge el term ometro de mercurio y el punto de juntura (punto de uni on de los materiales) del termopar, los extremos libres de este se conectan, fuera del agua, a un mult metro ajustado para medir diferencia de potencial. De nuevo hay que tener cuidado de que ni la termocupla ni el term ometro est en en contacto con el fondo del beaker. Se enciende la estufa y se mide la diferencia de potencial en el mult metro para diferentes temperaturas comparando con la teor a para poder determinar el tipo de termopar. El procedimiento se repite pero haciendo uso de la termocupla que viene con el mult metro y se comparan resultados.

Se conectan los extremos del termistor a un mult metro programado para medir resistencia el ectrica. Se coloca el beaker con aproximadamente 200 mL agua en la estufa y se sumergen el termistor y el term ometro de mercurio sin que toquen el fondo del recipiente como se muestra en la gura 2 ya que en ese punto la temperatura es m as alta que la del agua y se obtendr an medidas erradas. Tambi en es conveniente que el resistor no se surmerja por completo sino que sus extremos queden fuera del l quido para evitar ionizaci on del agua lo cual podr a afectar las medidas de resistencia. Se enciende la estufa para que empiece a aumentar la temperatura del agua, se toman datos de la resistencia del termistor a varias temperaturas para poder contrastar con las relaciones expresadas en las ecuaciones 4 y 6.

C.

Diodo como Sensor de Temperatura

Se conectan la fuente, una resistencia, los mult metros y el diodo seg un indica el circuito de la Figura (3). Un mult metro se conecta para medir diferencia de potencial y otro para corriente.

Figura 3. Montaje Experimental para el Diodo

4 Se calibran la fuente de voltaje y la resistencia de forma que se obtenga una corriente entre 102 mA y 1mA, es importante que est e entre estos valores para evitar que cambie signicativamente al aumentar la temperatura en el diodo y poderla considerar constante. Se sumergen el diodo y el term ometro de mercurio en el beaker con agua sobre la estufa, de nuevo sin introducirlo demasiado en el agua para evitar la ionizaci on del agua debida al paso de corriente por los alambres expuestos. Se realizan medidas de diferencia de potencial versus temperatura al encender la estufa. Con el objetivo de observar la dependencia de los valores V0 y b con la corriente en la ecuaci on (9), se cambia la diferencia de potencial proporcionada por la fuente de voltaje o el valor de la resistencia, lo cual cambia la corriente, y se realizan de nuevo las medidas. Repitiendo el proceso para algunos valores de corriente se obtiene esa dependencia. Hay que tener en cuenta que la corriente siempre debe estar en el rango expuesto anteriormente. se aumenta la temperatura con la estufa y se toman varios datos de la diferencia de potencial marcada por el mult metro en funci on de volt metro. Si las medidas son tomadas de forma apropiada debe observarse una tendencia lineal y se puede determinar su pendiente.
RESULTADOS Y ANALISIS Caracterizaci on de un termistor

III. A.

Al hacer la medici on de la resistencia de un termistor a medida que la temperatura de este aumenta, encontramos los resultados que se muestran en la Tabla I:
Temperatura(K)1 K Resistencia () 285 1.19(1) 287 1.08(1) 293 0.93(1) 298 0.83(1) 303 0.74(1) 308 0.64(1) 313 0.55(1) 318 0.45(1) 323 0.37(1) 328 0.29(1) 333 0.21(1) 338 0.15(1) 343 0.09(1) 348 0.079(1) 353 0.074(1) 358 0.064(1) 361 0.047(1) Cuadro I. Variaci on de la resistencia en un termistor en funci on de la temperatura.

D.

Variaci on de la Resistencia de un Metal con la Temperatura

Se tiene el hilo de cobre enrollado con sus dos extremos conectados al mult metro con funci on de medir resistencia el ectrica. Se introduce en el beaker con agua y se calienta, se toman los valores de resistencia para varias temperaturas y se compara con la tendencia lineal expresada en (7). Con lo medido se determina el valor de y R0 .
E. Term ometro Basado en un Circuito Integrado

El circuito integrado LM335 permite medir temperatura usando como par ametro termom etrico el voltaje. En su respectivo datasheet[6] se muestra la funci on de cada una de las 3 conexiones que posee, una de ajuste para calibrar, una para conexi on positiva de voltaje y una para negativa la cual se utiliza en tierra. El circuito usado se presenta en la Figura (4).

Luego se realiz o la gr aca de la resistencia en funci on del inverso de la temperatura (R vs 1/T ) y se hizo un ajuste exponencial de los datos (ver Figura 5) obteniendo as una relaci on dada por: (4,4 0,3) 103 K T (13) Adem as de esto, teniendo en cuenta la relaci on de Steinhart-Hart, dada por la expresi on 6, se realiz o la gr aca de el inverso de la temperatura en funci on de la resistencia (ver Figura 6). Al realizar el ajuste correspondiente la expresi on encontrada fue la siguiente: R(T ) = [(2,9 0,4) 107 ] exp T 1 = 3,41 103 K1 + 3,0 104 K1 ln (R) 1,0 105 K1 ln (R)
3

(14)

Figura 4. Montaje Experimental para el Circuito Integrado

Nuevamente se tiene el beaker con agua y se sumerge el term ometro de mercurio y el circuito integrado LM335,

Observando el valor del coeciente de correlaci on para los dos ajustes realizados, r2 para el modelo comunmente 2 usado y rSH para el modelo de Steinhart-Hart: r2 = 0,976 2 rSH = 0,986

5
Temperatura(K)1 K Voltaje(mV)0,1 mV 293 0.1 298 0.2 303 0.4 308 0.6 313 0.8 318 1.0 323 1.2 328 1.4 333 1.6 338 1.8 343 2.0 348 2.2 353 2.4 358 2.6 361 2.7 Figura 5. Resistencia de un termistor como funci on de la temperatura. Cuadro II. Variaci on de la diferencia de potencial generada por un termopar en funci on de la temperatura.

es posible concluir que el modelo de Steinhart-Hart se ajusta ligeramente mejor a los datos experimentales.

Figura 7. Diferencia de potencial generada por un termopar en funci on de la temperatura. T0 = 20 C es la temperatura ambiente medida con el term ometro de mercurio al realizar el experimento. Figura 6. Resistencia de un termistor como funci on de la temperatura. Ajuste al modelo de Steinhart-Hart.

datos obtenidos, la siguiente relaci on lineal fue encontrada:

B. Caracterizaci on de un termopar

V (T ) = (3 1) 102 V + (3,94 0,02) 102 mV/K (T T0 ) (15) Esto quiere decir que el resultado experimental para el coeciente de Seebeck del termopar utilizado es SAB = (3,94 0,02) 102 mV/ C. Comparando este resultado con las tablas conocidas de caracterizaci on de termocuplas es posible armar que la termocupla usada en esta pr actica de laboratorio es una termocupla de tipo AB = K , las cuales poseen un coeciente de Seebeck S 2 3,945 10 mV/ C (ver [4]).

Se realiz o la medici on de la diferencia de potencial generada por el termopar a medida que la temperatura aumentaba, obteniendo as los resultados que se muestran en la Tabla II. Luego se procede a realizar la gr aca de la diferencia de potencial generado en funci on de la temperatura. En la gura 7 se observa una relaci on lineal en donde la pendiente de la gr aca es la diferencia entre los coecientes de Seebeck, SA SB = SAB , como se muestra en la expresi on 3. Al realizar el ajuste por m nimos cuadrados de los

6
C. Diodo semiconductor como sensor de temperatura

Al hacer la medici on de la diferencia de potencial en el diodo como funci on de la temperatura, para diferentes valores en la corriente, se obtuvieron los resultados que se muestran en la tabla III.
Id = 0,100 mA Id = 0,200 mA Id = 0,400 mA T ( C ) V (V ) T ( C ) V (V ) T ( C ) V (V ) 17 0.482 25 0.422 21 0.542 20 0.474 30 0.430 25 0.528 25 0.461 35 0.435 30 0.517 30 0.449 40 0.441 35 0.509 35 0.439 45 0.448 40 0.499 40 0.429 50 0.454 45 0.489 45 0.417 55 0.463 50 0.480 50 0.405 60 0.474 55 0.473 55 0.395 65 0.485 60 0.461 60 0.382 70 0.491 65 0.450 65 0.371 75 0.500 70 0.440 70 0.362 80 0.506 75 0.428 75 0.350 85 0.496 80 0.420 80 0.338 85 0.408 85 0.327 Cuadro III. Variaci on de la diferencia de potencial en un diodo en funci on de temperatura y corriente.

Figura 8. Diferencia de potencial en un diodo como funci on de la temperatura para distintos valores de corriente Id . Temperatura ( C ) Resistencia() 18 26.9 20 27.0 25 27.2 30 27.6 35 28.0 40 28.5 45 28.9 50 29.4 55 29.8 60 30.3 65 30.8 70 31.3 80 32.3 85 32.8 88 33.3 Cuadro IV. Variaci on de la resistencia de un metal como funci on de la temperatura.

Haciendo la gr aca de los datos de diferencia de potencial en el diodo en funci on de la temperatura del diodo, se obtiene la Figura 8. Al realizar el ajuste por m nimos cuadrados se obtiene la siguiente relaci on lineal para los distintos valores de corriente: para Id = 0,100mA, V (T ) = (1,82 0,02) 101 V + T (1,58 0,03) 103 V/ C para Id = 0,200mA, V (T ) = (3,85 0,04) 101 V + T (1,45 0,07) 103 V/ C para Id = 0,400mA, V (T ) = (5,80 0,02) 101 V + T (2,01 0,03) 103 V/ C

Se realiz o la gr aca de los datos de resistencia en funci on de la temperatura (ver 9) y, as mismo, el ajuste de los datos observados obteniendo as la siguiente relaci on lineal: R(T ) = (24,9 0,1) + T (9,16 0,2) 102 / C (16) De la expresi on (16) al hacer la comparaci on con la expresi on (7), podemos concluir que la resistencia a temperatura ambiente del hilo de cobre es R0 = (26,7 0,2) y el coeciente de variaci on de su resistencia es

Donde se puede ver que efectivamente el ajuste lineal es adecuado para la diferencia de potencial en funci on de la temperatura en un diodo.

D.

Variaci on de la resistencia de un metal con la temperatura

= (3,4 0,2) 103 C1

Al hacer la medici on de la resistencia en funci on de la temperatura para el alambre de cobre se obtuvo los datos que se ven en la Tabla IV

7 ra 10). Al hacer el ajuste de los datos por m nimos cuadrados se obtuvo la siguiente relaci on lineal: V (T ) = (2,97 0,01)V + T (1,09 0,02)V/ C (17)

A partir de esta expresi on se puede concluir que el coeciente t ermico del dispositivo, ct , est a dado por ct = (1,09 0,02)V/ C .

Figura 9. Resistencia de un alambre de cobre como funci on de la temperatura. Temperatura ( C ) Voltaje(V ) 18 3.15 20 3.17 25 3.24 30 3.30 35 3.35 40 3.41 45 3.47 50 3.51 55 3.57 60 3.64 65 3.69 70 3.74 75 3.78 80 3.85 85 3.85 Cuadro V. Variaci on del voltaje de un circuito integrado LM335 como funci on de la temperatura.

Figura 10. Voltaje en un circuito integrado LM335 como funci on de la temperatura.

IV.

CONCLUSIONES

E.

Term ometro basado en un circuito integrado

En este caso se hizo la medici on de la diferencia de potencial del circuito integrado en funci on de la temperatura. Los resultados de la medici on se encuentran en la tabla V Se realiz o la gr aca de estos valores medidos (ver Figu-

El ajuste de la resistencia en funci on de la temperatura para un termistor se puede modelar de manera m as precisa utilizando el modelo de Steinhart-Hart. Se comprob o la linealidad de la dependencia de la diferencia de potencial en funci on de la temperatura para diodos. En los rangos de temperatura de esta pr actica se encontr o que el coeciente de Seebeck para la termocupla usada es constante. Adem as se pudo determinar que la termocupla es de tipo K. Se encontr o que la dependencia del voltaje en funci on de la temperatura en el circuito integrado LM335 es lineal.

[1] C. Adkins, Equilibrium Thermodynamics, 3rd ed. (Cambridge University Press, 1984) pp. 1725,172179. [2] M. Zemansky and R. Dittman, Calor y Termodin amica, sexta ed. (McGraw-Hill, 1985) pp. 624. [3] R. A. Serway and J. John W. Jewett, Physics for Scientist and Engineers with Modern Physics, eighth ed. (CENGAGE Learning, 2010) pp. 549553. [4] ASTM Manual Series, Manual on the Use of Thermocou-

ples in Temperature Measurement, 4th ed. (1993). [5] J. S. Steinhart and S. R. Hart, Deep-Sea Research 15, 497 (1968). [6] National Semiconductor, LM335 Datasheet (2008).