LE THYRISTOR

LE THYRISTOR - GENERALITES S.C.R : Silicon Controlled Rectifier

Structure 4 couches - Rappel Caractristiques statiques : - Etat bloqu . Tenue en tension - Etat Conducteur. Limites en courant / Pertes en conduction / Surcharge

Caractristiques dynamiques : - Fermeture . Courant de gchette . Courant d'accrochage. Limite en dI/dt. - Ouverture . Courant de maintien Temps d'ouverture (tq) Tenue en dv/dt

Applications

STRUCTURE THYRISTOR Structure 4 couches

TRANSISTOR
Base (B)
P NIp

SCR
Emitter (E)
N+

Gate (G)
P
Ip1

Cathode (K)
N+

NIp2

N+

P+

(+)
C B E

Collector (C)

Anode (A)

Structure 4 couches : L'addition d'une couche P+ (fortement dope) ralise un transistor PNP. Ce transistor, mis en conduction par le transistor N+,P,N-, va injecter un courant de trous (Ip2) dans la base N- ce qui diminuera considrablement la chute de tension l'tat conducteur. La conduction est essentiellement due aux porteurs minoritaires . Le thyristor est un commutateur unidirectionnel en courant et, en gnral symtrique en tension l'tat bloqu.

G K

STRUCTURE THYRISTOR Mise en conduction et blocage / schma quivalent Gate (G)

P N-

Cathode (K)
N+
G

K N +P N-

A
T2
P N-

A G

T2

G
P+
T1
P+ A

T1

Anode (A)
Mise en conduction:

IB 2 = IG > 0 IB 2 = IG + IC1

IC2 = 2 IB 2 = IB1

IC1 = 1 IB1

La courant de gchette peut tre supprim. La structure reste dans cet tat auto-satur . IC 2 = 1 2 IC 2 La condition de stabilit est: On utilise pour cela des transistors hyper-saturs o le gain vaut 1 (IC~I B)

1 2 = 1

Retour l'tat bloqu : Un Thyristor est non ouvrable par la gchette (a priori). L'ouverture ne peut se faire que par l'interruption extrieure du courant d'anode.

STRUCTURE THYRISTOR Thyristor Asymtrique

Gate (G) Cathode (K) N+ Gate (G)
Emax E(x)

Cathode (K) N+

P
W

P
W/2

Emax E(x)

NP+
Anode (A) THYRISTOR CONVENTIONNEL
x

NN+

P+
x

Couche N+ supplmentaire

Anode (A)

THYRISTOR ASYMETRIQUE

I 1 V
Tenue en tension pour une paisseur N - e = W

2 V

1 : tenue en tension pour une paisseur N e = W/2 2 : tension pour e= W

Utilisation dans les applications avec diode de roue-libre en anti-parallle

CARACTERISTIQUE STATIQUE

- Etat Bloqu - Etat conducteur

CARACTERISTIQUE STATIQUE Etat Bloqu

Gate (G) Cathode (K) Caractristique "directe" J2 bloque (si IG=0 )

IA

P N-

N+

J3 J2

IBO
J1 Anode (A)

P+

VRRM

IDRM IRRM V DRM VBO

VAK

A >0 : Direct ( "forward" ) A<0 : Inverse ( "reverse" )

Caractristique "inverse" J1 bloque

Paramtres :
VDRM : IDRM : VRRM : IRRM : VBO : IBO : Tension max en direct l'tat bloqu (Forward ) Courant de fuite VD = VDRM ( TJ=25C et TJ=TJMax) Tension max en inverse(Reverse ) Courant de fuite VR = VRRM ( Tj=25C et TJ=TJMax ) Tension de retournement (Breakover voltage) Courant de retournement Limites spcifies

Fonctionnement interdit

Les thyristors actuellement fabriqus vont de 100V 1000V pour les "petits" thyristors (< 50 Amp) et jusqu' 5kV pour les thyristors de forte puissance (2kA)

CARACTERISTIQUE STATIQUE Etat Conducteur

Caractristique l'tat passant IA

IA

ITM IH VTM
Caractristique "inverse" J1 bloque

Caractristique "directe"

2x IT(a v)

VAK IT(av)

Rd Vto VAK

La caractristique l'tat passant d'un thyristor est semblable celle d'une diode. On spcifie la chute de tension VTM pour le courant crte ITM . Comme pour les redresseurs on utilise le modle simplifi Vto et Rd :

Pcond. = Vto.IT(av) + Rd.IT(rms)

CARACTERISTIQUE STATIQUE Limites en courant

Le paramtrephysique qui limite le courant est la temprature de jonction (Tj Max) spcifie par le constructeur.

SCR / DIODE

Trans.

COURANT MOYEN (ITav) [Average Current ] Le courant maximum donn dans les feuilles de spcification est le courant moyen spcifi une certaine temprature de botier Tc [ Case temperature]. (la forme d'onde et le rapport cyclique sont pratiquement toujours unsinus 180) Tj <= Tj Max avec Tj = Tcase + P(Iav ).Rth(j-c) Paramtre cl : Rth(j-c) [ Jonction to case thermal resistance ] COURANT EFFICACE: IT(rms) Valeur >> aux valeurs des applications typiques (dpend de Tc). Le courant efficacemax spcifi correspond souvent IT(av) . /2 (cas d'une onde sinusodale). COURANT DE SURCHARGE: ITSM

[ Surge non repetitive Current ]

Limite fixe par les lments rsistifs du montage : contacts, cblage interne [ bonding ]. Un thyristor est un composant trs robuste en courant: Surcharge impulsionnelle = 10 100fois le courant nominal.

CARACTERISTIQUE STATIQUE Surcharge en courant

ITSM : courant crte, sinusodal, de surcharge non rptitif spcifi gnralement pour tp=10ms Pour dautres dures: LITSM est une limite thermique. On peut retrouver le courant max pour une dure tp avec une loi de type I.t => => =>

I2.t = i2 (t)dt

I2.t =

ITSM2 tp 2

tp loi utile pour dimensionner le fusible de protection du SCR loi valable uniquement pour des dures de pulse > 1 ms (pour des temps infrieurs: problme de dI/dt: voir caractristique dynamique & amorage)

Pour des impulsions rptitives: Utilisation de labaque de courant de surcharge rptitif (ou sassurer par calcul que TJ reste infrieure TJ max).

Exemple de courbe de courant de surcharge ( BTW67 - thyristor 50Amp 1200V )

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE - FERMETURE -

Courant de gchette Caractristique V/I de gchette Courant d'accrochage Temps de fermeture di/dt la fermeture

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Amorage

IA Droite de charge (rsistance)

B
IG3>IG2>IG1

IG3

IG2

IG1

IBO
VAK

A Valim

Le passage de l'tat bloqu ( point A) l'tat conducteur ( point B) se fait en injectant un courant dans la gchette. Ds que le courant IG est suffisant, la caractristique tension-courant duthyristor devient tangente la droite de charge et prsente une rsistance ngative, le thyristor bascule sur la caractristique "tat passant" et le nouveau point defonctionnement stable est alors le point B.

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Courant de gchette - Tension de gchette

IGT : [ Gate trigger current ] Valeur maximum du courant de gchette ncessaire au dclenchement du thyristor

Cest la valeur minimale quil faut envoyer dans la gchette pour tre sr damorcer le SCR tous les coups.

VGT = [ Gate trigger voltage ] Tension maximun de gchette (entre gchette et cathode) lorsque le courant IGT est appliqu. VGD = [Gate non-trigger voltage] Valeur minimale de la tension de gchette assurant le non dclenchement du thyristor (immunit ).

RL +
IG
Generateur de gchette

Conditions de mesures typiques : Va = 16 V DC RL = 12 Ohms Tj= 25 C Courant de gchette continu (ou tp >300s)

IA
Va

+
Rg VGK

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE IGT fonction de tp et de TJ

IGT (tp) / IGT(DC)
30 20 10

IGT (Tj ) / IGT(25C) 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 -40

5 3 2 1 0.1

0.3

10

30

100

300

1,000

-20

20

40

60

80

100

120

tp ( s)

Tj (C)

En fait, il faut injecter une quantitde charge minimale pour amorcer le thyristor pour tp<20s: Q = i.t =Cte

Le courant IGT augmente rapidement lorsque la temprature diminue. Pour dimensionner le circuit de gchette il faut prendre en compte la temprature ambiante minimum de fonctionnement .

Pour dclencher correctement un thyristor il faut : IG >>IGT (2 5 fois la valeur max spcifie est recommand )

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Courant daccrochage

Pour avoir un transistor satur, c.a.d pour avoir 1+2 =1 il faut amener le courant IA un niveau suffisant.

IG CHARGE

IG

+V
t t
IA IL

IG

IA
IA IL

t
Le courant d'accochage n'est pas atteint Le courant d'accochage est atteint : le thyristor reste conducteur

Le courant d'accrochage (IL: Latching current) est spcifi pour un courant de gchette et une temprature de jonction (en gnral 25C) donns .

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Temps de fermeture

IG 50% t IA

tgt = td + tr
td = delay time tr = rise time

90%

10% t VA

td tgt

tr

t Formes d'ondes sur charge rsistive

Le temps de retard (td) diminue quand le courant de gchette augmente. td est voisin de 0.5 s pour un courant de gchette > 5.IGT Le temps de monte du courant (tr) est en gnral fix par le circuit (inductance de la charge et /ou inductances parasites). Pour une charge purement rsistive (ou capacitive), ce temps est limit uniquement par le composant tr ~ 100 ns (risque de destruction du composant ).

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Limite en dI/dt lamorage

Cathode (K) Gate (G)
Cathode Puissance instantane

P NP+

N+
VA IA

talement de la zone d'amorage

Gchette centrale Cathode

di/dt

Anode (A)
Gchette en coin

Toute la surface du thyristor ne s'amorcepas instantanment La zone de conduction s'tend progressivement partir de la jonction gchette - cathode toute la surface sous l'metteur (la cathode) Vitesse : # 50m/s Il est important de limiter le courant au dbut de la conduction compte tenu de lafaible surface conductrice . Une densit de courant trop importante peut dtruire le composant ("points chauds" fusion du Silicium ) Le di/dt doit tre limiten dessous de lavaleur Max spcifie (50-200 A/s qq soit le calibre)

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Pertes la fermeture

Les pertes la fermeture sont ngligeables lorsque le thyristor fonctionne des frquences < 500Hz (cas des applications en contrle de phase ) Les thyristors dits "rapides", utiliss dansles convertisseurs dcoupage, sont optimiss pour augmenter la vitesse d'amorage et sont spcifis en pertes la fermeture .

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE - BLOCAGE -

- Courant de maintien - Temps d'ouverture - Tenue en dv/dt

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Courant de Maintien

IA

Caractristique l'tat passant

IA

ITM
IH Ouverture

IM

IH
Quand IA < IH le thyristor s'ouvre t

VTM

VAK

IG

t Le courant de maintien [Holding Current] est fonction : - du courant IM qui circulait dans le thyristor avant l'ouverture - de lavitesse de dcroissance de cecourant - de latemprature jonction (IH si TJ ) - de la sensibilit (IH ~ IGT )

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CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE IH fonction de RGK

IH(Rgk) / IH(1kOhm)
5 3 2 1 0.5 0.3 0.2 0.1

IA
RGK

10

100

1,000

10,000

100,000

1,000,000

Rgk (Ohm)

Exemple de variation de IH avec l'impdance de gchette . ( cas d'unthyristor "sensible" : iGT>100A )

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Temps douverture (tq)

ITM
mesure du toff partir du passage au zro du courant

ITM

t IRM VDM

toff > ou = t q
dVD/dt

VDM

toff<tq
dVD/dt

VTM t VR IG t
rduction du "toff" jusqu' l'amorage

VTM

VR IG t

La tension directe est rapplique aprs un temps toff > tq : Le thyristor reste bloqu.

La tension directe est rapplique aprs un temps toff < tq : Le thyristor se ramorce spontanment

Les thyristors "standard" ont des tq de l'ordre de 100s et seront limits aux frquences infrieures 500 Hz (contrle de phase). Les thyristors dits "rapides " mettent en oeuvre des technologies et des structures spcifiques pour rduire le tq et autoriser des frquences de commutation jusqu' 20 kHz ou davantage, dans des onduleurs rsonance .

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CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Paramtres influenant le temps douverture

ITM

dI/dt tp t

VDM

tq
dVD/dt

VTM t VR
rduction du "toff" jusqu' la limite du ramorage

Le tq est fonction de : - la temprature jonction (TJ) - le courant d'anode initial ( ITM) et de la dure de la conduction (tp) - la pente de dcroissance du courant d'anode ( dI/dt) - la tension inverse de blocage (VR) - le dV/dt rapplique ainsi que l'amplitude de la tension directe (VDM) - Polarisation de la gchette au moment de l'ouverture.

Solutions pour des SCR rapides: - Bombardement Electrons ou Dopage Or => diminution dure de vie (inc .: V ON ; VDRM ; I GT ) - Les SCRs asymtriques ont un tq + faible que les symtriques (VON & VDRM identiques ) - Circuit de Snubber

Paramtres Tj ITM dI/dt VR dV/dt Vgk <0

tq

CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Tenue en dV/dt

VAK VDM
A

Cj

Ic

dv /dt

G K

IG

IG= Ic = Cj . dV/dt

t
Thyristor l'tat bloqu: Si la rampe de tension directe (dv/dt) applique entre Anode et Cathode est suprieure au dv/dt critique, le courant capacitif traversant la structure met le thyristor en conduction. NB: cetype d'amorage intempestif n'est pas destructif.

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CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE Amlioration de la tenue en dV/dt

Gate (G)
P

Cathode (K)
N+ Cj Ic

NG

P+

RGK

Anode (A)
Les trous de court-circuit dans l'metteur drivent une partie du courant base ils agissent comme une rsistanceentre gchetteet cathode ( RGK). Les thyristors de forte puissance et de moyenne puissance ont des tenues en dV/dt suprieures 1000 V/s. Les petits thyristors (Iav <10 Amp ) dits "SENSIBLES" n'ont pas ou peu de trous de c/c : IGT<100A & dV/dt de l'ordre de 10 V/s

APPLICATIONS

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APPLICATIONS Thyristors de Puissance (50A - 2kA)

Le thyristor est le composant idal pour la conversion Alternatif - continu: - Il tient la tension AC sans ajout dune diode en srie. - L'ouverturesefaisant naturellement par l'annulation du courant. La variation de puissance se fait par variation du retard lamorage.

U V V R+L W R+L roue-libre

Pont mixte: 3chargeurs de batteries

Cycloconvertisseur: 3variation de vitesse (Moteur C.C)

APPLICATIONS Thyristors faible-courant (0.5 - 50A)

Motifs dutilisation: - tenue en tension AC & ouverture ZCS - facilit de commande - faible cot - robustesse (surtout en surcharge de courant) Variateur vitesse petits moteurs: Electromnager Outillage lectrique Applications industrielles et domestiques : Allume gaz Disjoncteurs diffrentiels Detecteur de proximit , de fume...etc. Chargeur de batterie Commande de triac Allumage moteurs dcharge capacitive Alimentations (fonctions auxilliaires ) Limiteur courant d'appel. Protection sorties secondaires (crowbar)

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APPLICATIONS Allume-Gaz

RS

DS

c
Th

V mains

Z D R

La capacitC est charge par le secteur 230V redress . Quand la tension atteint la valeur de la tension d'avalanche de la diode zner Z le thyristor Th s'amorce et dcharge la capacit travers le primaire du transformateur. Un arc apparat au(x)secondaire(s) THT. Le condensateurse recharge travers la rsistance RS. La constant de temps RS.C dfinit la frquence de relaxation. Rq: Thyristor asymtrique

APPLICATIONS Disjoncteur Diffrentiel

VDR Line

Test

Out neutral

IC

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APPLICATIONS Thyristors Rapides

Les thyristors rapides de forte puissance occupent encore une place importante dans des marchs tels que: La conversioncontinu-alternatif trs haute tension La traction lectrique. La soudure Le chauffage induction...

Les topologies mises en oeuvre sont principalement : - des circuits du type "hacheur" (Convertisseurs DC-DC) (ils ncessitent des circuits auxiliaires d'extinction - ou de "soufflage") - des onduleurs rsonance , bien adapts aux thyristors (extinction "naturelle ZCS)

APPLICATIONS Hacheur + Circuit d'extinction

I L1

Courant TH1 Circuit d'extinction L1 ( charge )

VD1 VC

IRM diode + Oscillation L2C

t >tq th1 Tension TH1

+Va

C Va D1
diode roue-libre VTH1

D2 TH2 L2

-Va
Courant D1 Tension D1
IRM diode

TH1

-Va -Va
Tension C

+Va
t >tq th2

Application: contrle moteur DC fort courant

ex: traction lectrique sur chariot lvateur

-Va
Courant TH2 ou IC

Courant D2 ou IL2

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APPLICATIONS Onduleurs Srie

+ Valim

TH1

D1

Application: chauffage induction; soudure

100 Hz - 20 kHz
TH2 D2

Onduleur 2 thyristors
IL

TH1

D2 D1
TH2

TH1

D2 D1
TH2

tp

T Formes d'ondes

LE G.T.O " Gate Turn-Off Thyristor " ( THYRISTOR OUVRABLE PAR LA GACHETTE )

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STRUCTURE DU GTO

Gate (G)

Cathode (K)

Gate (G)
N+

Cathode (K)

P NP+

N+

NP+
Anode (A) Anode (A)

Structure SCR

Structure GTO

La cathode d'un thyristor GTO est morcele en un grand nombre d'lots. La structure d'une cellule lmentaire est semblable celle d'un thyristor classique. Les metteurs sont entours par l'lectrode de gchette. Cette interdigitation pousse est ncessaire pour limiter les effets de focalisation sous l'metteurau moment de l'ouverture (phnomne identique aux transistors bipolaires).

STRUCTURE DU GTO Condition douverture

Gate (G) Cathode (K) A IA

P N-

T2
1 .IK 2.IA G

T1
IG Ib1 IK K

P+
Anode (A)

Cellule de GTO

Condition d'ouverture: Le courant de base (Ib1) ncessaire pourmaintenir T1 satur est: IK.(1 - 1). Le courant de base total est: Ib1 = IG + 2.IA Le courant IG qui ouvrira le GTO est tel que: IG + 2.IA < IK.( 1- 1 ) Or on a : IK = IA + IG Soit: IG + 2.IA < ( 1 - 1 ) ( IA + IG ) Do: - IG > IA . [ ( 1 + 2 ) - 1 ] / 1 (courant extrait)
Le Gain louverture: GCO ou G est dfinit par: G = IA/IG = 1 / [ ( 1 + 2 ) - 1 ]

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STRUCTURE DU GTO Amlioration du pouvoir douverture

Gate (G) Cathode (K)

P NP+

Le courant extrait par la gchette cre une diffrence de potentiel aux bornes de la rsistance latrale de la couche P. Cette tension peut atteindre la valeur de la tension d'avalanche de la jonction Gchette-Cathode (VBGK): Le courant de gchette n'a alors plus aucune efficacit pour le blocage du GTO. La limite Max du courant ouvrable est de la forme :

IA max = VBGK Rb / Rb. 2 +

Anode (A)

Solutions : - Tension d'avalanche gchette-Cathode leve (Rsistivit leve de couche P). - Diminuer Rb (intressant aussi pour l'amorage) en ralisant des doigts d'metteurle plus long possible. (la longueur total de l'metteur peut atteindre 6 7 m) Le courant max ouvrable par GTO est le: ITCM [Repetitive peak controllable on-state current] Ce courant est spcifi : - Tj=Tj Max - VD = VDRM - dIG/dt donn (souvent associ une tension inverse de gchette) - dVD/dt rappliqu (ou Cs: Capacit du snubber donne)
Snubber RCD
D GTO Cs R

AMORCAGE DU GTO Diffrences avec le Thyristor

1) LIMITE EN dI/dt On peut considrer le GTOcomme quivalent un grand nombre de petits thyristors en parallle (plusieurs centaines). Le temps de mise en conduction de chaque cellule est trs court ( # 1 2 s) aussi le GTO pourra supporter des dI/dt levs de l'ordre de 300 500A/us.

2 ) Courant de gchette permanent (IGON) En conduction il est fortement conseill de maintenir le courant de gchette (IGon = 1 4fois IGT) pour viter le dsamorage de certaines cellules encas de variations trop importantes du courant d'anode: En cas d'une diminution importante du courant dans le circuit, les cellules les moins sensibles vont se dsamorcer (pb de IH) et lors du rtablissement du courant, seules les cellules conductrices devront supporter cecourant supplmentaire (DANGER de surcharge). . Dans ces cas de figure : - Les perteen conductionseront plus leves. - Le courant ouvrable est rduit.

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CONCLUSION
A retenir...

Domaine privilgi : basse frquence , haute tension (> 600 V) Faible chute de tension Faible cot Intrt dutilisation Forte capacit en courant Amorage par une impulsion de courant (structure vrouille) Tenue en tension alternative Des Thyristors en voie dextinction: Les SCRs rapides (induction, contrle moteur => IGBT) Le GTO (forte puissance => IGBT)

BACK-UP

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FORMES D'ONDES Cas du contrle de phase

1) Rgime sinusoidal (charges rsistives)
Puissance dissipe en fonction du courant moyen
IM

P = Vto.IT(av) + Rd IT(av) 2

(2 - sin2 ) 2 ( 1- cos )

P = Vto.IT(av) + Rd IT(av)

(2 - sin2 ) 4 ( 1- cos )

2) Rgime rectangulaire (charges inductives)

P = Vto.IT(av) + Rd IT(av) 2 2

CARACTERISTIQUES DE GACHETTE
IG

IGM
PGM tp

Valeurs Max : IGM=4A ( 20s) PGM= 10 W (20s) PG(av) = 1 W VRGM= 5V ( Exemple TYN1225 ) 25A - 1200v

VRGM VGK
G
Rgk intgre

Rgk

En direct : IGM : Courant crtemax (en impulsion) PGM : puissancecrte ( impulsion) PG(av) : puissancemoyenne maximum VGM : tension direct de gchettemax ( 10 20V ) En inverse : VRGM : Tension inverse max ( < tension d'avalanche typiquement de 10V)

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