Tema 4: El transistor de efecto Tema 4: El transistor de efecto de campo (FET) de campo (FET)

4.1.- Introduccin y estructura bsica 4.2.- Curvas caractersticas estticas. Regiones de funcionamiento 4.3.- Polarizacin del transistor FET 4.4.- Modelo en pequea de seal del FET. Amplificacin monoetapa

Josep David Ballester Berman

Electrnica Bsica. Curso 2012-2013 Grado en Ingeniera en Sonido e Imagen en Telecomunicacin

4.1.- Introduccin y estructura bsica

- El FET (Field Effect Transistor) se basa en el control de la corriente de salida mediante una tensin aplicada a la entrada. - El parmetro fundamental del FET es la transconductancia. - En el funcionamiento del FET slo interviene la corriente de portadores mayoritarios. - La impedancia de entrada del transistor FET es del orden de M, mucho ms elevada que la del BJT. Por esta razn los FET se utilizan en las etapas de entrada de los amplificadores multietapa. - La impedancia de salida es del orden de k. - El FET presenta una mayor estabilidad con la temperatura.
Puerta (G)

Fuente (S)

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4.1.- Introduccin y estructura bsica JFET (Junction Field Effect Transistor)

Estructura (de canal n)

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4.1.- Introduccin y estructura bsica MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET de acumulacin Estructura de canal n n) (de canal

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4.1.- Introduccin y estructura bsica

Principio de funcionamiento del JFET: - Se modula el ancho del canal drenador-fuente (D-S) para modificar la resistencia elctrica. - As se obtienen diferentes valores de la corriente IDS a travs del canal. - La tensin puerta-fuente (la unin G-S est polarizada en inverso), VGS = VG VS, controla esta corriente, que tambin depende de la diferencia de potencial drenador-fuente VDS = VD VS VGS < 0 (constante) VDS >0 pero de bajo valor

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4.1.- Introduccin y estructura bsica

Principio de funcionamiento del JFET: - Se modula el ancho del canal drenador-fuente (D-S) para modificar la resistencia elctrica. - As se obtienen diferentes valores de la corriente IDS a travs del canal. - La tensin puerta-fuente (la unin G-S est polarizada en inverso), VGS = VG VS, controla esta corriente, que tambin depende de la diferencia de potencial drenador-fuente VDS = VD VS VGS < 0 (constante) VDS >0 aumenta

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4.1.- Introduccin y estructura bsica

Principio de funcionamiento del JFET: - Se modula el ancho del canal drenador-fuente (D-S) para modificar la resistencia elctrica. - As se obtienen diferentes valores de la corriente IDS a travs del canal. - La tensin puerta-fuente (la unin G-S est polarizada en inverso), VGS = VG VS, controla esta corriente, que tambin depende de la diferencia de potencial drenador-fuente VDS = VD VS VGS < 0 (constante) VDS >> 0 La anchura del canal se mantiene constante y tambin la IDS

Hay un potencial VGS = - VP a partir del cual IDS=0

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4.2.- Curvas caractersticas estticas. Regiones de funcionamiento

- Generalizacin de las tensiones y corrientes continuas en un FET. - Configuracin en FUENTE COMN, en la que el terminal de fuente (S) se toma como referencia de tensiones.

Caracterstica IDS - VDS

Saturacin

Comportamiento resistivo

Corte
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4.2.- Curvas caractersticas estticas. Regiones de funcionamiento

Caracterstica IDS - VDS 1) Comportamiento resistivo: - Relacin lineal entre IDS y VDS - El FET acta como una resistencia controlada por VGS 2) Saturacin: - IDS se mantiene constante - Aplicaciones de amplificacin - Ecuacin de Shockley 3) Corte: VGS = -VP IDS=0
VGS<0 IDSS: corriente de saturacin para VGS=0

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4.2.- Curvas caractersticas estticas. Regiones de funcionamiento

Caracterstica IDS - VGS Saturacin

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4.3.- Polarizacin del transistor FET

Polarizacin fija Polarizacin inversa de la unin G-S Polarizacin automtica

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4.3.- Polarizacin del transistor FET

Clculo del punto de trabajo VDSQ, IDSQ y VGSQ: Ecuacin que relaciona la unin G-S Ecuacin que relaciona la unin D-S Ecuacin de Shockley

No est en corte No est en la zona hmica

SATURACIN
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4.4.- Modelo en pequea de seal del FET. Amplificacin monoetapa

Modelo equivalente de pequea seal

Seal a amplificar

Seal amplificada

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4.4.- Modelo en pequea de seal del FET. Amplificacin monoetapa

Modelo equivalente de pequea seal en configuracin FUENTE-COMN

TRANSCONDUCTANCIA (1-5 mS) RESISTENCIA DE DRENAJE (decenas de k)

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