UNIDAD III SEMICONDUCTORES. Generalidades.

Semiconductor, material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. La conductividad elctrica de los materiales semiconductores no es tan alta como la de los metales; sin embargo, tienen algunas caractersticas elctricas nicas que los hacen especialmente tiles. Las propiedades elctricas de estos materiales son extremadamente sensibles a la presencia de incluso muy pequeas concentraciones de impurezas.

Semiconductor intrnseco. Intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro contiene una cantidad insignificante de tomo de impurezas. En el se cumple: n= p= ni Semiconductores extrnsecos Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objeto es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores de carga libre.

Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados. En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n. Para el silicio, son dopantes de tipo n los elementos de la columna V, y tipo p los de la III.

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO.

SEMICONDUCTOR INTRINSECO

Semiconductores P y N. En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos: Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Impurezas trivalentes: son elementos cuyos tomos tienen tres elementos de valencia en su orbital exterior. Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace un mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N. En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Unin PN. Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro se forma una unin PN. Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en esta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos a dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn interaccionando entre si y por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo anterior resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los

electrones de la regin N alejndolo de la mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante. Unin PN polarizada en directo. Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N, la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es el contrario al convencional establecido para la corriente elctrica.

Unin PN polarizada en inverso. Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P, la tensin U de la pila ensancha la barrera de proteccin creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P, y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta de una manera asimtrica respecto de la conduccin elctrica, dependiendo del sentido de la conduccin, se comporta como un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso)

Semiconductores de potencia Se denomina electrnica de potencia a la rama de la ingeniera elctrica que consigue adaptar y transformar electricidad, con la finalidad de alimentar otros equipos, transportar energa, controlar el funcionamiento de maquinas elctricas, etc. Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores, al control y transformacin de potencia elctrica. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control como en suministro elctrico a consumos industriales o incluso la interconexin de sistemas elctricos de potencia. El principal objeto de esta disciplina es el procesamiento de energa con la mxima eficiencia posible, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de perdidas por efecto joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as como semiconductores trabajando en modo corte saturacin (on/off). Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de dispositivos semiconductores de potencia, todos los cuales derivan del diodo o el transistor. Entre estos se encuentran los siguientes: Rectificador controlado de silicio Triac Transistor IGBT Tiristor IGBT MTC

CUESTIONARIO 1. Cmo es la conductividad de los semiconductores? No es muy alta 2. A que son sensibles las propiedades de estos materiales? A la presencia de incluso muy pequeas concentraciones de impurezas. 3. Cul es el semiconductor mas utilizado? El silicio 4. Qu otros semiconductores hay? El selenio y el germanio 5. Qu tipo de semiconductores existen? Intrnsecos y extrnsecos 6. Qu indica el semiconductor intrnseco? Indica un semiconductor extremadamente puro 7. Cmo se forman los semiconductores extrnsecos? Se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. 8. Cul es el objetivo? El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres. 9. Cmo se llaman las impurezas? Estas impurezas se llaman dopantes. 10. De qu tipo de semiconductores se obtienen en funcin al tipi de dopante? Se obtiene semiconductores dopados tipo p o tipo n. 11. Qu tipo de uniones PN existen? Unin PN polarizada en directo, Unin PN polarizada en inverso 12. A qu se refiere los semiconductores de potencia? Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores, al control y transformacin de potencia elctrica. 13. De dnde derivan los dispositivos semiconductores de potencia? Derivan del diodo o el transistor.

14. Qu dispositivos derivan? Rectificador controlado de silicio (SCR en ingls) Triac Transistor IGBT Tiristor IGCT MCT 15. Qu pasa si se introduce una impureza trivalente en una red criztalina? En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P. 16. Qu pasa si se introduce una impureza pentavalente? Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace un mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N. 17. Qu es una unin polarizada en directo? Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N, la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario. 18. Qu es una unin polarizada en inverso? Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P, la tensin U de la pila ensancha la barrera de proteccin creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P, y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. 19. Cmo se comporta la unin anterior? La unin PN se comporta de una manera asimtrica respecto de la conduccin elctrica, dependiendo del sentido de la conduccin, se comporta como un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso) 20. Cmo se comporta la unin polarizada en directo? El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es el contrario al convencional establecido para la corriente elctrica

GLOSARIO SEMICONDUCTOR: es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. GERMANIO: Es un elemento qumico con nmero atmico 32, y smbolo Ge perteneciente al grupo 4 de la tabla peridica de los elementos..Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante material semiconductor utilizado en transistores y foto detectores. A diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad. SILICIO: es un elemento qumicometaloide, nmero atmico 14 y situado en el grupo 4 de la tabla peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbono ideos de smbolo Si. Debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial en la industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos. El silicio es un elemento vital en numerosas industrias. SEMICONDUCTOR INTRINSECO: Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. SEMICONDUCTOR EXTRINSECO: Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. SEMICONDUCTOR TIPO N: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). SEMICONDUCTOR TIPO P: se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

CONDUCTIVIDAD ELECTRICA: es la capacidad de un cuerpo o medio para conducir la corriente elctrica, es decir, para permitir el paso a travs de las partculas cargadas, bien sean los electrones, los transportadores de carga en conductores metlicos o semimetlicos, o iones, los que transportan la carga en disoluciones de electrolitos. IMPUREZAS: es una sustancia dentro de un limitado volumen de lquido, gas o slido, que difieren de la composicin qumica de los materiales o compuestos.

DOPAJE: al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado. DIODO: es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. TRANSISTOR: es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). SEMICONDUCTORES DE POTENCIA: Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores, al control y transformacin de potencia elctrica.

Instituto Tecnolgico de Pachuca

Ingeniera Elctrica

Resumen de Unidad III

Semiconductores

Cruz Flores Jos Alberto

Muos Leiva Ismael Bertn Tereso

N control 11200537