TRANSISTOR DE UNA JUNTURA UJT

DANIEL ENRIQUE CARDENAS ROJAS COD. 860414 30909 INGENIERIA ELECTRONICA FUNDACION UNIVESITARIA LOS LIBERTADORES ELECTRONICA INDUSTRIAL Y DE POTENCIA El UJT es un dispositivo que es utilizado para generar el disparo de tiristores, su smbolo composicin y curva caracterstica se presentan a continuacin:

Figura 1 Como se puede observar en la curva caracterstica se distinguen tres zonas especficas de las cuales podemos referir:
Zona de Corte: En esta parte de la curva la tensin en emisor mantiene el diodo emisor en polarizacin inversa, de modo que el UJT se comporta como un elemento resistivo lineal entre las bases. Zona de Resistencia Negativa: En esta zona el voltaje en el emisor llega al valor tal que permite que el diodo de emisor entre en conduccin. Zona de Saturacin: En este punto se observa un comportamiento similar al que se tiene trabajando en la zona activa de los tiristores. A fin de profundizar en el funcionamiento de un UJT, haremos uso del siguiente modelo circuital:

Y de los trminos:

Figura 2

VBB rBB VE IE VB2 VP IP VV IV VD

: : : : : : : : : : :

Tensin interbase. Resistencia interbase Tensin de emisor. Intensidad de emisor. Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado). Tensin de disparo Intensidad de pico (de 20 a 30 A.). Tensin de valle de emisor Intensidad valle del emisor. Tensin directa de saturacin del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V). Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8)

Como se puede observar en la figura 2 el UJT puede ser representado como dos valores de resistencia, el trmino RBB, hace referencia la resistencia que se genera entre las bases, las cuales mientras el dispositivo no entre en conduccin se comportan normalmente como un divisor de tensin, adems de un diodo de emisor por donde la corriente circular comportndose como un diodo polarizado inversamente hasta que se logre el voltaje VE. Algunas de las caractersticas mas relevantes en los UJT son: Transistor formado por una resistencia (4 a 9K), de tres terminales dos bases y un emisor. El punto de funcionamiento esta dado por el circuito exterior. Un UJT basa su funcionamiento en el control de la resistencias de base RB1 y RB2, debido a la tensin aplicada en el emisor. Si VE < Vp el diodo esta polarizado en inverso, por lo que no conduce, en cambio si VE Vp, el diodo se polarizar en directo entrado en conduccin. Si Ip < IE < Iv, entramos en resistencia negativa donde RBB varia en funcin de IE. El diodo se polarizar en inverso en el momento en que la corriente IE llegue a un valor inferior a Iv. (relacin intrinseca) tiene un valor correspondiente a: =RB1 / RBB Su mayor aplicacin esta dada en funcin de osciladores de relajacin del cual presentare el siguiente diseo: Consideremos el siguiente circuito:

1. Hacemos clculo del divisor de tensin para R1

2. Haciendo las siguientes consideraciones de diseo: Vz= 10v, n=0.63, iv= 6mA, ip=1uA, Rbb= 7Kohm: Entonces:

I1 = Iv + Ibb = 7,36mA Pz Iz = = 100mA Vz Vi Vz R1 = = 2.37 Kohm Iz + I1

Vz 10v = = 1v 10 10 vp = nVz = 6.3v v Vv V Vp < R1 < iv ip 1,5 Kohm < R1 < 3,7 Mohm Vv = R 2 = (1,5 Kohm * 3,7 Mohm = 74,49 Kohm
En R3 y R4 haremos un calculo para asegurar un voltaje bajo, esto producir disparo en el UJT y de igual modo en el SCR. Por criterio de dise Asumiendo, C = 680nF:

T = RC ln

1 = 136,9mS 1 n

Vgt = 0,6 R3 = 0,31Rbb = 344,44Ohm nV V = 1,36mA Rbb + R3 Vgt 2

Ibb =
Y de igual modo:

VR 2 = R4 =

VR 2 = 220,58Ohm Ibb

Como el objetivo principal es mostrar el funcionamiento del UJT a continuacin se presentan los modos en que se produce disparo en el UJT, gracias a la herramienta Multisim, donde se obtiene:

rB B

= rB + rB 1 2 rB 1 rB 1 + rB 2

VP = VR + VD 1

El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidos como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases rBB con valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs, se carga el condensador C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en circuito abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

T = RCln

1 1

El transistor monojuntura (unijunction), o como comnmente se le conoce UJT, tambin se le conoce como diodo de base doble. Es un dispositivo semiconductor de 3 terminales, con un comportamiento similar a un diodo zener, pero se le puede variar el voltaje de avalancha con slo modificar las condiciones elctricas en el terminal Base 2. El efecto zener se presenta normalmente entre los terminales Emisor y Base 1, a travs de los cuales se establece su sbito paso de corriente cuando la tensin elctrica entre estos alcanza el punto de avalancha. UTJ 2N2646 ECG 6401 FIG S2 1E = 50 mA. max = 0.54 min = 0.67 RBBmin = 4k RBBmax = 12k InterBase = 55 V PD = 450 mV IEO = 1 max A IVMIN = 8 Ma