You are on page 1of 33

T.C.

ERCYES NVERSTES MHENDSLK FAKLTES ELEKTRONK BLM

sinem kezban yayla


DEVRE ANALZ LABORATUARI DERS DENEY FY

KAYSER - 2003

DENEY-1 OHM VE KIRCHOFF KANUNLARININ NCELENMES


Deneyin Amac: Ohm ve Kirchoff kanunlarnn geerliliinin deneysel olarak gzlenmesi. Kullanlan Alet ve Malzemeler: a) DC g kayna b) Avometre c) Deiik deerlerde diren ve balant kablolar Teorinin zeti: Bir doru akm devresinde, bir diren zerinden akan akm, elemann ularna uygulanan gerilimle doru, elemann direnci ile ters orantldr. Buna ohm kanunu denir.(I=V/R). Bir DC devrede kapal bir evredeki gerilim dmlerinin cebirsel toplam sfrdr. Buna Kirchoffun gerilim kanunu denir. Bir dm noktasna gelen ve giden akmlar birbirine eittir. Buna da Kirchoffun akm konunu denir. Ek Bilgiler ve Teorinin Aklamas: Elektrik Akm : Kat, sv yada gaz iletken iinde elektrik yklerinin yer deitirmesi olarak tanmlanr. r Bir iletkende hacimsel younluu ve ortalama devinim hz v olan elektrik ykleri varsa, akm younluu vektr r r J = v eitlii ile tanmlanr. Bu vektr, btn noktalarda akm izgilerine zttr ve modl birim zamanda birim yzeyden geen yke eittir. ( Modl : z=x+yi eklindeki bir kompleks say ise, znin modl
z = x 2 + y 2 dir. Bir vektr iin ise modl kavram vektrn bykl olarak

tanmlanabilir.)
r Bir s yzeyinden geen i akm, J vektrnn s yzeyindeki aksna eittir. Yani r r i = J ds yazlabilir.
s

Sonsuz kk dt zaman aral mddetince s yzeyinden geen dq yk r r dq = dt Jds yazlabilir. s 1 3 2


i

Bu durumda i =

dq yazlabilecektir. dt

Bir iletkenden akm gemesi iin, bu iletkenin kapal bir devreye yerletirilmi olmas ve bu devrede elektromotor alanyla belirlenen en az bir elektrik enerjisi retecinin bulunmas gerekir. Bir iletkenden bir elektrik akm getiinde, aada sralanan eanl olay gzlemlenebilir : i) ii) iletkenden s aa kar, iletkeni evreleyen uzayda manyetik bir alan oluur; bu durumda iletken yaknna getirilen bir mknatsl inede sapma gzlenir, ayrca iletkene yaklatrlan bir mknats da iletken zerinde bir etki dourur, 1

iii)

letken kesilerek iki ucu bir tuz zeltisine daldrlrsa, zeltide kimyasal bozunma meydana gelir.

Yukarda belirtilen etkilerden ilk etki akm ynnden bamszdr, fakat alternatif (dnemli, almak, arpntl) akm iin dier iki etki her alternansta (dnemde) yn deitirir. Elektrik akmnn uluslar aras sistemde birimi amper (A) dir. Elektriksel potansiyel ve potansiyel fark (gerilim) : r Bir E elektrostatik alan iine bir q 0 yk yerletirildiinde, bu deneme yk zerine bir elektriksel kuvvet etki eder ve bu elektriksel kuvvet r r F = q 0 E ile hesaplanabilir. r q 0 E kuvveti tarafndan yaplan i, bir d etken tarafndan yk zerinde bu byklkteki bir r ii oluturabilmek iin gerekli iin negatifine eittir. Ayrca, sonsuz kk ds yer deiimi r iin deneme yk zerinde q 0 E elektriksel kuvveti tarafndan yaplan i r r r r dW = F ds = q 0 Eds ile verilir. Korunumlu kuvvet tarafndan yaplan i potansiyel enerjideki deiimin negatifine eittir. Bylece : r r dU = q 0 E ds olur. Deneme ykn A ve B noktalar arasnda yer deitirmesi halinde, potansiyel enerji deiimi
B r r U = U B U A = q 0 Eds ile verilir. A

A ve B noktalar arasndaki VB-VA potansiyel fark, potansiyel enerji deiiminin q 0 deneme ykne blm olarak tanmlanr :
B r UB U A r VB V A = = Eds . q0 A

Potansiyel fark, potansiyel enerji ile kartrlmamaldr; potansiyel fark, potansiyel enerji ile orantldr yani U = q 0 V yazlr. VB-VA potansiyel fark, kinetik enerjide bir deiim olmakszn bir deneme ykn bir d etken tarafndan A noktasndan B noktasna gtrmek iin birim yk bana yaplmas gereken ie eittir. Bir elektronik devrede gsterimler : Dm : ki veya daha ok elektronik devre elemannn birbirleri ile balandklar balant noktalarna dm ad verilir. Dm, akmn kollara ayrld yollarn

birleme noktalar olarak da tarif edilebilir. Gz : Bir dmden balayarak, bu dme tekrar gelinceye dek elektriksel yollar zerinden sadece bir kez gemek art ile oluturulan kapal devreye gz (evre) ismi verilir. rnein yukardaki devre eklinde A, B, C, D, E=F=G noktalar birer dm olarak tanmlanrken, A-B-F-G, B-C-D-E-F ve A-B-C-D-E-F-G kapal erileri de birer evre (gz) olarak tanmlanabilir. Akm, gerilim, diren ve ohm kanunu gibi kavramlar tanmlandna gre Kirchoffun (Gustav Robert Kirchoff, 1824-1887) elektronik devreler iin nerdii Kirchoff kanunlarnn tanmlarna bu noktadan itibaren geilebilir. Kirchoffun elektronik devrelerde yaygnca kullanlan iki kanunu vardr : i) ii) Kirchoff akm kanunu (Kirchoff Current Law, KCL) Kirchoff gerilim kanunu (Kirchoff Voltage Law, KWL)

Kirchoff Akm Kanunu : Bir elektriksel yzeye veya bir dm noktasna giren (dm besleyen) akmlar ile bu yzey/dm noktasndan kan (dm tarafndan beslenen) akmlarn cebirsel toplamlar 0 (sfr) a eittir.
i7 i6 i1 i2 i5 i4 i3

Dm noktasn besleyen akmlar (giren) :

i1,i3,i4,i7
Dm noktasndan beslenen akmlar (kan) :

i2,i5,i6.
Bu durumda

i1 + (i 2 ) + i3 + i 4 + (i5 ) + (i 6 ) + i 7 = 0 i1 i 2 + i3 + i 4 i5 i 6 + i 7 = 0 i1 + i3 + i 4 + i 7 = i 2 + i5 + i 6 yazlabilir.

Kirchoff Gerilim Kanunu : Bir elektronik devrenin sahip olduu evre(ler)deki gerilim dmlerinin cebirsel toplam 0 (sfr) a eittir.

i1 akmnn dolat kapal evre iin

Vs VR1 VR2 VR3 = 0 i2 akmnn dolat kapal evre iin

VR3 VR4 VR5 = 0 iin Vs VR1 VR2 VR4 VR5 = 0 yazlabilecektir. ve i3 akmnn dolat kapal evre

Deneyin Yapl: 1- ekil-1 verilen devreyi kurunuz. 2- R1 direnci zerindeki gerilimi ve zerinden akan akm lerek Ohm Kanunun geerliliini gzleyiniz. 3- I ve II no lu gzlerdeki elemanlar zerindeki gerilimleri lerek Kirchoffun gerilim kanunu geerliliini gzleyiniz. 4- A ve B dm noktalarna gelen ve giden akmlar lerek Kirchoffun akm kanunu geerliliini gzleyiniz. 5- lmeleri yaparken paralel kollardaki gerilimlerin ve seri kol zerindeki akmlarn bir birine eit olduunu kontrol ediniz. 6- lme sonularn Tablo 1.1 e kaydediniz. 7- Kaynak gerilimini ltnz deerde alp teorik olarak hesaplayacanz akm ve gerilim deerleri ile llen deerleri karlatrnz.

ekil 1. Vs = 5V R1 = 1K R2 = 2.2K R3 = 3.3K R4 = 4.7K R5 = 4.7K R6 = 10K

Tablo 1.1. Hesaplanan ve llen Deerler I1 (mA) lme Hesap VR1 (V) lme Hesap VR2 (V) VR3 (V) VR4 (V) VR5 (V) VR6 (V) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5(mA) I6 (mA)

DENEY-2 SPER POZSYON TEOREMNN NCELENMES


Deneyin Amac: Sper pozisyon teoreminin geerliliini deneysel olarak gzlemektir. Kullanlan Alet ve Malzemeler: a) DC g kayna b) Avometre c) Deiik deerlerde diren, bobin, kondansatr ve balant kablolar Teorinin zeti: Birden fazla kaynak ieren bir devre gz nne alndnda; bu kaynaklarn devre zerindeki toplam etkisi her bir kaynan tek bana meydana getirdii etkilerin toplamna eittir. Buna sper pozisyon teoremi denir. Tek bir kaynan etkisi incelenirken, o kaynan dndaki kaynaklar etkisiz hale getirilir( Akm kaynaklar ak devre, gerilim kaynaklar ise ksa devre). Tek tek her bir kaynan etkisi elde edildikten sonra bu etkiler toplanarak tm kaynaklarn toplam etkisi elde edilir. Ek Bilgiler ve Teorinin Aklamas: Ohm Kanunu ve Diren :
r Bir iletkenin uar arasna bir potansiyel fark uygulanrsa, iletken iinde bir J akm r younluu ve bir E elektrik alan meydana gelir. ayet potansiyel fark sabit ise iletken iindeki akm da sabit olacaktr. ou zaman bir iletken iindeki akm younluu, elektrik alanla doru orantldr. Yani r r J = E dir.

Buradaki orant katsaysna iletkenin iletkenlii ad verilir. Yukardaki eitlie uyan maddelerin, George Simon Ohm (1787-1854) ismine izafeten Ohm Kanununa uyduklar sylenir. Daha zel olarak ;
Ohm Kanunu : Ularna elektriksek potansiyel fark uygulanan birok madde iin maddenin akm younluunun elektrik alanna orannn sabit ( ) olduunu ifade eder. Bu sabit, akm douran elektrik alandan bamszdr. r r Ohm kanununa uyan ( E ile J arasnda dorusal ilikisi olan) maddelere omik, bu kanuna uymayan maddelere ise omik olmayan maddeler ad verilir. Ohm kanunu temel bir kanun olmayp, sadece belirli maddeler iin geerli deneysel bir bantdr.

ekildeki gibi A kesitinde ve L boyunda olan bir iletken iin, iletkenin ularna bir elektrik alan ve akm meydana getirecek Vb-Va potansiyel fark uygulanacak olursa : letkendeki elektriksel alann dzgn olduu kabulyle : V = Vb Va = EL olacaktr. letkendeki akm younluunun bykl J = E V J = eklinde bulunacaktr. L

J birim alandaki akm younluu olarak tarif edildiinden :

J=

I I V yazlr ve = eitlii kurulabilir. A A L

L L olmaktadr. Buradan V = I bulunur ki burada V = I R dir ve R = A A 1 3 2


R

L 1 niceliine iletkenin direnci ad verilir. Eer = ( iletkenlik olmak zere) zdiren A kavram tanmlanacak olursa : R=
Direnler iin renk kodlar:
Renk Siyah Kahverengi Krmz Turuncu Sar Yeil Mavi Mor Gri Beyaz Altn Gm Renksiz Say 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 arpan Tolerans 1 10 102 103 104 105 106 107 108 109 10-1 %5 -2 10 %10 %20

L
A

yazlabilecektir. = / m

Tolerans arpan 2. basamak 1. basamak

Tolerans arpan 3. basamak 2. basamak 1. basamak

Sper pozisyon Teoreminin Uygulanmas:

Sper pozisyon teoremi, devre kaynaklarnn devre zerindeki toplam etkisinin, her bir kaynan tek bana meydana getirdii etkilerin toplamna eit olduunu ifade etmektedir. Yandaki devrede gerilim kaynaklar ve direnlerin edeer olduunu varsayarak R2 direnci zerindeki gerilim iin;

R1=R2=R3=R ve Vs1=Vs2=V iin; 2 R2 direnci zerindeki gerilim, VR2 = V olarak elde edilir. 3 Sper pozisyon tekniini inceleyebilmek iin ncelikle ilk kaynan devre zerinde etkisini grelim. kinci kaynak bamsz bir gerilim kayna olduundan bu durumda ksa devre olacaktr. Devre analiz edilecek olursa; 1 I V R2 = V olarak elde edilir. 3

imdi ise lk bamsz gerilim kayna ksa devre edilip ikinci kaynan etkisi incelenecek olursa; Devre analiz edilecek olursa; V R2
II

1 = V olarak elde edilir. 3

Sper pozisyon teoremine gre VR2 = VR2 + VR2 V R2 = VR2 + VR2 =


I I

II

olduundan;

V V 2V olarak elde edilir ki, bu sonu yukarda yaplan ilk zm ile + = 3 3 3 ayndr. Elde edilen bu sonular sper pozisyon teoreminin doruluunu gstermektedir.
Deney Yapl: 1- ekil-2de verilen devreyi kurunuz. 2- VS1 aktif iken (VS2 devrede deil ve ular ksa devre iken) akm ve gerilim deerlerini lp Tablo 2.1 e kaydediniz. 3- VS2 aktif iken (VS1 devrede deil ve ular ksa devre iken) akm ve gerilim deerlerini lp Tablo 2.1 e kaydediniz. 4- VS1 ve VS2 aktif iken akm ve gerilimleri lp Tablo 2 e kaydediniz. 5- 2. ve 3. klarda elde edilen deerlerin toplamlarnn 4. kta elde edilen deerleri verip vermediini kontrol ediniz.

ekil 2. Sper pozisyon teoreminin incelenmesi iin dzenlenen devre Vs1 = 12V Vs2 = 5V R1 = 1K R2 = 2.2K R3 = 3.3K R4 = 3.9K R5 = 4.7K Tablo 2.1. Hesaplanan ve llen Deerler I1 (mA) lme Hesap VR1 (V) lme Hesap VR2 (V) VR3 (V) VR4 (V) VR5 (V) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5(mA)

DENEY-3 THEVENN TEOREMNN NCELENMES


Deneyin Amac: Thevenin teoreminin geerliliinin deneysel olarak gzlenmesi. Kullanlan Alet ve Malzemeler: a) DC g kayna b) Avometre c) Potansiyometre, deiik deerlerde direnler ve balant kablolar Teorinin zeti: ok sayda elaman bulunan herhangi bir devrenin bir elemann veya sadece bir ksmnn incelenmesi gerektiinde, tm devreyi gz nne almak yerine, incelenecek eleman yada devre parasn btn olan devreden ayrp geriye kalan devre parasn bir kaynak ve buna seri bal bir empedans ile temsil etmek suretiyle, inceleme basite indirgenebilir. Bu ilemde kullanlan teoreme Thevenin teoremi denir ve elde edilen edeer devreye Thevenin edeer devresi ad verilir.

(a)

(b)

(b)

(d)

Vs =12V R1 = 1K R2 =3.3K R3 =330 R4 =270 R5 =100


ekil 3. a) Deney iin verilen devre, b) Verilen devrenin Thevenin edeer devresini oluturmak iin ak devre geriliminin elde edilmesi, c) Verilen devrenin Thevenin edeer devresini oluturmak iin Rth edeer diren deerinin elde edilmesi, d) Genel devrenin Thevenin edeer devresi.

Bu edeer devre oluturulurken ilgili eleman veya devre paras devreden karlr ve geriye kalan ( Thevenin edeeri bulunacak olan ksm) ksmn ayrlma noktalar arasndaki ak devre gerilim belirlenip bu gerilim Thevenin edeer devresinin kaynak gerilimi olarak 9

kullanlr. Daha sonra edeeri elde edilecek devre parasndaki kaynaklar etkisiz hale getirilerek (gerilim kaynaklar ksa devre, akm kaynaklar ak devre edilerek) devrenin blnd noktalardan bakldnda grlen empedans hesaplanr ve Thevenin edeer empedans olarak isimlendirilen bu empedans daha nce belirlenen kaynaa seri olarak balanr. Bir kaynaktan ve ona seri bal bir empedanstan oluan bu edeer devre, incelenecek ksmn devreden sklmesi durumunda geriye kalan ksmn Thevenin edeeridir. ekil 3.ada verilen devre gz nne alndnda, a-b ularndan grlen Thevenin edeer devresinin oluturmak iin Vab ( Vth ) ak devre gerilimi ekil 3..bden, a-b ularndan grlen edeer dirente (Rth ) ekil 3.cden belirlenerek ekil 3.ddeki edeer devre elde edilir.
Ek Bilgiler ve Teorinin Aklamas: Yldz-gen ve gen-Yldz Dnmleri:

Yldz-gen ve gen-yldz dnm ilemleri olarak adlandrlan ilemler, bir takm devrelerin zmleri aamasnda kullanlmas olduka avantajlar salayan ilemlerdir. Bu dnmler ile yldz yada gen balantya sahip elemanlarn dier balant yapsna gemesi iin gerekli kriterler retilmi olur.
Yldz-gen Dnm:

Aada yldz ve gen balant ekilleri ile yldz balantdan gen balantya gemek iin kullanlan denklem takmlar verilmitir.

10

gen-Yldz Dnm:

Aada gen ve yldz balant ekilleri ile gen balantdan yldz balantya gemek iin kullanlan denklem takmlar verilmitir.

Deneyin Yapl: 1- ekil 3.a da verilen devreyi kurunuz. 2- RL direnci zerinden akan akm ve bu diren zerinde den gerilimi lerek kaydediniz. 3- RL direncini devreden kartarak a-b ularndaki ak devre gerilimini lp kaydediniz. 4- Kayna kapatp kaynaa bal ular ksa devre ederek a-b ularndan grlen direnci ohmmetre yardmyla lp kaydediniz. 5- ekil 3.d de verilen devreyi kurunuz. 6- V1 gerilimini potansiyometre yardmyla Vab ye ayarlaynz . 7- RL direnci zerinden akan akm ve bu diren zerinde den gerilimi lerek kaydediniz. 8- 2. kta llen deerlerle 7. kta llen deerleri karlatrnz.

NOT: ekilde verilen iaret ynlerini dikkate alarak ters ynde kan deerleri (-) iaretli olarak alnz. Tablo3.1. Deney almasnda llen Deerler Normal Devre IRL(ma) VRL (V) Thevenin Edeeri VRL(V) IRL(ma) Vs= Vab(V) Rab (ohm)

11

DENEY 4 MAKSMUM G TRANSFER TEOREMNN NCELENMES


Deneyin amac: Maksimum g transferi teoreminin geerliliinin deneysel olarak gzlenmesi Kullanlan alet ve malzemeler: 1-DC g kayna 2-Avometre 3-Potansiyometre, deiik deerlerde direnler ve balant kablolar Teorinin zeti: i dirence sahip herhangi bir kaynaktan bir yke maksimum g transferi yaplabilmesi iin yk empedans, kaynak i empedansnn kompleks elenii olmaldr. Buna maksimum g transferi teoremi denir.

Vs = 5V Rs = 10K

ekil 4. Deney almas iin Balant emas Ek Bilgiler ve Teorinin Aklamas: Teorinin Aklamas:

Devre ara balam yani devrede yer alan ara balantlar arasnda sinyal gcnn istenilen ekilde kontrol edilebilmesi elektronikte yer alan nemli hususlardan birisidir. Bir kaynak, Thevenin edeeri birlikte ifade edilebileceinden ara balamda oluacak gerilim;
v= RL VTh RL + RTh

olarak elde edilir. Sabit bir kaynak ve deiken bir yk gz nne alnrsa, yk direnci, Thevenin edeer direncine gre ne kadar byk olursa ara balamda oluacak gerilim derece yksek olacaktr. dealde yk direncinin sonsuz deerde olmas yani bir ak devrenin yer almas istenir. Bu durumda, Vmax = VTh = Voc olacaktr. Ara balamda oluan akm deeri ise;

12

i=

Vth R L + RTh

eklindedir. Yeniden sabit bir kaynak ve deiken bir yk direnci gz nne alnrsa, yk direnci Thevenin edeer direncine gre ne derece kk deerlikli olursa burada akacak akm o derece byk olacaktr. Dolaysyla maksimum akm akmas iin ara balamda bir ksa devre olmas istenir. Bu durumda,
imax = VT = i sc RT

olacaktr. Arabalamda oluacak g v.i olarak ifade edileceinden elde edilecek g; p= RL .VTh ( RL + RTh ) 2
2

eklinde ifade edilebilir. Verilen kaynak iin RTh ve VTh deerleri sabit olacandan elde edilebilecek g sadece yk direncinin deiimine bal olarak deiecektir. Gerek maksimum gerilim ( RL = olmal ) gerekse de maksimum akm ( R L = 0 olmal ) retilebilmesi iin gerekli arlar altnda elde edilebilecek g sfr olmaktadr. Dolaysyla yk direncinin bu iki deeri altnda gc maksimum deerine getirebilecei sylenebilir. Bu yk direnci deerinin bulunabilmesi iin gcn yk direncine gre trevi alnp sfra eitlenirse;

dp [( RL + RTh ) 2 2 R L ( RL RTh )]VTh = =0 dRL ( R L + RTh ) 4


( RL RTh ) dp 2 = V =0 3 Th dRL ( RL + RTh )

ifadesi elde edilir. Dolaysyla bu eitlikten de aka grlecei zere yk direnci, kaynan Thevenin edeer direncine eit olduunda trev ifadesi sfr olmaktadr. Dolaysyla maksimum g RL = RTh art altnda gereklemektedir. Bu durumda maksimum g;

p max

V = Th olarak elde edilir. 4 RTh

Deney almas: 1-Kaynak kna iki deiik diren balayp bunlarn zerinden akan akmlar okuyarak kaynak i direncini belirleyin. 2-ekil 4.deki devreyi kurunuz. 3-RL direncini kaynak direncine, bu direncin altndaki ve stndeki diren deerlerine ayarlayarak, her bir RL deeri iin okuyacanz akm ve gerilim deerlerini lp tablo1e kaydediniz. 4-Her bir RL deeri iin bu dirente harcanan gc hesaplayarak, diren deerine bal olarak yke aktarlan gcn deiimini gsteren grafii iziniz

13

Tablo 4.1 Yk direnci RL (ohm) 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 Yk akm (mA) Yk gerilimi (V) G (mW)

14

DENEY-5 BLNMEYEN L VE C DEERLERNN AVOMETRE YARDIMIYLA BELRLENMES VE BUNLARIN EMPEDANSLARININ FREKANSA GRE DEMLERNN NCELENMES
Deneyin Amac: Bilinmeyen L ve C elemanlarnn deerlerini avometre yardmyla belirlemek ve bunlarn empedanslarnn frekansa bal olarak deitiini izlemek. Kullanlan Alet ve Malzemeler: a) Sinyal jeneratr b) Avometre c) Deiik deerlerde diren bobin, kondansatr ve balant kablolar Teorinin zeti: Srekli hal tepkisi gz nne alndnda DC bir iaret karsnda kondansatrn davran ak devre biiminde, bobinin davran ise ksa devre biiminde ortaya kar. Buna karlk AC iaret karsnda bu iaretin frekans ile deien bir empedans gsterirler.

ZL = j2fL

ZC =

1 j 2fC

Bu ifadelerden de grld gibi, bobinin empedans frekansla doru orantl olarak kondansatrnki ise ters orantl olarak deimekte ve her ikisi de kompleks byklkler olmaktadr. Bu empedanslarn genlikleri, zerlerine den gerilimlerin etkin deerlerinin zerlerinden akan akmlarn etkin deerlerine oran eklinde verilebilir. AC snf l aletleri etkin deer okuduklarndan ampermetre ve voltmetre kullanlarak bu elemanlarn empedanslar belirlenebilir. Okunan akm, gerilim deerlerine ve kullanlan iaretin frekansna bal olarak bilinmeyen kondansatr ve bobin deerleri u ekilde elde edilebilir. C=

1 I rms 2f Vrms

(1)

L=

1 2f

Vrms 2 ) rL I rms

(2)

(2) ifadesindeki rL bobinin yapld telin omik direncidir ve bir ohmmetre yardmyla llebilir.
Ek Bilgiler ve Teorinin Aklamas: ndktr:

ndktr, akm tarafndan retilen magnetik alann zamana gre deiimine dayanan devre elemandr ve toplam ak miktarn gstermek zere;

(t ) = Li (t ) ve

d (t ) d [ Li (t )] = ifadesi yazlabilir. dt dt

Faraday kanununa gre indktans boyunca gerilim ak halkalarnn zamana gre deiimine eittir. Dolaysyla;

15

di (t ) v L (t ) = L L elde edilir. dt
Bu eitlikten de anlalaca zere indktr zerindeki gerilim indktr akmnn deiimine baldr. G ifadesi gereince;

di (t ) p L (t ) = i L (t )v L (t ) olacandan p L (t ) = i L (t ) L L olarak yazlabilir. Dolaysyla da, dt

p L (t ) =

d 1 2 Li L (t ) ifadesi elde edilir. dt 2

G, enerjinin zamana gre deiimi olduundan indktrde depolanan enerji, wL (t ) = 1 2 Li L (t ) eklindedir. 2

Seri bir RL devresi iin akm ve gerilim ilikisi aadaki gibidir.

Seri bal n adet indktrn edeeri; Le = L1 + L2 + ... + Ln eklinde verilebilir. Paralel bal n adet indktrn edeeri ise;
Kapasitr:
1 1 1 1 eklindedir. = + + ... + Le L1 L2 Ln

Kapasitr, gerilim tarafndan retilen elektrik alann zamana gre deiimine dayanan devre elemandr ve q kapasitrn her bir levhas zerindeki yk gstermek zere; q (t ) = CvC (t ) ve
dq (t ) d [CvC (t )] ifadesi yazlabilir. = dt dt

Ykn zamana gre deiimi akm vereceinden; kapasitre ait akm deeri iC (t ) = eklindedir. G ifadesi gereince,

CvC (t ) dt

16

dv (t ) pC (t ) = vC (t ).iC (t ) olduundan pC (t ) = vC (t )C C olarak ifade edilebilir. Dolaysyla; dt pC (t ) = d 1 2 CvC (t ) ifadesi elde edilir. dt 2

G, enerjinin zamana gre deiimi olduundan kapasitrde depolanan enerji, wC (t ) = 1 2 CvC (t ) eklindedir. 2

Seri bir RC devresi iin akm ve gerilim ilikisi aadaki gibidir.

Seri bal n adet kapasitrn edeeri;

1 1 1 1 eklinde verilebilir. = + + ... + C e C1 C 2 Cn

Paralel bal n adet kapasitrn edeeri ise; C e = C1 + C 2 + ... + C n eklindedir


Deneyin Yapl: 1- Bobininizin i direncini ohmmetre yardmyla lnz. 2- ekil-1ada verilen devreyi kurunuz. 3- Sinyal jeneratrnz 1KHz ve 6V sinzoidal iaret retecek ekilde ayarlaynz. 4- Devre akmn ve bobin zerinde den gerilimi lerek (2) ifadesi yardmyla bobin deerini hesaplaynz. 5- 4. kta yaptnz ilemi Tablo 5.1 de verilen frekans deerleri iin tekrarlayp ltnz akm ve gerilim deerlerini bu tabloya kaydediniz. 6- ZL = g(f) grafiini iziniz. 7- ekil-1bdeki devreyi kurunuz. 8- Devre akmn ve kondansatr zerinde den gerilimi lerek (1) ifadesi yardmyla kondansatr deerinin hesaplaynz. 9- 8. kta yaptnz ilemi Tablo 5.1 de verilen frekans deerleri iin tekrarlayp ltnz akm ve gerilim deerlerini bu tabloya kaydediniz. 10- ZC = g(f) grafiini iziniz.

17

ekil 5. Bobin ve kondansatr deerlerinin avometre yardmyla belirlenmesi iin dzenlenen devreler

Tablo 5.1. Deney almasnda llen Deerler. Fre. (Hz) IL (mA) VL (V) ZL (ohm) IC (mA) VC (V) ZC (ohm) 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000

Sorular: 1- Teorinin zeti ksmnda verilen (1) ve (2) ifadelerini elde ediniz. 2- Bobin ve kondansatrn DC iaretlere kar tepkileri ne olur aklaynz.

18

DENEY-6 ALAK VEYA YKSEK GEREN RC FLTRELER


Deneyin Amac: R ve C elemanlarndan oluan filtrelerin k gerilimlerinin frekansa bal deiimlerinin incelemek. Kullanlan Alet ve Malzemeler: a) Sinyal jeneratr b) Osiloskop c) Avometre d) Deiik deerlerde direnler, bobinler, kondansatrler ve balant kablolar Teorinin zeti: Bir nceki deneyden hatrlayacanz gibi, kondansatrn empedans frekansla ters orantl, bobinin empedans ise frekansla doru orantl olarak deimekte ve kompleks byklkler olarak ortaya kmaktadr. Empedanslarnn kompleks olmas, bu elemanlarn zerlerinden akan akmlarla zerlerinde den gerilimler arasnda faz farklarnn olumasna neden olmaktadr.

(a)

(b)

(c) ekil 6. Pasif RC Filtre Devreleri (a) Alak Geiren (b) Yksek Geiren (c) Bant Geiren Filtre.

ekil 6.a da verilen devre gz nne alndnda, Vin giri iaretinin frekans kk deerlerden byk deerlere doru artrldnda kondansatrn empedans azalacaktr. Direncin deeri frekans bal olarak deimedii iin frekans artt srece kondansatr ularndan alnan V0 gerilimi azalacaktr. Bu zellik gz nnde bulundurularak bu tr devreler pasif alak geiren filtre olarak kullanlabilir. Bu tr devrelerin nemli parametrelerinden birisi st kesim yada kritik frekans olarak adlandrlan fc olup, fc=1/(2RC)

19

eklinde ifade edilmektedir. fc frekansnda V0 gerilimi maksimum deerinden 1/ 2 kat kadar aa dmektedir. Vin e gre geri fazda olan V0 , fc frekansnda 45o bir faz farkna sahiptir. R ve C elemanlarnn yerlerinin deitirilmesiyle oluturulan ekil 6.b deki devre gz nne alnrsa, R elemann ularndan alnan V0 gerilimi frekanstaki artla beraber artacak ve devre yksek geiren pasif filtre durumunu gsterecektir. Bu durum iin filtrenin alt kesim yada kritik frekans fc yine fc = 1/(2RC) eklinde verilmektedir.
Deneyin Yapl: 1- ekil-1adaki devreyi kurarak osiloskobun birinci kanaln Vin i, ikinci kanaln ise Vo lecek ekilde balaynz. 2- Frekans Tablo 6.1 de verilen frekans deerlerine ayarlayarak her bir frekans deeri iin Vin , Vo ve faz farkn lerek bu tabloya kaydediniz. 3- Kazanc dB cinsinden hesaplayarak kazancn frekansa gre deiimini iziniz. (Kazan= G = Vo / Vin ,G(dB) = 20log(Vo / Vin )) 4- Deney sonucunda elde edilen kesim frekansyla eleman deerlerini kullanarak hesaplayacanz kesim frekansn karlatrnz. 5- ekil-1bdeki devreyi kurarak ayn ilemleri tekrarlaynz. 6- ekil-1cdeki devreyi kurarak ayn ekilleri tekrarlaynz.

Tablo 6.1. Deney almas-1 de elde edilen sonular Fre Vin 500 1000 2000 3000 4000 6000 8000 10000 ekil 6.a Vo G Vin ekil 6.b Vo G Vin ekil 6.c Vo G

Not: Tablo-1 deki gerilim deerleri V cinsinden, faz farklar derece cinsinden kazanlar ise dB cinsinden yazlacaktr. AGF ve YGF Simlasyon Sonular

R1=R2=1K ve C1=C2=100nF iin srasyla 100, 200, 400, 1000, 1562, 2000, 4000 Hz iin simlasyon sonular;

20

21

Srasyla alak geiren ve yksek geiren filtreye ait frekans cevaplar aadaki gibi olmaktadr.

22

DENEY-7 SER RLC DEVRELERNDE REZONANS VE Q FAKTR


Deneyin Amac: Seri RLC devrelerinde voltaj, akm ve empedans ilikilerini aratrmak ve bu devrelerdeki rezonans ann, bant geniliini ve Q faktrn incelemek. Kullanlan Alet ve Malzemeler:

a) Sinyal Jeneratr b) Osiloskop c) Avometre d) Diren kutusu, kondansatr, bobin ve balant kablolar Teorinin zeti: Bobinin reaktans XL ve kondansatrn reaktans XC frekansa bal olarak deiirler. Bundan dolay RLC elemanlar kullanlarak oluturulan seri devrelerin empedanslar da frekansa bal olarak deiir. ekil 7.1.ada verilen devrede a-b ularndan grlen seri RLC devresini empedans jw domeninde u ekilde verilir. Zab (jw) = (R+ rL ) + j(XL XC ) = (R + rL ) + j(wL 1/wC) a-b noktalarndan grlen devrenin reaktans erileri ekil-1bde; bu devrenin akm referans alndnda elemanlar zerinde den gerilimlerin fazr diyagramlar da ekil 7.1.cde verilemektedir. XL nin XC ye eit olduu frekans deerinde toplam empedansn imajiner ksm sfr olur. Bundan dolay bu frekans deerinde devrenin empedans reel ve minimumdur. Bu durumda, sinzoidal iaretin periyodunun bir yarsnda bobinde veya kondansatrde depolanan enerji periyodun ikinci yarsnda kondansatr veya bobine aktarlr. Devredeki g harcamas sadece omik direnlerde gereklemektedir. Seri RLC devrelerinin rezonans frekans, XL = XC art kullanlarak u ekilde belirlenir. 1 1 fR = 2f R C 2 LC Rezonans frekansnn altndaki frekans deerlerinde XC > XL olacandan a-b ularndan grlen seril RLC devresinin empedans kapasitif olacaktr. Rezonans frekansnn stndeki frekans deerlerinde ise XL = XC = 2 fR L =

ekil 7.1. a) Seri RLC devresi

23

(b)

(c)

ekil-1b) LC elemanlarnn reaktans erileri c) Elemanlar zerinden den gerilimlerin fazr diyagram XL > XC olacandan devrenin empedans endktif olacaktr. Seri RLC devresinin akm frekans karakteristii ekil 7.2 de verilmitir. Seri RLC devrelerin bant geiren bir filtre karakteristiine sahip olduu ekil7.2 den grlmektedir. Rezonans frekanslarnn yan sra bu devrelerin ikinci nemli zellikleri bant genilikleridir. Herhangi bir devrenin bant genilii, devrenin kndan alnan gcn yarya dt veya ktan alnan gerilimin 1 maksimum deerinden kat kadar aa dt frekans deerleri arasnda kalan 2 blgedir. Bu noktalara yarm g noktalar bant geniliine de 3 dBlik bant genilii denir. Bant snrlarn belirten frekanslar f1 ve f2 ile ifade edilirse, bu frekanslarda devre akm ile ab ularndaki devre gerilimi arasnda 45 derecelik faz fark oluur. Devre rezonansta iken (bobin ii direnci ihmal edilirse) bobin ve kondansatr zerinde den gerilimler birbirine eittir ve aralarnda 180 derece faz fark vardr. Rezonans devrelerinin nemli bir zellii de bu devrelerin Q faktrdr. Bu devrelerde Q faktr, bir periyotta depolanan maksimum enerjinin bir periyotta harcanan enerjiye oran eklinde ifade edilir. Kaynak i direnci gz nne alnmazsa, a-b ularndan grlen devrenin Q faktr u ekilde verilir. wr L 1 = R + rL wr C ( R + rL ) Kaynak i direncinin gz nne alnmad durumda rezonans annda bobinin veya kondansatrn zerinde den gerilimler a-b ularndaki giri geriliminin Q kat kadar bir deere sahiptirler. VL =- VC = Q Vt Q=

24

ekil7.2. RLC devresinin akm frekans grafii Devrenin bant geniliinin rezonans frekansna oran 2 ile gsterilir ve 2 ile Q faktr arasnda u ekilde bir bant vardr. 2 = (f2-f1)/ft =1/Q kaynak direnci de gz nne alndnda, devrenin toplam Q ve QT ve bunun 2 ile bants da u ekilde verilir. QT = wr L R + rL + RS 2 = RS 1 + QT QT ( R + rL )

Daha geni bilgi iin devre analizi kitaplarndan faydalannz. Deneyin Yapl: 1- ohmmetreyi kullanarak bobin i direnci rLyi lp kaydediniz. 2- ekil-1ada verilen devreyi kurunuz.(Vsmax =2V, f =1KHz) 3- Osiloskop yardmyla Vt , VL , VC ,VR voltajlarn lp tablo-1e kaydediniz. 4- Osiloskobunuzun birinci kanalnda Vt iaretini ikinci kanalnda VR iaretini lecek ekilde problar balaynz. VR ile Vt arasndaki faz farkn lerek Tablo 7.1e kaydediniz. 5- Devrede kullandnz eleman deerlerine bal olarak rezonans frekansn hesaplayp tablo-2ye kaydediniz. 6- Sinyal jeneratrnzn frekansn hesapladnz rezonans frekans civarnda deitirerek VRnin max. olduu frekans belirleyiniz. Bu frekans deerinde faz farknn sfr olduunu gzleyiniz. 7- nc kta yaplan ilemleri tekrarlaynz. 8- Vt iaretini kanla-1 de VR iaretini kanal-2 de gzleyerek tablo-3de verilen frekans deerleri iin VR ve faz farklarn lp tabloya kaydediniz.(R =10 ve her bir lm iin Vtmax = 2V alnacak.)

25

Tablo 7.1. Seri RLC akm, gerilim ve empedans deerleri Fre. 1KHz fT Tablo7.2. Rezonans frekanslar L(mH) C(F) Hesaplanan Hz llen Hz VL(V) VC(V) VR(V) Vt(V) I=VL/R (mA) Z =Vt /I () XC= VC/I ()

Sorular: 1- Bant snrlarnda faz farknn 45o olduunu gsteriniz. 2- 200kHz rezonans frekansna sahip ve bant genilii 20kHz olan bir seri rezonans devresi tasarlaynz.

26

Seri RLC Devresinin Rezonans Frekans Anndaki Simlasyon Sonular

R=1K, L=20mH ve C=100nF iin simlasyon sonular aadaki gibidir (f=3561 Hz) :

27

DENEY-8 TREV ALICI VE NTEGRE EDC DEVRELER


Deneyin Amac: Trev alc ve integre edici devrelere uygulanan kare dalgann frekansna gre, k gerilimlerinin osiloskop yardmyla incelenmesi. Kullanlacak Alet ve Malzemeler: a) Sinyal jeneratr (kare dalga) b) Deiken diren c) Kondansatr d) ndktr e) Osiloskop

n alma: Aadaki devreleri gz nne alnz.

(a) ekil 8.1

(b)

Bu devreler iin srayla Kirchoffun gerilim kayna (KGK) denklemi yazlrsa; ekil 1.a VC (t) + VR (t) = VG (t).(a.1) 1 i (t )dt + Ri (t) = VG (t)(a.2) C ekil 1.b VR (t) + VL (t) = VG (t)..(b.1) Ri (t) + L di (t ) = VG (t)..............(b.2) dt

denklemleri elde edilir. 0 t T zaman aralnda; n artlar kullanlarak bu denklemlerin zmnden, i(t) = VG (t ) t RC e .....(a.3) R
t

i(t) =

VG (t ) tR (1 e L ) ..(b.3) R
tR

VR (t) = VG e

RC

...(a.4)

VR (t) = VG (1 e
tR

) ..(b.4)

VC (t) = VG (1- e

RC

)(a.5)

VC (t) = VG ( e

)..(a.5)

Sonular elde edilir. Burada T, girie uygulanan kare dalgann geniliidir. 28

RC = 1 ve L/R = 2 ise, srasyla birinci (a) ve ikinci (b) devrelerinin zaman sabitleri adn alrlar. Bu zaman sabitlerinin ald deerlerin devreye uygulanan kare dalgann (T) genilii ile karlatrlmas sonucu bu devrelerin TREV ALICI devre olarak m yoksa NTEGRE EDC devre olarak m davranmas gerektii aratrlacaktr. NCELEME: 1-) t >> RC veya t>> L/R ise (a.3), (a.4) ve (a.5) denklemlerinden ; i VR 0, VC VG ve (b.3), (b.4) ve (b.5) denklemlerinden ;i VG/R, VR VG, VL 0 elde edilir . O halde : VR<<VC, VL<< VR olur. Bu sonular, denk (a.1)ve (b.2) de kullanlrsa; VR = Ri = RC bulunur. Bu artlar altnda bulunan bu VR ve VL gerilimleri giri gerilimi VG nin trevi ile orantldr. k olarak bu gerilimler alnrsa, matematikteki trev almaya benzetilerek bu devreler TREV ALICI adn alr. 2-) RC >> t veya L/R >> t ise (a.3), (a.4), (a.5), denk.den i VG/R, VR VG, VC 0 (b.3), (b.4) ve (b.5) denk. den i 0, VR 0, VL VG elde edilir. O halde; VR>>VC, VL>>VR olur. Bu sonular denk (a.2) ve (b.2) de kullanlrsa, i= elde edilir. Buradan; VC = 1 R VG dt ve VR = L VG dt bulunur. RC V VG veya i = G dt R L dVg dt ve VL = L di L dVG = dt R dt

Bu artlar altnda bu gerilimler, giri gerilimlerinin integrali ile orantldr. k olarak bu gerilimler alnrsa matematikteki integral almaya benzetilerek, bu devreler NTEGRE EDC devre adn alr.

ekil 8.2

29

ekil 8.3 DENEY ALIMASI: 1) R yerine diren kutusu kullanlarak ekil 8.2.a devresini kurunuz. 2) R yi 10 kohm dan 100 kohma kadar deitirerek gzlediiniz ekilleri iziniz. Bu sekilerle karlk gelen RCi bulunuz. Bu deeri dalga peryotu ile karlatrnz. Devre trev alcmdr? Yoksa integre edicimidir? (f = 1kHz ) Aklama: 1>>WRC veya 1/WT >> RC olduunda, RC>>T ise devre integre edicidir. 3) VC i osiloskoba uygulayn. R i 1 kohm dan 10 kohm a kadar deitirerek daha nce yaptnz ilemleri tekrarlaynz. (f = 1 kHz ) 4) L = 12 mH veya veya 35 MH, R yerine diren kutusu kullanarak ekil 8.3 devresini kurunuz. (f = 10 kHz ) 5) R i 10 ohm dan 2 kohm a kadar deitirerek nceki ilemleri tekrarlaynz. 6) VR i osiloskoba uygulaynz. R i 3 kohm dan 1 kohm a kadar deitirerek 7) nceki ilemleri tekrarlaynz. (f=1 kHz )

30

Trev ve ntegral Alc Devrelere Ait Simlasyon Sonular

R=10K ve C=100nF iin elde edilen integral ve trev klar srasyla aadaki gibidir (f=1000 Hz) :

31

32

You might also like