Enlace metlico

Un enlace metlico es un enlace qumico que mantiene unidos los tomos (unin entre ncleos atmicos y los electrones de valencia que se agrupan alrededor de estos como una nube) de los metales entre s. Estos tomos se agrupan de forma muy cercana unos a otros, lo que produce estructuras muy compactas. Se trata de redes tridimensionales que adquieren la estructura tpica de empaquetamiento compacto de esferas. En este tipo de estructura cada tomo metlico est rodeado por otros doce tomos (seis en el mismo plano, tres por encima y tres por debajo). Adems, debido a la baja electronegatividad que poseen los metales, los electrones de valencia son extrados de sus orbitales y tienen la capacidad de moverse libremente a travs del compuesto metlico, lo que otorga a ste las propiedades elctricas y trmicas. Este enlace slo puede presentarse en sustancias en estado slido.1

Caractersticas de los Metales

Las caractersticas bsicas de los elementos metlicos son producidas por la naturaleza del enlace metlico. Entre ellas destacan: 1. Suelen ser slidos a temperatura ambiente, excepto el mercurio, y sus puntos de fusin y ebullicin varan notablemente. 2. Las conductividades trmicas y elctricas son muy elevadas (esto se explica por la enorme movilidad de sus electrones de valencia menor). 3. Presentan brillo metlico, por lo que son menos electronegativos. 4. Son dctiles y maleables (la enorme movilidad de los electrones de valencia hace que los cationes metlicos puedan moverse sin producir una situacin distinta, es decir, una rotura). 5. Pueden emitir electrones cuando reciben energa en forma de calor. 6. Tienden a perder electrones de sus ltimas capas cuando reciben cuantos de luz (fotones), fenmeno conocido como efecto fotoelctrico. El enlace metlico es caracterstico de los elementos metlicos, es un enlace fuerte, primario, que se forma entre elementos de la misma especie. Los tomos, al estar tan cercanos uno de otro, interaccionan los ncleos junto con sus nubes electrnicas empaquetndose en las tres dimensiones, por lo que quedan rodeados de tales nubes. Estos electrones libres son los responsables que los metales presenten una elevada conductividad elctrica y trmica, ya que estos se pueden mover con facilidad si se ponen en contacto con una fuente elctrica. Presentan brillo y son maleables. Los elementos con un enlace metlico estn compartiendo un gran nmero de electrones de valencia, formando un mar de electrones rodeando un enrejado gigante de cationes. Los metales tienen puntos de fusin ms altos por lo que se deduce que hay enlaces ms fuertes entre los distintos tomos. La vinculacin metlica es no polar, apenas hay (para los metales elementales puros) o muy poca (para las aleaciones) diferencia de electronegatividad entre los tomos que participan en la

interaccin de la vinculacin, y los electrones implicados en lo que es la interaccin a travs de la estructura cristalina del metal. El enlace metlico explica muchas caractersticas fsicas de metales, tales como fuerza, maleabilidad, ductilidad, conduccin del calor y de la electricidad, y lustre. La vinculacin metlica es la atraccin electrosttica entre los tomos del metal o los iones y electrones des localizados. Esta es la razn por la cual se explica un deslizamiento de capas, dando por resultado su caracterstica maleabilidad y ductilidad. Los tomos del metal tienen por lo menos un electrn de valencia, no comparten estos electrones con los tomos vecinos, ni pierden electrones para formar los iones. En lugar los niveles de energa externos de los tomos del metal se traslapan. Son como enlaces covalentes identificados.

Conductor elctrico
Un conductor elctrico es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite sta a todos los puntos de su superficie. Generalmente elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el movimiento de cargas.

Descripcin
Materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores conductores elctricos son los metales y sus aleaciones. Existen otros materiales, no metlicos, que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad como son el grafito, las disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el agua de mar) y cualquier material en estado de plasma. Para el transporte de la energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso domstico o industrial, el mejor conductor es la plata pero es muy cara, as que el metal empleado universalmente es el cobre en forma de cables de uno o varios hilos. Alternativamente se emplea el aluminio, metal que si bien tiene una conductividad elctrica del orden del 60% de la del cobre es, sin embargo, un material mucho ms ligero, lo que favorece su empleo en lneas de transmisin de energa elctrica en las redes de alta tensin1 La conductividad elctrica del cobre puro fue adoptada por la Comisin Electrotcnica Internacional en 1913 como la referencia estndar para esta magnitud, estableciendo el International Annealed Copper Standard (Estndar Internacional del Cobre Recocido) o IACS. Segn esta definicin, la conductividad del cobre recocido medida a 20 C es igual a 58.0 MS/m.2 A este valor es a lo que se llama 100% IACS y la conductividad del resto de los materiales se expresa como un cierto porcentaje de IACS. La mayora de los metales tienen valores de conductividad inferiores a 100% IACS pero existen excepciones como la plata o los cobres especiales de muy alta conductividad designados C-103 y C-110.3

Semiconductor
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Tipos de semiconductores Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecoscon 4 capas ideales y es en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina

extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IV A de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo IIIA de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve

equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural

Teora de bandas
En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la estructura electrnica de un material como una estructura de bandas electrnicas, o simplemente estructura de bandas de energa. La teora se basa en el hecho de que en una molcula los orbitales de un tomo se solapan produciendo un nmero discreto de orbitales moleculares.

Conformacin de las bandas de energa.

Cuando una gran cantidad de tomos se unen, como en las estructuras slidas, el nmero de orbitales de valencia (los niveles de energa ms altos) es tan grande y la diferencia de energa entre cada uno de ellos tan pequea que se puede considerar como si los niveles de energa conjunta formaran bandas continuas ms que niveles de energa como ocurre en los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos intervalos de energa no contienen orbitales, independiente del nmero de tomos agregados, se crean ciertas brechas energticas entre las diferentes bandas. Dentro de una banda los niveles de energa son tan numerosos que tienden a considerarse continuos si se cumplen dos hechos:

Bandas de energa

La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de valencia de los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin elctrica. La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente elctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente elctrica debe haber poca o ninguna separacin entre la BC y la BV (que pueden a llegar a solaparse), de manera que los electrones puedan saltar entre las bandas. Cuando separacin entre electrones sea mayor, el material se comportar como un aislante. En ocasiones, la separacin entre bandas permite el salto entre las mismas de solo algunos electrones. En estos casos, el material se comportar como un semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en este caso se produzca deben

darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el material se encuentre a altas presiones, a una temperatura elevada o se le aadan impurezas (que aportan ms electrones). [[Archivo:[1]]] Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones.

Fuerzas de van der Waals

En qumica fsica, la fuerza de van der Waals (o interaccin de van der Waals), denominada as en honor al cientfico neerlands Johannes Diderik van der Waals, es la fuerza atractiva o repulsiva entre molculas (o entre partes de una misma molcula) distintas a aquellas debidas al enlace covalente o a la interaccin electrosttica de iones con otros o con molculas neutras.1 El trmino incluye:

fuerzas dipolo permanente-dipolo permanente (fuerzas de Keesom) fuerzas dipolo permanente-dipolo inducido (fuerzas de Debye) fuerzas dipolo inducido instantneo-dipolo inducido (fuerzas de dispersin de London)

Tambin se usa en ocasiones como un sinnimo para la totalidad de las fuerzas intermoleculares.

Introduccin
Las fuerzas de van der Waals son relativamente dbiles comparadas con los enlaces qumicos normales, pero juegan un rol fundamental en campos tan diversos como qumica supramolecular, biologa estructural, ciencia de polmeros, nanotecnologa, ciencia de superficies, y fsica de materia condensada. Las fuerzas de van der Waals definen el carcter qumico de muchos compuestos orgnicos. Tambin definen la solubilidad de sustancias orgnicas en medios polares y no polares. En los alcoholes inferiores, las propiedades del grupo polar hidrxilo dominan a las dbiles fuerzas intermoleculares de van der Waals. En los alcoholes superiores, las propiedades del radical alqulico apolar (R) dominan y definen la solubilidad. Las fuerzas de van der Waals crecen con la longitud de la parte no polar de la sustancia. Las fuerzas de van der Waals incluyen a atracciones entre tomos, molculas, y superficies. Difieren del enlace covalente y del enlace inico en que estn causados por correlaciones en las polarizaciones fluctuantes de partculas cercanas (una consecuencia de la dinmica cuntica). Las fuerzas intermoleculares tienen cuatro contribuciones importantes. En general, un potencial intermolecular tiene un componente repulsivo (que evita el colapso de las molculas debido a que al acercarse las entidades unas a otras las repulsiones dominan). Tambin tiene un componente atractivo que, a su vez, consiste de tres contribuciones distintas: 1. La primera fuente de atraccin es la interaccin electrosttica, tambin denominada interaccin de Keesom o fuerza de Keesom, en honor a Willem Hendrik Keesom.

2. La segunda fuente de atraccin es la induccin (tambin denominada polarizacin), que es la interaccin entre un ultipolo permanente en una molcula, con un multipolo inducido en otra. Esta interaccin se mide algunas veces en debyes, en honor a Peter Debye. 3. La tercera atraccin suele ser denominada en honor a Fritz London que la denominaba dispersin. Es la nica atraccin experimentada por tomos no polares, pero opera entre cualquier par de molculas, sin importar su simetra. Todas las fuerzas intermoleculares de van der Waals presentan anisotropa (excepto aquellas entre tomos de dos gases nobles), lo que significa que dependen de la orientacin relativa de las molculas. Las interacciones de induccin y dispersin son siempre atractivas, sin importar su orientacin, pero el signo de la interaccin cambia con la rotacin de las molculas. Esto es, la fuerza electrosttica puede ser atractiva o repulsiva, dependiendo de la orientacin mutua de las molculas. Cuando las molculas tienen movimiento trmico, como cuando estn en fase gaseosa o lquida, la fuerza electrosttica se reduce significativamente, debido a que las molculas rotan trmicamente y experimentan las partes repulsiva y atractiva de la fuerza electrosttica. Algunas veces, este efecto se expresa indicando que el "movimiento trmico aleatorio a temperatura ambiente puede imponerlo o anularlo" (refirindose al componente electrosttico de la fuerza de van der Waals). Claramente, el efecto trmico promedio es mucho menos pronunciado para las fuerzas atractivas de induccin y dispersin. El potencial de Lennard-Jones se usa frecuentemente como un modelo aproximado para la parte istropa de una fuerza de van der Waals total (repulsin ms atraccin) como una funcin de la distancia.

Interaccin dipolo-dipolo
La interaccin dipolo-dipolo consiste en la atraccin electrosttica entre el extremo positivo de una molcula polar y el negativo de otra. El enlace de hidrgeno es un tipo especial de interaccin dipolo-dipolo. Las fuerzas electrostticas entre dos iones disminuyen de acuerdo con un factor 1/d2 a medida que aumenta su separacin d. En cambio, las fuerzas dipolo dipolo varan segn 1/d4 (d elevado a la cuarta potencia) y slo son eficaces a distancias muy cortas; adems son fuerzas ms dbiles que en el caso ion-ion porque q+ y q- representan cargas parciales. Las energas promedio de interacciones dipolo dipolo son aproximadamente 4 kJ por mol de enlaces, en contraste con los valores promedio para energas caractersticas de tipo inico y de enlace covalente (~400 kJ por mol de enlaces). Estas son ligeramente direccionales, es decir, al elevarse la temperatura, el movimiento transicional, rotacional y vibracional de las molculas aumenta y produce orientacin mas aleatoria entre ellas. En consecuencia, la fuerza de las interacciones dipolo-dipolo disminuye al aumentar la temperatura.

Tipos de enlace dipolo-dipolo

Los enlaces entre dipolos permanentes ocurren entre molculas que tienen un momento dipolar intrnseco; esto habitualmente se puede relacionar con una diferencia de electronegatividad. Por otro lado, los tomos y las molculas apolares, que no tienen un momento dipolar permanente, son polarizables, esto es, pueden formar dipolos elctricos como reaccin a un campo elctrico cercano. El enlace entre un tomo o molcula apolar y una molcula dipolar se denomina dipolo permanente-dipolo inducido, y es de alcance an ms corto.