ELEKTRKSEL MALZEMELER-A (2010-2011)

Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN

METALURJ VE MALZEME MH. BLM RETM YES

KONULAR
-Malzeme bilimine giri, malzemelerin snflandrlmas -Atomik yap, atomun elektronik yaps -Atomlararas balar (kovalent, iyonik, metalik ve vander walls balar) -Atomlararas denge mesafesi ve etkileyen faktrler -Atomik dzen, amorf, molekler ve kristal yaplar, Koordinasyon says, Atomik dolgu faktr -Teorik younluk, Allotropik ve polimorfik dnmler, Kristal dorultu ve dzlemleri -Hacimsel, dzlemsel ve dorusal atom younluklar -Kristal yap hatalar, Dislokasyonlar, noktasal, izgisel ve dzlemsel hatalar -Malzemelerde atom hareketleri -Malzemelerin mekanik zellikleri -Elektriksel iletkenlik, enerji bantlar -Elektriksel malzemeler, iletkenler, yariletkenler, yaltkanlar -Manyetik malzemeler ve zellikleri
2

GR
Genel anlamda bir amac gerekletirmek iin kullanlan her madde malzeme adn alr. Malzemeler atomlarn farkl dzenlerde bir araya gelmesi ile meydana gelirler. Atomlar farkl dzenlerde ve yaplarda birbirleri ile balanmalarna gre malzemeler metal, seramik, polimer, kompozit ve yar iletken olarak snflandrlrlar. Metaller Seramikler Polimerler (Plastik malzemeler) Yariletkenler (Elektronik malzemeler) Kompozitler (Karma malz.) Bir mhendisin mevcut binlerce malzeme zelliklerini tamam ile bilmesi ve gelimeleri izlemesi ok zor olduundan; btn malzeme zelliklerini etkileyen ve oluturan prensipleri iyi anlamas gerekir.
3

Malzeme Trleri
Metalik Malzemeler elik, alminyum, bakr, inko, dkme demir, titanyum ve nikeli kapsayan metal ve alamlar genellikle iyi termal ve elektrik iletkenliine nispeten yksek dayanma, kolay ekillendirilebilme zelliine ve yksek darbelere dayanan malzemelerdir. Saf metaller zaman zaman kullanlmalarna ramen genellikle alamlar ad verilen metal karmlar arzu edilen belirli bir zellikte gelime salamak veya daha iyi zellikler elde etmek iin kullanlr. Alminyum evre dostu bir metaldir. Para yapmnda kullanlan monel metal alam %30 bakr %70 Nikel iermektedir. elik sa zerine inko kaplama galvanizleme, kalay kapl sa ise teneke olarak bilinir.

ekil . Metalik malzeme rnekleri

4

Demir Alamlar
Demir alamlar (Ana bileen demir) dier metal ve alamlara oranla ok daha byk miktarlarda retilip, kullanlan malzemelerdir. Bunlar zellikle mhendislik yap malzemesi olarak ok nemlidirler. En nemli demir alamlar, ELK ve DKME DEMRdir.

elikler demir-karbon alam olup dier alam elementlerini de belli oranda ierebilir. Binlerce farkl kompozisyonda ve/veya farkl sl ileme sahip elik eiti mevcuttur. Mekanik zellikler kompozisyona ve uygulanan sl ileme baldr. -Sade Karbonlu elikler 1. Az Karbonlu, 2. Orta karbonlu, 3. Yksek karbonlu elikler -Alaml elikler 1. Az alaml, 2. yksek alaml elikler

Az Karbonlu %(0-0,20 C ) elikler

Dnya elik retiminin en byk miktarn kapsayan bu elik trne, yass elikler ile inaat sektr ve temel yaplarda kullanlan elik ubuk ve profiller rnek olarak verilebilir. Yzeyleri sert i taraflar yumuaktr. Kaynak ve imalat iin ilenebilirlikleri ok iyidir. ekillendirilmeleri en yksek olan bu elikler dvme, preste ekillendirme ilemlerinde tercih edilirler. Kimyasal bileimleri: C %0-0,20 Mn %0,30-0,60 Si %0,10-0,20 P %0,04 max S %0,05 max
Orta Karbonlu %(0,20-0,50 C ) Isl ilemler ile yeterli oranda sertletirilebilmektedirler. Makine sanayiinin tercih ettii eliklerdir.ekillendirilmeleri az karbonlu eliklerden zordur. Kimyasal bileimleri: C %0,20-0,50 Mn %0,60-0,90 Si %0,15-0,30 P %0,04 max 9 S %0,05 max

10

Yksek Karbonlu C %si >0.5

Yksek karbon elikleri % 0.60 - % 1.4 arasnda karbon ieren en sert, en dayankl ve en dk sneklie sahip karbon elikleridir. Bu elikler yksek anma dayancna sahip olup; neredeyse tamam sertletirilmi ve menevilenmi halde kullanlrlar. Takm ve kalp elikleri yksek karbon alamlar olup, genellikle krom, vanadyum, tungsten ve molibdenyum ierirler.
Kimyasal bileimleri: C %0,50 den fazla Mn %0,70-1 Si %0,15-0,30 P %0,04 max S %0,05 max

11

Alaml elikler
-Az Alaml Alam elementi veya katlan alam elementlerinin toplam miktar %5 den az olmas halinde az alaml elikler oluur. -Yksek Alaml Alam elementi veya katlan alam elementlerinin toplam miktarnn %5 den yksek olmas halinde yksek alaml elikler oluur. Paslanmaz elikler Paslanmaz elikler deiik ortamlarda korozyona (paslanmaya) kar olduka yksek diren gsteren eliklerdir. Bu malzemelerin temel alam eleman Cr olup elikteki arlk oran en az % 11 olmaldr. Korozyon dayanc nikel ve molibdenyum eklenerek artrlabilir. Paslanmaz elikler mikroyaplarna gre martensitik, ferritik, stenitik paslanmaz elikler olarak ksma ayrlr.

12

Dkme Demirler

Dkme demirler genellikle % 2.4n zerinde karbon ieren demir alamlar olup, pratikte dkme demirlerin ounluu % 3.0 - % 4.5 arasnda karbon ile birlikte dier alam elementlerini ierir. Genel olarak dkme demirler: -Gri Dkme Demir -Snek, Kresel (veya Nodler) Dkme Demir -Beyaz Dkme ve Temper (Malleable) Demir eklindedir.

13

Alminyum ve Alamlar Alminyum ve alamlar elie oranla olduka dk younluklar (2.7 g/cm3), yksek elektrik ve sl iletkenlikleri ve atmosfer artlar da dahil olmak zere bir ok ortamda korozyona kar yksek dayanmlar olan malzemelerdir. Bu alamlarn ou yksek snekliklere sahip olmalarndan dolay kolayca ekillendirilebilmektedir. Mhendislik malzemeleri olarak alminyum alamlar ve dier dk younluklu malzemeler (rnein, Mg ve Ti) yakt tketiminde byk azalma saladklar iin tamaclk sektrnde zel bir nem kazanmlardr. Bu malzemelerin sahip olduklar nemli avantaj zgl mukavemetlerinin (Mukavemet/younluk) ok yksek deerlerde olmasdr.

14

15

Titanium Saves the Day!

St. Mark's Campanile, the free-standing bell tower of St. Mark's Basilica in Venice, is to be reinforced by twelve tons of titanium to prevent it from leaning or even toppling. Originally built in the 10th century, the Campanile collapsed in 1902 and was rebuilt. It stands on St. Mark's Square and, at almost 300 feet, is the tallest building in the city. However, its foundation is built on wood piles which, over time, have been weakened by saltwater. In a complex process scheduled to take two years, a system of titanium rods connected by titanium nuts and held together by eight titanium plates will be fastened around the existing foundation. The tension created in this way will prevent distortion of the foundation and guarantee its long-term stability.
16

Seramikler
Tula, cam, porselen, refrakterler ve andrclar gibi seramik malzemeler dk elektrik ve termal iletkenliklere sahiptirler ve yaltkan olarak da kullanlabilirler. Seramik malzemeler sert olmalarna ramen; darbe dayanmlar zayftr. Buna karn pek ok seramik korozif artlara ve yksek scakla kar mkemmel bir diren gstermektedir. Klasik Seramik Malzemeler - Gzenekli rnler Kr renkli (Tula, kiremit gibi ) Kr beyaz (Ak ini gibi) -Gzeneksiz rnler Kr renkli ( Kanalizasyon borular, yer karolar gibi ) Kr beyaz (Salk gereleri, mutfak eyalar, asite dayankl tulalar) Porselen %50 Kaolen, %25 Feldispat, %25 Kuvarstan oluur. Beyaz veya saydam olabilir. - Yumuak Porselen 1200-1300 C - Sert Porselen 1300-1400C ve yukarsnda piirilir. 17

Yksek Teknolojili Seramik Malzemeler

Elektriksel zelliklerinden faydalanlan seramikler -zolasyon Malzemeleri (Almina, magnezya, berilya...) -Ferro elektrik seramikler (Baryum titanat, stronsiyum titanat...) -Piezo elektrik seramikler (kurun oksit, zirkonya, titanatlar...) -yonik iletken seramikler (sensrler) (beta almina, zirkonya...) -Yar iletken seramikler (baryum titanat, SiC, ZnO-Bi2O3) -Sper iletken seramikler (CuO, BaO,Y2O3,La2O3) Manyetik zelliklerinden faydalanlan seramikler -Yumuak manyetik malzemeler (ZnO, Fe2O3, Mn2O3) -Sert manyetik malzemeler (Fe2O, BaO, SrO) Optik zelliklerinden faydalanlan seramikler Kimyasal zelliklerinden faydalanlan seramikler Isl zelliklerinden faydalanlan seramikler Mekanik zelliklerinden faydalanlan seramikler Biyolojik zelliklerinden faydalanlan seramikler Nkleer zelliklerinden faydalanlan seramikler

18

Seramikler metal ve metal olmayan elemanlarn oluturduu iyonsal bileiklerdir. Sodyum, Magnezyum, Demir ve Alminyum gibi elektronegatif elementlerde, Klor, Oksijen gibi iyonsal ba kurarak NaCl, MgO, FeO, SiO2 gibi ok eitli trde seramik meydana getirirler. zgl arlklar metallerle plastikler arasndadr. Seramikler plastik ekil deitiremez, sert ve gevrek olurlar. Bazlar sertliklerinden dolay andrc olarak kullanlmaya elverilidir. Ergime scaklklar yksek, sl ve elektriksel iletkenlikleri dktr. Elektrikli stclarda, frnlarda yaltm malzemesi olarak kullanlrlar. Bazlar saydamdr, bazlar ise kt yanstrlar. ekme mukavemetleri dk olmakla beraber ounlukla basma mukavemetleri yksektir. D etkilere kar dayankldrlar. Seramik bir malzemenin ekillendirilebilmesi iin * Malzemenin sv ve akkan hale getirilmesi Malzemenin ergime scaklna yakn yksek scaklkta stlmas gerekir.
19

Zirkonya seramikler uzay mekiklerinin sl kalkanlarnda, Porche arabalarnn fren balatalarnda ve ortopedik implantlarda kullanlmaktadr. Bu kadar dayankl olmasna ramen ayn zamanda geirecek kadar zarif ve estetiktir. Hem n hem de arka dilerde gvenle kullanlabilen ileri teknoloji rn bir malzemedir.

ekil.a. Zirkonya Seramikler

b. kompozit diler
20

POLMERLER
Polimerler hafif, korozyon dayanm yksek ve elektiriksel olarak yaltkan malzemelerdir. ekme dayanmlar metallere oranla ok dktr ve yksek scaklklarda kullanm iin uygun deillerdir. Polimerler, oyuncak yapmndan kaplamalara, boya yapmndan otomobil lastiine kadar ok eitli alanlarda kullanlmaktadr. Polimerler genel olarak snfa ayrlabilirler. Bunlar, termosetler, termoplastikler ve elastomerler (kauuklar) eklindedir

21

22

Polimerler

Plastikler snfna giren malzemelerin bir ksm doal, bir ksm ise sentetiktir. nsanlar tarafndan metallerden ok daha nce kullanlmaya balanan ahap, deri, yn ve benzeri lifler birer doal polimerdir. Bugn endstride kullanlan plastiklerin byk bir ounluu sentetik polimerlerdir.

Termosetler :
Termoset plastikler makro molekller arasnda kuvvetli balar oluturarak 3 boyutlu a yapsna sahip olan plastik malzemelerdir. Reaksiyon (polikondansasyon) sonunda a yapsnn tamamlanmasyla sertleir ve tekrar stlarak yumuatlamazlar. Pratik olarak btn yaps tek bir molekl olarak dnlr. nk her tarafta valans balar vardr. Termoplastiklerden daha kuvvetlidirler ve daha yksek scaklkta kullanlabilirler.
Telefon cihazlar, elektrik prizleri, mutfak eyalarnn saplar rnek olarak verilebilir. Endstride termoset plastikler ierisinde polyesterler ve epoksi reineler yaygn olarak kullanlmaktadr. 24

Termoplastikler :
Is etkisiyle yumuayan plastik malzemelerdir. zellikle yksek scaklklarda Van der Waals kuvvetleri daha kolaylkla yenildiinden, ekil deitirme daha da kolay olur. Termoplastikler lineer polimer olup; scaklk artnca yumuayp souyunca sertleirler. Bu tip plastik malzemeler tarm alet ve makinalar iinde rnein ekim makinalarnda tohum borularnda, plastik duvar ve deme kaplamas olarak, st sam makinalar iletim borularnda vb. yerlerde grlmektedir. Yumuama ve sertlemenin ok fazla oluu kesit deiiklii ile alma koullarn olumsuz etkilemesi yannda, atlayarak ok ksa srede devre d kalmasna neden olmaktadr. Plastik malzemelerin zellikle dk younluk, hammaddenin ucuz oluu, deiik retim teknikleri ile dk maliyet unsurlar altnda retilebilmeleri, istenilen renk vb. zelliklerde olabilmeleri tarm mhendisliinde de uygulama alannn genilemesine neden olmutur. Ancak mukavemet, rijitlik ve ergime scaklklarnn dk olmas vb. olumsuz zellikleri nedeni ile yapsal gelitirmeye uramasn zorunlu klmtr.
25

26

ekil. Plastik malzemelerin geri dnm

27

Yariletkenler
letkenlik bakmndan iletkenler ile yaltkanlar arasnda yer alrlar, normal halde yaltkandrlar. Ancak s, k ve magnetik etki altnda brakldnda veya gerilim uygulandnda bir miktar valans elektronu serbest hale geer, yani iletkenlik zellii kazanrlar. Bu ekilde iletkenlik zellii kazanmas geici olup, d etki ortadan kalknca elektronlar tekrar atomlarna dnerler. Tabiatta basit eleman halinde bulunduu gibi laboratuarda bileik eleman halinde de elde edilir. Yariletkenler kristal yapya sahiptirler. Yani atomlar kbik kafes sistemi denilen belirli bir dzende sralanmtr. Bu tr yar iletkenler, s, k, etkisi ve gerilim uygulanmas ile belirli oranda iletken hale geirildii gibi, ilerine baz zel maddeler katlarak da iletkenlikleri arttrlmaktadr. Katk maddeleriyle iletkenlikleri arttrlan yar iletkenlerin elektronikte ayr bir yeri vardr. Silikon (Si), germanyum (Ge), Selenyum (Se), GaAs, SiC ve ZnO gibi malzemeler ok krlgan olmalarna ramen; elektronik sanayinde bilgisayar ve iletiim haberleme uygulamalarnda kullanlan nemli malzemelerdir. Bu malzemeler elektrik iletirler, transistor ve entegre devre olarak uygulamalarnn kullanmn kolaylatrmak amacyla kullanlrlar.28

29

Bilgisayar ipi olarak kullanlan Si yariletken levha

30

Kompozit Malzemeler
Farkl malzemelerin en iyi zellikleri birletirilerek yeni malzeme yapmna kompozit (karma) malzemeler denir. Alman metalurji cemiyeti kompozit malzemeleri, birbiri ile uyumlu ancak birbiri ile ar reaksiyona girmeyen ve en az iki bileenin makro lde bir araya getirilmesi ile oluan malzeme olarak tanmlar. Beton, kontraplak, cam yn tipik kompozit malzeme rnekleridir. Kompozitlerle hafif, salam, snek ve yksek scakla dayankl malzemeler retilebilir.
Kompozit Malzeme eitleri:

- Fiber (Elyaf Takviyeli) Kompozitler - Tabaka (Lamine) Yapda Kompozitler - Yzeyi Kapl Kompozitler - Tane yapsnda Kompozitler
Bir kompozitin genel yaps incelendiinde matriks olarak kabul edilen srekli bir faz ile onun iinde deiik ekillerde dalan deiik zellikler ieren glendirici faz elemanlarndan olumaktadr. Glendirmede 31 kullanlan plastikler termoset ya da termoplastik trlerinde olmaktadrlar.

Polyester reineler ucuzluk, boyutsal denge, kimyasal ve elektriksel iyi zellikler, mekanik diren ve elle ileme kolayl vb. zellikleri ile geni uygulama bulmaktadr. Polyester reineler iinde de doymu olan tipleri daha ok enjeksiyon kalplama ile yaplan tarm alet ve makineleri paralarnn yapmnda kullanlmaktadr. Doymam polyester reineler zellikle cam elyaf takviye yaplara kompozit malzeme retiminde kullanlmaktadr. Bu amala ok eitli doymam polyester reine tipleri ( jelkot, genel amal vb.) kullanlmaktadr. Ancak burada unutulmamas gereken nokta polyester reine matriks malzemeli kompozitlerde kimyasal ve hidrolik direncin dier matriks malzemelerden zayf olduudur. Fakat bunun yannda mekanik zelliklerinin uygun oluu tarm mhendisliinde genel tercih nedeni olmaktadr.
Epoksi reineler ise dengeli yapya sahip olmalar dk su emme, dk ekme pay ve stn korozyon direnci vb. zellikleri nedeniyle son yllarda polyester reinelere oranla daha n plana kmaktadrlar. te yandan plastik matriks malzemeli kompozitlerde glendirici faz olarak kullanlan malzemelerde elyaflar (lifler) yapy belirleyici unsur olarak karmza kmaktadr.
32

Polimer matriks cam fiberlerle glendirilmi polimer kompozit malzeme

33

Genelde kompozit malzemeyi oluturan glendirici faz elemanlar olan elyaflarn yap iindeki dalm kuvvet ynne paralel yada dik ynde ya da rastgele dalm ekilde olmaktadr. Elyafn geometrisi mukavemeti belirleyen en nemli zellik olarak bilinmektedir. Ayn ekilde elyafn trde oluan kompozit yap malzemelerde belirleyici zellik olmaktadr. Uygulamada en ok kullanlan elyaf (lif) trleri cam, aramid ve karbondur.
Cam lifle glendirilmi kompozit malzemeler; tarmda zellikle aranan yksek dayanm, hafiflik, scaa-soua, neme ve korozyona kar dayanm, dk maliyet ve basit imalata yant verebilecek zellikler iermektedir. Unutulmamas gereken nokta cam liflerin uzama zelliidir. Bu amala cam lifler rg demetler halinde balanarak birleik hasrlar haline dntrlr. Bu durum cam lifin daha kararl bir yap oluturmasn salar. Karbon lifleri ile glendirilmi kompozit malzemelerde hafiflik, yksek dayanm salanmas karbon liflerinin maliyetinin yksek olmas geni apta kullanm engellemektedir. Sonuta aramid liflerle glendirilen kompozit malzemelerde hafiflik, yksek dayanm, darbelere direncinin yksek oluu, yorulma ve gerilme korozyonu direncinin yksek olmas nedeniyle tarmda zellikle traktr, bierdver gibi teknolojik ynden stn tarm alet34 ve makinalarnda kullanlmaktadr.

ekil. Boeing 777 de kullanlan kompozit malzemeler

35

36

Tablo. Malzemelerin snflandrlmas

37

zellik Yapekillendirme likisi

Parann beklenen mr ierisinde grevini yerine getirmesi iin uygun ekil ve zelliklere sahip olacak ekilde retilmesi gerekmektedir. Malzeme mhendisleri, malzemenin i yaps, malzemeye uygulanan ilemler ve elde edilen malzeme zelliklerini gz nne alarak bu ihtiyalar karlarlar. zellikler : 1. Mekanik zellikler 2.Fiziksel zellikler
Mekanik zellikler Uygulanan yk veya gerilime kar malzemenin nasl davranacan gsterir. En ok bilinen mekanik zellikler dayanm, sneklik ve malzemenin bklmezliidir. Malzemenin ani yk (darbe), devaml deien yk (yorulma) , yksek scaklktaki yk altnda (srnme) ve anmaya kar nasl davranacaklar nemlidir. Mekanik zellikler malzemenin sadece kullanm srasndaki performansnn iyi olmas iin deil ayn zamanda kolay ekillendirilebilmesi asndan da nemlidir. Fiziksel zellikler Elektrik, manyetik, termal ve kimyasal davranlar ierir. Fiziksel zellikler hem malzemenin ekillendirme yntemine hem de i yapsna baldr. Kompozisyondaki ok kk deiiklikler bile yar iletken metaller ve seramiklerin zelliklerinde ok byk deiiklikler yapabilir.
38

Yap:
Malzemenin yaps zelliklerini dorudan etkiler. Atom ekirdeini kuatan elektronlarn dizilimi elektrik, manyetik, sl ve optik davranlar ile beraber malzemenin korozyon direncini de nemli lde etkileyebilir. Elektronik dizilme, atomlarn birbiri ile nasl balanacan etkiledii gibi malzeme trlerinin belirlenmesinde de etkilidir. Metaller, seramiklerin ou ve baz polimerler kristal yapya sahiptirler. Baz seramikler ve ou polimerlerin atomik dizilimleri dzensizdir. Amorf yapya sahip (cams yap) malzemelerin davranlar, kristal yapda olanlara gre farkldr. rnein cams polietilen saydam iken, kristal olanlar yar saydamdr. Atomik dizilimde genelde hatalar vardr ve bu hatalar malzemenin zelliklerini dorudan etkiledikleri iin kontrol edilmelidirler.

39

 Subatomic level

Electronic structure of individual atoms that defines interaction among atoms (interatomic bonding). Atomic level Arrangement of atoms in materials (for the same atoms can have different properties, e.g. two forms of carbon: graphite and diamond)

Microscopic structure Arrangement of small grains of material that can be identified by microscopy.
Macroscopic structure Structural elements that may be viewed with the naked eye.

40

Boyutlar Nanometre ve tesi

Doal
10-2 m 1 cm 10 mm

nsan Yapm
Toplu ine ba 1-2 mm

The Challenge

Karnca ~ 5 mm

10-3 m

1,000,000 nanometre = 1 milimetre (mm)

Mikrodalga

mite

Mikro elektro mekanik (MEMS) aygtlar 10 -100 m wide

200 m

10-4 m Kl ~ 10-20 m

0.1 mm 100 m

nsan sa ~ 60-120 m wide

Mikrodnya

O O

10 m

-5

0.01 mm 10 m
Infrared

Krmz kan hcreleri (~7-8 m)

Polen taneleri Krmz kan hcreleri

10-6 m

Grnr k

1,000 nanometre = 1 mikrometre ( m)

Zone plate x-ray lens Outer ring spacing ~35 nm

10-7 m

Nanodnya

Ultraviyole

0.1 m 100 nm Self-assembled, Nature-inspired structure Many 10s of nm Nanotube electrode

Fabricate and combine nanoscale building blocks to make useful devices, e.g., a photosynthetic reaction center with integral semiconductor storage.

10-8 m

~10 nm apnda ATP synthase

0.01 m 10 nm

10-9 m
Soft x-ray

1 nanometre (nm)

DNA ~2-1/2 nm apnda

Silisyum atomu mesafe 0.078 nm

10-10 m

0.1 nm

Quantum corral of 48 iron atoms on copper surface positioned one at a time with an STM tip Corral diameter 14 nm

Carbon nanotube ~1.3 nm diameter

Carbon buckyball ~1 nm diameter

Office of Basic Energy Sciences Office of Science, U.S. DOE Version 05-26-06, pmd

ekillendirme: Balangta ekilsiz olan malzemeden arzu edilen ekle sahip para retmek iin eitli ekillendirme yntemleri uygulanr. Metaller, sv metal bir kalba doldurularak (dkm), ayr metal paralar birletirilerek (kaynak, lehimleme), yksek basn kullanlarak (dvme, ekme, haddeleme) gibi yntemlerle ekillendirilirler. ok kk metal tozlar kat bir ktle olarak sktrlmak suretiyle ekillendirilirler (toz metalurjisi). Seramikler ise slip dkm, extrzyon, enjeksiyon ve izostatik pres, HIP, CIP gibi yntemlerle polimerler yumuak plastik kalplara enjekte edilerek (dkm gibi), ekilerek ekillendirilebilirler.

ekil .b. Slip dkm yntemi ekil .a.Al dkm paralar

42

43

44

HAFF ve YKSEK MUKAVEMETL MALZEME TEKNOLOJLER

Polimer bazl kompozitler, mhendislik plastikleri ve ileri seramiklerin hafiflik, dayanm ve dk maliyette retim gibi avantajlar nedeniyle, demir, alminyum, nikel, kurun, inko, bakr ve kalay gibi geleneksel metalik malzemelerin dnya kullanmlarnda, 1980li yllardan itibaren srekli dler kaydedilmektedir. Ancak, bu d durdurarak metalik malzemelerin rekabet gcn artrmak amacyla gelitirilen ada retim sre teknolojileri sayesinde, bu malzemelerin geleneksel standart zelliklerinin iyiletirilmesi ve gelitirilmesinde nemli atlmlar kaydedilmitir. Bu atlmlarn en nemlileri hafif ve yksek mukavemetli metal ve alamlarda gzlenmektedir. Son yllarda giderek artan evre duyarll ile ekolojik dengeyi bozan atk gazlar ve yakt tketimini azaltacak teknolojileri gelitirmek zorunluluu, otomobil reticilerini yeni araylara yneltmitir. Kyoto Protokolne gre bir binek otomobilinin CO2 emisyonlar, 2008 ylna kadar %25 orannda azaltlarak, 140 g/km seviyelerine drlmek durumundadr (bugnk seviyesi 186 g/km). Bunu salamak iin yaplabilecekler grupta toplanabilir: - Tahrik mekanizmasnn iyiletirilmesi (hibrid-motor sistemler, dizel motorlarda direkt enjeksiyon, motor ve altrma mekanizmalarnn optimizasyonu v.b.), - Uygun fiziksel, mekanik ve kimyasal zelliklerde malzeme seenekleri gelitirilerek konstrksiyonlarn hafifletirilmesi ve tat l arlklarnn azaltlmas, - Tatlarn aerodinamik yaplarnn ve yeni imalat tekniklerinin gelitirilmesi.
45

Daha az yakt tketecek, evre-dostu bir otomobil daha hafif olmaldr. nk, tat toplam arlndaki her %10luk azalma % 5-10 orannda yakt tasarrufu salamaktadr. Tasarm deiiklikleri dnda bunu salayabilmenin tek yolu, otomobil imalatnda daha hafif malzemeler kullanmaktr. Gvenlikten dn vermeden, konfordan vazgemeden, daha az yakt tketen otomobiller iin daha hafif, fakat daha mukavemetli malzemelere duyulan gereksinim, otomotiv uygulamalar iin malzeme reten firmalar arasnda byk bir rekabete yol amtr.
Gnmzn ada teknikleri malzeme bilimcilerin, malzeme i yapsna atomik dzeylerde bile mdahale edebilmelerini salamaktadr. Bylelikle malzeme kristal dzlemlerindeki hata ve dislokasyonlarn rollerinin daha iyi anlalmas mmkn olabilmekte ve buna bal olarak zel niteliklere sahip alamlar gelitirilebilmektedir. Bu sayede metalik malzemelerin tokluk, dk krlganlk, hafiflik ve yksek scaklk korozyon zelliklerinde nemli atlmlar gereklemekte ve srekli olarak stn performansl yeni metalik malzemeler kullanma sunulmaktadr. Ayrca, var olan metalik malzemelerin hafiflik, mukavemet ve yksek scaklk dayanmlarnda da yapsal kontrol ve modifikasyon yoluyla byk gelimeler kaydedilmektedir. Son yllarda bu kapsamda, titanyum, magnezyum ve alminyum gibi hafif alam olarak da bilinen metal ve alamlar zerinde yaplan almalar dikkati ekmektedir. Tipik olarak geleneksel malzemeler snfnda olan bu malzemelerin endstriyel pazarlarda doyum noktasna ulamalar, maliyetler ve dier malzemelerin rekabeti nedenleriyle, bu alanda da zellikle sre teknolojileri asndan nemli gelimeler 46 yaanmtr.

Alminyum malzemesinin otomotiv sektrnde daha fazla kullanm alan bulmas, bu gelimelerin bir sonucudur. Alminyumdan daha hafif olmas nedeniyle, magnezyum alamlar, otomotiv sektrnde nemle zerinde durulan dier bir konudur. Ayrca, gelitirilen son derece dk younluktaki alminyum-lityum alamlarnn uak sanayiinde kullanlmas nemli almlar salamtr.
AKILLI MALZEME TEKNOLOJLER 1980li yllarn bandan itibaren akll malzemeler, zeki yaplar veya benzeri terimler ada bilim ve teknoloji szlklerine girmi bulunuyor. Akll malzemeleri ksaca u ekilde tanmlamak mmkndr: kendi iinde ve evresindeki deiimlere tepki vererek belirli ilevleri annda ve srekli olarak yerine getirebilen malzemeler, akll malzemeler kapsamnda deerlendirilmektedir. rnekler: Akll bir malzeme ile yaplan uak kanatlar, herhangi bir atlak veya hasar annda renk deitirerek uyarda bulunmal ve hatta bu hasar tamir ve tedavi edebilmelidir. Otomobil cam, ok parlak gneli havalarda koyulaarak ve bulutlu havalarda ise daha berraklaarak srcnn grne destek olmaldr.
47

Akll tula ya da yap talarndan ina edilmi bir evde s yaltm, darsnn iklim koullarna gre deierek azami enerji tasarrufunu salayabilmelidir. Zeki yaplarda kullanlan bir dier akll malzeme ise ekil-hafzal alamlardr. ounlukla nikel-titanyum alamlarndan oluan bu malzemeler, kristal yaplarnda martensitik fazdan stenitik faza dnmlerin etkisi ile nceki eklini hatrlayabilen ve stld zaman nceki ekline tekrar dnebilen bir zellie sahiptir. Bu malzemelerde nceki ekline dnme srecinde engelleyiciler konursa 700 MPaya varan yksek gerilimler oluur ve malzeme adeta kas gibi hareket etmeye balar ve bu zelliiyle biyomedikal uygulamalarda kullanlabilir. Hafzal alamlar, medikal uygulamalarn yansra, uak hidrolik sistemlerinde, yariletken gaz tp balantlarnda, di dzeltme komponentlerinde, otomotivde radyatr pervanelerinde, egsoz k kontrollerinde, uydu sistemlerinde, termostatik cihazlarda kullanlmaktadr. Dnyada ilk ekil hafzal alam, nikel-titanyum alam olarak 1965 ylnda ABD Donanma Silah Laboratuvarlarnda bulundu ve Nitinol adyla patentlendi. Gnmzde Nitinol telleri endstriyel robotlarda kas fiberleri olarak kullanlmaktadr. Bugn ekil hafzal alamlar artk, orijinal ekillerini hatrlayp bu ekle dnebilmelerinin yan sra, yeni yeni ekiller de renebilmektedirler. Martensitik halde tekrar tekrar deforme edilerek ve stlarak istenilen ekilde stenit haline getirilen alam, bu sre esnasnda soutulduunda yeni ekle adapte 48 olabilmektedir.

Akll malzemeden yaplm hava arac

ekil hafzal alam eleman, martenzitik durumdayken deforme edildiinde serbest enerjiye sahip olur ve stld zaman bnyesinde bulundurduu bu serbest enerjiyi kullanarak minimum i yapt nceki ekline geri dner. Bu fonksiyonel davrantan yararlanlarak biyomedikal uygulamalarda kullanlan damarlar iindeki kan phtlarn yakalayan bir filtre gelitirilmitir. NiTi alaml telden yaplm apa eklindeki filtre damar iine sokulmadan nce dz bir tel haline getirilir. Damar iine yerletirildikten sonra tel, vcut ss ile harekete geerek filtre fonksiyonu salayacak orijinal ekline dner ve toplardamarn iinden gemekte olan 49 phtlar tutar.

Damarlardaki Kan Phtsn Tutulmas iin Akll Malz. SMA'dan Yaplm Filtre

Damarlardaki tkanma sorunlarnn ozumu iin SMA'dan yaplm stent

50

Ortodontik Dzeltme ilevli Kavisli Tellerin Dilerde Kullanlarak Haftada Alnan Sonular

Dilere geni bir hareket imkan salayan ve yllardr kullanlan ortodontik dzeltme ilevli kavisli teller NiTi ekilli hafzal malzemelerdir.

51

Elektriksel Malzemeler 2. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2011

ATOMK YAPI
Bir atomun, elektronlar tarafndan kuatlan bir ekirdekten meydana geldii bilinmektedir. ekirdek, yksz ntronlar ve pozitif ykl protonlardan olutuundan net bir pozitif yk tar. Negatif ykl elektronlar ise elektrostatik ekimle ekirdee tutunurlar. Her elektron ve protonla tanan yk q olup 1.602.10-19 C (Coulomb) dzeyindedir. Bir elementin atom numaras, her atomdaki elektronlarn veya protonlarn saysna eittir. rnein; 26 elektron ve 26 protonu bulunan bir Fe atomu, 26 atom numarasna sahiptir. Atom=ekirdek (proton+ntronlar)+elektronlar
1

Atom ktlelerinin nemli bir ksmn ekirdek oluturur. Her proton ve ntronun ktlesi yaklak 1.67x10-26 gr, fakat her elektronun ktlesi sadece 9.11x10-28 grdr. Atomik ktle M, atomda proton ve ntronlarn ortalama saysna eittir ve avagadro (NA) says kadar atomun ktlesine karlk gelir (Atomik ktle genellikle atom arl olarak adlandrlr). NA=6.02x1023 atom.mol-1, 1moldeki atom veya molekllerin saysdr. Bu nedenle, atomik ktle birimi gram/gram-moldr. Atomik ktle iin alternatif bir birim a.m.u.dur. (atomik ktle birimi). Protonlar Ernest Rutherford,(Eugen Goldstein 1886 ) Ntronlar James Chadwick (1932), Elektronlar J. J. Thomson (1897) tarafndan kefedilmitir.
2

 Atomlar bir ekirdek ve onu evreleyen - ykl elektronlardan oluur. ekirdek, + ykl protonlar ve yksz ntronlardan oluur. (Elektron ve protonlarn ykleri 1,6 x 10-19 Coulombdur) Proton ve elektron saylar eittir. Bu sayya atom numaras denir. Bir atomun ktlesi proton ve ntron ktlelerinin toplamna eittir. Uygulamada, genellikle 6.02x1023 (Avogadro Says) atomdan oluan atomsal ktle kullanlr.
3

 Btn maddelerin bir ktlesi ve hacmi olduu gibi, maddeleri oluturan atomlarn da bir ktlesi ve hacmi vardr. Atomlarn hacmi ekirdee gre ok byktr. ekirdein yarap, atom yarapnn yzbinde biri kadardr. Elektronlar, saniyede 50 000 km hzla ekirdein etrafnda yrngelerinde dnerler. ekirdee yakn olanlar daha hzl, uzak olanlar daha yava dnerler.

 Proton ve ntronlar ayn ktleye sahiptirler (1,67 x 10-27 kg.). Elektronlarn ktleleri ok daha kktr (9,11 x 10-31 kg) ve atomik ktle hesaplamalarnda ihmal edilebilir. Atomik Ktle (A) = protonlarn ktlesi + ntronlarn ktlesi -Bir elementin btn atomlar iin proton says ayn iken, ntronlarnn says deiebilir. -Bu ekilde baz atomlar farkl atomik ktleye sahip olabilirler, bunlara izotop denir.

zotop Atom: Farkl sayda ntronu bulunan ayn elementin atomlarna izotop denir. Atomik ktleleri farkldr. Ortalamalarn alarak izotoplarn atomik ktleleri hesaplanr.

rnek// Nikel atomlarndan oluan bir atom topluluunda, atomlarn %70i 30 ntron ve %30u 32 ntron ieren Niin yaklak atomik ktlesini hesaplaynz? (Niin atom numaras N=28) 30 ntron ieren atomlarn atomik ktlesi M= 28+30=58 g/gmol. 32 ntron ieren atomlarn atomik ktlesi M= 28+33=60 g/gmol Niin ortalama M=0.7x58+0.3x60=58.6 g/gmol
6

Atomik Ktle Birimi, Atom Arl

Atomik ktle birimi (akb), atom arlnn ifade edilmesinde sk sk kullanlr. 1 akb, 6 proton (Z=6) ve 6 ntrona (N=6) sahip olan karbon izotopunun atomik ktlesinin 1/12si olarak tanmlanr. Mproton Mntron 1,66 x 10-24 g = 1 akb
12C

atomunun atomik ktlesi 12 akbdir.

Sonu olarak: Protonlar elementin kimyasal kimliini belirler. Protonlarn says, atom numarasna (Z) eittir. Ntronlar ise izotop numarasn belirler.
7

Belirli bir hacimdeki atom saysnn (n) hesab:

The number of atoms per cm3, n, for material of density d(g/cm3) and atomic mass M (g/mol): n = Nav d / M Graphite (carbon): d = 2.3 g/cm3, M = 12 g/mol n = 61023 atoms/mol 2.3 g/cm3 / 12 g/mol = 11.5 1022 atoms/cm3 Diamond (carbon): d = 3.5 g/cm3, M = 12 g/mol n = 61023 atoms/mol 3.5 g/cm3 / 12 g/mol = 17.5 1022 atoms/cm3 Water (H2O) d = 1 g/cm3, M = 18 g/mol n = 61023 molecules/mol 1 g/cm3 / 18 g/mol = 3.3 1022 molecules/cm3

10

 Bir elementin atom arl veya bir bileiin molekl arl, atom (veya molekl) bana akb olarak sylenir. 1 mol maddede 6.02*1023adet atom veya molekl vardr. rnein, demirin atom arl 55.85 akb/mol veya 55.85 g/moldr. Atomun bykl:10-10m: 0.1 nm (ap) ekirdein ap: 10-14m: 0.01 pm dir. Atom, gne sisteminden biraz daha youn yapdadr.
11

 Eer atom 5m apta bir kre olarak dnlrse, atom ekirdei ancak 0.5 mm apnda olurdu. Bir mg demirde, 1019 atom vardr. Eer yalnz atom ekirdekleri bir araya toplanabilseydi, bir toplu ine ba kadar byklkteki bir cisim, 10 000 ton arlkta olabilirdi.

12

Elektronlar

Elektronlar ekirdein etrafnda, 0,05-2 nm. yarapndaki yrngelerde bulunurlar.

Bohr atom teorisine gre elektronlar, ekirdek etrafnda belirli yaraptaki dairesel yrngelerde dnerler. Her yrngedeki elektronun belirli bir enerjisi vardr(-). Enerji ekirdekten uzaklatka artar ve sonsuzda enerji sfr olur. Dalga mekanii teorisine gre ise, elektronlarn kesin yrngeleri yoktur, sadece belirli noktalardan geme ihtimalleri hesaplanabilir. Ayrca elektronlar hem parack, hem de dalga zellii gsterirler.
13

 Buna karlk, elektronlarn sadece belirli enerjilere sahip olabilecei (kuvantumlama) ve bir enerji dzeyinde en fazla iki elektron bulunabilecei (Pauli prensibi) her iki teori tarafndan da kabul edilmektedir. Birbirlerine yakn olan enerji dzeyleri bir alt kabuu, birbirlerine yakn alt kabuklar da bir ana kabuu olutururlar. En d ana kabuktaki elektronlara valans elektronlar denir. Bunlar ekirdee zayf olarak baldrlar ve sz konusu elementin zelliklerini belirtmekte byk rol oynarlar. Bir ana kabukta 8 elektronun biraraya gelmesi, yani p alt kabuunun dolmas halinde, bu elektronlar ekirdee ok kuvvetli balanr, bir dier deyile kapal kabuk olutururlar.
14

Elektron enerji dzeyleri

Elektronlar belirli enerjilere sahiptir. Belirli sayda enerji dzeyi birleerek enerji kabuklarn (bantlarn) olutururlar. Atomlarn en d kabuundaki elektronlara valans elektronlar denir.
15

16

Periyodik cetvelde elementlerin elektron yapsn belirleyen kuantum saylar belirli ardk diziler halinde belirtilir. Ancak baz elementlerin elektron yaplar ardk diziler kuralna uymayabilir. Bu tr elementlerde alt enerji dzeyleri dolmadan elektronlar st dzeylere yerleebilir. Bu tr elektron yapsna sahip elemanlara tranzisyon elementleri (gei elementleri) denir (Fe, Ti, W). En nemlisi Fe atomlardr. Atom numaras 26 olan demirin evresinde 26 elektron vardr ve uymas beklenen ardk kuantum saylar takm, 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d8 ken gerekte 3d kabuunda bulunmas gereken 8 elektrondan ikisi 4s dzeyine geer ve bu durumda demirin gerek kuvantum saylar aadaki gibi olur. 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d4 4s2
17

3d kabuunda 4 enerji dzeyinde tek elektron vardr. Bunlar ayn ynde dnerler ve manyetik kutuplar birbirlerine paraleldir. Dolaysyla Fe atomlar net bir manyetik kutuba sahiptir. Bu elektron yaps demirin yksek manyetiklie sahip olmasnn nedenini aklamaktadr.

18

Elektronegatiflik: Elektronegatiflik bir atomun elektron alma eilimini tarif eder. Klor gibi d enerji seviyelerini hemen hemen tamamen doldurmu atomlar gl elektronegatiflerdir ve kolaylkla elektron alrlar. Buna karn sodyum gibi d seviyeleri hemen hemen bo olan atomlar kolaylkla elektronlarn verirler ve gl elektropozitiftirler. Yksek atom numaral elementler dk bir elektronegatiflie sahiptirler; nk d elektronlar ekirdekten olduka uzaktrlar ve elektronlar atomlara kuvvetlice ekilemezler. Elektronegatiflik 0.7 ile 4.0 arasnda deiir ve periyodik tabloda soldan saa doru gidildike artar, yukardan aaya gidildike ise azalr.
19

Periyodik Tablo

20

21

Atomun Elektronik Yaps

Elektronlar atom iinde farkl enerji seviyelerine sahiptir. Her elektron belirli bir enerjiye sahiptir ve bir atomda ayn enerji seviyesine sahip iki den fazla elektron bulunamaz. Bu da her elektron arasnda kesin bir enerji farknn bulunduunu gsterir. Kuantum saylar, her elektronun ait olduu enerji seviyelerini ayrmak iin kullanlr. Drt kuantum says vardr; 1. temel kuantum says (n), 2. azimuthal kuantum says (l), 3. magnetik kuantum says (m l) ve 4. spin kuantum says (ms)dir. Muhtemel enerji seviyeleri says kuantum says ile belirlenir. (Atom ekirdeinin evresinde 7 tane yrnge vardr ve
atomlarn tm yrngelerinde bulunabilecek en fazla elektron says matematiksel bir formlle belirlenmitir: 2n2. (formldeki "n" harfi, yrnge 22 numarasn belirtir)

1.Temel (Birincil) Kuantum Says :n ile gsterilir. { 1, 2, 3, 4 .. n }

Elektronun ana enerji seviyesini gsterir ve ayn zamanda ana kabuk olarak da adlandrlr ve her bir ana kabuk K, L, M, N, O, P, Q harfleri ile tanmlanarak belirli sayda elektron bulundururlar. Elektronlar bir elektron kabuu ierisinde en dk enerji seviyesine sahip yrngeleri doldurma eilimi tarlar. n=1=K kabuu, 2 elektron n=2=L kabuu, toplam 8 elektron n=3=M kabuu, toplam 18 e n=4=N kabuu, toplam 32 e n=5=O kabuu, toplam 50 e n=6=P kabuu, toplam 72 e n=7=Q kabuu, toplam 98 e bulunabilir. 23

2. Azimuthal (kincil) Kuantum Says:l ile gsterilir. {0,1, 2 n-1} l = n-1

Atom ekirdei etrafndaki elektronlarn bulunduu her bir ana kabuk, bir elektron bulutu eklindedir. Bu kabuk ierisinde farkl enerji seviyelerine sahip ve elektronlarn hareket ettii yrngeler vardr. Bu yrngeler ikincil kuantum says (l) olarak ifade edilirler. kincil kuantum saysnn deeri, birincil kuantum saysnn deerine bal olup, (n-1) ile bulunur ve dolaysyla 0, 1, 2, 3 olarak belirlenir. Genellikle l=0 yerine s harfi, l=1 yerine p harfi, l=2 yerine d harfi, l=3 yerine f harfi kullanlr. Her bir s, p, d, f yrngelerinde belirli sayda elektron bulunabilir. s yrngesinde 2 elektron p yrngesinde 6 elektron, d yrngesinde 10 e ve f yrngesinde 14 adet e bulunabilir. 24

3. Manyetik Kuantum Says:(ml) ile gsterilir. (ml) = 2l+1 Manyetik kuantum says bir manyetik alann etkisinde kalan yrngelerin, uzaydaki farkl dorultulardaki hareket biimini tayin eder. Yrngelerin sahip olduu enerji seviyesi ykseliyorsa ml (+), azalyorsa ml (-) deer alr. Manyetik alan etkileimi olmad zaman sfr deerindedir. Her azimuntal kuantum says iin enerji seviyeleri veya orbital saysn verir. Deerler l ile +l arasndaki tm saylar ierir rnek: l=2 iin manyetik kuantum saylarn yaznz ?
(ml) = 2l+1 = (2*2)+1= 5 (ml)={-2,-1,0,1,2}

25

4. Spin (Dnme) Kuantum Says: (ms) ile gsterilir. Pauli dlama prensibine gre bir yrnge zt elektronik dnmeli ikiden fazla elektron bulunduramaz. Elektronlar kendi ekseni etrafnda biri saat ynnde dieri ters ynde olmak zere 2 farkl dnme ynne sahiptir. Dnme kuantum says farkl spinleri belirleyebilmek iin +1/2 ve -1/2 deerlerini alr. Her enerji kabuundaki maximum elektron says Tablodaki ablon kullanlarak gsterilir.

26

Kuantum Saylar (zet)

n = ba kuantum says, ortalama yarap, enerji seviyelerini belirler n = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 KABUKLAR

l = asal momentum kuantum says, orbitallerin eklini belirler l = 0, 1, 2, 3, 4, 5 (n 1) s p d f g h ALTKABUKLAR m = manyetik kuantum says, l nin z bileeni, ynelmeleri belirler m = 0, 1, 2, 3.. ORBTALLER

n Ba 1,2,3, ... Orbitalin enerji ve bykln belirler 1 Alt kabuk 0,l,2,...,n-l Orbitalin eklini belirler m Orbital l,-l,+1,. ..,0,1-1,1 Orbitalin ynlenmesini belirler ms Spin +1/2, -1/2 Elektronun dnme ynn belirler Ba Kuantum Says (n):

28

29

1S 2S 2P 3S 3P

Belli bir kuantum kabuunda en dk enerji seviyesine den elektronlar s ile gsterilir. Dolaysyla 1s2 birinci kuantum kabuunda yani K kabuunda dk enerji seviyelerindeki zt manyetik dnl iki elektronu gsterir. Ayn ekilde 2s2 iaretinin gsterdii iki elektron ikinci kuantum kabuunun (L kabuu) en dk enerji seviyesinde olanlardr. Bir kabuun s enerji seviyesinde bulunabilecek elektron adedi en ok 2 dir. Germanyumun elektronik yaps aadaki gibi gsterilir. 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 Valans: Bir atomun valans, atomun dier bir elementle kimyasal bileime girme yetenei ile ilikilidir, ve genellikle kombine edilmi sp seviyesinin en dtaki elektron says ile belirlenir. Mg: 1s2 2s2 2p6 [3s2] Valans: 2 Al: 1s2 2s2 2p6 [3s2 3p1] Valans:3 Ge: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 [4s2 4p2] Valans:4

31

D Yrngedeki elektronlar atomun elektriksel, kimyasal, sl zelliklerini belirler.

Tablo: Kuantum saylarnn gsterimi

1. Kuantum says (n) 2. Kuantum says (l) 3. Magnetik Kuantum says (ml) 4. Spin Kuantum says (ms) Alt yrnge yerleimi

1
2 3

0
0 1 0 1 2

0
0 -1, 0, 1 0 -1, 0, 1 -2, -1,0, 1,2

1/2
1/2 1/2

1s
2s 2p 3s 3p 3d

32

33

rnek : Bir atomun M kabuundaki maksimum elektron saysn hesaplaynz? M kabuu iin temel kuantum says n=3 ise l=0,1,2 dir. 3s2 l=0 3p6l=1 3d10l=2 ml=0 ml=+1 ml= 0 ml=-1 ml= 2 ml= 1 ml= 0 ml=-1 ml=-2 ms= +1/2 , -1/2 ms =+1/2 ,-1/2 ms =+1/2 ,-1/2 ms =+1/2 ,-1/2 ms =+1/2,-1/2 ms= +1/2,-1/2 ms =+1/2,-1/2 ms =+1/2,-1/2 ms= +1/2,-1/2

dev: N kabuundaki max. Elektron saysn hesaplaynz?

34

RNEK: n = 5 kabuundaki orbitaller?

(n, l, m) kuantum saylarnn belirledii dalga fonksiyonlarna ORBTAL ad verilir
Alt kabuklar

Orbital saylar

Manyetik kuantum saylar

5s
5p 5d

1
3 5

0
+1, 0, -1 +2, +1, 0, -1, -2

5f
5g

7
9

+3, +2, +1, 0, -1, -2, -3

+4, +3, +2, +1, 0, -1, -2, -3, -4

35

Elektriksel Malzemeler -2011

ATOMLARARASI BALAR
Atomlarn bir arada tutulmalarn salayan kuvvetlerdir.

Atomlar daha dk enerjili duruma erimek (daha kararl olmak) iin bir araya gelirler.
ki ana gruba ayrlr Kuvvetli (birincil, primer) balar Metalik Kovalent yonik Zayf (sekonder, ikincil) balar Van der Waals Balar Hidrojen balar
1

yonik Balar
Bu ba metal atomlar ile metal elementlerin atomlar arasnda oluur. olmayan

Ynsz Kararl Ergime scakl yksek

2

Cation

Coulombic interaction

Anion

Ionic Bonds are nondirectional !

Note the relative sizes of ions Na+ shrinks and Cl- expands

Cl-

Na+

Na ve Cl iyonlarnn iyonik bala balanmalar sonucunda NaCl bileiinin oluumu

Na (metal) kararsz 1s22s22p63s1

electron

Cl (nonmetal) kararsz 1s22s22p63s23p5

Na (katyon) kararl 1s22s22p6

Coulomb ekme
6

Cl (anyon) kararl 1s22s22p63s6

NaCl Dominant Bonding Type for CERAMICS

H 2.1 Li 1.0 Na 0.9 K 0.8 Rb 0.8 Cs 0.7 Fr 0.7

Be 1.5 Mg 1.2 Ca 1.0 Sr 1.0 Ba 0.9 Ra 0.9 Ti 1.5 Cr 1.6 Fe 1.8

MgO CaF 2 CsCl

Ni 1.8 Zn 1.8 As 2.0

O 3.5

F 4.0 Cl 3.0 Br 2.8 I 2.5 At 2.2

He Ne Ar Kr Xe Rn -

Elektron verme eilimi

7

Elektron alma eilimi

 yonlama sonucunda meydana gelen elektrostatik ekimle oluan iyonik ba olduka kuvvetlidir. yonik ba ile balanan malzemelerde elektronlar skca tutulduundan, bu malzemelerin elektriksel iletkenlii, serbest elektron bulutuna sahip metalik malzemelerin iletkenliinden ok daha dktr.

Kovalent Balar
Bu ban en nemli zellii, elektronlarn skca
tutulmas ve komu atomlar tarafndan eit olarak paylalmasdr. Baz element atomlar bir veya iki elektronunu komu atomlarla paylaarak daha kararl bir yap olutururlar.

 Kovalent balar ok salam olmalarna ramen, bu ekilde balanm maddeler zayf sneklik ve elektrik iletkenliine sahiptir.
Cl2

Klorr (Cl2) moleklndeki kovalent ban ematik gsterimi

10

Kovalent ba

Elektron paylam (her balantda 2) rnekte C 4, H 1 valans elektronuna sahip Ametal moleklleri, metal-ametal moleklleri, elementel katlar, bileik katlar Ynl ba; ba kuvvetli olmasna karn oluan cisimler (srekli uzay a biiminde olanlar, r. Elmas,Te 3550 dnda) zayf. (Bi Te=270 C)
11

Kovalent Ba:

Kuvvetli 4 kovalan bala bal C atomlarndan oluan elmas doada bulunan en sert ve ergime scakl en yksek (3550oC) cisimdir.
elmas Kovalent bada; Periyodik tabloda birbirine yakn ve elektronegatiflikleri arasnda az fark bulunan elementlerin atomlar veya ayn elementin kendi atomlar valans elektronlarn iftler halinde paylaabilirler.
12

Covalent Bond The sharing of a pair of electrons between 2 atoms.

Li2

13

Metalik Balar
Dk valansa sahip metalik elementler atomlar kuatan bir elektron bulutu oluturmak iin valans elektronlarn brakrlar. Metalik ba ile bal malzemeler, serbest elektronlara sahip olduklarndan elektrii ve sy iyi iletirler.

14

Metalik ba
Ortak elektron paylam (1, 2 veya 3) Ynsz Isl ve elektriksel iletkenlik yksek Metalik cisimlerde atomlar ounlukla zde

15

16

rnek:

17

kincil Balar (Van der Walls)

Van der Walls balar molekller veya atom gruplarn zayf elektrostatik ekimlerle birbirlerine balarlar ve olduka zayf balardr. Bu balar, elektron al veriini

tamamlam molekller veya son yrngesindeki elektron says sekiz olan inert gaz atomlar arasnda oluan zayf balardr

18

 rnein basit bir su moleklnde hidrojen atomlar oksijen atomuna, birbirleriyle 104,5 derecelik a yapan balarla balanmlardr.

Bu durum, hidrojence zengin tarafta pozitif bir kutup, dier uta ise negatif bir kutup olumasna neden olur.
19

Zayf balar
Geici kutuplama (tm atom ve molekllerde) Srekli kutuplama (asimetrik veya polar molekllerde r. H2O, HCl)

20

Hidrojen atomunun elektron alma zellii fazla olan N, O ve F gibi atomlarla yapt molekller aras balardr. Hidrojen ba yapabilen bileikler suda iyi znr. rnein; NH3, HF, H2O...
a) Polivinilklorrde (PVC), Cl atomlar negatif yk, H atomlar ise pozitif ykldr. Zincirler van der Waals balar ile zayf baldrlar b) Polimere bir kuvvet uyguland zaman Van der Waals balar krlr ve zincirler birbiri zerinde kayar, bu ekilde polimer malzemeye ekil verilebilir.

21

Ba kuvvetleri ile zellikler arasndaki iliki

Ergime scakl: Ba enerjisi arttka ergime scakl artar Termal Genleme: Ba enerjisi yksek malzemelerin potansiyel enerji ukuru daha derin ve asimetriklii daha azdr, bu nedenle termal genleme daha azdr. Mukavemet: Mukavemet genel anlamda bir malzemeyi koparmak iin birim alana uygulanan kuvvet olarak tanmlanr. Mukavemetin kayna atomlararas ba kuvvetleridir. Elektriksel iletkenlik: Malzemelerde elektrik iletimi serbest elektronlar ile salanr. Metallerde valans elektronlar serbest halde bulunduklarndan yksek elektrik iletkenlii gsterirler. Termal iletkenlik: Termal iletim malzemelerde serbest elektron ve atomlarn termal titreimleri ile salanr. Serbest elektronlarn termal iletimi titreimlere oranla daha fazladr ve bu nedenle metallerin iyonik ve kovalent bal malzemelere oranla termal iletimleri daha yksektir. Optik zellikler: Metallerde serbest elektronlar k dalgasn yanstrlar ve bu nedenle metaller saydam deil, opaktrlar. yonik ve kovalent bal malzemelerde serbest elektron bulunmadndan k malzeme ierisinden geebilir ve saydam olabilirler. Ancak katk maddeleri ve i yap kusurlar saydaml azaltr, yar saydam ya da opak olabilirler.
22

Kark balar: Malzemelerde kuvvetli ve zayf balar ayr ayr bulunabilecei gibi, tek bir malzemede birden fazla ba trne de rastlanr. CaSO4ta hem iyonik hemde kovalent balarn her ikiside mevcuttur. Ca ve SO4 iyonu arasnda iyonik ba varken, S ile O arasnda kovalent ba vardr. yonik-kovalent, seramik ve yar iletkenler Metalik-kovalent, gei metalleri Metalik-iyonik, Al9Co3, Fe5Zn21 % yonik karakter= 1
rnek: MgO iin XMg= 1.3 XO = 3.5

2 ( 1/4)(X X ) A B e 100

23

24

zet: Birincil Balar

Seramikler
(yonik & kovalent balar):

Byk ba enerjisi
yksek Tm yksek E kk

Metaller
(Metalik balar):

Deiken ba enerjisi
orta Tm orta E
orta

Polimerler
(Kovalent & kincil):

Yne Baml zellikler

kincil balar baskn dk Tm kk E yksek
25

Ba Enerjileri ve Ykleri
Denge durumunda bulunan bir atom iftinin merkezleri arasndaki uzakla atomlararas uzaklk denir. Denge durumu, atom iftine etki eden ekme ve itme kuvvetlerin eit olduu durum demektir.

26

27

Atomlararas Denge Mesafesi

Malzemeler ok sayda atomlarn ba kuvvetleri etkisi altnda bir arada dizilmesiyle oluur. Atomlararas uzaklk atomlarn dizili biimini ve yapsn belirlemede byk rol oynar. Atomlararas mesafeyi en basit ekilde anlatmak iin zt iaretli iki iyondan oluan bir model alnr. ki iyon arasndaki ekme kuvveti sayesinde iyonlar aras mesafe azalr. yonlar birbirine dediklerinde ayn ykl elektronlar arasndaki itme kuvvetleri uzakln azalmasn zorlatrrlar. tme kuvvetleri yakn mesafede ok iddetlidir. Mesafe uzadka hzla azalan itme kuvveti 0 olur . ekme ve itmenin eit olduu noktada kuvvet sfrdr ve iyonlar aras denge oluur. Denge halindeki iki iyon arasndaki uzakla, atomlar aras denge mesafesi ad verilir.

Atomlararas mesafeyi etkileyen faktrler:

1. Scaklk 2. yon ap 3. Koordinasyon says

4. Kovalentlik derecesi
28

29

Atomlararas mesafeyi etkileyen faktrler:

Scaklk Denge halindeki iki atomun arasndaki uzaklk bunlarn atom yaraplarnn toplamna eittir. Bu mesafeler scakl arttrmamz durumunda artacaktr Saf Metal da Mesafe = R+R =2R ki tr Metal da mesafe = R1+R2 yon ap

Bir atomdan valans elektronlar uzaklatrlrsa ap klr, ilave edilirse ap byr. Bu tr malzemelerde atomlararas mesafe iyon aplarnn toplamna eittir. rnek : // Ntr Fe atomunun yarap R=1,241 Fe+2nin R=0,74 Fe+3nin R=0,64 O-2nin R=1,41 FeO malzemesinde atomlararas mesafe = 1,41+0,74 = 2,15
30

Bir atomu kuatan atomlarn says= Koordinasyon says Bir atomu evreleyen atomlarn says arttka bunlarn elektronlarnn arasndaki zt etkileme nedeniyle atomlararas mesafe de artacaktr. HMK sistemde bir atoma en yakn komu atomlarn says (KS) 8 dir. YMK sistemde ise KS=12dir. YMK sistemde komu atomlar, HMK sistemdeki atomlara gre biraz daha uzaktrlar ve YMK yapdaki atomlararas mesafe daha fazladr. rnein HMK ntr demirde atomlararas mesafe 1.241 A iken YMK ntr Fe de biraz artarak 1.269 A olmaktadr.
Kovalentlik derecesi Kovalent bal cisimlerde kovalentlik derecesi dolaysyla paylalan elektron says arttka atomlar birbirlerini daha kuvvetli ekeceklerinden atomlararas mesafe azalr. nk ne kadar ok elektron paylalrsa, atomlar birbirini daha kuvvetli ekeceklerdir. Dolays ile atomlar birbirinden ayrmak iin de daha fazla enerjiye ihtiya duyulacaktr. rnek:// C-C = 1,54 CC = 1,2 Bir malzemeye ait ba enerjisi ukuru ne kadar derin ise, o malzemenin atomlararas ban koparmak iin o kadar fazla enerjiye ihtiya vardr. Dolays ile malzemenin ergime scakl da o oranda yksek olur. Ergime scakl yksek olan malzemelerin sl genlemeleri daha dktr.
31

Koordinasyon Says
Gerek malzemeler yalnzca iki atom arasnda deil, ok sayda atomlarn ba kuvvetleri etkisinde ktle halinde dizilmeleri sonucu oluurlar. Koordinasyon says bir atoma teet komu atomlarn saysna denilmektedir. Bireysel atomlardan oluan gazlarda atomlar aras ba olmadndan koordinasyon says sfr saylr. Merkez atom yarap r ve onu evreleyen atomlarn yarap R ise r/R oran bize koordinasyon saysn verir. Minimum atomik boyut oranlar (r/R) koordinasyon saysnn belirlenmesinde etkilidir. R (-) iyon ap, r (+) iyon ap Tablo. Koordinasyon says ve atom aplar arasndaki oran ilikisi Koordinasyon Says 3 4 6 8 12 Minimum r/R oran 0,155 0,255 0,414 0,732 1,00

32

33

34

KS: 4 ([Ni(CO)4] , [Cu(CN)4]3-, Si, Ge, ZnS)

KS: 6 (NaCl)

ekillerde grld gibi koordinasyon says Si, Ge gibi yariletkenlerde 4, sofra tuzunda (NaCl) altdr.

35

Balarla ilgili zellikler: Tergime

Ba Uzunluu
F

Ergime Scakl, TM
F

Enerji - (r) ro r smaller TM larger TM

Genel iliki: |E0| TM
36

r
Ba Enerjisi, E0

Balarla ilgili zellikler: E

Elastisite Modl

Elastisite Modl
erisinin ekli

E vs r

Enerji
unstretched length ro

Matematiksel olarak, E

Smaller E larger E
Genel liki: |E0| E
37

Elastic modulus
F L =E Ao Lo

Balarla ilgili zellikler :

Termal Genleme katsays, ,
~ r0 daki simetri

Enerji
ro Larger
Matematiksel olarak,

Smaller
Genel iliki: |E0|

coeff. thermal expansion L Lo

(T2-T1)
38

39

40

41

42

KRSTAL YAPILAR

Elektriksel Malzemeler 4. hafta 2009

Malzemelerdeki hatalar ihmal edersek, atomik dzenlemeyi 3 aamada inceleyebiliriz. Dzensizlik (Amorf yap) Ksa mesafede dzenlilik (Molekler yap) Uzun mesafede (Kristal yap) Atomlarn dizilme ekillerine bal olarak, malzemelerin zellikleri ve mikroyaplar deimektedir. Bir malzemeyi meydana getiren yaplardan amorf yap, atomlarn dzensiz veya rastgele dizilmesi (gazlar, svlar ve kat maddelerden cam amorf yapya rnektir) ile, molekler yap, molekllerin zayf balarla balanarak birarada bulunmas ile (Molekler yapl malzemeler, molekl ierisinde dzenli bir dizili szkonusu iken molekller aras rastgele bir dizilie sahiptir. H2O, CO2, O2, N2 ve birok polimer malzemeler molekler yapya sahiptir). Kristal yap ise atomlarn belirli bir geometrik dzene gre dizilmesi ile olumaktadr (btn metaller, ou seramik malzemeler ve baz polimerler kristal yapya sahiptirler).
1

ekilde Amorf ve kristalin yap rnekleri verilmitir.

2

Atomlarn boyutlu uzayda belli bir dzene gre dizilmeleri sonucu oluan kristal yapda dzenli dizili birbirinin tekrarlanmas eklinde olur. Dzenli yapnn en kk birimine birim hcre denir. Birim hcre, tm kafesin btn zelliklerine sahiptir. Bunlar yan yana dizilerek kristal yapnn tamam elde edilir. Bir kristal yapy tanmlamak iin birim hcresini tanmlamak yeterlidir. Birim hcrenin kenar uzunluklar ve kenarlar arasndaki alar kafes parametresidir. Kafes parametrelerinin farkl kombinasyonlar sonucu olarak deiik geometrik ekillere sahip 14 tane kristal kafes mevcuttur. Metallerde en fazla grlen HMK, YMK ve HSP kristal kafesleridir.

Kristal yap

Birim hcre

Yedi adet kristal sisteminde 14 adet Bravais latis grubu vardr.

5

Kafes parametreleri birim hcrenin boyutunu ve tarif eder. Birim hcrenin boyutlar ve kenarlar arasndaki alar bu kapsam iindedirler. Oda scaklnda llen uzunluk kafes parametresi (a kafes parametresi (a0) olarak belirlenmitir. Uzunluk Angstrom birimi ile ifade edilir. 1 Angstrom (A) = 10-1 nm = 10-10 m

Kbik sistemlerde kafes parametreleri birbirine eittir. Alarda birbirine eit ve 90 derecedir.
6

Kristal yap trleri Genelde 7 farkl kristal tr veya sistemi vardr. Uzayda en genel halde bir eksen takm seilsin ve bu eksen takm arasndaki alar , ve olsun ve uzay bu eksenler boyunca eit aralkl paralel dzlemler geirilerek eit hacimlere ayrlsn. Aadaki ekilde de grld gibi x ekseni boyunca a, y ekseni boyunca b ve z ekseni boyunca c aralklaryla geirilen dzlemlerin ayrd eit hacimler eik ve genel prizma eklindedir. Birim hcre olarak adlandrdmz bu prizmann , ve alarna ve a,b,c kenarlarna zel deerler verilerek 7 kristal trnn birim hcreleri elde edilir.

Kbik kafes yaplar Geometrik olarak kbik kristalde atomlar farkl ekilde dizilerek basit kbik (BK), hacim merkezli kbik (HMK) ve yzey merkezli kbik (YMK) kafeslerini oluturabilirler. Basit Kbik yap

Basit kbik sistemde koordinasyon saysnn 6 olduunun gsterimi

10

Paketleme Faktr ( Atomsal Dolgu Faktr )(Atom Dizim Katsays )

Bu faktr atomlarn dolu kreler olduunu varsayarak bulunan birim hcredeki atomlarn toplam hacminin birim hcre hacmine blnmesiyle bulunur. Metallerde en yksek atomik paketleme faktr 0.74 deeri ile YMK ve HSP yapdadr. HMK yapda 0.68 iken basit kpte 0.53tr.

rnek : H.M.K nn atomsal dolgu faktrn hesaplaynz?

4 3 2 r 3 8 r 8 3 Paketlemefaktr = = = = 0,68 3 64 a 3 4r 0 3
11

12

13

Yzey merkezli kbik yap (YMK)

Yzey merkezli kbik yapda kpn her kesinde ve yzey merkezlerinde bir atom bulunur. Yzey merkezindeki atomlarn bir yars, gz nne alnan hcreye, dier yars komu hcreye aittir. (Cu,Al,Ag,Au )
14

15

Hacim merkezli kbik (H.M.K) Hacim merkezli kbik yapda kpn her kesinde ve merkezinde bir atom bulunur ve ke atomlar merkeze teettir. Gerekte her kedeki atom 8 komu birim hcre tarafndan paylalmaktadr. Bir kede birim hcreye ancak 1/8 lik bir dilim der. 3a=4R (Cr, -Fe, Mo)

16

17

Hegzagonal sk paket yap (HSP)

18

rnek: Kbik kristal sistemdeki her bir hcre iin atom saylarn belirleyiniz? Kbik sistemde birim hcredeki toplam atom says; Ntoplam=Ni+1/4Nkenar +1/2 Nyzey +1/8 Nke Birim hcre BK iin : {1/8} * 8 ke =1 Hacim merkezli kbik hcre (HMK) iin :({1/8} * 8 ke)+1 merkezdeki =2 Yzey merkezli kbik hcre (YMK) iin :({1/8} * 8 ke)+(1/2)6 yzey =4

Polimorfizm ( Allotropi) Birden fazla kristal yapya sahip olan malzemeler allotrofik veya polimorfik malzemeler olarak bilinir. (Scaklk ve basnca bal olarak birden fazla kristal yapda bulunabilme zellii) Allotropi saf elementlerde, polimorfizm ise bileiklerde kullanlr. Bir metal birden fazla kistal yapya sahip olabilir Fe ve Ti elementleri gibi. Silika gibi birok seramik malzemelerde de polimorfik dnmler grlr. Malzemelerin stlmas ve soutulmas srasnda polimorfik veya allotropik dnmler hacim deiikliine neden olur. Bu hacim deiimi uygun bir ekilde kontrol edilmezse malzemenin atlama ve hasarna neden olur. rnek : Demir oda scaklnda H.M.K >910 0C Y.M.K >14000 C H.M.K yapya sahiptir.
19

Karmak yaplar Elmas kbik yap ( Si, Ge, Sn, C gibi elementlerde) NaCl ve CsCl (Sezyum klorr) yaplar Kristal silika Kristallemi polimerler

20

21

22

Elektriksel Malzemeler 5. hafta 2009

BRM HCREDE DORULTU VE YNLER Malzemelerin zellikleri, kristalde zelliin lld dorultuya gre deiebilir. Miller indisleri bu dorultular tanmlamakta kullanlan ksa gsterimlerdir. Kristallerde atomlarn merkezlerini birletiren dorular uzatlacak olursa uzayda kafes grnmnde bir yap elde edilir. Bundan dolay bu yapya kafes yaps ad verilir. Deiik dorultularda ve deiik dzenlerde farkl atomsal dizili grlr. Bu nedenle zellikler dzlemlere ve dorultulara gre deiir. Buna anizotropi denir. Eer zellikler kristalin btn dorultularnda benzer ise malzeme izotropiktir.
1

Kristal dorultular Kristallerin bir ok zellii kristal dorultusuna bal olarak deiir. Dorultular belirlemek iin miller indisleri kullanlr ve [h k l ] eklinde ifade edilir. Edeer dorultular ailesi Kafes yaps simetrik zellie sahip olursa baz farkl dorultularda atom dizilileri ayndr. Bu dorultulara edeer dorultular ad verilir. Bir kafes yapda edeer dorultularn tm bir edeer dorultular ailesini oluturur ve bu ailenin miller indisleri < h k l > eklinde gsterilir.
rnek : <110> ailesini yaznz ?

10

11

12

13

14

15

16

Elektriksel Malzemeler 5. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2009

Dzlemler aras mesafe

Miller indisleri h,k,l olan birbirine paralel en yakn iki dzlem arasndaki mesafe aadaki formlle hesaplanr (dhkl )

d hkl =

a h2 + k 2 + l 2

bu denklemde a kafes parametresi hkl miller indisleridir.

rnek : Sodyum (HMK) yapdadr a= 4,29 A veriliyor miller indisleri (110) olan kristal dzlemleri gstererek bu dzlemler aras mesafeyi hesaplaynz?

d hkl

4,29 = = = 3,03 0 12 + 12 + 0 2 1,14

17

4,29

18

rnek: Latis parametresi 0.2866 nm olan hacim merkezli kbik demirin younluunu hesaplaynz?

19

Dzlemsel atom younluu Hesab:

20

21

rnek. YMK sistemde (110) dzlemindeki dzlemsel atom younluunu hesaplaynz?

22

Soru 1 : Kafes parametresi 2,866 A0 olan H.M.K Fe in younluunu hesaplaynz? Atomik ktle= 55,85 gr/mol Avagadro says = 6,023*1023
Soru 2 : HMK yapdaki Fe (110) dzleminin dzlemsel atom younluunu

mm2ye den atom cinsinden hesaplaynz? a= 0,278nm Cu (YMK) yapdadr a=0,361 nm olduuna gre [110] ynnde dorusal atom younluunu atom/mm cinsinden yaznz?
Soru 3 :

23

24

25

Elektriksel Malzemeler 6. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2009

KRSTAL YAPI KUSURLARI Gerek kristallerin hacim kafesi ideal dzenli yapdan birok sapmalar gsterir. Bu sapmalarn her biri kafesin bozulmasna ve gerilmesine neden olur. Baz hallerde atom boluu, atom yer deitirmesi veya fazla atom durumu olur ki bu hatalara nokta hatalar denir. izgi hatalar fazla bir atom dzleminin kenarn gsterir. Son olarak komu kristaller arasnda veya bir kristalin d yzeyinde yzeysel (hudut ) hatalar bulunur. Byle hatalar mekanik, elektriksel zelikleri ve kimyasal zellik gibi malzemenin birok zelliklerini etkiler.

Kristal Yap Hatalar

1. Nokta Hatalar Boluklar Yeralan ve arayer hatalar, Safszlklar Schottky ve Frenkel hatalar 2. Dorusal Hatalar (Dislokasyonlar) Kenar dislokasyon Vida Kark

3. Dzlemsel Hatalar (Tane snrlar, d yzeyler, istiflenme hatalar) 4. Hacimsel Hatalar: Boluklar (dkm ve retimden kaynaklanan porozite, ekme boluu vs.) nklzyonlar. Atomlarn boyutlu diziliminde oluan yani her boyutu da kapsayan dizilim dzensizlii
2

Kristal Hatalarnn nemi ok dk konsantrasyonlarda bile malzemelerin ierdii kristal yap hatalar pek ok zellikleri (mekanik, elektriksel, optik vs.) nemli lde etkiler. Kristal hatalar olmasa: Kat-hal elektronik aygtlar olmazd. Metallerin dayanm ok daha yksek olurdu Seramiklerin tokluu ok daha yksek (krlganl daha dk) olurdu Kristallerde renk olmazd Difzyon ve yonik iletkenlik ok snrl olurdu
3

Noktasal Hatalar Boluklar; En basit nokta hatasdr, metal yaps iinde yerinde bulunmayan (yeri bo olan) bir atomun hatasdr. Bir atom veya iyon kristal yapda bulunmas gereken yerde yoksa boluk oluur. Byle bir hata ilk kristalleme srasnda atomlarn hatal olarak ylmas veya yksek scaklk derecesinde termal titreimleri sonucu olabilir. Isl enerji ykseldike tek atomun dk enerji seviyesindeki yerinden darya frlamas ihtimali artar. Boluklar, tek veya iki ile daha fazlas bir arada toplanarak iki boluk veya boluk olabilir. Arayer ve yeralan hatalar; Bir atom kristalde latis noktas dnda bir yere yerleirse arayer hatas oluur. Normal latis noktasnda bulunan bir atom baka bir atom ile yer deitirirse yeralan hatas meydana gelir. Deien atomlarn genelde boyutlar ayn deildir.Yeralan atomu normal orijinal kafes noktasnda yer alr. Arayer ve yeralan hatalarnn her ikisi de malzemelerde empriteler ve bilinli olarak katlan elementler olarak bulunur.
4

Hatasz Yap

Bo Kafes Kesi

Sv metal katlarken, plastik ekil deitirme ve yksek scaklkta sl titreimlerin etkisi ile meydana gelir.

Bir veya birka atomun oluturduu blgesel kafes dzensizlikleridir. Hatann evresindeki atomlarn hatasz dizilimlerini engeller. Arayer Atomu Yer Alan Atomu
5

Schottky hatalar; Boluklara ok benzer, fakat elektrik yk dengesi nedeniyle bileik olarak bulunurlar. Ayr iaretli iki iyon boluu eklindedir. Boluklar ve Schottky hatalarnn her ikisi de atom yaynmasn kolaylatrr. Frenkel hatalar; Kristal kafesindeki bir iyon yerinden kp bir arayer atomu ekline geerse buna Frenkel hatas denir. Sk paketli yaplarda atomu arayere sktrmak iin daha ok enerji gerektiinden Schottky hatalarndan daha az Frenkel hatalar ile arayer hatalar bulunur.

Frenkel Hatas

Schottky Hatas

yonsal cisimlerde kararl yap iin net elektriksel ykn sfr olmas zorunludur. Bunlarda zt iaretli iyon ifti eksik olursa Schottky Hatas, yer deitirmi iyon Frenkel 7 Hatas oluturur.

Noktasal hatalar: (a) boluk,(b) arayer atomu,(c) kk yeralan atomu,(d) byk yeralan atomu, (e) Frenkel hatas, (f) Schottky hatas. Tm bu 9 hatalar etrafndaki atomlarn mkemmel dzenini bozarlar.

Bir malzemenin belirli bir scaklktaki atom boluu says (Nv) kB: Boltzman sabiti (8.62.10-5 eV/atom K) Nv: Kristal kafesin belirli bir hacmindeki atom boluu says Ns: Kristal kafesin birim hcresindeki atom says (atom/m3) rnek: Cun oda scaklndaki boluk saysn hesaplaynz?

10

11

rnek: Altnn 900C de bir m3nde oluabilecek atom boluklarn hesaplaynz? Atom boluunun oluabilmesi iin gerekli aktivasyon enerjisi 0.98 eV/atom olup; Altnn younluu 19.32 g/cm3 ve atom ktlesi 196.9 g/mol dr. zm: Altnn 1m3 hacminde bulunabilecek atom says N, teorik younluk formlnden bulunabilir.

tom say Her atomun ktlesi d= ise, Birim hcre hacmi Avagadro Say
Atom says (N)=
6.023.10 23 atom / mol.19.32 g / cm 3 .10 6 cm 3 / m 3 =5.90.1028 atom/m3 196.9 g / mol

Nv=Ns.exp[-Qv/kBT] Nv=( 5.90.1028 atom/m3)exp[-(0.98 eV/atom)/(8.62.10 -5 eV/atom K. 1173)] Nv=3.64.1024 atom boluu/m3
12

rnek: Oda scaklnda bakrdaki boluklarn konsantrasyonunu hesaplaynz.? Boluk konsantrasyonunu denge halinden 1000 kat daha yksek konsantrasyonlara karmak iin hangi scakla kmak gereklidir? Bakrda bir mol boluk iin 20.000 cal ihtiya olduunu dn. ZM YMK yapdaki Cunun latis parametresi 0.36151 nm. 1cm3deki atom says:

4atom / birimhcre 22 3 n= = 8 . 47 . 10 Cuatomlar / cm (3.6151.10 8 cm) 3

Oda scakl, T = 25 + 273 = 298 K: Nv=8.47.1022.exp (-20.000/1.987.298) =1.815.108 boluk/cm3

1000 katna karmak iin gerekli scaklk: Nv= 1.815.108 .1000=8.47.1022.exp (-20.000/1.987.T) T=102 C
13

izgisel Hatalar / Dislokasyonlar

Bir kristalin iinde en ok grlen hata dislokasyondur. Dislokasyonlar kristal yapdaki izgisel kusurlardr. ki deiik trde grlr: kenar dislokasyonlar ve vida dislokasyonlar. Kenar dislokasyonu (sembol ) kristal iinde sona eren bir kafes dzleminin kenar olarak dnlebilir. Kristale ekstra yarm bir dzlemin girmesi ile oluur. Vida dislokasyonunda kafes dzlemi kendisine dik olan dislokasyon izgisi etrafnda spiral eklini alr.Kristalin burulmas ile bir atom dzleminin spiral bir rampa retmesi ile oluur. Dislokasyonlar ok ksa blmlerde saf kenar veya saf vida karakteri gsterip, genellikle bu ikisinin bileimi olan kark dislokasyon halindedirler. Kenar Kark dislokasyonlarKsmen kenar ksmen vida dislokasyonu ieren dislokasyonlardr.

14

Kenar Dislokasyonu

Mkemmel kristal (a) kesilip extra yar dzlem eklenir (b) Ekstra dzlemin alt kenar kenar dislokasyonudur (c) Burgers vektr b kenar dislokasyonu etrafndaki eit atom araln kapatmak iin gereklidir.
15

16

Vida dislokasyonu

Mkemmel kristal(a) kesilip bir atom aral kadar kaydrlm, (b) ve (c). Krlma/kesilme boyunca oluan izgi vida dislokasyonudur. Burgers vektr b vida dislokasyonu etrafndaki eit atom araln kapatmak iin gereklidir.
17

18

Kark Dislokasyon

19

Dislokasyonlarn nemi Kayma ilemi zellikle anlalmasna yardmc olur. metallerin mekanik davranlarnn

Metallerin dayanmnn metalik badan tahmin edilen deerden neden ok daha az olduunu aklar. Metallerde sneklik salar. Metal veya alamlarn mekanik zelliklerinin kontrol edilmesini salar. Dislokasyonsuz bir malzeme koparmakla kopabilirdi. yzey boyunca balarn tmn

Dislokasyon kaydnda ise balar yalnzca dislokasyon izgisi boyunca kopar.

.
20

21

Yzey Hatalar
Malzemeleri blgelere ayran snrlardr. Her blge ayn kristal yapya fakat farkl ynlenmeye sahiptir. Bir cismin yzeyinde bulunan atomlar enerji ynnden ieridekilerden farkldr. erideki atomlar komu atomlarla tamamen kuatlm olup dk enerji konumundadrlar. Yzey atomlarnn ise bir yanlarnda komu atomlar yoktur ve ktle tarafndan daha byk bir kuvvetle ekilirler, bu nedenle de enerjileri daha yksektir. Yzeye atom eklenirse bir miktar enerji aa kar, eer yzeyden atom koparlmak istenirse bir miktar enerji vermek gerekir. Yzeydeki bu fazla enerjiye yzey enerjisi denir. Tane Snrlar: Bireysel taneleri birbirinden ayran yzeydir ve atomlarn dzgn yerlemedii dar bir alandr. Metallerin mikroyaplar ve dier pek ok kat malzeme, birok tanelerden meydana gelir. Tane, ierisinde atom dizilmelerinin zde olduu malzemenin bir ksmdr. Buna kar atom dizili ynlenmesi veya kristal yap her bitiik an iin farkldr. ekilde ematik olarak taneler gsterilmitir; her tane iinde kafes yaps ayndr fakat kafes ynlenmeleri farkldr. Tane snr, bireysel taneleri birbirinden ayran yzeydir ve atomlar 22 n dzgn yerlemedii dar bir alandr.

ekil: Tane Snrlar

Kk al tane snr; Kk al bir tane snr, dislokasyonlarn bitiik kafesler arasnda kk bir ynlenme bozukluu oluturduu bir dislokasyon srasdr. Yzey enerjisi, dzenli tane snrnkinden az olduu iin, kk al tane snrlar kaymay engelleyecek kadar etkili deildir. Kenar dislokasyonlar tarafndan oluturulan kk al tane snrlar eik snrlar ve vida dislokasyonlarnn neden olduu snrlar ise burma snrlar olarak adlandrlr.
23

24

ekil: Kk al tane snr

stif hatalar:stif hatalar YMK metallerde olur ve sk paket dzlemlerin istiflenmesi srasndaki bir hatay gsterir. Normal olarak hatasz bir YKM kafesinde istiflenme sras ABCABCABC eklindedir. Fakat aadaki sralamann olutuu kabul edilsin. ABCABAB,CABC Gsterilen sralanmada, A tipi bir dzlem, normalde C dzleminin yerlemesi gerektii yerde gsterilmitir. 25

stif Hatas

26

27

kiz snrlar; Bir ikiz snr, dzlem boyunca kafes yapsndaki ynlenme bozukluunun zel bir ayna grnts olan bir dzlemdir. kizler, ikiz snr boyunca kayma kuvveti etkidiinde oluabilir ve atomlarn pozisyon dna kaymasna neden olur. kizlenme belirli metallerin ekil deitirmesi veya sl ilemi srasnda olur. kiz snrlar kayma ilemi ile kesiir ve metalin dayanmn arttrr.

ekil: kiz snrlar

28

Elektriksel Malzemeler 7. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2010

KAYMA Dislokasyon hareketi ile ekil deiimini salayan ilem kayma olarak adlandrlr. Kayma dorultusu ve kayma dzleminin btnne kayma sistemi denir. Kayma yn atom younluunun en fazla olduu yn ve kayma dzlemi bir sk paket dzlemdir. Dislokasyon izgisinin hareket ettii dorultu kayma dorultusu, kenar dislokasyonlar iin Burgers vektrlerinin dorultusudur. Kayma esnasnda kenar dislokasyonu Burgers vektr tarafndan oluturulmu dzlemi ve dislokasyonu dar gtrr; bu dzlem kayma dzlemi olarak adlandrlr.
Tablo: HMK ve YMK yaplarda kayma dzlem ve dorultular
4

Bir metal plastik ekil deiikliine uram ise, atomlarn yeri deimi demektir. Atomlarn yer deitirmesi nasl olabilir?

lk akla gelen, atom dzlemlerinin birbirinin zerinde, atomlar aras balar koparlarak hareket ettirilmesidir. Yaplan teorik hesaplamalar, byle bir ilemin olabilmesi iin gerekli gerilmenin, malzemenin pratikte uygulanann 100 ile 10000 kat kadar olmas gerektiini gstermitir. Demek ki, plastik ekil 5 deitirme, baka bir mekanizma ile meydana gelmektedir.

Yaplan incelemeler, plastik ekil deitirmenin dislokasyon hareketi ile meydana gelen kayma ile veya ikiz teekkl ile meydana geldiini gstermitir. Dislokasyon hareketi, kayma gerilmesi ile meydana gelir. Ekseni dorultusunda ekilen bir metalin, dik kesitinde normal gerilme meydana geldii halde, yine plastik ekil deitirme meydana gelir. Metallerin Deformasyon Mekanizmalar Metallerde iki eit deformasyon mekanizmas grlr: 1. Metallerin deformasyonu kristal bloklarnn belirli kristallografik dzlemler boyunca birbirleri zerinden kaymasyla oluur. Bu dzlemler kayma dzlemleri olarak adlandrlr. Kayma dzlemleri kristal ierisindeki en youn dzlem ve ynlerdir. Blok malzemenin kaymas kayma dzlemindeki kayma gerilmeleri sonucu oluur. Eer kristal mkemmel olsayd plastik deformasyonu balatmak iin gerekli kayma gerilmesi gereinden yaklak 100 kat fazla olurdu. Kayma yap ierisindeki 6 hatalar (dislocations) sebebiyle mmkn olur.

(a) Dislokasyona kayma gerilmesi uygulandnda (b)atomlar yer deitirir bu dislokasyonun kayma ynnde bir Burgers vektr kadar hareket etmesi ile olur. (c) Dislokasyonun devaml hareketinin sonunda bir basamak oluur ve kristal 7 deforme olur (d) Trtl hareketi dislokasyon hareketine benzetilebilir.

ekil. Dislokasyon sayesinde daha dk gerilme deeri ile deformasyon gerekleebilir.

2. Plastik ekil deitirmenin dier bir mekanizmas ise ikiz teekkldr. kiz teekklnde, ikiz blgesindeki atomlar dier atomlar ile ayna simetrisi olutururlar. kiz oluumu, kristalleme esnasnda veya plastik ekil deitirme esnasnda meydana gelir. Gerilme uygulanan bir kristalde dislokasyon hareketi ile ekil deitirme olumuyor ise ikiz teekkl ile ekil deitirme oluur.

10

Schmids kanunu Kayma gerilimi, uygulanan sistemlerinin oryantasyonu arasndaki ilikidir. Kritik kayma gerilimiBir dislokasyonun balamas iin gerekli gerilimdir.

gerilim

ve kayma

harekete

geip

kaymaya

Kayma gerilmesi ekme gerilmesi

Kayma gerilmesi kayma sisteminde oluur.((+ ) toplam 90olmak zorunda deildir. (b) Kayma sistemlerinde dislokasyonlarn hareketi malzemeyi deforme eder.

11

rnek:

12

rnek: HMK demirin (112) dzleminin dzlemsel atom younluu 9.94 1014atoms/cm2. (a) (110) dzleminin dzlemsel atom younluunu ve (b) (112) ve (110) dzlemleraras mesafeyi hesaplaynz? Hangi dzlemde kayma oluur?

13

zm:

14

Difzyon
Atomlar, sahip olduklar termal enerjiden dolay, bulunduklar latis pozisyonlar etrafnda salnm halindedirler. Yeterli enerji saland takdirde bulunduklar pozisyondan ayrlarak dier atomik pozisyonlara hareket ederler. Bu harekete difzyon ad verilir. Difzyonun gereklemesi iin: Atomun gidebilecei uygun bir yer, Pozisyonunu terk edebilmesi iin yeterli enerjiye sahip olmas gerekir. Difzyon olaynn anlalmas iin iki farkl elementten oluan Cu-Ni difzyon ifti kullanlabilir. Burada Cu ve Ni bloklarnn yzeyleri birbiri ile temas halindedir. Difzyon ifti her iki elementin de ergime scaklklarnn altnda bir yksek scaklkta uzun bir sre tutulur. Difzyonun nemi Hemen hemen tm malzemeler deiik zelliklerinin gelitirilmesi amacyla deiik sl ilemlere tabi tutulurlar. Bu sl ilemler srasnda oluan olaylar atomik difzyona dayanr. Genellikle difzyon hznn yksek olmas istenir. Isl ilem scaklklar ve sreleri (souma hzlar) matematiksel difzyon bantlar yardmyla tahmin edilebilir. Bu da malzeme dizayn ve retimi asndan nemlidir.
15

Arayer atomlar daha kk apldrlar ve daha hareketlidirler. Ayrca, arayer says 16 boluk saysndan daha yksektir.

17

Cu-Ni iftinde olduu gibi iki farkl elementin atomlarnn birbirleri iinde oluan difzyonu emprite difzyonu veya interdifzyon olarak adlandrlr. Bu tip difzyonda zamanla yksek konsantrasyondan dk konsantrasyona doru bir konsantrasyon 18 deiimi olur.

Atom ve molekl transferi ile ktle tanmna yaynma (difzyon) denir. Gaz ve svlarda partikl tanm ile de difzyon oluur

Difzyon basit olarak; Atomlarn scakla bal olarak hareket etmesi olay, yada Atom transferi yoluyla malzeme iinde ktle tanmas. stisna: Homojen malzemelerde ayn atomlarn yer deiimi-self difzyon (Genelde ktle tanmas grlmez) Difzyon in Konsantrasyon Gradyan Gereklidir (Yksek konsantrasyonlu blgeden dk konsantrasyonlu blgeye atom, molekl veya partikl transferi ile ktle transferi olay)
19

Konsantrasyon Gradyant c/ x: Konsantrasyon gradyant(atomlar/m3.m) Malzeme kompozisyonunun uzaklk ile nasl deitiini gsterir. Konsantrasyon gradyant yksek iken balangtaki aksda yksektir ve gradyant azalrken dzenli bir ekilde der.

20

Atomsal Difzyon Mekanizmalar

Difzyon mekanizmalar: 1. Direkt yer deitirme, 2. evrimli yer deitirme, 3. Boluk difzyonu, 4. Arayer difzyon, 5. Arayerimsi difzyon, 6. Trmanmal difzyon

21

1. Direkt Yer deitirme: Atom younluu yksek sistemlerde meydana gelir.Yksek oranda distorsiyona yol aar.ok yksek aktivasyon enerjisi bariyeri almal. 2. evrimli Yer deitirme: Zener modeli olarak da bilinir. N adet atom srekli olarak birbirinin yerini alr. Aktivasyon enerjisi direkt yer deitirmeden ok daha dktr. 3. Boluk Mekanizmas: Nokta hatalar, ift boluklar ve yer alanlar. ok yksek aktivasyon enerjisi gerekmez. Distorsiyon olmadan atomlar hareket eder. 4. Arayer (Insterstitial) Difzyonu: Bu mekanizma daha ok H, C, B, N, ve O gibi arayere daha kolay sabilen nispeten kk, boyutlu atomlardan oluan elementlerin interdifzyonu iin geerlidir. Distorsiyonsuz difzyon (atom boluuna gerek yok) Dk aktivasyon enerjisi Latis pozisyonunda bulunan daha iri atomlarn arayere difzyonu daha zordur. Kk boyutlu ve dolaysyla daha mobil atomlarn hareketine dayanan Arayer mekanizmas, Boluk mekanizmasna gre daha hzldr. Ayrca atom boluklaryla kyaslandnda ok daha fazla arayer bulunur. 5. Dier Difzyon Mekanizmalar Arayerimsi difzyon, Trmanmal Difzyon ok yksek aktivasyon enerjisi, yksek distorsiyon 22

1. Yeterli aktivasyon enerjisi 2. Boluk veya dier kafes kusurlar varsa, atomlar hareket edebilirler. Scakln artmasyla bu hareketin hz artar. Ergime scakl arttka malzemelerdeki aktivasyon enerjisi de artar. (balarn kuvvetli olmas) Atomlar aras ba enerjisi ve boyut Katda oluan atom hareketi iin farkllklar difzyon hzn etkilemektedir. aktivasyon enerjisi
Saf bir malzeme iinde gerekleen tek tip atom hareketi ile gerekleen difzyon self-difzyon olarak adlandrlr. Burada difzyonu karakterize eden konsantrasyon deiimi deildir. a) Is, b) Deformasyon, c) Magnetik g, d) Radyasyon, e) Radyo frekans ile aktivasyon enerjisi alr.
23

24

Fick in 1. Yasas: Zamandan bamsz difzyon

Kararl Durum Difzyonu: Ortama difze olan atomu salayan kaynan limitsiz olmas durumunda ara yzeydeki konsantrasyon sabit olacaktr.

Jx: x ynnde y-z dzlemine dik hareket eden atomlar: Ak (atom/m2.s) D: Difzyon sabiti (m2/s) C: Atom konsantrasyonu (atom/m3) x: Difzyon mesafesi (m)

Bir birim (m2) arayzey kesitinden birim zamanda (s) geen atom says olan ak (J) nn konsantrasyonla (C) ilikisi Difzyon sabitini (D) verir.

25

D etkileyen en nemli iki faktr: a) Scaklk, b) Kompozisyon. Dzensizlik artnca Difzyon katsays artar (Tane snr ve dislokasyonlar) Boluk konsantrasyonunda NV = N exp(-Q/kT) Q boluk oluum enerjisidir (bu enerji arttka boluk says azalr) Qd aktivasyon enerjisidir (bu enerji arttka, 26 atomik difzyon olasl azalr)

Fick in 2. Yasas: Zamana baml difzyon Bir araya getirilen (belirli boyutlardaki) iki metal bloundan oluan sistemde difzyonda elementlerin konsantrasyon profili zamanla deiiyor (sabit deil).

Konsantrasyon (C) zamana mesafeye (x) bal bir deiken.

(t)

ve

Konsantrasyonun zamanla deiimi ktlenin saknm prensibine gre Aknn (J) mesafeyle deiimine eit olmaldr.

27

28

29

30

31

32

33

34

35

Uygulama rnekleri:

Isl ilem sonras Co-Pt-Ta-Cr filmin ematik gsterimi. Isl ilem sonras ou Cr taneden tane snrlarna difze olur. Bu bilgisayar hard disklerinde magnetik zelliin gelimesini salar.

N-p-n transistrnn ematik gsterimi. Yariletken malzemeler zerinde deiik blgelerin oluturulmasnda difzyon nemli rol oynar. Mikroelektronik teknolojisinde bu tr transistrlerin gelitirilmesi nemlidir.
36

Problem Bir demir levhann bir yzeyi yksek, dieri dk C ieriine sahip bir ortamda 700 0C da tutulmaktadr. Kararl durum difzyonu koullarnda karbrlemenin gerekletii yzeyin 5 ve 10 mm derinliinde C konsantrasyonu srasyla 1.2 ve 0.8 kg/m3 olduuna gre oluan difzyonun aksn hesaplaynz. (Bu scaklktaki difzyon sabitini 3x10-11 m2/s.)

37

rnek:

38

Problem: Transistr retiminde bilinen yntemlerden biride yariletken malzemeye emprite atomlar ilave edilmesidir. Silisyum 0.1 cm kalnlkta olsun ve her 10 milyon Si atomunda normalde bir P atomu vardr iinde 400 fosfor (P) atomu olduu varsayldnda konsantrasyon gradyann (a) atomik yzde ve (b) atoms /cm3.cm. cinsinden hesaplaynz? Si latis parametresi 5.4307 .

P atomlarnn konsantrasyon deiimini gsteren silisyum wafer.

39

40

Elektriksel Malzemeler 8. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2009

MEKANK ZELLKLER
ekme Testi : Malzemenin statik veya yava uygulanan bir kuvvete kar direncini lmek iin uygulanan bir test yntemidir.

ekilde bir cismin iki tip zorlanmas gsterilmitir. Bunlarn ilkinde cisim, tek eksenli gerilme, m ile snr durumuna gelmitir. kinci ekilde cisim, eksenli gerilme altnda yine snr durumundadr.
2

D kuvvetlerin etkisi altnda deiik zorlamalar karsnda, malzemede oluan ekil deiiklikleri ve bu etkiler altnda malzemenin gsterdii dayanma gc zelliklerine mekanik zellikler ad verilir. D kuvvetler cisim iinde her atoma etkiyen yayl i kuvvetler olutururlar. Kuvvetler yerine para boyutundan bamsz zorlama iddetini belirten GERLME tanm kullanlr. Gerilme en basit ekliyle birim alana gelen kuvvet olarak tanmlanabilir. Bir malzemenin cisimlerin dayanm ynnden, hangi yk snrnda plastik hale geecei veya hangi gerilme deerinde krlacan bulmak nemli bir sorundur. Yap iin tehlikeli saylacak bu snrlar deneylerle saptamak gerekir. Ancak malzeme deneyleri ok defa tek eksenli gerilme altnda yaplp, tehlikeli snrlar bu gerilme durumu iin saptanr. eksenli gerilme halinin eidi sonsuz olup, btn haller iin ayr ayr deney yapmak olanakszdr. Ayrca eksenli deney teknii ok zordur. Ancak gelimi laboratuvarlarda bu deneyleri 4 gerekletirmek mmkndr.

Tekrar tipik snek bir malzeme olan eliin gerilme-birim uzama davran incelenirse:
k n
k A os
orant snr elastik snr akma gerilmesi gerek kopma gerilmesi nihai gerilme Krlma gerilmesi

Elastik Blge Akma Birim Uzama Peklemesi Boyun Verme

elastik blge elastik davran

akma

birim uzama peklemesi plastik davran

boyun verme

Krlma

Geri alnabilen deformasyon

Kalc deformasyon

METALLERN TEMEL MEKANK ZELLKLER ekme Testi

Malzemeler uygulamada yklere veya kuvvetlere maruz kalrlar. Uygulanan bu yklerin malzemede kalc deformasyona yol amamas iin ya belli bir deerin altnda olmas ya da bu yklere dayanl uygun bir malzeme kullanlmas gerekmektedir. ekme deneyi malzemelerin mukavemeti hakknda esas dizayn bil-gilerini saptamak ve malzemelerin zelliklere gre snflandrlmasn salamak amac ile geni apta kullanlr. ekme deneyi standartlara g-re hazrlanm deney numunesinin tek eksende, belirli bir hzla ve sabit scaklkta koparlncaya kadar ekilmesidir. Deney srasnda, standart numuneye devaml olarak artan bir ekme kuvveti uygulandnda, ayn esnada da numunenin uzamas kaydedilir. ekme deneyi sonucunda numunenin temsil ettii 6 malzemeye ait aadaki mekanik zellikler bulunabilir.

Elastisite modl Elastik snr Rezilyans Akma gerilmesi ekme dayanm Tokluk % uzama % kesit daralmas

ekme testinde numuneye kendi uzunluu boyunca tek eksen zerinde krlana kadar ekme kuvveti uygulanr. Yaplan test neticesinde malzemenin gerilme-genleme ilikisi ortaya karlr. Gerilme;

F = A0
Genleme ise;

l i l 0 l = = l0 l0
Burada l0 numunenin ilk boyu, li ise kuvvet uygulandktan sonraki anlk boyudur.
8

Olduka dk genleme hz seviyelerinde ekmeye tabi tutulan metallerin byk bir blm iin elastik blgede gerilme-genleme ilikisi aadaki gibidir:

= E
Bu denklem Hooke kanunu, E ise elastisite modl olarak bilinir.

ekme Mukavemeti Akma mukavemeti

Gerilme,

0.002

Genleme,

10

Tipik bir gerilme-genleme erisi

Sneklik dier nemli bir mekanik zelliktir. Malzemenin krlmasna kadar olan plastik deformasyonun bir lsdr. Gevrek malzemeler krlmadan nce ya ok az plastik deformasyona urarlar ya da hi plastik deformasyona uramazlar.

11

Gevrek Snek

Gerilme,

Genleme,

12

Snek ve gevrek malzemelerin gerilme-genleme ilikisi

Sneklik % uzama veya % kesit daralmas eklinde tanmlanabilir.

% Uzama

(lson lilk ) = 100 lilk

% Kesit daralmas =

A ilk A son 100 A ilk

13

14

15

Al alam iin gerilme genleme erisi

16

Basma testi
ayet uygulamada malzeme zerindeki kuvvet basma eklinde ise malzemeye basma testi uygulayarak basma mukavemeti bulunabilir. Basma testi, uygulanan basma kuvveti hari, ekme testine benzer bir ekilde gerekletirilir. Basma deneyi srasnda numunenin kesiti devaml olarak arttndan, ekme deneyinde grlen Boyun teekkl problemi yoktur. Basma deneyi bilhassa gevrek ve yar gevrek malzemelerin snekliini lmede ok faydaldr, zira bu malzemelerin sneklii ekme deneyi ile hassas olarak llemez. Bu malzemelerin ekmede % uzama ve % kesit daralmas deerleri hemen hemen sfrdr.

17

Basma testi
Basma deneyinin dier bir avantaj da ok kk numunelerin bile kullanlabilmesidir. Bu avantaj, bilhassa ok pahal malzemelerle alldnda veya ok az miktarda malzeme bulunduu durumlarda ok faydaldr.

18

Basma deneyi ilem itibar ile ekme deneyinin tamamen tersidir. Basma deneyi de ekme deneyi makinelerinde yaplr. Gri dkme demir, yatak alamlar gibi metalik ve tula, beton gibi metal d malzemelerin basma mukavemetleri, ekme mukavemetlerinden ok daha yksek olduundan, bu gibi malzemeler basma kuvvetlerinin uyguland yerlerde kullanlrlar ve basma deneyi ile muayene edilirler.
19

20

21

Sertlik Sertlik malzemenin blgesel deformasyona kar direncinin lsdr. eitli sertlik deneyleri mevcut olup en ok kullanlan Brinell ve Rockwell sertlik deneyleridir. Vickers ve Knoop deneyleri mikrosertlik deneyleridir. Bu deneylerde ok kk izler oluturulur ve mikroskop ile llr.

22

23

Darbe Tokluu Testi

Tokluk malzemenin krlana kadar enerji absorbe etme yeteneinin bir lsdr. Malzemelerin darbe tokluunu lmek iin Charpy deneyini de ieren birok darbe test yntemi tasarlanmtr. Numuneler entikli veya entiksiz olabilir. Darbe deneyinde h0 yksekliinden braklan ar sarka yarm yay eklinde sallanarak numuneye arpar. entik darbe deneyinde ama, malzemenin bnyesinde muhtemelen bulunacak bir gerilim konsantrasyonunun (gerilim birikiminin) darbe esnasnda entik tabannda suni olarak tekil ettirilip, malzemenin bu durumda dinamik zorlamalara kar gsterecei direnci tayin etmektir.
24

25

entikli bir numune zorland zaman, entiin tabanna dik bir ge-rilim meydana gelir. Krlmann balamas, bu gerilimin etkisi ile olur. Numunenin krlabilmesi iin bu dik (normal) gerilimin, kristalleri bir arada tutan veya kristallerin kaymasna kar koyan kohezif dayanmdan fazla olmas gerekir. Numune, plastik biim deitirmee frsat bulamadan bu hal meydana gelirse, buna gevrek 26 krlma denir. Burada krlan yzey, dz bir ayrlma yzeyidir.

YORULMA Bir ok makine paralar ve yap elemanlar kullanlma esnasnda tekrarlanan gerilmeler (ykler) ve titreimler altnda almaktadrlar. Tekrarlanan gerilmeler altnda alan metalik paralarda, gerilmeler parann statik dayanmndan kk olmalarna ramen, belirli bir tekrarlanma says sonunda genellikle yzeyde bir atlama ve bunu takip eden kopma olayna neden olurlar. YORULMA ad verilen bu olay ilk defa 1850 - 186O yllar arasnda Whler tarafndan incelenmi ve teknoloji ilerledike mhendislik uygulamalarnda daha fazla nem kazanmtr. Otomotiv ve uak endstrisindeki paralar ile kompresr, pompa, trbin gibi makinelerin paralarnda grlen mekanik hasarlarn yaklak % 90' yorulma sonucunda olmaktadr. Yorulma olayna, paraya sadece dardan uygulanan mekanik kuv vetler deil, sl genleme ve bzlmelerden doan ssal gerilmeler de neden olabilmektedir. 27

ekil:Dner destekli kiri yorulma test dzenei

28

Yorulma testi bir parann ne kadar sreyle dayanabileceini veya kopma olmakszn uygulanabilecek maksimum yklemeleri belirler. Yorulma mr: Yorulma mr, bir malzemeye tekrarl gerilim () uygulandnda malzemenin ne kadar sreyle hizmet vereceini bildirir. mr sresince 100.000 devir yapmak zorunda olan bir takm elii tasarlanrsa, o zaman para 620 MPa'dan daha az bir uygulama gerilimine maruz kalacak ekilde tasarlanmaldr. Yorulma Snr: Yorulma snr, tercih bir kriter olarak yorulma ile kopmann asla olmad gerilimdir. Yorulma snrnda uygulanan gerilim (S) ve devir says (N) erisi paralel olur. Takm eliinin kopmasn nlemek iin uygulanan gerilimin 414 MPa'dan daha az olacak ekilde tasarlanmaldr Yorulma Dayanm: Pek ok alminyum alamn da ieren baz malzemeler gerek yorulma snrna sahip deildir. Bu malzemeler iin minimum yorulma mr belirlenebilir; bu durumda yorulma dayanm, bu zaman periyodunda yorulmann olmad yorulma dayanmnn altndaki gerilimdir. Pek ok alminyum alamlarnda 29 yorulma dayanm iin 500 milyon devir esas alnr.

Fe ve Fe d metallere ait tipik S-N erisi

30

Eme testi

31

32

Elektriksel Malzemeler 9. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2010

Malzemelerin Elektriksel zellikleri

Benjamin Franklin

Elektron teorileri genel olarak; Elektron gaz teorisi Serbest elektron teorisi Elektron band teorisi olarak 3 grupta incelenebilir.
-Elektron gaz teorisinde elektronlarn tpk gaz atomlar gibi davranarak, -Serbest elektron teorisinde elektronlarn kat ierisinde serbest olarak hareket ederek, -Band teorisinde elektronlarn kat ierisinde belli enerji seviyelerinde bulunduklar ve seviyelerini deitirme sureti ile iletkenlii saladklar esas alnmaktadr. Elektrik akm ou kez elektronlarn ynlenmi ak sonucu oluurken, baz durumlarda elektrik akm iyonlarn hareketi ile de salanabilir. letkenlik ksaca malzemelerin elektrik akmn iletme yeteneidir. Elektriksel yk tayclardan e ile yaynan (-) ykl iyonlar (anyon) eksi yk tayc, e boluklar ile yaynan (+) ykl iyonlar (katyon) art yk tayclardr. Bir malzemenin iyi bir iletken olup olmadn malzemenin 6 her iki ucuna bir potansiyel fark tatbik edilerek anlalabilir.

Elektrii ileten maddelere iletken denir. Elektrik akmn iletmeyen maddelere ise yaltkan madde denir. Bunlarn tam arasnda bulunan bir madde vardr ki o da yariletken maddedir. Elektrii olduundan ok fazla ileten maddelere ise sper iletken malzemeler denir.

Yar iletkenler, iletkenlik bakmndan yaltkan ile iletken arasndadr.

Normal artlarda yaltkanlardr. Ama scakln etkisiyle iletken hale dnr. Bunun nedeni ise scaklk sayesinde bir miktar valans elektronunun serbest hale gelmesidir. Bu yzden yar iletkenler elektronikiler tarafndan olduka sk kullanlmaktadr.

Sper iletkenlik hali malzemenin direncinin 0(sfr) a dmesiyle oluur.

Sper iletkenler sayesinde enerji kaypsz bir ekilde transfer edilebilir. Bir maddenin direncinin sfra drlebilmesi iin maddeye ok dk scaklk uygulanmaldr. Elektrik akmn iletmeyen maddelere yaltkan maddeler denir. Bu maddeler ayn zamanda s akn engellemek amacyla da kullanlr. Yalnz bu maddelerde scaklk ile sl iletkenlik arasnda bir ba vardr. Metallerin ve kristal yapdaki katlarn ounda sl iletkenlik scaklk 7 ykseldike azalr, buna karlk cam gibi amorf maddelerin sl iletkenlii scaklk ykseldike artar.

Malzemelerin fiziksel davranlar, eitli elektrik, manyetik, optik, sl ve elastik zelliklerle tanmlanr ve ounlukla, atomik yap (elektronik yap, bandlar), atomik dizilme ve malzemenin kristal yaps ile belirlenir. Atomik yapda, iletken ve valans bandlar, elektronlar arasndaki geileri belirleyerek, malzemelerin iletken, yar iletken ya da yaltkan olmalarn salamaktadr. Bunun yannda, ferromanyetik davran, yaynma ve saydamlk gibi zellikler de atomik yapya baldr. Fiziksel zellikler, atomlarn ksa mesafeli ve uzun mesafeli dizili dzenini deitirmekle ve de atomik dizilmede yabanc atomlar katmakla ve kontrol etmekle nemli lde deitirilebilmektedir. Metal ileme tekniklerinin, metallerin elektrik iletkenlii zerine byk etkisi bulunmaktadr. Gelitirilmi mknatslar, kafes hatalar ile ya da tane boyutu denetlemekle elde edilebilmektedir. Atom gruplarnn elektronik yaplar incelenerek, elektriksel zellikleri saptanmakta ve buna bal olarak elektrik ve elektronik malzemeler seilebilmektedir. Benzer biimde, bir malzemenin elektrik alanna ya da manyetik alana tepkisi saptanarak manyetik malzeme seimi yaplabilmektedir. Elektrik alana tepki dielektrik zellikler ve deerler yardmyla saptanmaktadr. Dielektrik malzemelerin dier zelliklerini kutuplama, 8 piezoelektrik ve ferroelektrik zellikler belirlemektedir.

Pek ok uygulamada malzemelerin elektriksel davran mekanik davranlarndan daha nemlidir. -Uzun mesafelere akm ileten metal tel, snma sonucu oluan g kaybn azaltmak iin yksek bir elektrik iletkenlie sahip olmaldr. -Seramik yaltkanlar, iletkenler arasndaki ark nlemelidir. -Gne enerjisini elektriksel gce dntrmek iin kullanlan yariletken cihazlar, gne hcreleri uygulanabilir alternatif bir enerji kayna yapmak iin mmkn olduu kadar etkin olmaldr. Elektrik ve elektronik uygulamalar iin malzeme semek ve kullanmak elektrik iletkenlii gibi zelliklerin nasl retildiinin ve denetlendiinin anlalmasn gerektirir. Ayrca, elektriksel davrann, malzeme yapsndan, malzemenin ileniinden ve malzemenin maruz kald evreden etkilendii bilinmelidir. Bu nedenle malzemelerin atomik yap ve elektronik dzenlerinin iyi bilinmesi, temel elektrik yasalarnn hatrlanmas gerekmektedir.
9

Metallerde elektrik iletimi

Metalik malz.de atomlar kristal yapda (YMK, HMK, HSP) dizilir ve birbirlerine en d deerlik elektronlarnn oluturduu metalik bala balanr. Metalik bada elektronlar belirli bir atoma bal olmayp birok atom tarafndan paylaldndan, metalik bada deerlik elektronlar serbeste hareket eder. Baz durumlarda elektronlarn bir elektron bulutu oluturduu, baz durumlarda ise elektronlarn kendi balarna serbest elektronlar olduu, herhangi bir atoma bal olmad varsaylr. Geleneksel modelde, malzemede yk tayc says denetlenerek elektriksel iletkenlik denetlenebilmektedir. Elektronlar (d deerlik elektronlar), iletkenlerde, yar iletkenlerde ve yaltkanlarda yk tayclardr. yonik bileiklerde ise, yk iyon tar.

10

Hareketlilik, atomik baa, kafes dzensizliklerine, mikroyapya ve iyonik bileiklerde difzyon hzna baldr. Oda scaklnda art ykl iyonlar kafes zerindeki yerlerinde titretiren kinetik enerjiye sahiptir. Scaklk arttka iyonlarn titreme genlikleri artar ve iyonlarla deerlik elektronlar arasnda srekli bir enerji deiimi vardr. Bir elektrik potansiyelinin yokluunda, deerlik elektronlarnn hareketi rastgele ve snrldr, dolaysyla, herhangi bir ynde net elektron ak ve elektrik akm yoktur. Bir elektrik potansiyelinin uygulanmas halinde elektronlar, uygulanan alanla orantl fakat zt ynde bir srklenme hz kazanr. Metalin scakl ykseldiinde sl enerji atomun titremesine sebep olmaktadr. Denge durumunda olamayan atomlar elektronlarla etkileerek elektronlar datmakta ve elektronlarn hareketlilii azalmakta ve zdiren artmaktadr.
11

Geen akm iddeti I, malzemenin direnci R ve tatbik edilen voltaj (V) arasndaki iliki, ohm kanununa gre; (Bir bakr telin ularna bir pil
balandnda, R direncindeki telden, uygulanan V potansiyeline bal olarak, bir I akm geecektir. Elektriksel iletkenlik, ohm yasasndan yola klarak saptanabilir.) Burada, V (gerilim fark) : volt(V), I (elektrik akm) : amper(A) ve R(telin direnci) : ohm()dur.

I=V/R

Bir malzemenin direnci onun karakteristiine baldr. rnein Cu tel ayn kesit ve uzunluktaki demir tele oranla daha dk bir dirence sahiptir. Bu fark ohm kanununa ilave edilerek zdiren () elde edilir.

R. A L

(ohm.cm2/cm= ohm.cm)

Burada; l = iletkenin boyu, m; A = iletkenin kesit alan, m2 ; = iletkenin zdirenci, ohm.m

Bir malzemeyi iinden geen elektrik akmna kar diren gsteren deilde; iletken olarak dnmek daha dorudur. letkenlik zdirencin tersine eittir. Elektrik iletkenliinin birimi

(ohm.cm)-1

(ohmmetre)-1 = (.m)-1 dir. SI birimiyle ohmun tersi siemenstir.

12

13

14

15

16

Az miktarda katlan elementlerin Cun zgl direncine etkisi

17

18

19

Bu iki eitlikten ohm kanunun ikinci biimi elde edilir

J (akm younluu, A/cm2 ) = I/A ve (elektrik alan, V/m)= V/l ise (Baz kitaplarda yerine E kullanlmaktadr) J = elde edilir.

Burada; n = yk tayclar says (tayclar/m3 ) , q = her tayc zerindeki yk (1.6x10-19 C) ve v = ortalama srklenme hz, m/s elde edilir.

Burada; = hareketlilik [m2.(V/s) -1 ] olup, elektriksel iletkenliin lsdr. Bu son eitlikler ohm yasasnn boyutlu biimi olarak adlandrlmaktadr.
20

zgl iletkenlik, 1 cm3te bulunan yk tayc says ile orantldr.

n.q.
n: 1cm3te bulunan yk tayc says q: birim elektrik yk (kulon, Amper.sn) :elektriksel yk tayclarn iletken ortamdaki hareket yetenei (cm2/volt.sn) E elektrik alan iinde belli bir ak (srklenme) hzna ulaan yk tayclar malzemedeki atomlarn sl titreimleri, yap hatalar ile tanmlanr. Kesit alan A olan malzemede l uzunluu iinde tm yk tayclar bir yzden dier yze hareket eder ve akm younluu (J);

J n.q.

olduundan;

J= n.q. .E = .E elde edilir. Pratikte iletkenlik ve z diren malzemenin kesit alan ve malzeme uzunluu ile kullanlr.
21

Soru: 50 A akmn getii 1500 m uzunluundaki bir Cu iletim hattndaki g kaybn hesaplaynz? Cu teli ap 1mm ve zdirenci 1.67.10-8 mdir. Soru: 10 V uygulanan 1 m uzunluunda Cu teldeki elektronlarn ortalama srklenme hzn bulunuz? Cu elektronlarnn hareketlilii = 4.42.10-3m2/.C Soru: 400 C ve -100 C de saf bakrn iletkenliini hesaplaynz. Bakrn zdirenci r = 1.67.10-8 m; s diren katsays, a = 0.0068 (1/C) tir.

22

Uygulamada malzemeler zdirenlerine veya iletkenliklerine gre; iletkenler, yariletkenler ve yaltkanlar olarak 3 gruba ayrlrlar.

23

Figure 2: The energy bands of metals, semiconductors and insulators. For the insulators and semiconductors, the lower band is called the valence band and the higher band is called the conduction band. The lower energy band in metals is partially filled with electrons.
24

LETKEN, YARI LETKEN VE YALITKANLAR Enerji Seviyeleri ve Bant Yaplar Elektronlar, atom ekirdei etrafnda belirli yrngeler boyunca srekli dnmektedir. Bu hareket, dnyann gne etrafnda dnne benzetilir. Hareket halindeki elektron, iki kuvvetin etkisi ile yrngesinde kalmaktadr: -ekirdein ekme kuvveti -Dnme hareketi ile oluan merkezka kuvveti Enerji Seviyeleri Hareket halinde olmas nedeniyle her yrnge zerindeki elektronlar belirli bir enerjiye sahiptir. Eer herhangi bir yolla elektronlara, sahip olduu enerjinin zerinde bir enerji uygulanrsa, ara yrngedeki elektron bir st yrngeye geer. Valans elektrona uygulanan enerji ile de elektron atomu terk eder. Valans elektronun serbest hale gemesi, o maddenin iletkenlik kazanmas demektir.
25

Valans elektronlara enerji veren etkenler: -Elektriksel etki -Is etkisi -Ik etkisi -Elektronlar kanalyla yaplan bombardman etkisi -Manyetik etki Ancak, valans elektronlar serbest hale geirecek enerji seviyeleri malzeme yapsna gre yle deimektedir: letkenler iin dk seviyeli bir enerji yeterlidir. Yar iletkenlerde olduka fazla enerji gereklidir. Yaltkanlar iin ok byk enerji verilmelidir.

26

Bant Yaplar Malzemelerin iletkenlik dereceleri, en iyi ekilde, bant enerjileri ile tanmlanr. Valans band enerji seviyesi: Her malzemenin, valans elektronlarnn belirli bir enerji seviyesi vardr. Buna valans band enerjisi denmektedir. letkenlik band enerji seviyesi Valans elektronu atomdan ayrabilmek iin verilmesi gereken bir enerji vardr. Bu enerji, iletkenlik band enerjisi olarak tanmlanr. letkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji: letkenlerin, ekil(a) 'da grld gibi, valans band enerji seviyesi ile iletkenlik band enerji seviyesi bitiiktir. Bu nedenle verilen kk bir enerjiyle, pek ok valans elektron serbest hale geer. Yariletkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji: Yariletkenlerin valans band ile iletkenlik band arasnda ekil(b) 'de grld gibi belirli bir boluk band bulunmaktadr. Yar iletkeni, iletken hale geirebilmek iin valans elektronlarna, boluk bandnnki kadar ek enerji vermek gerekir. Yaltkanlarda iletim iin verilmesi gereken enerji: Yaltkanlarda ise, ekil(c) 'de grld gibi olduka geni bir boluk band bulunmaktadr. Yani elektronlar, valans bandndan iletkenlik bandna geirebilmek iin olduka byk bir enerji verilmesi gerekmektedir.
27

ekil. letkenlik derecesine gre deien bant enerjileri (a) letken, (b) Yar iletken,

(c) Yaltkan
28

Tablodan saf altn, gm ve bakr en iyi iletken, 107(.m)-1, metaller olduu grlmektedir. Buna karn polietilen, polistiren gibi elektrik yaltkanlar 10-14 (.m)-1 civarnda ok dk bir iletkenlik gsterirler. Silisyum ve germanyum, metaller ve yaltkanlar arasnda bir iletkenlik gsterdiklerinden yar iletkenler olarak adlandrlrlar.
Tablo:

29

Burada, glgeli alanlar, enerji seviyeleri elektronlarla tamamen doldurulmu band ksmn gstermektedir. 1s2, 2s2, 2p6 elektronlar ekirdee sk baldr ve sodyumun ekirdek elektronlardr. En dtaki 3s valans bandnn en dk enerjili yars doludur. Bu nedenle 3s1 elektronu deerlik elektronu adn alr. Bir kat metal parasnda metal atomlar birbirine deecek kadar yakndr. Deerlik elektronlar sadece kendi atomlarna ait olmakla kalmazlar birbirlerini etkilerler ve birbirlerinin arasna karrlar; bu nedenle, balangtaki keskin enerji dzeyleri enerji kuaklar haline geniler.

ekil: Naun band yaps

30

31

Deerlik elektronlar tarafndan evrilmi iteki elektronlar kuak oluturmaz. Metale doru hareket eden bir elektron, valans bandnda yksek bir seviyeyi doldurmak iin yeterli enerjiyi kazandnda elektriksel yk iletir. Elektron, elektrik alannn hareketi ve dayanm ile belirlenen bir hzda hareket eder ve devrenin pozitif ucuna doru hzlanr. Alkali metallerin, iyi elektrik iletkenlii yar dolu s bandndan kaynaklanr. Kat bakr metalinde 4s ve 3d enerji kuaklar birbiri zerine biner. Fakat bakr atomunda sadece bir 4s elektronu olduundan bu kuan yars doludur. Bunun bir sonucu olarak bakrdaki elektronlar, dolmu en yksek
durumdan bo en dk duruma uyarmak iin ok az enerji gerekir. Dolaysyla, iinde elektron akn salamak ok az enerji gerektirdiinden bakr iyi bir iletkendir. Sodyum, gm ve altnn d s kuaklar da yar doludur.

32

Metal magnezyumda her iki 3s durumu da doludur. Fakat, 3s kua 3p kuayla st ste geldiinden (aktndan) baz elektronlar 3p kuana geerek ksmen dolu bir 3sp bileik kua yaratrlar. Bunun iindir ki dolu 3s kuana ramen magnezyum iyi bir iletkendir.

33

Dier metallerin iyi elektrik iletkenlikleri ise, dolu olan s bandlar yannda, dolu olmayan p ya da d bandlarnn enerjilerinin s bandlar zerine binmesi ve bir birlemenin olumas nedeniyledir.

Ayn ekilde, alminyumun hem 3s hem de 3p durumlar dolu olduu halde, ksmen dolmu 3p kua dolu 3s kuayla aktndan alminyum iyi bir iletkendir.

34

35

36

Burada; a = bir katsay, r = 25 oC deki zdiren tir. T scaklk fark

37

letkenler: Bir maddenin iletkenliini belirleyen en nemli faktr, atomlarnn son yrngesindeki elektron saysdr. Bu son yrngeye "Valans Yrnge" zerinde bulunan elektronlara da "Valans Elektron" denir. Valans elektronlar atom ekirdeine zayf olarak baldr. Valans yrngesindeki elektron says 4 'den byk olan maddeler yaltkan 4 'den kk olan maddeler de iletkendir. rnein bakr atomunun son yrngesinde sadece bir elektron bulunmaktadr. Bu da bakrn iletken olduunu belirler. Bakrn iki ucuna bir elektrik enerjisi uygulandnda bakrdaki valans elektronlar g kaynann pozitif kutbuna doru hareket eder. Bakr elektrik iletiminde yaygn olarak kullanlmaktadr. Sebebi ise maliyetinin dk olmas ve iyi bir iletken olmasdr. En iyi iletken altn, daha sonra gmtr. Fakat bunlarn maliyetinin yksek olmas nedeniyle elektrik iletiminde kullanlmamaktadr.
38

letkenlerin balca zellikleri: Elektrik akmn iyi iletirler. Atomlarn d yrngesindeki elektronlar atoma zayf olarak baldr. Is, k ve elektriksel etki altnda kolaylkla atomdan ayrlrlar. D yrngedeki elektronlara Valans Elektron denir. Metaller, baz sv ve gazlar iletken olarak kullanlr. Metaller, sv ve gazlara gre daha iyi iletkendir. Metallerde, iyi iletken ve kt iletken olarak kendi aralarnda gruplara ayrlr. Atomlar 1 valans elektronlu olan metaller, iyi iletkendir. Buna rnek olarak, altn, gm, bakr gsterilebilir. Bakr tam saf olarak elde edilmediinden, altn ve gme gre biraz daha kt iletken olmasna ramen, ucuz ve bol olduundan, en ok kullanlan metaldir. Atomlarnda 2 ve 3 valans elektronu olan demir (2 d elektronlu) ve alminyum (3 d elektronlu) iyi birer iletken olmamasna ramen, ucuz ve bol olduu iin gemi yllarda kablo olarak kullanlmtr.
39

Yaltkanlar Elektrik akmn iletmeyen maddelerdir. Bunlara rnek olarak cam, mika, kat, kauuk, lastik ve plastik maddeler gsterilebilir. Elektronlar atomlarna sk olarak baldr. Bu maddelerin d yrngedeki elektron saylar 8 ve 8 'e yakn sayda olduundan atomdan uzaklatrlmalar zor olmaktadr. Bu tr yrngeler doymu yrnge snfna girdii iin elektron alp verme gibi bir istekleri yoktur. Bu sebeple de elektrii iletmezler. Yaltkan maddeler iletken maddelerin yaltmnda kullanlr. Yaltkanlarda, deerlik elektronlar iyonik ya da ortaklam bayla atomlarna sk bir ekilde bal olduklarndan, yksek dzeyde enerji Ea verilmedii takdirde serbest hale geerek elektrii iletemezler. Bir yaltkann elektrik kua modeli, aada bir dolu deerlik kua ve yukarsnda bir bo iletim kua eklindedir ve deerlik kua iletim kuandan yaklak 6-7 eV deerinde bir enerji aralyla ayrlmtr. Bu nedenle, bir yaltkann elektrii iletebilmesi iin deerlik elektronlarnn aral atlamasna yetecek kadar byk bir enerji altnda olmas gerekir.
40

41

42

Yar letkenler Yar iletkenlerin valans yrngelerinde 4 elektron bulunmaktadr. Bu yzden yar iletkenler iletkenlerle yaltkanlar arasnda yer almaktadr. Elektronik elemanlarda en yaygn olarak kullanlan yar iletkenler Germanyum ve Silisyumdur. Tm yar iletkenler son yrngelerindeki atom saysn 8 'e karma abasndadrlar. Bu nedenle saf bir germanyum maddesinde komu atomlar son yrngelerindeki elektronlar Kovalent ba ile birletirerek ortak kullanrlar. Atomlar arasndaki kovalent ba germanyuma kristallik zellii kazandrr. Silisyum maddeside zellik olarak germanyumla hemen hemen ayndr. Fakat yar iletkenli elektronik devre elemanlarnda daha ok silisyum kullanlr. Silisyum ve Germanyum devre eleman retiminde saf olarak kullanlmaz. Bu maddelere katk katlarak Pozitif ve Negatif maddeler elde edilir. Pozitif (+) maddelere "P tipi", Negatif (-) maddelere de "N tipi" maddeler denir.

43

Silisyum gibi bir yar iletkenden tek kristalde pn eklemleri oluturularak eitli yar iletken devre elemanlar yaplabilir. Bu elemanlar p-tr ve n-tr malzemeler arasndaki snrn zelliinden yararlanmaktadr. rnein pn eklem diyotlar ve npn transistorlar bu tr eklemler kullanlarak retilir. Bir pn eklam diyotu, bir katksz silisyum tek kristali bytlerek ve daha sonra bu kristali nce n-tr bir malzemeyle, ardndan p-tr bir malzemeyle katklayarak retilebilir. Fakat, pn ekleminin daha yaygn bir retim yntemi, bir tr katknn (rnein p tr) var olan bir n-tr malzemeye kat halde yayndrlmas eklindedir. Si ve Ge bugn elektronik sanayinde kullanlan esiz birer yar iletkendir. 1990l yllardan sonra inanlmaz bir atlm gerekletirilmitir.

44

Katksz yar iletkenler Katksz yar iletkenler elektrik iletimleri kendine ait iletim zellikleriyle belirlenen saf yar iletkenlerdir. Saf silisyum ve germanyum bu tr iletekenlerdir. IVA grubunda bulunan bu elementler yksek ynlenmilikteki ortaklam balaryla kbik elmas yapsndadr. Bu yapda her bir silisyum ve germanyum atomu drt deerlik elektronunu verir. Katksz yar iletkenlerde, deerlik ve iletim kuaklar arasnda 0.7 ile 1.1 eV arasnda deien, nispeten kk bir enerji aral bulunur. Katksz yar iletkenler katk atomlaryla katklanarak katkl yar iletkenler haline getirildiklerinde elektrik iletimini salamak iin gerekli enerji byk apta azalr.

45

Yar iletkenlerin balca u zellikleri vardr: . letkenlik bakmndan iletkenler ile yaltkanlar arasnda yer alrlar, . Normal halde yaltkandrlar. . Ancak s, k ve magnetik etki altnda brakldnda veya gerilim uygulandnda bir miktar valans elektronu serbest hale geer, yani iletkenlik zellii kazanr. . Bu ekilde iletkenlik zellii kazanmas geici olup, d etki kalknca elektronlar tekrar atomlarna dnerler. . Tabiatta basit eleman halinde bulunduu gibi laboratuarda bileik eleman halinde de elde edilir. . Yar iletkenler kristal yapya sahiptirler. Yani atomlar kbik kafes sistemi denilen belirli bir dzende sralanmtr. . Bu tr yar iletkenler, s, k etkisi ve gerilim uygulanmas ile belirli oranda iletken hale geirildii gibi, ilerine baz zel maddeler katlarak da iletkenlikleri arttrlmaktadr. . Katk maddeleriyle iletkenlikleri arttrlan yar iletkenlerin elektronikte ayr bir yeri vardr.
46

Katkl yar iletkenler Katkl yar iletkenler ok seyreltik asalyer kat zeltileridir ve znen katk atomlar zen atom kafesinden farkl deerlie sahiptir. Bu yar iletkenlere katlan katk atomlarnn deriimi ounlukla 100-1000 para/milyon (ppm) arasndadr. Katkl yar iletkenler n-tr ya da p-tr olarak iki trdr. n-tr(eksi) yar iletkenlerin ounluk tayclar elektronlardr. P, As ve Sb gibi grup VA katk atomlar silisyum ya da germanyuma katldnda elektrik iletimi iin kolaylkla iyonlaan elektron verirler. Bu atomlar verici katk atomlar olarak bilinir. Bor gibi deerlikli bir IIIA grubu elementi silisyumun drtyzl bann kafesine asal yer olarak girecek olursa ba yrngemsilerden birisi eksi olacak ve silisyumun ba yapsnda bir delik meydana gelecektir. p-tr (art) yar iletkenlerde delikler (yerinde olmayan elektronlar) ounluk tayclardr. Yeterli enerjiye sahip bir dier elektron bu bolua hareket edecektir.
47

N Tipi Yar letken Kristali Arsenik maddesinin atomlarnn valans yrngelerinde 5 adet elektron bulunur. Silisyum ile arsenik maddeleri birletirildiinde, arsenik ile silisyum atomlarnn kurduklar kovalent badan arsenik atomunun 1 elektronu akta kalr. ekilde akta kalan elektronu grlmektedir. Bu sayede birleimde milyonlarca elektron serbest kalm olur. Bu da birleime "Negatif Madde" zellii kazandrr. N tipi madde bir gerilim kaynana balandnda zerindeki serbest elektronlar kaynan negatif kutbundan itilip pozitif kutbundan ekilirler ve gerilim kaynann negatif kutbundan pozitif kutbuna doru bir elektron ak balar.

48

P Tipi Yar letken Kristali Bor maddesininde valans yrngesinde 3 adet elektron bulunmaktadr. Silisyum maddesine bor maddesi enjekte edildiinde atomlarn kurduu kovalent balardan bir elektronluk eksiklik kalr. Bu eksiklie "Oyuk" ad verilir. Bu elektron eksiklii, karma "Pozitif Madde" zellii kazandrr. P tipi maddeye bir gerilim kayna balandnda kaynan negatif kutbundaki elektronlar p tipi maddeki oyuklar doldurarak kaynan pozitif kutbuna doru ilerlerler. Elektronlar pozitif kutba doru ilerlerken oyuklarda elektronlarn ters ynnde hareket etmi olurlar. Bu kaynan pozitif kutbundan negatif kutbuna doru bir oyuk hareketi salar.

49

Figure : A p-type and n-type semiconductor. The fifth valence electron of the ntype dopant can easily jump to the conduction band and carry current. In the ptype semiconductor, electrons are easily promoted to the vacant level in the dopant. This creates a hole in the valence band which can carry current by traveling in the opposite direction of electron flow.
50

51

52

Saf yar iletkenlerde toplam iletkenlik;

nn .q. n n p .q. p

n: eksi yk tayc elektronlarn hareket yetenei

p: art

boluklarn

ekil: Metaller ve yariletkenlerde scaklkla iletkenliin deiimi

53

SPERLETKENLER Baz malzemeler belli bir scakln altnda elektrik direnleri sfrdr. Bu malzemeler speriletkenler olarak adlandrlmaktadr. Civa ve kalay normal ortam scaklnda zayf iletken olmalarna ramen dk scaklklarda speriletkenlik zellii gsterirler. Gm ve bakr ise normal ortam scaklnda ok iyi iletken olmalarna ramen speriletken zellii gstermezler.

54

Speriletkenler zerinde yaplan almalarn temel hedef kritik scakl (Tc) oda scaklna yakn olan malzemeyi kefetmektir. Bu konuda zellikle oksit seramikler zerinde youn almalar yaplmaktadr. u ana kadar yaplan almalarda en yksek kritik scaklk deeri 138 K olarak Hg0.8Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8.33 malzemesi iin kaydedilmitir. Speriletkenler hzl trenlerde, tpta ve askeri amal elektronik cihazlar olmak zere pek ok alanda kullanlmaktadr.

55

56

LK PLASTK SPERLETKENLER Bell Laboratuarlarndaki bilim adamlar belirli bir scakln altnda direnci sfr olan plastik malzemelerden speriletken rettiler. Plastikler pahal olmayan malzemelerdir ve gelecekte speriletkenlik elektroniinde olduka yaygn bir ekilde kullanlacaktr. Organik polimerler karbon atomlarnn uzun bir dizisini ierirler ve her ekle uyabilen plastikler yaparlar. Organik polimerlerin 1970 ylnda elektriksel iletkenlii ilk defa kefedildi ve bu alma nedeniyle Nobelle dllendirildi. Bunlar bir miktar dirence sahip malzemelerdi. Bunlardan organik speriletken polimerlerin yaplmas ok zordur. Plastik bir speriletkenin retilmi olmas bir polimerin speriletkenliin ihtiya duyduu elektronik etkilemeleri engelleyen doal, yapsal rast geleliinin stesinden gelir. Bell Laboratuarndaki bilim adamlar, plastik ve polythiophene ieren bir zelti yaparak bu zorluun stesinden gelmilerdir. Daha sonra polimer moleklleri bir altln zerine ince bir tabaka eklinde ylrlar. Malzemelerin elektriksel zelliklerini deitirmek iin kimyasal safszlklar katmak yerine bu aratrmaclar yeni bir teknik gelitirdiler: Polythiopheneden elektronlar uzaklatrdlar. Polythiophenenin speriletken olduu scaklk 2,35 K dir. Bu olduka dk bir scaklk olmasna ramen bilim adamlar, polimerin molekler yapsnn deitirilmesi ile gelecekte Tc scaklnn ykseltilebilecei konusunda iyimserler.
57

Maglev trenleri speriletkenlerin manyetik ortamda itilmeleri zelliinden faydalanlarak yaplmlardr

58

Electrical Properties Metallic Conductors, e.g. Cu, Ag... Semiconductors, e.g. Si, GaAs Superconductors, e.g. Nb3Sn, YBa2Cu3O7 Electrolytes, e.g. LiI in pacemaker batteries Piezoelectrics, e.g. a Quartz (SiO2)in watches Magnetic Properties e.g. CrO2, Fe3O4 for recording technology
59

MANYETK, ELEKTRONK, OPTO-ELEKTRONK MALZEME TEKNOLOJLER Bu gruba giren malzemeler st dzeyde performans zellikleri ile teknolojik sistemlerin ierisinde nemli ilevsel roller oynarlar ve otomotiv bata olmak zere elektrik, elektronik, mikroelektronik, mekatronik ve savunma sistemleri gibi alanlarda yaygn olarak kullanlrlar. Bunlarn en nde gelen rnekleri sensrler ve MEMS gibi uygulamalarda grlmektedir. Bu grupta bulunan manyetik malzemeler zellikle son 20 yllk srete ok nemli gelimelere sahne olmutur. Pek ok teknolojik geliim, elektrik ve elektronik tehizatlarda yaygn olarak kullanlan manyetik malzemeler olmasayd gereklemeyecekti. Burada en nemli geliim Nd-Fe-B (neodimyum-demir-bor) magnetlerinin daha stn manyetik zellikleri ve dk maliyetleriyle, SmCo (samaryum-kobalt) ve AlNiCo (alminyum-nikel-kobalt) malzemelerin yerini almasyla gereklemitir. Dier yandan seramik ferritler halen byk bir pazar payna sahiptir. Esas itibariyle bilgi ann teknolojik uygulamalarnda bilginin ilenmesi,depolanmas ve iletilmesi byk nem tamaktadr ve burada malzeme bilim ve teknolojileri son derece stratejik bir rol oynar.
60

Elektronik ve fotonik malzemeler bilgi ve iletiim teknolojilerinde giderek artan ilevsellikte yer almaktadr. Mikroelektronik, nanoelektronik ve telekominikasyon sistemlerinde elektrik sinyallerin retilmesi, iletilmesi, kontrol edilmesi, ykseltilmesi ve anahtarlanmas gibi tm ilemlerde bu malzemeler kullanlmaktadr. Silika esasl optik kablo teknolojisi, lazer teknolojisi, ultra-hzda ilem yapan devreler, iletken ve yariletkenler, optik sensrler, fotovoltaikler, sv kristal teknolojisi bu alanlarn banda gelmektedir. Bu yzylda en nemli gelimeler bu saydmz alanlarn nanoteknolojik uygulamalar ile gerekleecektir. Son dnemde zellikle otomotiv sektrnde ve elektro-mekanikle ilgili sektrlerde grlen canlanma ve ihracat art, lkemizde bu alanlarla ilgili nemli bir potansiyelin varl grlmektedir.
61

Scuba Diving Car

A concept car that can swim underwater at depths up to 30 feet has been developed by Rinspeed, Switzerland. Called the Squba, the car is powered by several electric motors driven by rechargeable lithium-ion batteries. The rotating outlet jets, which enable steering the car underwater, are made of carbon nanotubes. Body panels are made of thermoplastic composites and carbon nanotubes. While underwater, the occupants breathe air from an integrated tank of compressed air. 62

How to Convert Electrical Signals to Light

In a paper published in the journal Optics Express, IBM researchers detailed a significant milestone in the quest to send information between multiple cores -- or "brains" -- on a chip using pulses of light through silicon, instead of electrical signals on wires. The breakthrough -- known in the industry as a silicon Mach-Zehnder electro-optic modulator -- performs the function of converting electrical signals into pulses of light. The IBM modulator is 100 to 1000 times smaller than previously demonstrated modulators of its kind, paving the way for many such devices and eventually complete optical routing networks to be integrated onto a single chip. This could significantly reduce cost, energy and heat while increasing communications bandwidth between the cores more than a hundred times over wired chips.

63

Nanoelektronik, nanoteknolojinin elektronik alanndaki uygulamalarna verilen genel isimdir. Nanoteknoloji, tekniin 100 nanometrenin (nm: metrenin milyarda biri) altndaki uygulamalarna verilen bir isim olmakla birlikte, gnmzde bu boyutlarda retilen Pentium 4 (65nm) gibi ilemci tmleik devreleri ya da TSMC-CMOS90 (90 nm) gibi transistrler birer nanoelektronik rn saylmamaktadr. Nanoelektronik arlkl olarak nano lekte atomlar aras etkileimin ve kuantum mekaniksel zelliklerin etkin olduu aygtlarla ilgileniyor. Bu nedenle nanoelektronik bir ykc teknoloji (disruptive technology) alandr. Dier bir deyile nanoelektronik, geleneksel tasarm, retim ve malzeme teknolojilerinden tamamen farkl ve yaygn ticari uygulamalara balanmasyla bu geleneksel teknolojileri deersiz klacak yepyeni bir alandr. 64

Nanoelektronik teknolojisi ile salanacak faydalardan en by ok yksek hzda ok daha az enerji tketerek alacak mikroiplerin gelitirilmesi olacaktr. Nanoelektronik teknolojisi ile 1 bit zerinde tersinemez ilem iin gereken enerjinin teorik limitlerinde (1 bit iin 10-21 Joule) alan mikroiplerin yaplmas mmkn hale gelecektir. Karlatrmal bir rnek vermek gerekirse; gnmzde bir 2,8 MHzde normal koullar altnda alan bir Pentium 4 ilemcisi yaklak 70 W termal g harcyor. Eer bu ilemciyi teorik termodinamik limitlerinde altrabiliyor olsaydk harcanacak g 100 mikrowatt civarnda olacakt. Bu da yaklak 1 milyon kat daha dk g harcamas anlamna geliyor. Bu ayn zamanda ok yksek ilem gcne sahip mikroiplerin makul g harcama snrlar iinde retilebiliyor olmas da demektir. rnein cep telefonlarndaki ilemciler ok az g harcyor. Ayn dzeyde g harcamasna sahip ancak nanoelektronik teknolojisiyle retilmi bir mikroip, gnmzn sper bilgisayarlar dzeyinde bir ilem gcn cep telefonu boyutuna sktrabilmemizi salayacaktr.
65

Elektriksel Malzemeler 10. hafta Yrd.Do.Dr. Nil TOPLAN 2010

ELEKTRONK MALZEMELER ve KULLANIM ALANLARI Belli bal kullanm alanlar, 1) Seramik taban malzemeleri 2) Piezoelektrik seramikler 3) Taneleri ynlendirilmi seramikler 4) Piezoelektrik ince filmler 5) Piroelektrik malzemeler 6) Seramik kat elektrolitler eklinde yaygndr. Seramik taban malzemeleri (substrateler) (altlklar) Gnmzde, entegre devrelerin bir araya getirilerek monte edildii zemin, ya plastik ya da seramiktir. Son yllarda gelitirilen entegre devreler klm ve hzlar artm olup, bunun sonucu aa kan s da artmtr. Bu nedenle seramik taban malzemelerinin nemi artmtr. yi bir seramik malzemede; 1. iyi elektrik izolasyonu, 2. kimyasal kararllk, 3. yksek s iletimi ve dayanm, 4.yar-iletken malzeme ile sl genleme katsaylarnn uyumlu olmas gereklilii gibi zellikler n plana kmaktadr. 1 Bir malzemede tm bu zellikleri salamak ok zordur.

Bununla beraber, (1)% 94-99,5 saflktaki Al2O3 bu zellikleri ok byk oranda karlayabilmektedir. Ancak, ok gelimi sistemlerde aa kan snn ok olmas bu malzemenin de yetersiz olmasna neden olmaktadr. Bu nedenle, Al2O3 yannda,(2) % 5 ten ok olmamak kouluyla, BeO kullanlarak bu saknca azaltlabilmektedir. BeO s iletkenlii yksek, elektrik zellikleri ok iyi bir bileiktir. Daha yeni uygulamalarda da, (3) alminyum nitrr ve (4) silisyum karbr karmlar kullanlmaktadr. Tabloda baz taban seramikleri ve zellikleri gsterilmektedir.

BeOin sl iletkenlii % 92 saflktaki alminadan 14 kat daha iyidir. BeO seramiklerinin sl genlemesi, yar-iletken Sidan 2 kat fazladr. Bu nedenle BeO taban zerine yerletirilen Si yongasnn balant yerlerinde genlemeler, deformasyonlar olumaktadr. 2

PEZOELEKTRK SERAMKLER Piezoelektrik malzemeler, sktrldklarnda, mekanik enerjiyi elektrik enerjisine ya da, elektrik gerilimi uygulandnda, elektrik enerjisini mekanik enerjiye eviren akustik aygtlardr. Piezoelektrik aygtlar, ivmemetreler, basn sensrleri, otolarn antiknock ve ok sayda dier sensr uygulamalarnda kullanlmaktadr. Akustik uygulamalar, transmitterleri, alclar, ultrasonik uygulamalar ve baz mikrofonlar iermektedir. PbTiO3, kurun titanat dk dielektrik sabite (~190), yksek mekanik zellik, kararllk ve Curie scaklna (~490 oC) sahip olmas nedeniyle, yksek frekans ve yksek scaklk uygulamalar iin arzu edilen piezoelektrik malzemedir. PbTiO3 ierisine Ti yerine az miktarda Nb ya da Ta eklenmesi, nispeten youn (~% 90 teorik) PbTiO3 seramiklerin retiminde etkin bir rol oynamaktadr. Bunun yannda, kbik yapdan tetragonal yapya dnmde oluan ani deformasyon nedeniyle PbTiO3 seramikleri poroz ve gevrektir.
3

Poisson saysnn dk olmas nedeniyle PbTiO3 seramikler nc harmonik modda vibrasyon enerjisini yutabilmektedir. Bylece yksek frekans rezonatrlerinde kullanlmaya uygundur.

REZONATR, belli bir frekansta titreen ya da rezonans yapan, dolaysyla belirli frekanslardaki dalgalar iletmeye ya da glendirmeye yarayan mekanik veya elektriksel aygt. Diyapazon, en basit rezonatrdr. Her biri ayr frekansta rezonansa gelerek ses verecek biimde yaplm kresel rezonatrler, laboratuvarlarda bileik bir sesin analizinde kullanlr. Boluk rezonatrlerinden elektromanyetik dalga kayna olarak yararlanlr. Radyo dalgalarnn glendirilmesinde kullanlan mazerler bu tr rezonatrlerle alr.

Taneleri Ynlendirilmi Seramikler Antimon slfr iyodr (SbSI) gibi baz kristaller, c-ekseni ynnde ince ine biiminde byr ve bunlar doktor-blade dkm ynne paralel ve scak presleme ynne dik olacak ekilde ynlenerek kuvvetli anizotropik ve piezoelektrik zellik gsterirler. Bu malzemeler, elektromekanik transdzerler iin ok kullanldr. Taneleri ynlendirilmi seramikler, Bi tabaka tipi ferroelektrik malzemeler (PbBi2Nb2O9) ve Wolfram-bronz yapsna sahip oksitler (Sr,Ba)Nb2O tarafndan retilmektedir.

Piezoelektrik ince filmler

CdS, ZnO, PbTiO3, AlN, PLZT (Lead-lanthanum-zirconate-titanate), LiNbO3, Bi12PbO19 ve K3Li2Nb5O15 gibi eitli piezoelektrik filmler gelitirilmitir. Bunlardan ZnO ve AlN, ya tek-kristal olarak ya da cekseni ynlendirilmi piezolelektrik film olarak retilmelidir. Bu nedenle, CVD ya da reaktif molekler film epitaksi yntemleri ile retimleri sz konusudur. Ynlendirilmi ZnO filmleri, cam, ergimi kuvars, silisyum, safir ve metal substrate (altlk) zerine sentezlenebilmektedir. nce film halinde AlN, surface acoustic wawe (SAW) gibi yksek frekans uygulamalar iin en uygun malzemelerden birisidir.

PROELEKTRK SERAMKLER Trigliserin slfat, infrared n hedefi olarak, LiTaO3, Pb(Zr,Ti)O3 infrared sensr+ olarak mutfak frnlarnda, otomatik kap sistemlerinde ve gizli giri alarmlarnda kullanlmaktadr. Seramik kat elektrolitlerin metallurjik ilemlerde kullanm Oksijen iyonunun tanmasna dayanan kat elektrolitler, oksijen ieren sistemlerde, termodinamik ve kinetik zelliklerin saptanmasna ynelik temel aratrmalarda geni biimde kullanlmaktadr. Kat elektrolitler, yksek scaklk yakt hcrelerinde, yanma kontrolunda ve oksijen sensr olarak tpta ve metallurji sanayinde kullanlmaktadr. (+ Sensr (Alglayc): Herhangi bir fiziksel bykl, rnein hidrostatik ak basncn orantl olarak bir baka fiziksel bykle, (ounlukla elektriksel) eviren cihazlarn genel addr.)
8

Kat elektrolitler, kbik yapda olan ZrO2, HfO2, ThO2 ve CeO2 kat eriyikleridir. Bu kat eriyiklerden herhangi birinin kullanmnda, sistemde toprak alkali, nadir toprak ya da Y+3 iyonlar ile dop edilerek oksijen boluklarnn olumas salanr. Metallurjik uygulamalarda aada belirtilen Zirkonya temelli elektrolitler kullanlmaktadr. a) Ksmen stabilize edilmi, ierisinde % 2.5-3 MgO bulunan Zirkonya. Bu problar, ergimi metaller iin uygundur. b) erisinde % 5-7.5 MgO bulunan tamamen stabilize edilmi Zirkonya. Bu prob, zellikle ticari gaz analizrlerinde kullanlmaktadr. Dier taraftan, % 5 CaO ile stabilize edilmi HfO2 ve % 5-10 Yitria katlm ThO2 elektrolitler laboratuvar koullarnda ok dk oksijen potansiyelini lmede kullanlmaktadr.

MANYETK MALZEMELER
Bugn manyetik ve mknatsl malzemeler eanlaml olup, malzemelerin manyetik alandaki davran zellikleri ile belirlenmektedir. Bu amala dikkate alnan en nemli zellik dielektrik sabiti dir. Manyetik malzemeler 1930lu yllardan beri kullanlmaktadr. nceleri, demir metal ve -Fe2O3 tozlar kaydedicilerde manyetik malzeme olarak kullanlmtr. Video kaydedicileri gibi youn bilgi kayd gereksinimi nedeniyle bu amaca uygun olarak CrO2 ve Co ile modifiye edilmi -Fe2O3 partiklleri gelitirilmitir. Son yllarda ise, baryum ferrit partiklleri manyetik malzeme olarak ortaya kmtr. Klasik kaydedicilerde kayt ortam uzunlamasna olup, kaydetme younluu mknatslarn uzunluuna baldr. Oysa, baryum ferrit malzemelerde kayt ortam dikine olup, kaydetme younluu, hegzagonal yapda ubuk eklindeki partikllerin boyutuna baldr. Bu nedenle, kayt etme zellii daha youndur. Yaplan aratrmalar daha ok partikl boyutlarnn mikron altna dmesi ve 0.1 mnin altnda ok ince metal (kobalt) film kaplamalarn kullanlmas zerine younlamtr. 10

Manyetik malzemeler, zellikle elektrik mhendislii alanndaki mhendislik tasarmlarnn ounda kullanlan nemli endstriyel malzemelerdir. Genel olarak iki ana snfa ayrlrlar: - Yumuak manyetik malzemeler ya da yumuak mknatslar - Sert manyetik malzemeler ya da sert mknatslar Yumuak manyetik malzemeler, g transformatrleri gbekleri, kk elektronik transformatrleri, motorlar ve retelerin stator ve rotorlar gibi, kolaylkla manyetiklenebilen ve mknatsl giderilebilen malzemelerin gerektii yerlerde kullanlr. Buna karlk, mknatsl kolayca giderilemeyen sert manyetik malzemeler, kalc mknatslk gerektiren yerlerde, rnein hoparlr, telefon alclar, ezamanl ve frasz motorlar, otomotiv balatc motorlarnda kullanlr.

11

12

TEMEL KAVRAMLAR

Manyetik Alanlar Manyetik malzemeler zerindeki almalar mknatslk ve mknatsl alanlarla ilgili temel zelliklere dayanmaktadr. Demir, kobalt ve nikel, oda scaklnda mknatslandnda, evrelerinde gl bir manyetik alan yaratan metalik elementtir ve asal manyetikler diye adlandrlr. Altnda mknatslanm bir demir ubuk bulunan bir kadn zerine serpilen kk demir tozlarnn dalmas manyetik alann varln gsterir. Mknatslanm ubuk iki kutba sahiptir ve mknats izgileri bir kutuptan kp dierine girer. *Genel olarak, doada mknatslk ift kutuplu olup, bugne kadar tek kutuplu mknats bulunamamtr. * Bir manyetik alann, birbirinden belirli bir uzaklkla ayrlm iki mknats kutbu ya da merkezi vardr ve bu ift kutup davran, baz atomlarda bulunan, kk, mknatsl ift kutuplara kadar gider. Manyetik alanlar akm tayan iletkenler tarafndan da oluturulur. Sarmal (solenoid) ad verilen, uzunluu yarapna oranla ok uzun bir bakr sarg etrafnda manyetik alan oluur.
13

Sarm says n ve uzunluu l olan bir sarmaln H manyetik alan iddeti

14 eitlii ile tanmlanmaktadr. Burada, i akmdr. H nin birimi SI sisteminde amper/metre (A/m) , Cgs birimi ise oersted(Oe)dir.

Manyetik aks younluu (manyetik endksiyon) Manyetiklii giderilmi bir demir ubuk, nceki ekilde olduu gibi, sarmal iine yerletirilirse ve akm uygulanrsa, sarmal dndaki manyetik alann, sarmal iinde demir ubuk varken daha gl olduu grlmektedir. Burada sarmal alan ile mknatslanm demir ubuun manyetik alanlar toplam etkisi gzlenmektedir. Bu toplam manyetik alan manyetik aks younluu ya da ak younluu diye adlandrlr ve B simgesiyle gsterilir. B, uygulanan mknats alan H ile, sarmal iindeki ubuun mknatslanmas sonucu oluan alann toplamdr. ubuk nedeniyle birim hacimde oluan mknats momenti mknatslanma iddeti ya da sadece mknatslanma diye adlandrlr ve M ile gsterilir. SI birim sisteminde,

o = boluun geirgenlii = 4 x 10-7 tesla-metre/amper (T.m/A) dir. o sadece bu eitlikte kullanlabilen ve fiziksel anlam olmayan bir simgedir. SI birim sisteminde, B, Weber/metrekare ( W/m2) ya da T dir. (1 Wb = 1 V.s) H ve M iin, birim A/m dir. Cgs birim sisteminde ise, B iin, gauss(G), H iin (Oe) kullanlr. Genel olarak, asal mknatslarda, M >>H olduundan, BoM eitlii geerlidir. Bu durumda B ve M deerleri birbiri yerine 15 kullanlabilmektedir.

Mknats Geirgenlii Bir asal mknats, manyetik alan iine konulduunda manyetik alann younluu artar. Mknats alandaki bu art manyetik geirgenlii ad verilen nicelikle llr ve manyetik aks younluunun uygulanan alana oranyla bulunur.

Uygulanan alanda sadece boluk varsa,

olur. o = 4 x10-7 T.m/A olarak boluk geirgenlii olarak bilinir. Mknats geirgenlii iin bir baka tanm,

b boyutsuz bir gruptur.

16

Asal mknatslarn bal geirgenlii malzeme mknatslandka deiir. Bu nedenle, genellikle, bal geirgenlik ya balang geirgenlii i ya da en byk geirgenlik enb cinsinden llr. Bu deerler B - H mknatslanma erisinin eimlerinden bulunur. Kolayca mknatslanan manyetik malzemeler yksek manyetik geirgenliine sahiptir. Mknats duyarl Manyetik malzemenin mknatsl uygulanan alanla orantl olduundan, orant faktr mknats duyarl m, boyutsuz bir byklktr ve
eklinde tanmlanr.

Malzemelerin zayf mknatsl tepkileri ounlukla mknats duyarl cinsinden llr.

17

MIKNATISLANMA TRLER Mknats alanlar ve kuvvetleri, temel elektrik yk olan elektronun hareketinden kaynaklanmaktadr. Elektronlar iletken bir telde hareket ederken, ekilde olduu gibi, bir manyetik alan oluturur. Malzemelerdeki mknatslanma elektronlarn hareketlerine de baldr, fakat, bu durumda, manyetik alanlar ve kuvvetleri 1. elektronlarn kendi etraflarndaki dnlerinden ve 2. ekirdek evresindeki yrngesindeki dnlerinden, kaynaklanmaktadr. Elektronlar iletken bir telde hareket ederken, ekilde olduu gibi, bir mknats alan oluturur. Malzemelerdeki manyetiklik elektronlarn hareketlerine de baldr, fakat, bu durumda, mknats alanlar ve kuvvetleri 1. elektronlarn kendi etraflarndaki dnlerinden ve 2. ekirdek evresindeki yrngesindeki dnlerinden, kaynaklanmaktadr.

18

3 tr manyetiklik vardr: Diamanyetik Paramanyetik Ferromanyetik Uygulamada diyamanyetik ve paramanyetik malzemeler manyetik olmayan, ferromanyetikler ise manyetik malzeme kabul edilmektedir. Diyamanyetiklerde enerji bandlar tam doludur ve manyetik kutup yoktur. Manyetik kuvvetin etkisi ile, kendisi manyetik olmad halde ekilen maddelere paramanyetik, itilen maddelere diyamanyetik denir. Paramanyetik maddelere rnek olarak alminyum, baryum ve oksijen, diyamanyetik maddelere ise civa, altn ve bizmut ve benzeri maddeler verilebilir. Ferromanyetik malzemelerde elektron yaplar paramanyetiklere benzer bo alt enerji dzeylerinde tek olan elar manyetik alan oluturur. Gruplar halinde komu atomlarn manyetik kutuplar paralel olarak ynlenirler ve manyetik alanlar meydana gelir.
19

20

21

Eksi duyarl mknatslk (diamanyetizm) Bir malzemenin atomlarn etkileyen bir d manyetik alan, yrngede dnen elektronlarn dengesini hafife bozar ve atomlarn iinde uygulanan alana zt, kk mknats ift kutuplar yaratr. Bu olay eksi duyarlk diye adlandrlan eksi bir mknats etki yaratr. Eksi duyarlk, m 10-6 deerinde, ok kk bir eksi mknats duyarl oluturur. Tm malzemelerde eksi duyarlk bulunmakta, fakat ounda art mknats etkiler tarafndan yok edilir. Bu olay mhendislik asndan nemsizdir.

22

Art duyarl mknatslk (paramanyetizm)

Bir mknats alan altnda, kk bir art mknats duyarl gsteren malzemeler art duyarl malzemeler, gsterdikleri mknats etki ise art duyarlk diye adlandrlr. Art duyarllk, atomlarn ya da molekllerin mknatsl ift kutup momentlerinin uygulanan alanla ayn ynde dizilmeleri sonucudur. Uygulanan alan kaldrldnda malzemedeki art duyarlk etkisi yok olur. Art duyarlk, malzemede, 10-6 10-2 arasnda bir mknats duyarl oluturur ve pek ok malzemede grlr.

23

Asal mknatslk Eksi duyarlk ve art duyarlk, uygulanan mknats alanla ortaya kar ve alan olduu srece varolur. Asal mknatslk diye adlandrlan, mhendislik asndan ok nemli, nc tr bir mknatslk daha vardr. stendii zaman oluturulan ya da kaldrlan byk mknats alanlar, asal mknatslar tarafndan yaratlr. Sanayide en nemli asal mknats elementler demir (Fe), kobalt (Co) ve nikel (Ni) dir. Bir nadir-toprak elementi olan gadolinyum (Gd), 16 oC nin altnda asal mknats olmasna ramen sanayideki uygulamalar ok azdr. Fe, Co ve Ni geci elementlerinin asal mknatslk zellikleri, i kabuktaki iftlenmemi elektronlarn dnlerinin kristal kafeslerinde ayn ynde dizilmelerinden kaynaklanmaktadr. Her atomun i kabuu birbirlerine ters ynde dne sahip elektronlarla dolu olduundan, bunlardan doan net mknats ift kutup momenti sfrdr. Katlarda, d deerlik elektronlar birbirleriyle birleerek ba olutururlar, dolaysyla nemli bir mknats momenti yaratmazlar. Fe, Co ve Niin iftlememi 3d elektronlar, bu elementlerin mknatslnn nedenidir. Demir atomu drt, kobalt ve nikel iki tane iftlenmemi 3d elektronu ierir.
24

Oda scaklnda, kat Fe, Co ve Ni rnekte, komu atomlarn 3d elektronlarnn dnleri birbirlerine paralel dizilir ve buna istemli mknatslanma ad verilir. Ancak, atomlarn mknats ift kutuplarnn bu ekilde paralel dizilmesi, mknatsk ad verilen mikroskobik mknatsl blgelerde grlr. Eer mknatsklar rastgele ynlenmi ise ktlede net bir mknatslanma grlmeyecektir. Fe, Co ve Ni atomlarnn mknatsl ift kutuplarnn paralel dizilmesi, aralarnda oluan art deiim enerjisi sonucudur. Bu paralel dizilmenin olmas iin atomlar aras uzakln, 3d yrngesinin apna orannn 1.4 2.7 aralnda olmas ile olanakldr. Bu nedenle, Fe, Co ve Ni asal mknats iken, manganez (Mn) ve krom (Cr) deildir. SICAKLIIN ASAL MIKNATISLIA ETKS 0 K zerindeki herhangi bir scaklkta, sl enerji, asal mknats bir malzemenin mknatsl ift kutuplarndaki mkemmel paralel dizilmeyi bozar. Asal mknats malzemelerde mknatsl ift kutuplarn dizilmesine neden olan deiim enerjisi, sl enerjinin dizilmeyi rastgele hale getiren etkisini dengeler. Sonu olarak, scaklk arttka asal mknats bir malzemede asal mknatsl tamamen yok olduu bir scakla ulalr ve malzeme tmyle art duyarl mknats haline gelir. Bu scakla Curie scakl denir. Curie scaklnn stndeki bir scaklktan soutulursa, asal mknatsn mknatsklar yeniden oluur ve malzeme tekrar asal mknats haline gelir. Fe, Co ve Ni iin Curie scaklklar, srasyla, 770, 1123 ve 358 oC dir. 25

26

ASAL MANYETK MALZEMENN MIKNATISLANMASI ve MIKNATISLIININ GDERLMES Fe, Co ve Ni gibi asal mknats malzemeler, bir mknats konulduklarnda byk miktarda mknatslanr ve mknats uzaklatrldktan sonra mknatsl az da olsa korurlar. alana alan

Mknatslanma erisi ya da halkasna histerezis halkas ad verilir, halkann i alan mknatslanma ya da mknatsln giderme evriminde kaybolan enerjinin ya da yaplan iin bir lsdr. ,

27

YUMUAK MIKNATISLI MALZEMELER Yumuak mknatsl malzeme kolayca mknatslanr ve mknatsl giderilir, buna karlk sert mknatsl bir malzemenin mknatslanmas ya da mknatslnn giderilmesi gtr. lk yllarda yumuak ve sert mknatsl malzemeler fiziksel olarak yumuak ve sert olduklarndan bu terimler yerlemitir. Bugn, bu malzemelerin fiziksel olarak yumuak ya da sert olmalar zorunlu deildir. Ancak, mknatslanmann kolayl ve gl anlamndadr. Demir - % 3-4 Si alam gibi yumuak mknatsl malzemeler ya da yumuak mknatslar, transformatr ekirdeklerinde, motorlarda ve jeneratrlerde kullanlmakta olup, dk bask kuvvetli dar bir histerezis halkasna sahiptir. SERT MIKNATISLI MALZEMELER Sert mknatslar ya da kalc mknatslar, yksek bask kuvveti Hb ve yksek kalnt mknats ak younluu Bk ile kendilerini gsterirler. Bu nedenle, sert mknatsl malzemelerin histerezis halkalar geni ve yksektir. Bu malzemeler, mknatscklarn uygulanan alan ynnde ynlendirecek kadar kuvvetli bir alan altnda mknatslanrlar. Uygulanan alan enerjisinin bir ksm, retilen kalc mknats iinde biriken potansiyel enerji haline dnr. Tmyle mknatslanm bir kalc mknats, mknatsl giderilmi bir mknats malzemeye gre daha yksek enerjili durumdadr. Sert mknatsl malzemeler bir kez mknatslanmlarsa mknatsl gidermek gtr. Sert mknatsl bir malzemenin mknatsln giderme erisi olarak histerezis erisinin ikinci drtte birinden yararlanlr ve bu ksm kalc mknatslarn kuvvetlerini karlatrmak iin kullanlr. 28

29

30

FERRTLER; ARTIK KUTUPLU MIKNATISLAR Ferritler ve seramik mknats malzemeler, demiroksit (Fe2O3) toz haldeki dier oksit ve karbonatlara kartrlarak elde edilir. Tozlar daha sonra sktrlarak yksek scaklklarda sinterlenir. Bazen paralara son eklini vermek iin ilenmeleri gerekebilir. Ferritlerdeki mknatslk paralara ticari deer verecek kadar yksek olmakla birlikte doyma mknatslklar asal mknats malzemeler kadar yksek deildir. Ferritlerdeki mknatsck yaplar ve histerezisleri asal mknatslara benzer. Yumuak mknatsl ve sert mknatsl ferritler bulunmaktadr. Yumuak mknatsl ferritler Artk kutuplu mknatslanma davran gsterirler. Zt ynlerdeki, iftlenmemi iki takm i elektronun dn momentleri birbirlerini yoketmedii iin, yumuak ferritler net bir mknats momentine sahiptir. Yumuak ferritler, faydal mknats zellikleri yannda, yaltkanla ve yksek zgl direncine sahip olduklarndan, nemli mknats malzemelerdir. Yumuak ferrit uygulamalar : En nemli uygulama alanlar, dk sinyalli hafza ekirei, ses ve grnt cihazlar ve kayt kafalardr. . Dk sinyal dzeylerinde, transformatrler ve dk enerji indkleyicilerde . yumuak ferritler kullanlr. Saptrma sargs ekirdei, geri uu transformatrleri ve televizyon alclarnn ayar sarglar bu ferritlerin en ok kullanld yerlerdir.
31

Sert mknatsl ferritler Mo.6Fe2O3 yapsndaki sert ferritler kalc mknats olarak kullanlmaktadr. Bu yapnn hekzagonal kristal yaps vardr. En neml yap 1952 de piyasaya srlen BaO.6Fe2O3 dr. Bugn ise, zellikleri daha iyi olan SrO.6Fe2O3 yapsnda olanlar tercih edilmektedir. Bu ferritler hemen hemen yumuak ferritlerle ayn yntemle, ounlukla da kolay mknatslanma eksenlerini uygulanan alanla ayn hizya getirmek iin, mknats alannda, ya preslenerek retilmektedir. Sert ferrit uygulamalar : Sert ferrit seramik kalc seramikler, jeneratrlerde, rlelerde ve motorlarda geni bir uygulama alan bulur.Hoparlr mknatslar, telefon zilleri ve alclarnda ok kullanlr. Kap kapama tutalarnda, contalarnda ve mandallarnda, oyuncaklarda da kullanm alan vardr.

32

33

34

35

36

37