Les photo-lments

I) Notion de photomtrie

Nature ondulatoire
.f = c (c : vitesse de la lumire c=3. 108 ms-1) couleur (http://www.techmind.org/colour/coltemp.html)

Nature corpusculaire E = hf (h constante de Plank h=6,626 10-34 J.s) p= h/

Changement des units d'nergie en eV : E = e.V (e : charge de l'lectron : e = 1,6 10-19 C) Flux nergtique : puissance transporte par l'ensemble des radiations (Watt) clairement nergtique : sur une surface rceptrice E=/S (W/m2) ou Exitance : si c'est en mission (note M) (unit photomtrique lm/m2= lux = lx) Intensit nergtique : I= (W/Str) Flux lumineux : impression que fournit la rtine d'un observateur talon (lumire solaire 1W -> 250 lm, lumire jaune =0,55m 1W -> 650 lm) Sensibilit (d'un lment photosensible) : courant dbit / flux lumineux incident (A/lm) Sensibilit spectrale : sensibilit en fonction de la longueur d'onde Pouvoir optique (d'un lment lectroluminescent) : flux nergtique mis par unit d'intensit (W/A) II) Incandescence: lumire mise par les corps chauds Corps noir satisfait : loi de Lambert : indpendance de la direction d'mission loi de Kirchoff : aucun autre corps ne peut rayonner plus d'nergie loi de Stephan-Boltzmann : E = T4 (en W/m2) avec =5,67.10-8W.m-2K-4. 6 Loi de Wien : max = 2,897.10 /T (en nm)
(http://www.techmind.org/colour/coltemp.html)

III) Luminescence Toute mission de lumire qui n'est pas d'origine thermique.

IV) Conduction lectrique Mobilit : = v/E Densit de courant : j = n.e.v = n.e..E = .E avec = n.e. (conductivit en -1.m-1) Rapport avec . 1) Conducteur et semi-conducteur Bandes de valence et bandes de conduction. A 27C Si : ni=pi=1,5 10-16 m-3 et Ge : ni=pi=2,5 10-19 m-3 2) Dopages N : Phospore P : Bore V) Cellule photolectrique Travail d'extraction WS. Relation avec longueur d'onde. Cs : s= 0,68 m, K : s= 0,54 m, Zn : s= 0,37 m (U.V.). Sensibilit (thorique) Sensibilit (pratique)

s Les photons trop nergtiques pntres trop profondment et n'jectent pas d'lectrons.

VI) Photorsistance Lorsque le composant n'est pas clair, seuls quelques lectrons sont librs par agitation thermique et la conductivit est faible (rsistance d'obscurit 104 1O9 ) Relation entre longueur d'onde et bande interdite (Wi) I(mA) I
2000 1000 E=500 lux 300

10

V U0

100

0 VII) Photodiode

V(V)

Le courant varie en fonction de l'clairement lumineux reu. Les photons crent des paires lectrons-trous dans la zone dserte ce qui fait varier le courant inverse. Montage photoconducteur Vd R Vs Rsistance nulle donne courant de courtcircuit Rsistance leve donne la tension vide Id Vd Droite d'attaque R Vcc R Vd + R1 Vs R2 Vs=Ri i Vd Droite d'attaque Montage photovoltaque Id Vd R Vs

Vcc

Exprimer iD=f(VCC,vD,R) Id Vcc Vd

+ Vs

Vs=(1+R2/R1)Ri

VIII) Phototransistor Phototransistor : gnralise ce principe sur la jonction collecteur base. Parfois le flux lumineux est ralis par une diode lectroluminescente. Voir caractristiques ci- dessous (on parle de photocoupleur) : RD=300 RT=200

IC(mA)
150

ID = 14 mA 12 10 8 6 4 2

ID(mA) 10

60

ED = 5V 1,5 2 UD (V)

UT = 30V

15

UCE (V)

IX) Diode LED

X) Diode LASER (mission, absorption, mission stimule) On rappelle qu'une diode est compose de deux parties en semi-conducteurs dops. Pour la suite on dsignera le substrat qui constitue la diode par sa composition de base, savoir le silicium sans s'occuper des dopages. Nous allons modliser une diode laser classique. Ce circuit comporte une diode laser mettrice et une diode PIN permettant de surveiller la puissance effectivement mise. Les caractristiques constructeur sont fournies en figure 8. La figure 8.a donne la dpendance entre le courant dans la diode IL et la puissance optique mise P0. La figure 8.b donne la dpendance entre le courant et la tension Ud aux bornes de la diode laser. Le courant de seuil IS est dfini comme le courant partir duquel l'mission laser commence. La figure 8.c donne la dpendance de ce courant de seuil avec la temprature T du botier. Enfin la figure 8.d donne le courant circulant dans la diode PIN IPIN en fonction de la puissance P0 mise par la diode laser.

Puissance optique de sortie (mW)

2,0 1,6 1,2 0,8

P0
5C 25C
Courant direct diode laser (mA)

100 80 60 40

IL

60C 70C

70C
20 0

0,4 0 0 40 60 20 IL : courant direct diode laser (mA)

25C

Figure 8.a

1,0 0,5 Ud : Tension directe diode laser (V)

1,4

Figure 8.b

IS
Courant de seuil (mA)

P0
Puissance optique de sortie (mW)

2,0 1,6 1,2 0,8

0,4 0 0

12,5

IPIN

Temprature du botier T (C)

400 200 : Courant diode PIN (A)

Figure 8.c

Figure 8.d

Question 2.1. La diode laser est donc un transducteur qui absorbe une puissance lectrique et met une puissance optique. A partir des caractristiques constructeur (figures 8), calculer le rendement de la diode laser pour un courant de 40 mA et une temprature de 70 C. Question 2.2. Le courant de seuil (not IS par la suite) dpend de la temprature : on le constate en figure 8.a et la figure 8.c le confirme. A partir de cette documentation trouver la loi donnant le courant de seuil IS en fonction de la temprature. On exprimera cette loi sous la forme IS = C0.expC1T (T en C et IS en mA)

en calculant les coefficients C0 et C1 en prcisant leurs units.