MEMORI

4.3 READ-ONLY MEMORY

Sering kali (dan juga data) dapat disimpan secara permanendi dalam read-only memory (ROM). ROM merupakan memory nonvolatile, program dan data di dalamnya tidak berubah walaupun terdapat kesalahan operasi maupun ketika catu daya hilang (padam). Kenyataannya komputer memerlukan beberapa jenis ROM untuk menyimpan program yang memulai (starts up) sistem ketika catu daya dihidupkan. Perangkat lunak yang disimpan secara permanen di dalam ROM dikenal dengan firmware. Divais ROM melibatkan organisasi byte-wide, juga memiliki kesamaan dalam standart pengemasan dan pinout dengan SRAM byte-wide. Tipe ROM dikelompokkan menjadi: 1. Nonprogrammable read-only memory (ROM) 2. Programmable, nonerasable, read-only memory (PROM) 3. Programmable, ultraviolet erasable, read-only memory (UV EPROM) 4. Programmable, electrically erasable, read-only memory (EEPROM) ROM tidak dapat diprogram oleh pemakai, tetapi pabrik semikonduktor melakukan wires in isi yang ditentukan oleh user. PROM memungkinkan user memprogram sesuai dengan keinginan setelah membeli PROM. Memori nonerasable hanya dapat diprogram oleh pemakai hanya satu kali, tetapi meori erasable dapat dihapus dan diprogram kembali bila diperlukan. UV EPROM dan EEPROM berbeda dalam cara pengapusannya.

4.3.1 ROM
Antarmuka eksternal dan read cycle timing ROM sama dengan RAM byte-wide yang diraikan di muka. ROM tersedia dalam kemasan 24-pin atau 28-pin (tergantung pada jalur alamat yang diperlukan dan kapasitasnya). Biasanya, kapasitas yang lebih tinggi mempertahankan (pada tingkat tertentu) kompatibvilitas pinout dengan kapasitas yang lebih rendah. Karena lebih sederhana, ROM memiliki kepadatan bit yang lebih tinggi dibandingkan denganmemori yang lain. Akibatnya, biaya per bit-nya lebih rendah bila dibandingkan dengan RAM dan EPROM.

4.3.2 PROM
PROM bersifat dapat diprogram tetapi tidak dapat dihapus. PROM terdiri dari barisan sel yang saling terhubung dengan fusible link (sekering). Sekekring dapat diputus atau dihubung singkat (tergantung dari tipe sekering), untuk menyimpan data yang diinginkan secara permanen.

PROM penggunaan utamanya untuk menyimpan microcode dalam perancangan menggunakan microprogram. Biasanya aplikasi seperti ini membutuhkan kecepatan tinggi, oleh sebab itu PROM dibuat menggunakan teknologi Bipolar. Akibatnya kumsumsi dayanya lebih tinggi dan kapasitasnya lebih rendah bila dibandingkan dengan ROM yang berbasis pada teknologi MOS. Antarmuka eksternal dan pewaktuan PROM sama dengan ROM. adalah tidak dapat diprogram kembali. Kerugian PROM

4.3.3 UV EPROM Pada ROM dan PROM, mekanisme penyimpanan berbasis pada perubahan
rangkaian permanen. Tetapi EPROM memiliki mekanisme yang berbeda, informasi disimpan dengan cara trapping charge pada barisan sel. Sel dibentuk dengan foating gate. Informasi yang disimpan di dalam sel dapat dihapus dengan mengosongkan (discharging) floating gate. Oleh sebab itu, EPROM dapat dihapus dan selanjutnya diprogram kembali beberapa kali sampai jumlah yang tak terbatas. UV EPROM terhapus bila disinari dengan sinar ultraviolet (UV). Untuk keperluan ini bagian atas kemasannya dilengkapi dengan jendela quartz yang transparan terhadap sinar UV yang memungkinkan seluruh barisan sel dapat disinari.

Antarmuka Eksternal dan Timing

Gambar 4.8 jalur antarmuka eksternal untuk UV EPROM. Dibandingkan dengan SRAM byte-wide Gambar 4.7 terdapat beberapa perbedaan: Tidak memiliki jalur write enable (WE*) Terdapat Jalusr Vpp untuk keperluan pemrograman Jalur CE* sam dengan SRAM Secara umum pabrik menjaga kompatibilitas pin antara UV EPROM dan ROM. Hal ini memungkinkan untuk soket UV EPROM (prototipe rangkaian) dapat diganti dengan ROM pada saat produksi.

Vpp

Vss

Vcc

Programming voltage

GND

+5 V

A0..AN Address Data CE* OE* Chip select Output enable O0..O7

Gambar 4.8 Antarmuka eksternal UV EPROM

4.4 DETEKSI KESALAHAN

Pada umumnya sistem komputer dilengkapi dengan pendeteksi kesalahan (dan pengoreksi kesalahan). Pengguaan deteksi kesalahan memilik beberapa alasan: Kemungkinan terjadinya kesalahan sangat sering, terutama pada DRAM Akibat kesalahan dapat sangat serius

Sebagai contoh terdapat salah satu bit yang terbalik pada bagian opcode suatu instruksi. Hal ini akan merubah instrksi yang asli menjadi instrusi yang lain, ketika dieksekusi oleh CPU akan menyebabkan operasi yang tidak dikehendaki. Jika instruksi asli diubah menjadi instruksi jump, maka CPU akan mmulai mengeksekusi bagian program yang lain. Kejadian ini disebut dengan system crash. Situasi seperti ini tidak dapat diterima pada kebanyakan aplikasi.

4.4.1 Tipe Kesalahan dan Penyebabnya

Tipe kesalahan dapat digolongkan menjadi hard error dan soft error. Hard error menunjukkan kerusakan permanen akibat kerusakan fisik, sebagai contoh hubung singkat di dalam chip memori akan mengakibatkan bit data menjadi 1 atau 0 secara permanen. Kesalahan ini hanay dapat diperbaiki dengan mengganti chip dengan yang baru. Soft error tidak berkaitan dengan kerusakan perangkat keras, kesalahan ini bersifat random dan tidak dapat diprediksi. Sebagai contoh, kesalahan ini ini dapat disebabkan oleh noise karena tata letak PCB yang tidak baik, tegangan atau temperatur yang berlebihan, dan sebagainya. Penyebab utama soft error pada DRAM adalah partikel alfa. Partikel alfa diemisikan bahan radio aktif yang terdapat pada kemasan yang membungkus chip. Seperti uraian DRAM di muka bahwa mekanisme sel pada dRAM berbasis pada kapasitor kecil. Partikel alfa menyebabkan ionsasi sehingga

menetralkan bagian pengisian pada sel kapasitor, sehingga bit di dalam sel dapat terbalik nilainya. Industri chip menggambarkan failure rate dari divais yang diproduksi berkaitan dengan persentase probabilitas suatu divais akan rusak pada interval waktu 1000 jam. Sebagai contoh, DRAM 64K X 1 memiliki data failure rate 0.12%/1000 jam. Berarti pada operasi 1000 jam probabilitas divais akan gagal/rusak adalah 0.0012. Alternatif lain mengekspresikan kerusakan adalah dalam FITs (failure in time). Satu FITs menunjukan satu kerusakan pada interval waktu 109 jam. Sebagai contoh, falure rate 0.12%/100 jam ekivalen dengan 0.0012 x 106 = 1200 FITs. Failure rate adalah aditif, sehingga failure rate untuk DRAM 64K x 16 menjadi 1200 x 16 = 19200 FITs. Pada Tabel 4.1 ditunjukkan tabel failure untuk beberapa komponen yang umum.

Tabel 4.1 Failure rate beberapa komponen umum

Tipe Komponen Typical Failure Rate (FITs)

Resistor Diode SSI Kapasitor keramic Kapasitor tantalum MSI Papan rangkaian tercetak DRAM 64K x 1

1 1 10 10 20 50 500 1200

Seuai dengan sifat aditif suatu error, apabila dalam suatu sistem melibatkan beberapa jenis komponen, maka error merupakan penjumlahan error semua komponen yang terlibat. Contoh 4-2
Prosesor 16 bit memiliki kapasitas memori 512 KB diimplementasikan menggunakan DAM 64K x 1 pada satu PCB. Selain chip memori terdapat komponen lain yaitu: 11 MSI dan 25 SSI. Hitung failure rate dengan mengasumsikan terdapat 10 resistor, 100 kapasitor keramik, dan 4 kapasitor tantalum. Gunakan asumsi failure rate Tabel 4.2. 4

Penyelesaian: Untuk mempermudah, cara perhitugan error disajikan pada Tabel 4.2 berikut. Tabel 4.2 Hasil perhitungan Failure rate Contoh 4.2 Tipe Komponen 16 DRAM /bank, total 4 bank MSI SSI Resistor Kapasitor keramik PCB Jumlah 64 11 25 1 100 1 Total Failue Rate (Sistem) Total Failure Rate Setiap Komponen 64 * 1200 11 * 50 25 * 10 10 * 1 100 * 10 1 * 500 76800 550 250 10 1000 500 79110

4.4.2 Teknik Paritas

Prinsip umum deteksi kesalahan adalah sebagai berikut: 1. Menambah informasi bit ekstra (redundance bit) sebelum ditulis ke memori 2. Redundance bit digunakan untuk deteksi kesalahan ketika data word dibaca dari memori 3. Jumlah bit yang dapat dideteksi (dan dikoreksi) tergantung pada jumlah redundance bit pada setiap word. Pada teknik paritas (parity technique) hanya memerlukan tambahan satu bit--yang disebut bit paritas--pada data word. Bit paritas dapat bernilai 1 atau 0 tergantung pada: 1. Jumlah angka 1 di dalam data word 2. Pola paritas yang digunakan Pada pola paritas genap (even parity) memerlukan total jumlah angka 1 (termasuk bit paritas sendiri) genap. Dengan demikian, jika data word memiliki jumlah angka satu genap, bit paritas bernilai 0. Jika data word memiliki jumlah angka satu ganjil, bit paritas bernilai 1. Pada pola paritas ganjil (odd parity) memerlukan total jumlah angka 1 ganjil. Contoh penerapan pola bit paristas untuk data word satu byte ditunjukkan pada Tabel 4.3.

Tabel 4.3 Contoh pembangkitan bit paritas pada data word satu byte Jumlah Angka 1 Dalam Data 4 3 5 2 Bit Paritas 0 1 0 1

Pola Parity genap genap ganjil ganjil

Data Bits 1010 0011 0010 1100 1011 1010 1000 1000

Urutan penyimpanan data word ke memori dan pembacaannya berkaitan dengan penggunaan bit paritas adalah sebagai berikut: 1. Sebelum menulis data word ke memori, parity genetor membangkitkan paritas sesuai dengan pola yamg digunakan 2. Bit paritas yang dibangkitkan disimpan di memori bersama data word 3. Ketika data word dibaca dari memori, parity cheker menentukan kembali bit paritasnya 4. Bit paritas yang dihasilkan parity checker dibandingkan dengan bit paritas yang asli, bila berbeda berarti terjadi error.

Cara di atas memiliki beberapa keterbatasan: Hanya dapat mendeteksi kesalahan tunggal Dapat mendeteksi kesalahan lebih dari satu bit, apabila jumlah bit yang salah ganjil Kesalahan ganda dan (kelipatannya yang menghasilkan genap) tidak dapat dideteksi Walaupun demikian, teknik paritas ini banyak digunakan, karena kesalahan yang paling banyak terjadi adalah kesalahan tunggal. Kesalahan ganda, 50 sampai 100 kali jarang terjadi. Bila data word terdiri dari dua byte atau lebih, kemampuan deteksi kesalahan dapat ditingkatkan dengan menggunakan satu bit paritas pada setiap byte-nya. Komponen untuk membangkitkan bit paritas sebelum menulis ke memori, dan memeriksa setelah membaca dari memori, tersedia dalam chip 14-pin yang disebut dengan parity generator/checker. Contoh komponen tersebut adalah 74280. Pada Gambar 4.9 ditunjukan fungsi komponen tersebut sebagai parity generator dan parity cheker.

Data Source 8

Memory
8 Parity generator Parity generator

Data Source

P1-P8 Parity output Odd/even control P9

P1-P8 Parity output P9

Gambar 4.9 Aplikasi Chip 74280 sebagai parity generator dan parity checker