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Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr
http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/
1
Contenu du cours
1. Quelques rappels utiles
2. Les Diodes
4. Le Transistor bipolaire
Bibliographie
☛ Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
☛ Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
☛ Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
☛Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
2
1. Les bases
I
1.1 Composants linéaires et loi d’Ohm … :
I
• Résistance électrique = composant linéaire :
V V R
V=RI loi d’Ohm
• Généralisation aux circuits en “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et courants) :
V (ω ) = Z (ω )⋅ I (ω )
C L
composant linéaire :
“impédance” : Z (ω ) =
1 Z (ω ) = jLω
jCω
3
1.2 Source de tension, source de courant :
I I
source de courant Io
Io V charge
idéale :
V
I
source de V
Vo
tension idéale : Vo V charge
I
→ la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge
4
1.2.2 Sources réelles : domaine de fonctionnement linéaire
ou “domaine de linéarité”
I
source de courant Io ↔ schéma
réelle : équivalent
Schéma équivalent:
I
→ V = Vo − Ri I
Ri
Vo V charge ⇒ V ≅ cst = Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est faible
devant V (Ri I << V )
“vu” de
en fait... Ri la avec
charge
V
Vo ≡ Io
I o = o = “courant de court-circuit”
Ri (charge remplacée par un
Ri court-circuit)
➨ selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)
Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source dépend de la
tension aux bornes d’un des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite “liée”. Vous verrez des exemples de sources
liées dans le cas des transistors.
7
1.3 Théorème de Thévenin :
☛ Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire, constitué de résistances, de sources de tension et
de sources de courant est équivalent à une résistance unique RTh en série avec une source de tension
idéale Vth.
A
I Rth
I A
V ≡ Vth
V
= “générateur de Thévenin”
B
B
!
Calcul de Vth: Vth = V (circuit ouvert )
ou Rth = R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées.
[remplacement des sources de tension non-liées par un fil (Vo=0), et
des sources de courant non-liées par un circuit ouvert (Io=0)]
8
Mesure de Rth :
■ Au multimètre : exceptionnel… puisqu’il faut remplacer toutes sources non-liées par des court-
circuits ou des circuits ouverts tout en s’assurant que le domaine de linéarité s’étend jusqu’à
V=0V.
■ A partir de la mesure de V(I) :
V
Vth
pente = - Rth
Vth mesures
2
générateur équivalent de Thévenin
V !
= Rcharge = Rth ↔ méthode de “division moitié”
I V =Vth
2
2.1 Définition Id Id
■ Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(Vd≥0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert
☛ Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).
60
20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5
Vo1
Vd
■ Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
➥ la diode est dite “passante”
➥ mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)
11
Id
140
100
60
20
☛ VT (300K) = 26 mV
12
Limites de fonctionnement :
Vo Vd
✎ peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.
13
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge
■ Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR
14
2.3.2 Droite de charge
Val − Vd
■ Loi de Kirchoff : L → I d = = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL
Caractéristique I(V)
Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement
« Droite de charge »
Vd
VQ Val
15
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires ↔ hyp: Id, Vd constants
■ Schémas équivalents :
Ri
Id
pente=1/Ri diode “passante”
Val ⇔ Id ≥ 0
Val >0 Vd V
Ri Val I d = al , Vd = 0
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val ⇔ Vd < 0
Val I d = 0, Vd = Val
16
2.4.2 Seconde approximation
schémas équivalents :
■ Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
V ⇔ Id ≥ 0
Val
o
Val >Vo Vd
V − Vo
Ri Vo Val I d = al , Vd = Vo
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val ⇔ Vd < Vo
Val<Vo Vd
Val I d = 0, Vd = Val
17
2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
● tension seuil Vo non nulle Id
● résistance directe Rf non nulle
Vd
● Vd <0: résistance Rr finie
pente = 1/Rr~0 Modélisation
■ Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Val Vd Id
⇔ I d ≥ 0 et Vd ≥ Vo
Vo Val Rf → Vd = Vo + R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val ⇔ Vd < Vo
Val Rr
18
Remarques :
V
■ Rf ≠ d
Id
19
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :
20
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.
➨ La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude rapide du fonctionnemnt d’un circuit
21
Autres exemples :
Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30Ω, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50Ω Calcul de Id et Vd
pour :
Val 1MΩ a)Val = -5V
b) Val = 5V
Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs
ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste
Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode ↔pas
d’effet “capacitif” ou )
22
3) D1 Caractéristiques des diodes :
Rf = 30Ω, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
D2
R R
270 270
4.7k VV
os
V1 V2
2V
b) V1 = 5V V2= 0V
c) V1 = 0V V2= 0V
23
2.5 Comportement dynamique d ’une diode
L’ Analyse statique
L’ Analyse dynamique
… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )
24
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.
R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdale
ve Ve = source statique
R2 V(t)
Ve
Calcul complet
V (t ) =
R2
[Ve + ve (t )] = R2 Ve + R2 ve (t )
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
V v(t)
25
Par le principe de superposition :
☛ Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
➨ la source statique Ve est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v
R1
Analyse statique : ve = 0
R2
Ve V V= Ve
R2 R1 + R2
R1
Analyse dynamique : Ve = 0
R2
ve v(t ) = ve (t )
R2 v R1 + R2
“schéma dynamique”
R1 R2
Schéma statique
R1R3
V= Io
V R1 + R2 + R3
Io R3
Schéma dynamique
R1 R2
R3ve (t )
v(t ) =
ve R3 v R1 + R2 + R3
☛ Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
27
2) ☛ C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal
R1
C
Rg
vg R2 V (t)
ω
Val R2
R1 →V = Val
R1 + R2
R2 V
28
Schéma dynamique :
1
Zc =
iCω
R2 // R1 1
→v = avec Z g = Rg +
R1 R2 // R1 + Z g iCω
ZC
vg Rg
ω R2 v
R2 // R1
pour ω suffisamment élevée : Z g ≈ Rg et v= vg
R2 // R1 + Rg
☛ A “haute” fréquence (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par un
court-circuit.
29
☛ Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !
Extrapolations possibles:
30
2.5.2 Fonctionnement d’une diode dans un de ses domaines de linéarité (D.L.) :
Id
D.L. “direct”
D.L. “inverse”
Exemple :
☛ le point de fonctionnement reste dans le D.L. direct
100Ω
☛ la diode peut être remplacée par le modèle linéaire suivant :
0,5 ⋅ sin (100 ⋅ 2π ⋅ t )
0,6V
V(t)
5V
1kΩ 10 Ω
V = … = 4,6V
10Ω
5V 1kΩ
1kΩ
☛ ATTENTION, l’utilisation des modèles à segments linéaires n’est plus valable si le point
de fonctionnement passe dans la zone du coude
32
2.5.3 Modèle faibles signaux (basses fréquences)
hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.
pente : dI d
➪ id ≅ ⋅ vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
➪ schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :
I dQ 2|id| Q
−1
Vd dI d
≡ = “résistance dynamique”
dVd Q
Vo de la diode
2| v|
VdQ
☛ Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !
33
■ Notation : −1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V > 0
d
−1
dI d
rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V <0
d
➨ Pour Vd < 0 , rf ≈ Rr
−1
−1 ηVd
dI d d V
➨ Pour Vd ∈ [0, ~Vo] , r f = ≅ I se
VT
− I s =η T
dVd dV
Vd d Id
25
☛ à température ambiante : r f ≈ Ω (η = 1)
I d (mA)
Id
≡
Q
rf ≈ Rf
Vd
Id
≡
Q V
rf = T
Vd I dQ
Id
Q
Vd ≡ rr ≈ Rr >>MΩ
5V Ve
Ra 10µF D (
ve = 0,1 ⋅ sin 103 ⋅ 2π ⋅ t )
ve Vd(t)
5 − 0,6
Analyse statique : Id ≈ = 2,2mA, Vd ≈ 0,62V
2000
26
Analyse dynamique : r f ≈ = 12Ω, Z c = 16Ω << Ra
2,2
Schéma dynamique :
2kΩ
(
→ v ≈ 1,2 ⋅ 10−3 sin 103 ⋅ 2π ⋅ t )
1kΩ
➨ Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
v
ve ~ 12Ω
36
2.5.4 Réponse fréquentielle des diodes
Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.
37
■ Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)
☛ une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode
☛ A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre
les variations de Vd)
rc
☛ à basse fréquence : rc + rs = rf
☛ la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
38
■ Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :
☛ une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son
tour déplace les charges électriques.
☛ à haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieure à Is.
rr 1
Ct ∝ = capacité de “transition” ou “déplétion”
Vd − Vo
39
■ Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse
Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque la diode
bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
temps de réponse
Id
(VQ-Vo)/R
-VR/R
■ Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)
dI d
RZ : “résistance Zener” =
-Imax dVd V <V
d z
Rz
Vd
Id
≡
Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q ➪ Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
−1
dI
-Imax rz = d ≅ Rz pour |Id| >Imin
d Q
dV
42
2.6.2 Diode tunnel
■ Caractéristique I(V) :
I
vs R !
vg = >1
vg R + r f
Vpol R vs ☛ Cet type d’amplificateur est peu utilisé parce qu’on peut faire mieux...
43
2.6.3 Diode électroluminescente (ou LED)
44
3. Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.
Fonctionnement :
circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger
46
☛ Comment peut-on modifier le circuit pour protéger la charge contre des tensions positives?
Protection contre une surtension inductive
47
Exercices : Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ?
(1) Vg Rc V (2) Vg Rc V
Dz
V1
V2
C
T
R Rc V
RC >> T
48
3.2 Redressement
■ Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)
ondulation résiduelle
↔R, C, f
t
49
☛ mauvais rendement : la moitié du signal d’entrée n’est pas exploitée
Redressement double alternace (pont de Graetz)
R ■ Fonctionnement
Vs , Vi
~1.4V
Vi < 1.4V
50
avec filtrage : 50 Ω
R
D1 D2
Rc=10kΩ
Vi Vs
200µF
D3 D4
Vs
avec condensateur
sans condensateur
V − 1,4
I d max → i
R (mA)
ID2
➪ Idmax dépend de R et C Vs
60
40 Vsecondaire
[Vm =10V]
20
régime transitoire
➪ Diodes de puissance
✎ Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme d’un composant unique (ou discret)
52
Autres configurations possibles :
transformateur à
point milieu
■ Alimentation symétrique :
+Val
secteur
~ masse
-Val
53
3.3 Restitution d ’une composante continue (clamping)
Exemple : Rg C
Vg(t) Vc Vd
D
● Lorsque Vg - Vc > 0, la diode est passante ● Lorsque Vg - Vc <0, la diode est bloquée
Rg C Rg C
Vc Vc
Vg Vd Vg Vd
➨ Vd = 0 ➨ Vd = Vg +Vc
➥ ~ composante continue
54
☛ Quelle est l’effet de la tension seuil Vo de la diode (non prise en compte ci-dessus) ?
● Cas particulier : Rg C
Vg = Vm sin (ω ⋅ t ) pour t > 0
Vg(t) Vc Vd
Vc = 0 pour t < 0 (C déchargé) D
➨ Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
C=1µF
Simulation Rg =1kΩ
Vg f= 100hz
Vm =5V
Vc
charge du condensateur
Vd ≈0.7V
Vd
t (s)
55
➪Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante
➥ en régime permanent: Vd ≈ Vg - Vm
composante continue
56
3.4 Multiplieur de tension
■ Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg = Vm sin (2πf ⋅ t ) pour t > 0
→ VRc ≅ 2 ⋅ Vm − 1,4 ≈ 2 ⋅ Vm
t
☛ Il ne s’agit pas d’une bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
régime transitoire / permanent 57
Autre exemples : Doubleur de tension
source
AC
charge
58
4. Transistor bipolaire
4.1 Introduction
■ le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
il peut :
➪ amplifier un signal
➤amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
➪ ...
il existe :
➪ soit comme composant discret
➪ soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
59
■ on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ
Vcontrôle
émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C
☛ Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semiconductrices différentes,
l’émetteur, la base et le collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.
RE N
+ P N RC
E C
IE r
e- E IC
VEE IB VCC
B
➪ si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre l’émetteur et la base ➨ VBE ~ 0.7V, IE >> 0
➪ La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
➨ IC ~IE et IB = IE -IC << IE
■ Symboles C
C ☛ la flèche indique le sens du
courant dans l’état actif
B B
E E
PNP NPN
IE IE
VBE VBE
NPN PNP
➪ IE = IB+IC 63
4.3 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
■ Choix des paramètres :
64
■Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN
« caractéristique d’entrée »
IE (VEB, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)
65
mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE ↑
2.0
1.5 1.5
1.0 1 IC ≈ I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
≡ jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC
αF IE , avec αF proche de 1.
➪ pour VCB > ~-0.5V, on a IC =α
➤ En mode actif, I B = I E − I C = I E (1 − α F )
➪ pour VCB ≈ -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
➤ Transistor en “mode saturé”
IB (µA) IC
IE
r
VCE= 0.1V N P E N
3 IB
1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3
67
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA
10µA
1
5µA
VCE (V)
1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”
➪ Effet Early : αF tend vers 1 lorsque VCE augmente → hFE augmente avec VCE
Mode actif : VBE ≈ 0.7V ~ 0.3V < VCE < VCC I c ≈ hFE I B
C B
B IB C B C C
B
≅ ~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé
☛ VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 69
VCC ne peut pas dépasser cette valeur!
Transistor PNP
Configuration EC :
Mode actif : VBE ≈ −0.7V ~ −0.3V < VCE < VCC (< 0) I c ≈ hFE I B
C B
B IB C B C C
B
≅ ~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé
70
■ Valeurs limites des transistors
ICVCE =Pmax
fiches techniques :
71
■ Influence de la température
➪ ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T
T ↑ ⇒ I C ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ I B ↓ ⇒ I C ↓
72
4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit ↔ Point de fonctionnement
■ Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.
Rc V − VBE
Vth = Rth I B + VBE → I B = th
Rth
Rth
V − VCE
VCC = RC I C + VCE → I C = CC
Vth RC
73
■ Point de fonctionnement
IB
➪ VBEQ ≈0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V
V − VBE (diode passante
→ I B = th transistor actif ou saturé)
Rth
Q
IBQ
VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ
74
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+VCC=10V
Rc=3kΩ Vcc
Rc
Rth=30kΩ Rth IB
→ I BQ = 10 µA
→ I C Q = 1mA ☛ On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC
75
● Remplacement de Rth par 3kΩ : +VCC=10V
Rc=3kΩ
L → I BQ = 100 µA
Rth=3kΩ
L → I C Q = 10mA
hFE =100
L → VCE Q = −20V !!
Vth =1V
Cause :
Ic(mA) ← IBQ
En ayant augmenté IBQ,(réduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
→ VCE Q ~ 0.3V
et I CQ = 3.2mA
76
■ Quelques circuits élémentaires : VBE < 0.7V → Mode bloqué
t<0 :
Transistor interrupteur: +VCC
RC
+VCC RB
Rc “Interrupteur
VBB
ouvert”
0.7V I RC = 0
RB
t
Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC
V − 0.2 VCC
VCC VCE I RC = CC ≅
Vcc VBEmin − 0.7 RC RC
I Bmin ≅ ≅ 77
( interrupteur fermé)
Rc hFE RB
Transistor source de courant :
VCC
charge V − 0.7V
Rc → I ≈ BB
RE
I “quelque soit” Rc …
tant que le transistor est en mode actif
•E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : (VBB > 0.7V )
≈ 0 < VCE = VCC − (RC + RE )I C < VCC
Source de courant V
● Rcmax ≅ cc − RE
I
pour Rc supérieure à Rcmax → transitor saturé
☛ Rcmin = 0
78
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension
10V
15V
charge 560Ω
10k I
Vz =5,6V
4,7k I
10k charge
79
Transistor, amplificateur de tension : hypothèses :
R Rc
et vs = − Rc ic = − c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av = −
RE RE
● Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor
● Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)
➤ stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).
81
■ Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2
VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V − VBE Vcc − 0.7
I B = cc ≅
RB RB
Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé ↔ RB tel que I B > I Bsat ≈
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 82
■ Polarisation par réaction de collecteur
V − 0.7
Cas particulier : RB=0 → I C ≈ CC VCE = 0.7V
RC
➪ Le transistor se comporte comme un diode.
83
■ Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »
+VCC
+VCC Vth − 0.7
IC ≈ I E ≅
RE + Rth / hFE
R1 RC Rc
R2
R2
Vth avec Vth = VCC et
R1 + R2
RE
Rth = R1 // R2
Rth V − 0.7
➪ Peu sensible à hFE : si << RE → I C ≈ th
hFE RE
➪ Bonne stabilité thermique
84
+VCC
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
R1 RC
contre-réaction
VBE I diminue de 2mV/°C
E
VB ~Vth
• VE ~VCC/3
" Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
86
Amélioration possible
+VEE
avec RE <<RC
87
4.7 Modèle dynamique
● Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
● Comportement approximativement linéaire
➪ Modèles équivalents
■ Caractéristique d’entrée : V
I B ≅ I s exp BE − 1 hFE
+VCC VT
IB
dr
RC oit
ed
ec
IC ha iB
B rg
e
• IBQ Q t
vB
vB •E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE
vBE
t
Pour vB petit:
∂I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du
ib ≅ ⋅ vbe ≅ vbe = be transistor en EC
∂VBE Q hFE ⋅ VT " hie "
88
Notation :
h V
" hie " = FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
IE
B ib C
hie
vbe
✎ hie↔ « i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire)
☛ Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin).
89
■ Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic
ic=hfe ib
En première approximation :
t IBQ+ib
Q IBQ
ic ≅" h fe "ib
B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E ≈ hFE en Q (*)
∂I c
En tenant compte de l’effet Early: ic = h feib + hoe vce où hoe =
∂VCE Q
B ib ic C
hoe −1 = impédance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100kΩ - 1MΩ
E
90
☛ Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
Note sur hFE et hfe :
on a généralement :
h fe ≅ hFE
91
■ Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k
hFE=100 C Vs=VS+vs
vg VS
R2 R2
RE RE
signal
composante
continue
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
→ C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
➪ Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
R2
VCC − VBE
R + R2 mode actif A.N
I EQ ≅ 1 ≅ ICQ = 2.2mA
RE
A. N
92
→ VS = VCC − Rc ICQ = 10V
Analyse dynamique :
Hypothèses : transistor en mode actif → schéma équivalent du transistor
en négligeant hoe...
ib
1
iCω hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc
RE
93
☛ Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :
ib
hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
i RE Rc
RE
( )
v g = hieib + RE iRE = hie + h fe RE ib vs
=−
Rc ⋅ h fe
=−
Rc
vg hie + RE ⋅ h fe h
RE + ie
vs = − Rc ⋅ h fe ⋅ ib h fe
94
Autre exemple :
R1=10Ω
Régulateur de tension
.
C
IDz
DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL = 25Ω
hFE = h fe = 50
hoe −1
~∞
Ve = B . IR2
T
RL
Vs =VS + vs
15 ± 2V
R2
ondulation résiduelle
= 500Ω
composante
continue
En statique : Ve = 15V
0.6
VD ≈ VZ et VBE ≈0.6V → VS ≈ 10 V I R2 = = 1,2mA I C = I R1 − I DZ − I RL = 0.1 − I Dz
500
et
10 I
V − VS I RL = = 0.4 A I Dz = I R2 + I B = 0.0012 + C
→ I R1 = e = 0.5 A RL h fe
R1
I
⇒ I DZ ≈ 3mA , I C ≈ 97 mA et I B = C ≈ 2mA
hFE
95
Efficacité de régulation ↔ ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de Vs ?
Rz
ib RL vs
ve
hie hfeib
R2
R1 ( )
i = h fe + 1 ⋅ ib vs Rz + hie Rz + hie
= ≅ ≈ 0.4Ω
hie <<R2
.
C
i vs = (Rz + hie )⋅ ib
i h fe + 1 h fe
Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib
96
R1
.
C
i
0.4Ω
ve RL
vs
Rz + hie
v h fe Rz + hie
→ s ≈ = = 0,03 << 1
ve Rz + hie + R Rz + hie + h fe R1
1
h fe
☛ Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.
☛ En mode actif :
➤ la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd
➤ la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .
B rce Ct iC C
iB ’
Cd hfe iB’ ro
hFE rse
98
4.8 Amplificateurs à transistors bipolaires
Ze il
ve Zs
vg vs
source -VEE vL
RL
charge
● La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs
99
● Gain en tension : +VCC
Rg
Comme Zs ≠ 0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av = = s source -VEE vL
ve R = ∞ ve RL
L
charge
v RL
Gain “sur charge” : AvL = L = Av
ve RL + Z s
v Ze
Gain “composite”: Avc = L = AvL ➙ Comme Ze ≠ ∞ , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri + Z e
résistance de sortie
de la source)
i A Z
● Gain en courant : Ai = L = vL e
ie RL
v i
● Gain en puissance : A p = L L = Avc ⋅ Ai
v g ie
100
☛ L’amplificateur “idéal” :
☛ La réalité...
101
4.8.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)
● Le circuit de polarisation
102
Exemple :
VCC
R1 RC
➪ Polarisation par diviseur de tension
1 1
↔ << R1 // R2 ; << RL
C Bω CCω
☛ CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par
la présence du générateur de signaux.
☛ Cc évite que la charge “voit” la composante continue de VC, et qu’elle influence le point de
repos du transistor.
103
■ Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
➥ circuit de polarisation à pont diviseur
■ Analyse dynamique : rB = R1 // R2
rc = RL // RC
RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE i RE
R2
RE ( )
iRE = h fe + 1 ⋅ ib
104
ie
● Impédance d’entrée :
☛ Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” rB hie h feib
l’entrée de l’amplificateur. ve
( )
Z e ' = hie + h fe + 1 RE ≅ h fe RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)
● Gain en courant : ie iL
h fe vg rB
i hie hfeib rc
Ai = L = −
ie
1+
( )
hie + h fe + 1 RE
ve
rB RE
105
● Impédance de sortie :
Zs ’ Zs
RE
Zs ’
A is
ib
●
(1) : [ ]
vs = hoe −1 is − h feib + RE (is + ib )
rB hie hfeib h −1
oe
vs (2) : 0 = hieib + RE (is + ib )
RE
●
B
vs −1 h fe RE RE hie
Z s = = hoe 1 + +
hie + RE hie + RE
is 107
● Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
VCE
vce
t
108
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.
rc
vs = − rcic = vce ⇔ vs ∝ vce
rc + RE
VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ
Q(repos)
VCE VCE
VCEQ
(rc + RE )ICQ
vce
VCC
ie ib
CB CC
vg rB hie rc
RL vs hfeib
vg ve
R2
RE
CE
h
*: RE // C E << ie 110
h fe
● Gain en tension (sur charge):
rc ⋅ h fe r ☛ le gain dépend fortement de rf
Av L = − = − c >> gain avec RE (résistance interne de la fonction BE)
hie rf
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)
kT rI
or rf ≅ → AvL ≅ − c C
IC kT
v
● Impédance d’entrée de la base : Z e = e = hie significativement réduit...
ib
111
● Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
Ic
vce
ic
ICQ
Q
VCEQ VCE
rc I CQ
(
➪ Il y a déformation du signal dès que : vs > min VCEQ , rc I CQ )
➪ Le point de repos optimal correspond à VCEQ = rc I CQ
112
■ L’amplicateur EC en résumé :
●Emetteur à la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av = − C h fe = − C >> 1 en valeur absolue
hie rf
Impédance de sortie : Z s ≅ RC (de q.q. kΩ )
Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e ≅ hie (de q.q. kΩ )
RC R
Gain en circuit ouvert : Av ≅ − ≈ C
r f + RE RE
Impédance de sortie : Z s ≅ RC
● Le circuit de polarisation
114
Exemple: VCC
Ze
v
→ Av = s ≈ 1 L’émetteur “suit” la base.
vg
115
■ Analyse dynamique : transistor
ientrée ib B C
hie hfeib
R1//R2 iL
E
vg
RE vs RL
Ze
RE RE kT
● Gain en tension en circuit ouvert : Av = ≅ ≅1 RE >> r f =
RE +
hie RE + r f I E
h fe + 1
rE
● Gain en tension sur charge : Av = ≅ 1 avec rE = RE // RL
L rE + r f
[ (
● Impédance d’entrée : Z e = rB // hie + h fe + 1 rE >> 1 ) ]
vs
iL RL Z Ze
● Gain en courant : Ai = = = AvL e ≈ >> 1
ientrée vg RL RL
Ze
116
● Impédance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs = s
rB
RE is v = 0
vs g
[ ( )]
vs = RE ⋅ is − h fe + 1 ib
( )hvs
→ vs = RE ⋅ is + h fe + 1
vs = − hie ⋅ ib ie
hie
RE
RE hie h fe + 1 hiehie !
Zs = = = RE // ≈ = rf
(
hie + RE h fe + 1 ) hie
+ RE h fe +1 h fe
h fe + 1
117
● Dynamique de sortie
VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V − VCE
I C = CC
isortie RE
vg
E VE = VCC − VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL
118
L’amplicateur CC en résumé :
Av ≅ 1
Rg + hie Rg + hie
Z s = RE // ≈ inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
h fe + 1 h fe
RL i Z
Av L = Av ≈ Av Ai = L = Av L e >> 1 ≈ hfe si RE constitue la charge
RL + Z s ie RL (i = i et i ≈ i )
L c e b
Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée
Applications :
« Etage - tampon » ! Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1
VCC
RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B
R2 RE vg
120
hfeib
■ Propriétés :
E C
ve RE rc
hie
h fe rc
● Gain en tension : Av L = ib B
hie
Ze Zs
h fe
● Gain en courant : Ai = ≈1
hie
+ h fe + 1
RE
hie h kT
● Impédance d’entrée : Z e = RE // ≈ ie ≈ r f = quelques Ω.
h fe + 1 h fe + 1 I CQ
121
Exemple d’application : convertisseur courant - tension
vg vg
ie = ≈ ⇒ vs = RL ⋅ is ≈ RL ⋅ Ai ⋅ ie
R + Ze R tant que RL <<Zs.
☛ Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)
122
4.8.5 Influence de la fréquence du signal
RC Rg C ib C
R1
hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg
RE CE
R2 RE
Z E = RE // C E ≠ 0
1
fci = , avec r = R1 // R2 // Z e + Rg ZE diminue le gain
2π rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co =
{
montage = max f ci , f co } 2π (RL + RC )C 123
Hautes fréquences
Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe
1
f ch ≅
h fe
2π Cbe + Cbc 1 + [
RL hie // Rg // R1 / 2 ]
hie
124
4.8.6 Couplage entre étages
■ Objectif
Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...
R1 RC R1
R1
CL CL
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE
➪ Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)
R1 RC R1
R1
CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE ’ CE
C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
AvL montage = AvL 1 ét. × AvL 2 ét. × AvL 3 ét.
Rc h feT2
AvCC ≈ 1 → AvL montage ≈ Av E.C = −
hieT2
127 loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
■Couplage direct
30V
Un exemple :
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T2 2.4k
T1 680
vg
Av ≈ -10
T T T
[ ]
➪ Ze élevée : Z e ≈ h fe1 Z eT2 ≈ h fe1 h fe2 ⋅ 5000 = 50 MΩ ➪ Zs ≈ 24 kΩ 128
● Analyse statique : VCC= 30V
24k
☛ VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
☛ En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
→ VCE = −0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
→ T1 en mode actif T1 680
vg
T
→ VCE2 = −1.4V
→ T2 en mode actif
T T T
→ VE 3 ≈ 0.7V ⇒ I C3 ≈ I E3 ≈ 1mA T
→ VCE3 ≈ 2.3V → T3 en mode actif
T T T T
→ VE 4 ≈ 2.3V ⇒ I C4 ≈ I E4 ≈ 1mA → VCE4 ≈ 3.6V → T4 en mode actif
I E2
T I E 2 ≅ 5.7 mA et I E1 =
⇒ VC 4 ≈ 6V hFET2 129
Autre exemple : amplificateur à « alimentation fractionnée » (tension positive et négative)
30V
20k
27k 24k
T3 200k
T2
5.1k 200k VSortie
T1
vg 2.4k
E.C.
10k Av ≈ -10 E.C.
Av ≈ -4 -10V
E.C.
Av ≈ 2.7
☛ Les impédances d’entrée des transistors T2 et T3 , et celle du pont diviseur étant très élevées
devant les résistances de sortie de chaque étage, le gain total est approximativement égal au produit
des gains individuels :
27 24 20 1
Av = Avétage #1 ⋅ Avétage # 2 ⋅ Avétage #3 ⋅ Pont diviseur ≅ − ⋅ = −60
10 2.4 5.1 2
130
● Analyse statique :
30V
20k
10V
27k 24k
6V 200k
T3
3V
T2 1mA
5.1k 200k VSortie
T1 1mA
vg 2.4k
1mA
9.3k
-10V
Statique :
10 − 0.7 3 − 0.7
T1 : I E = = 1mA, VC = 3V T2 : I E = ≈ 1mA, VC = 6V
9.3 2.4
T3 : I E =
5.3
≈ 1mA, VC = 10V Vs=0V
5.1
131
■ Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
Av = − Z c
r f
condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)
polarisation par
diviseur de
tension
132
4.8.7 Amplificateurs de puissance
■ Impédance de sortie et amplicateur de puissance
1
cos 2 ωt = , vL = amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale: ⇔ = 0 L → RL = Z s → Pmax = s
dRL 8 ⋅ Zs
(“adaptation” d’impédance)
Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs d’adaptation d’impédance avec et
vg Ze vg charge sans étage amplificateur = Zs /Rg
133
■ Amplificateur de Darlington
➪ Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade
● Gain en courant :
T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai = = = = h fe1 ⋅ h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
134
● Impédance de sortie du Darlington :
hieT2
+ hieT1
Vcc Z sT2 + hieT1 h fe hieT2
→ Zs ≈ ≈ 2 ≈2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1
T2 T1 kT ⋅ h fe1 kT hieT2
puisque hie = = =
R2 I E T1 e ⋅ I E1 e ⋅ I E2 h fe2
vg 2
I E1 vs
I E1
RE I E2 = I B1 =
hFE1
h
Etage CC unique : Z s = ie
h fe
➪ Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)
➪ Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)
➪ Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs très faible)
136
■ Amplificateur Push-Pull
● Amplificateur classe A / classe B
☛ Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
➨ Amplificateur de “classe A”
Avantages:
➤ faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
➤simplicité
Inconvénients :
➤ Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc ! vCEmax~Vcc/2)
➤ Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
+VCC
R1 RC
(
Palimentation ≅ Vcc ⋅ I CQ + I p )
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…
R1 ICNPN
VBE NPN < ~ 0.6 et VEB PNP < ~ 0.6V
B
NPN
↔ Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE + VEC = VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE ≈ ≈ VEC
vg
R2
ICNPN ≅ ICPNP Q 2 Q
RL
vsortie
B’ PNP ICNPN ICPNP
R1 ICPNP VP
IB~0 IB~0
IC VCENPN
IB=0
VCC/2 VCE
➪ si vg<0 → NPN bloqué, PNP actif … 139
Formation du signal de sortie
IC IC
vg
ib NPN ≅ NPN PNP
h feRL
VCE
VEC
t
ibPNP
Signal de sortie:
vsortie
NPN actif
t
PNP actif
➨ Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.
141
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
R1 comme VD =Vbe →IE ~ID ~0
NPN
☛ Idéalement D1, D2 = diodes de
D1 caractéristiques appariés aux transistors
ID 2 ⋅ V BE
Stabilité thermique
vg D2 RL
ID(VD) et IE (VBE) même dépendance en température
PNP vsortie
T ↑ ⇒ I D ↑⇒ VD ↓ ⇒ VR1 ↓⇒ I D ↓ .
R1
contre-réaction
I D ≅ I E ≅ constant
Remarques:
● L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
➤ Zs plus faible → puissance maximale supérieure 142
4.8.8 Amplificateur différentiel
➪ Deux signaux d’entrée, V+, V- +Vcc
➪ Sortie = collecteur d ’un transistor
Rc Rc
RB
T1 T2
■ Régime statique : (V− = V+ = 0 ) E RB
V+ IE IE V−
➪ Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE
V − 0.7
I E ≅ EE
2 RE
143
■ Régime dynamique: +Vcc
● Mode différentiel: Rc Rc
hyp: V+ = −V− =" ve " Vs
→ I E1 = I E + ie 1 et I E2 = I E − ie RB
2 T1 T2
avec IE la composante continue du courant émetteur. V+ E RB
V−
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie ≅ ie RE
1 2
Par conséquent : I RE = I E1 + I E2 = 2 I E -VEE
➪ Le courant dans RE n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
➪ E constitue une masse dynamique !
E RB
ve − ve ☛ V+ = entrée non-inverseuse
☛ V- = entrée inverseuse
étage EC
Rc h fe Rc h fe
vs = − (− ve ) = ve 144
hie hie
● Mode commun:
+Vcc
hyp: V+ = V− = ve → I E1 = I E + ie
Rc Rc
et I E2 = I E + ie
Vs
⇒ I RE = I E1 + I E2 = 2(I E + ie ) RB
T1 T2
⇒ VE = 2 RE ⋅ (I E + ie ) = 2 RE I E + 2 RE ie V+ E RB
V−
RE
➪La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE
schéma équivalent :
Rc Rc
vs
Rc
RB RB vs ≅ − ve
2 RE
E E’
ve ve d’où le «gain en mode commun »:
2RE 2RE Rc
Ac = − << 1 pour RE >> RC
2 RE
V + V− V − V−
avec Vmc = + et Vmd = +
2 2
v
D’où, par le principe de superposition : vs = Ad vmd + Ac vmc = Ad vmd − mc
CMRR
Ad 2h fe RE
où CMMR = = = « taux de réjection en mode commun »
Ac hie (common mode rejection ratio)
☛ Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée)
146
● Polarisation par miroir de courant
2h fe RE
Il faut CMRR = >> 1
hie
+Vcc
Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes:
IEE
☛ il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R
➪ Solution = source de courant (↔ R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = appariés -VEE
V + VEE − 0.7
→ I EE ≅ I E3 ≅ cc
R
147
Schéma équivalent:
en dynamique
+Vcc
Vs vs
-VEE
148
5. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
VGS
5.1 Introduction
■ Principe de base grille
source G
FET = Source de courant commandée en tension drain
S ID
● Le courant (ID) circule entre la source S et drain D via D
le “canal”: canal (N)
$ canal N : ID >0 de D vers S avec VDS > 0
$ canal P : ID >0 de S vers D avec VSD > 0
● IG ≈ 0 VDS
● La conductivité électrique du canal semiconducteur est
modulée par une effet du champ électrique induit par la
tension VGS entre la grille G et la source S. ID VGS
● Le phénomène physique est non linéaire
➪ Aux valeurs de VDS plus élevées : régime de ~résistance chute de tension dans le canal agit
saturation modulée par sur la conductivité
☛ ~source de courant commandée par VGS VGS → saturation de ID
149
(= mode actif)
■ Différents types de FET
Symboles :
S D S D
G G
JFET à canal P :
Mode de fonctionnement habituel : VGS >0
=> la jonction Grille/Source est polarisée en inverse
=> la zone conductrice du canal rétrécit (apparition d’une « zone déplétée de porteurs »)
=> ID diminue lorsque VGS augmente
➨ Le courant de grille est très faible : courant inverse d’une diode (~nA)
JFET à canal N :
Mode de fonctionnement habituel : VGS < 0
=> ID diminue lorsque VGS augmente en valeur absolue
150
Caractéristique d’un JFET (N): [VGS <0, VDS>0]
2 VDS = VGS + VP
ID (mA) VGS=0
I D ≅ I DSS 1 − GS
V
VGS 16 I DSS
off
12
transistor
bloqué
8
VGS=-1V
4
0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5 2V 4 6 8 VDS (V)
P
VGSoff
Pour VGSoff < VGS < 0 : ID = sature lorsque VDS =VP +VGS où VP = tension de pincement du canal
2
I D ≅ I DSS 1 − GS
V
Dans la zone de saturation on a:
VGS
off
151
☛ JFET(P): VDS, VP <0, VGS,, VGSoff >0. Transistor bloqué ↔VGS >VGSoff
● MOSFET (Métal Oxide Semiconducteur – FET) à appauvrissement (ou à “déplétion”)
Symboles :
canal N D canal P D
G G
NMOS S PMOS S
152
Caractéristique d’un MOSFET (N) :
VDS = VGS + VP
I DS (VGS )V I DS (VDS )V
DS GS
ID ID VGS> 0
I DSS VGS=0
appauvrissement accumulation VGS< 0
VGS
VGSoff 2 VDS
I D ≅ I DSS 1 − GS
V
V GS off
153
● MOSFET à “enrichissement” :
symboles :
◆ Idem MOSFET à appauvrissement sauf que pour VGS=0 le canal n’est pas conducteur
!« MOS normalement bloqué »
MOSFET (N):
VGS >VS (tension seuil) => apparition d’électrons sous la grille.
Cet « enrichissement » local en électrons forme le canal.
MOSFET (P):
VGS <VS (tension seuil) => apparition de trous sous la grille.
Cet « enrichissement » local en trous forme le canal.
154
Caractéristique d’un MOSFET (N) à enrichissement :
ID ID
VGS(V)
Vs VDS (V)
ID V = α (VGS − Vs )2
DS
155
5.2 Modes de fonctionnement et schémas équivalents
■ Mode “résistance variable” : VDS = VGS + VP
ID
VDS
G D
= RDS
S
résistance fonction de VGS
1
Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP :RDS ≅ avec k = constante
V
k ⋅ (VGS + VP ) − DS dépendant du composant
2
☛ Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent inférieure à 0.5V.
☛ Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.
JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS ≈ 0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V).
id = g m v gs avec g m = ∂ I D =“transconductance”
∂ VGS V ID (mA)
DS
16
12
➪ schéma linéaire équivalent: Q 8
G id D 4
v gs g m v gs vds 0
ρ VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de l’augmentation de vds avec id
(équivalent de l’effet Early)
g m = g mo 1 − GS , avec g = 2 I DSS
V
VGS mo = pente pour VGS=0
off V GS off
MOSFET à enrichissement
g m = g mo (VGS − Vs ), avec g mo = 2α
(
Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m −1 = 0.1 − 1kΩ )
158
5.3 Quelques circuits de polarisation
+VDD
RD 1 ID ID V − VDS
ID = − VGS I D = DD
ID RS R D + RS
IG ≈ 0 G D
S
RG ID Q ≠ VGS
Q
Q’
RS Q’
VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2
I D ≅ I DSS 1 − GS
V
VGS
off ➪ ID , VGS , VDS .
V
I D = − GS 159
RS
■ Polarisation par pont diviseur
+VDD ID
V −V
RD I D = th GS
RS
R1 Q Q’ Vth
D
RS
S VGS
R2
RS VGSQ Vth
160
■ Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)
+VDD
V − VDS I G ≈ 0 → VGS = VDS
I D = DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS ↑
S
VGS(V) VDS (V)
VDD
I G ≅ 0 → VGS = VDS
161
5.4 Montages amplificateurs
RD JFET
R1R2
R1 R// =
C C vg vgs R1 + R2
D vs RD vs
R// gmvgs
S
vg R2
RS C Ze Zs
➪Impédance de sortie : Z S = RD
VCC
JFET
R1 RD
vg vgs gmvgs RD
D R// vs
S vs
vg R2 rS
rS
RS
Gain en tension : v g = v gs + rs g m v gs et vs = − g m v gs RD
v g R RD
d’où : Av = s = − m D = −
vg 1 + rs g m 1
+ rs
gm
☛ L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.
ve G JFET D
VCC
R1
vg vGS
R1//R2 gmvGS
D S
vg S
R2 RS vs
RS vs Ze
Zs
g m RS RS
➪ Gain en tension (circuit ouvert) : Av = = ≈1
1 + g m RS g m −1 + RS
➪Impédance d’entrée : Z e = R1 // R2
vsc.o. Rs g m −1
= Rs // g m −1
Rs
➪Impédance de sortie : Zs = = =
isc.c g m Rs + 1 Rs + g m −1
164
Remarques:
Tout FET se comporte comme une source de courant commandée en tension, avec une
transconductance qui varie linéairement avec la tension grille - source.
En comparaison avec le transistor bipolaire, les FET ont un domaine de linéarité réduite
(caractéristique quadratique) et un gain en tension plus faible.
165
5.5 FET comme résistances variables : quelques exemples avec un JFET(N)
1
☛ Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS ≅
V
k ⋅ (VGS + VP ) − DS
2
ex:
R
vsortie RDS
→ vsortie = ventrée
ventrée RDS + R
166
Amélioration possible: 1
RDS ≅
V
k ⋅ (VGS + VP ) − DS
2
R
vsortie
ventrée
R1
→ VGS =
VDS Vcom
+ (I G ≈ 0)
2 2
1
R1 → RDS ≈
Vcom k (Vcom + VP )
167
Application: Commande électronique de gain
5k
75k
168
6. Contre-réaction et amplificateur opérationnel
!Circuit bouclé : ve e A vs
La sortie agit sur l’entrée
vs = A ⋅ e = A(ve − B ⋅ vs ) B.vs
B
? A
→ vs = ve
1 + AB
!Rétroaction positive : l’action de la sortie sur l’entrée renforce la variation du signal de sortie
A
vs = ve comportement non-linéaire ! A,B modifiés
1 + AB
vs ↑→ Bvs ↑→ e ↓→ vs ↓ L
A
➪ la sortie converge vers : vs = ve = G ⋅ ve
1 + AB
• G = gain en boucle fermée :
• G<A
1
• Si AB >>1 , G ≈ ⇒la variation ou toute incertitude sur A n’affecte pas G.
B ⇒ Amélioration de la linéarité
☛ B = “taux de réinjection”
170
Exemple: VCC ic
R1 RC
hie i
e hfeib
CB E
CC vg Rc vs
RL RE ie
ve vs
R2R
E
[vs ↑⇔ i ↑] → ic = ie ↓ → vE = RE ie ↓ → e ↑ → ib ↑ → ic ↑ → vs ↓
RE ! contre-réaction
v R Rc ! 1
vE = RE ie ≅ RE − s = − E vs = B ⋅ vs ⇒ Av ≅ − =
Rc Rc RE B
e = v g − B ⋅ vs
indépendant de hie et hfe!
171
■ Montage “Série - parallèle” (contre réaction en tension):
➩ Entrée en série avec le circuit de
ie
rétroaction
Av.vi Ri ➩ Sortie en parallèle avec B
ve vi Ze vs RL !Gain en “boucle fermé”:
Ampli. vs A
L→ G = =
ve 1 + AB
“Explication qualitative ”:
si vi “tentait” d’augmenter, l’augmentation importante de vs (A fois plus élevée… ) s’opposera, via
B, à cette variation. 172
ie
!Impédance d’entrée
Ri
Av.vi
v v + B ⋅ vs vi (1 + AB ) ve vi vs RL
Ze B.F .
= e= i = = Z e (1 + A ⋅ B ) >> Z e Ze
ie ie ie
vr B
☛ B.F.=“boucle fermée”
!Impédance de sortie
v (R = +∞ )
Lorsque RL = Z s B.F on a vs (RL ) = s L
2
vr B Ze B
Zs
A(RL )
vs (RL ) =
RL
A(RL ) =
B B
ve avec Av et ri = Ri // Z E ≈ Ri si Z E >> Ri
1 + A(RL )⋅ B RL + ri
Av
→ vs = ve
ri
+ (1 + Av B )
RL
v (R = ∞ ) ri
⇒ vs = s L ↔ RL = = Z s B.F . << Ri
2 1 + Av B
Conclusion
175
● Le schéma simplifié (!) du LM741 :
1.12V
Paire différentielle
avec “Darlington”
VCC
➪ Par contre-réaction : vi≈0
R Vcc − Ve
R1 ➪ I sortie ≅ (hyp: hFE élevé , AO parfait)
VCC R
Ve
Isortie
R1
L → I sortie = Ve
R2 R3
R2
177
Régulateur
➩ VA augmenterait
A
741
B I1 10
max
I sortie <
Z s Darlington
5.6k
DZ:5.6V
178
■ ANNEXE: Rappel de quelques montages de base avec A.O.
i2 R2
Amplificateur inverseur i1 R1 ie
-
vd Ad
+
vi ie ’ vs
R 1 A →∞ R
→ vs = −vi 2 d → − vi 2
R1 R 1 R1
1 + 1 + 2
R1 Ad
d’où le gain en tension du montage :
v R
Av = s = − 2 = indépendant de Ad !!, ne dépend que des éléments passifs.
vi R1 (à condition que Ad >>1+R2/R1)
☛ vd=vs/Ad << vi ex : vs= 10V, Ad=105 → vd = 100µV ~ court-circuit entre les deux entrées
➪ L’entrée inverseur constitue une « masse virtuelle » ↔ v-= 0 avec i-=0 ! 179
i2 R2
Amplificateur non- inverseur
i1 R1 ie
-
vd Ad
+
ie ’ vs
vi
v −v −v v R2
A.O. idéal → ie, ie’= 0 et Ad infini vd = 0 i1 = i2 = i s = i → s =1+
R2 R1 vi R1
Interprétation: Contre-réaction en tension
si vd ↑, vs = Ad vd ↑↑ ( Ad >> 1) ⇒ v− ↑ ⇒ vd = −v− ↓ vd se stabilise
par contre, si vd ↓, vs = Ad vd ↓↓ ( Ad >> 1) ⇒ v− ↓ ⇒ vd = −v− ↑ rapidement à 0
Symbolisme d’automatisme:
vd vs
vs = Ad (vi − Bvs ) ⇒ s =
v Ad
vi - Ad
vi 1 + Ad B
v-
B
vs 1 R2
R1 Pour Ad>>B-1, = =1+
avec B= vi B R1
R1 + R2 180
● Influence des imperfections de l ’AO: courants et tension d’offset
Schéma équivalent :
Vd o
+
I+ vd Ze Zs
- Ad vd
Vsoffset
I-
181
Méthode de compensation :
☛ Pour maintenir Vsoffset faible on cherche à ce que les résistances vues des deux entrées soient
identiques.
I R1 + I R2 = I −
Circuit sans compensation :
En première approximation:
pour Ad suffisamment élevé, vd ≈0 (masse virtuelle)
I R2 R2 (1MΩ)
VR1 = 0 ⇒ I R1 = 0 V
V− = − s ~ 0
R1(100k Ω) I- Ad
- d ’où I R2 ≈ I −
I R1 vd Ad
+ et Vs offset = R2 I − = 0.1V
I+ Vs
182
Circuit avec compensation :
Méthode de compensation : insertion d’une résistance appropriée entre la masse et l’entrée non-inverseur
R2
lorsque Vs = 0, V− = − I − ⋅ (R1 // R2 ) = − I − ⋅ " R// "
R1 I-
-
Ad En prenant R+ = R// on aura : V+ = − I + R//
vd
+
R+ I+ Vs En conséquence si I- ≈ I+ , on garde vd =V+-V- = 0 et Vs=0.
R
☛ Si Vdo ≠ 0 et I+-I-=Ioffset, on aurait : Vs offset = − I offset R2 + Vd o 1 + 2
R1
:-(( :-))
183