T.C.

MLL ETM BAKANLII

BLM TEKNOLOJLER

TRANSSTR VE FET
523EO0075

Ankara, 2011

Bu modl, mesleki ve teknik eitim okul/kurumlarnda uygulanan ereve retim Programlarnda yer alan yeterlikleri kazandrmaya ynelik olarak rencilere rehberlik etmek amacyla hazrlanm bireysel renme materyalidir. Mill Eitim Bakanlnca cretsiz olarak verilmitir. PARA LE SATILMAZ.

NDEKLER
AIKLAMALAR ....................................................................................................................ii GR ....................................................................................................................................... 1 RENME FAALYET1 .................................................................................................... 3 1. TRANSSTR ..................................................................................................................... 3 1.1. Transistr eitleri........................................................................................................ 3 1.2. Transistrn Yaps ve almas ................................................................................. 4 1.3. Transistrn Polarmalandrlmas ( Kutuplanmas) ...................................................... 8 1.4. Akm, Gerilim Yn ve IB Akm Hesaplama............................................................... 9 1.5. Transistr Salamlk Kontrol.................................................................................... 11 1.5.1. Transistrlerin Analog AVOmetre ile Salamlk Kontrol................................. 11 1.5.2. Transistrlerin Dijital AVOmetre ile Salamlk Kontrol .................................. 12 1.6. Transistrn Anahtarlama Eleman Olarak Kullanlmas ........................................... 14 1.7. Transistrn Ykselte Olarak Kullanlmas .............................................................. 15 1.8. Katolog Bilgilerini Okuma.......................................................................................... 18 UYGULAMA FAALYET .............................................................................................. 20 LME VE DEERLENDRME .................................................................................... 22 RENME FAALYET2 .................................................................................................. 23 2. FET..................................................................................................................................... 23 2.1. FET eitleri............................................................................................................... 23 2.2. JFET Yaps ve almas ........................................................................................... 24 2.3. JFETin BJTye Gre stnlkleri............................................................................. 26 2.4. JFETin Karakteristikleri ............................................................................................ 27 2.5. FET ve MOSFET lme ............................................................................................ 29 2.6. JFET Parametreleri ve Formlleri............................................................................... 29 2.7. JFET Polarmalandrlmas (Kutuplanmas)................................................................. 31 2.7.1. Sabit Polarma Devresi ......................................................................................... 31 2.7.2 Self Polarma Devresi ............................................................................................ 31 2.7.3. Gerilim Blcl Polarma................................................................................... 32 2.8. JFETli Ykselte Devreleri ....................................................................................... 33 2.9. Mosfetlerin Yaps, almas ve Karakteristikleri.................................................... 33 2.9.1 Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Yaps........................................................ 34 2.9.2 Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) almas ve Karakteristii....................... 35 2.9.3 oaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Yaps...................................................... 35 2.9.4. oaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) almas ve Karakteristii.................... 36 2.9.5. MOSFET Parametreleri ....................................................................................... 37 UYGULAMA FAALYET .............................................................................................. 38 LME VE DEERLENDRME .................................................................................... 40 MODL DEERLENDRME .............................................................................................. 41 CEVAP ANAHTARLARI ..................................................................................................... 43 KAYNAKA ......................................................................................................................... 44

AIKLAMALAR AIKLAMALAR
KOD ALAN DAL/MESLEK MODLN ADI MODLN TANIMI SRE N KOUL YETERLK 523EO0075 Biliim Teknolojileri Bilgisayar Teknik Servisi Transistr ve FET Transistr ve FET uygulamalarnn anlatld renme materyalidir. 40 / 32 Kaydediciler modln tamamlam olmak Transistrler ile alma yapmak Genel Ama Bu modl ile gerekli ortam salandnda, transistr ve fet uygulamalarn gerekletirebileceksiniz. Amalar

MODLN AMACI

Transistr uygulamalarn gerekletirebileceksiniz. FET uygulamalarn gerekletirebileceksiniz.

ETM RETM ORTAMLARI VE DONANIMLARI DC g kayna, Transistr, FET, elektronik malzemeler, malzeme antas Her faaliyet sonrasnda o faaliyetle ilgili deerlendirme sorular ile kendi kendinizi deerlendireceksiniz. LME VE DEERLENDRME retmen modl sonunda size lme arac (uygulama, soru-cevap)uygulayarak modl uygulamalar ile kazandnz bilgi ve becerileri lerek deerlendirecektir.

ii

GR GR
Sevgili renci, Gnmzde, elektrik elektronik teknolojisi ba dndrc bir ekilde gelimi ve hayatmzn her alanna hkmetmeyi baarmtr. Bugn farknda olmadan yaammzn bir paras haline gelen pek ok sistemin arka plannda kusursuz alan elektronik devreler bulunmaktadr. Bu devreleri tanmak, devrelerde kullanlan malzemelerin yapsn, almasn renmek elektronikle uraan herkes iin nemlidir. Bu devrelerin genelinde kullanlan elamanlardan en nemlilerinden ikisi de transistr ve FETtir. Hemen hemen elektronik devrelerinin hepsinde bu elamanlar grmek mmkndr. Bu elamanlar olmasa bile bu elamanlardan meydan gelmi entegre devre elamanlarn grebiliriz. Bu yzden bu elamanlarn yapsnn, almasnn ve kullanm yerlerinin renilmesi elektronikle ilgilenen renciler iin ok nemlidir. Bu modlde konular ok fazla detaya inmeden verilmi ancak ekillerle desteklenerek grsel bir zenginlik kazandrlmtr. Konular ilenirken verilen devrelerin uygulamaya ynelik olmasna dikkat edilmitir. Bu modl iki blmden olumaktadr. Birinci blmde transistrn yaps, almas ve kullanm alanlar incelenirken ikinci blmde; FETin yaps, almas ve kullanm alanlar incelenmitir. Bu modln elektronik ile ilgilenen tm rencilere faydal olaca inancndaym.

RENME FAALYET1 RENME FAALYET1

AMA
Bu faaliyette verilen bilgiler dorultusunda transistrlerin genel yaps ve temel zelliklerini tanyp, rn bilgi sayfasndaki zellikler dorultusunda devreye uygun transistr seerek transistr uygulamalarn gerekletirebileceksiniz.

ARATIRMA
Transistrn nerelerde kullanldn aratrnz. Bunun iin evrenizde bulunan elektronik zerine alan i yerlerinden ve internetten faydalanabilirsiniz.

1. TRANSSTR
1.1. Transistr eitleri
ki P tipi madde arasna N tipi madde veya iki N tipi madde arsna P tipi madde konularak elde edilen elektronik devre elamanna transistr denir. Transistrler, kullanma amalarna gre eittir. Anahtarlama devre transistor leri Osilatr devre transistor leri Amplifikatr devre transistor leri

Transistrlerde yar iletken maddelerin bir araya getirilmesinde eitli metotlar kullanlr. Bu metotlara gre yaplan transistrler eittir. Nokta temasl transistorler Yzey temasl transistorler Alam veya yaylma metodu ile yaplan transistrler

Genelde elektronik devrelerde kullandmz transistrler yzey temasl transistrlerdir. Bu yzden bundan sonraki konularmzda bu transistrler zerinde duracaz. Bu transistrler P ve N maddelerinin sralanmasna gre iki tipte yaplr. Bunlar; PNP transistorler NPN transistorler

1.2. Transistrn Yaps ve almas

Transistr imalatnda kullanlan yar iletkenler, birbirlerine yzey birleimli olarak retilmektedir. Bu nedenle Bipolar Jonksiyon Transistr olarak adlandrlr. Transistrn temel yaps ekil 1.1de gsterilmitir.

ekil 1.1: Transistrn temel yaps

BJT transistrler katklandrlm P ve N tipi malzeme kullanlarak retilir. Transistrler NPN ve PNP olmak zere iki temel yapda retilir. NPN transistrde 2 adet N tipi yar iletken madde arasna 1 adet P tipi yar iletken madde konur. PNP tipi transistrde ise, 2 adet P tipi yar iletken madde arasna 1 adet N tipi yar iletken madde konur. Dolaysyla transistr 3 adet katmana veya terminale sahiptir. Transistrn her bir terminaline ilevlerinden tr; Emiter (Emiter), Beyz (Base) ve Kolektr (Collector) adlar verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize edilirler.

ekil 1.2: NPN tipi transistr fiziksel yaps, ematik sembol ve diyot e deer devresi

ekil 1.3: PNP tipi transistr fiziksel yaps, ematik sembol ve diyot edeer devresi

Transistrler genellikle alma blgelerine gre snflandrlarak incelenebilir. Transistrn alma blgeleri; kesim, doyum ve aktif blge olarak adlandrlr. Transistr; kesim ve doyum blgelerinde bir anahtar ilevi grr. zellikle saysal sistemlerin tasarmnda transistrn bu zelliinden yararlanlr ve anahtar olarak kullanlr. Transistrn ok yaygn olarak kullanlan bir dier zellii ise ykselte olarak kullanlmasdr. Ykselte olarak kullanlacak bir transistr aktif blgede altrlr. Ykselte olarak altrlacak bir transistrn PN jonksiyonlar uygun ekilde polarmalandrlmaldr. ekil 1.4te NPN ve PNP tipi transistrlerin ykselte olarak altrlmas iin gerekli polarma gerilimleri ve bu gerilimlerin polariteleri verilmitir. NPN tipi bir transistrde; beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyz-kolektr jonksiyonu ise ters ynde polarmalanr. Her iki transistorn de alma ilkeleri ayndr. Sadece polarma gerilimi ve akmlarnn ynleri terstir. Bu nedenle bu blm boyunca NPN tipi bir transistrn almasn analiz edeceiz.

ekil 1.4: NPN ve PNP transistrlerin kutuplandrlmas (polarmalandrlmas)

Transistrn ykselte olarak almas ekil 1.5te verilen balantlar dikkate alnarak anlatlacaktr. NPN tipi bir transistrde beyz terminaline, emitere gre daha pozitif bir gerilim uygulandnda doru polarma yaplmtr. Bu polarma etkisiyle gei blgesi daralmaktadr. Bu durumda P tipi maddedeki (beyz) ounluk akm tayclar, N tipi maddeye (emiter) gemektedir. Emiter-beyz polarmasn iptal edip, beyz-kolektr arasna ters polarma uygulayalm. Bu durumda ounluk akm tayclar sfrlanacaktr. nk gei blgesinin kalnl artacaktr. (Diyodun ters polarmadaki davrann hatrlaynz). Aznlk akm tayclar, beyz-kolektr jonksiyonundan VCB kaynana doru akacaktr. zet olarak ykselte olarak altrlacak bir transistrde; Beyz-emiter jonksiyonlar doru, beyz-kolektr jonksiyonlar ise ters polarmaya tabi tutulur diyebiliriz. Bu durum ekil-1.5te ayrntl olarak verilmitir.

ekil 1.5: NPN tipi transistr jonksiyonlarnn doru ve ters polarmadaki davranlar

Transistrn nasl altn anlamak amacyla yukarda iki kademede anlatlan olaylar birletirelim. ekil 1.6da NPN tipi bir transistre polarma gerilimleri birlikte uygulanmtr. Transistrde oluan ounluk ve aznlk akm tayclar ise ekil zerinde gsterilmitir. Transistrn hangi jonksiyonlarna doru, hangilerine ters polarma uygulandn ekil zerindeki gei blgelerinin kalnlna bakarak anlayabilirsiniz.

ekil 1.6: NPN tipi transistrde ounluk ve aznlk akm tayclarnn ak

Doru ynde polarmalanan beyz-emiter jonksiyonu, ok sayda ounluk taycsnn P tipi malzemeye (beyze) ulamasn salar. Beyz blgesinde toplanan tayclar nereye gidecektir. IB akmna katkda m bulunacaklardr yoksa N tipi malzemeye mi geeceklerdir. Beyz blgesinin (P tipi malzeme) iletkenlii dktr ve ok incedir. Bu nedenle; az sayda tayc yksek dirence sahip bu yolu izleyerek beyz ucuna ulaacaktr. Dolaysyla beyz akm, emiter ve kolektr akmlarna kyasla ok kktr. ekil 1.6da gsterildii gibi ounluk tayclarnn ok byk bir blm, ters polarmal kolektr-beyz jonksiyonu zerinden difzyon yoluyla emiter ucuna bal N tipi malzemeye geecektir. ounluk tayclarnn ters polarmal jonksiyon zerinden kolaylkla gemelerinin nedeni, N-tipi maddede (emiterde) bulunan oyuklardr. Bu durumda akm miktar artacaktr. Sonu ksaca zetlenecek olursa; emiterden enjekte edilen elektronlarn kk bir miktar ile beyz akm olumaktadr. Elektronlarn geri kalan byk bir ksm ile kolektr akm olumaktadr. Buradan hareketle; emiterden enjekte edilen elektronlarn miktar, beyz ve kolektre doru akan elektronlarn toplam kadar olduu sylenebilir. Transistr akmlar arasndaki iliki aadaki gibi tanmlanabilir. IE= IC+IB Ksaca, kolektr akmnn miktar beyz akmnn miktar ile doru orantldr ve kolektre uygulanan gerilimden bamszdr. nk kolektr ancak beyzin toplayabildii tayclar alabilmektedir. Emiterden gelen tayclarn yaklak %99u kolektre geerken geriye kalan ok kk bir ksm beyze akar. Bir transistrn almas iin gerekli artlar ksaca zetleyelim. Transistrn alabilmesi iin; beyz-emiter jonksiyonu doru ynde, beyzkolektr jonksiyonu ise ters ynde polarmalandrlmaldr. Bu alma biimine transistrn aktif blgede almas denir.

Beyz akm olmadan, emiter-kolektr jonksiyonlarndan akm akmaz. Transistr kesimdedir. Farkl bir ifadeyle; beyz akm kk olmasna ramen transistrn almas iin ok nemlidir. PN jonksiyonlarnn karakteristikleri transistrn almasn belirler. rnein; transistr, VBE olarak tanmlanan beyz-emiter jonksiyonuna doru ynde bir balang gerilimi uygulanmasna gereksinim duyar. Bu gerilimin deeri silisyum transistrlerde 0.7V, germanyum transistrlerde ise 0.3V civarndadr.

Transistrde alma Blgeleri

Transistrlerde balca 3 alma blgesi vardr. Bu blgeler; aktif blge, kesim (cutoff) blgesi ve doyum (saturation) blgesi olarak adlandrlr. Transistrn alma blgeleri ekil 1.7de transistrn k karakteristii zerinde gsterilmitir. Bu blgeleri ksaca inceleyelim.

ekil 1.7: Transistrlerde alma blgeleri

Aktif Blge: Transistrn aktif blgesi; beyz akmnn sfrdan byk (IB>0) ve kolektr-emiter geriliminin 0Vdan byk (VCE>0V) olduu blgedir. Transistrn aktif blgede alabilmesi iin beyz-emiter jonksiyonu doru, kolektr-beyz jonksiyonu ise ters ynde polarmalanr. Bu blgede transistrn k akm ncelikle beyz akmna, kk bir miktarda VCE gerilimine bamldr. Transistrn aktif blgede nasl alt, transistrn almas blmnde ayrntl olarak incelenmiti. Dorusal ykselte tasarm ve uygulamalarnda transistr genellikle bu blgede altrlr. Kesim Blgesi: Transistrn kesim blgesinde nasl alt ekil 1.8.a yardmyla aklanacaktr. ekilde grld gibi transistrn beyz akm IB=0 olduunda, beyzemiter gerilimi de VBE=0V olaca iin devrede kolektr akm (IC) olumayacaktr. Bu durumda transistr kesimdedir. Kolektr-emiter jonksiyonlar ok yksek bir diren deeri gsterir ve akm akmasna izin vermez. Transistrn kolektr-emiter gerilimi VCE, besleme gerilimi VCC deerine eit olur. Kolektrden sadece IC0 ile belirtilen ok kk bir akm akar. Bu akma sznt akm denir. Sznt akm pek ok uygulamada ihmal edilebilir.

a) Transistrn kesim blgesinde almas

b) Transistrn doyum blgesinde almas

ekil 1.8: Transistrn kesim ve doyum blgesinde almas

Doyum Blgesi: Transistrn doyum (saturation) blgesinde alma ekil 1.8.b yardmyla aklanacaktr. Transistre uygulanan beyz akm artrldnda kolektr akm da artacaktr. Bu ilemin sonucunda transistrn VCE gerilimi azalacaktr. nk IC akmnn artmas ile RC yk direnci zerindeki gerilim dm artacaktr. Kolektr-emiter gerilimi doyum deerine ulatnda (VCE(DOY)) beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalanacaktr. Sonuta IB deeri daha fazla ykselse bile IC akm daha fazla artmayacaktr. Doyum blgesinde alan bir transistrn kolektr-emiter gerilimi VCE yaklak 0V civarndadr. Bu deer genellikle VCE(DOY)=0V olarak ifade edilir.

1.3. Transistrn Polarmalandrlmas ( Kutuplanmas)

Transistrn almasn salayacak ekilde, emiter, beyz ve kolektrnn belirli deerdeki ve iaretteki (), DC gerilim ile beslenmesine transistrn polarmalandrlmas (kutuplandrlmas) denir. Transistrlerin almas iin gerekli ilk art, DC polarma gerilimlerinin uygun ekilde balanmasdr. ekil 1.9da NPN ve PNP tipi transistrler iin gerekli polarma balantlar verilmitir. Transistrn beyz-emiter jonksiyonuna VBB kayna ile doru polarma uygulanmtr. Beyz-kolektr jonksiyonuna ise VCC kayna ile ters polarma uygulanmtr.

ekil 1.9: NPN ve PNP transistrlerin polarmalandrlmas

1.4. Akm, Gerilim Yn ve IB Akm Hesaplama

Bir transistr devresinde akm ve gerilimler arasnda belirli ilikiler vardr. Transistrn her bir terminalinde ve terminalleri arasnda oluan gerilim ve akmlar birbirinden bamsz deildir. NPN transistrn her bir jonksiyonundan geen akmlar ve jonksiyonlar arasnda oluan gerilimler ve ynleri ekil 1.10 zerinde gsterilmi ve adlandrlmtr. IB : Beyz akm (dc) IE : Emiter akm (dc) IC : Kolektr akm (dc) VBE : Beyz-emiter gerilimi (dc) VCB : Kolektr-beyz gerilimi (dc) VCE : Kolektr-emiter gerilimi (dc)

ekil 1.10: Transistrde akm ve gerilimler

Transistrn beyz-emiter jonksiyonu VBB gerilim kayna ile doru ynde polarmalanmtr. Beyz-kolektr jonksiyonu ise VCC gerilim kayna ile ters ynde polarmalanmtr. Beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalandnda tpk ileri ynde polarmalanm bir diyot gibi davranr ve zerinde yaklak olarak 0.7V (silisyum) gerilim dm oluur. VBE= 0.7 Volt Devrede I.Gz iin Kirsoff Gerilimler Kanununa gre denklem yazlrsa;

VBB I B RB VBE
olur. Buradan IB akm ekilirse;

VBB V BE I B RB

IB

VBB V BE RB

rnek 1.1:

Yukarda verilen devrede IB akmn bulunuz. zm:

IB

VBB V BE RB
5 0 .7 10 4 .3 IB= 430 A 10

IB IB

rnek 1.2: Yukarda grlen devrede VBB= 9V, IB=1mA ise RB direncinin deerini bulunuz. (VBE=0,7 V alnz.) zm:

VBB VBE IB 9 0,7 RB 1 8,3 RB RB=8,3K 1 RB

10

1.5. Transistr Salamlk Kontrol

1.5.1. Transistrlerin Analog AVOmetre ile Salamlk Kontrol

Resim 1.1: Analog AVOmetre

Analog l aleti diren (X1) kademesine alnr. Problardan biri herhangi bir ayakta sabit tutulurken, dier prob ayr ayr botaki dier iki ayaa dedirilir. Salam bir transistrde prob bir uta sabit iken dier prob her iki ayaa dedirildiinde l aleti deer gstermelidir. Deer okunmuyorsa sabit ucu tespit etmek amacyla, lm ayaklar deitirilerek ilemler tekrarlanr. Deer gsterdii andaki sabit u beyz, yksek deer okunduundaki ayak emiter ve dk deer grlen ayak ise kolektrdr. Deer okunduunda beyzdeki u art ise transistr PNP, eksi ise NPN tipidir. Bunun sebebi analog AVOmetrelerde pil ular ile k ular farkl polaritede olmalardr. Ayrca salam bir transistrde l aleti problar kolektr emiter arasna dedirildiinde her iki ynde de deer gstermemesi gerekir.

11

1.5.2. Transistrlerin Dijital AVOmetre ile Salamlk Kontrol

Resim 1.2: Dijital AVOmetre

Dijital l aleti diyot test kademesine alnr. Problardan biri herhangi bir ayakta sabit tutulurken, dier prob ayr ayr botaki dier iki ayaa dedirilir. Salam bir transistrde prob bir uta sabit iken dier prob her iki ayaa dedirildiinde l aleti deer gstermelidir. Deer okunmuyorsa sabit ucu tespit etmek amacyla, lm ayaklar deitirilerek ilemler tekrarlanr. Deer gsterdii andaki sabit u beyz, yksek deer okunduundaki ayak emiter ve dk deer grlen ayak ise kolektrdr. Deer okunduunda beyzdeki u art ise transistr NPN, eksi ise PNP tipidir. Bunun sebebi dijital AVOmetrelerde pil ular ile k ular ayn polaritededir. Aynen analog l aletinde olduu gibi salam bir transistrde l aleti problar kolektr emiter arasna dedirildiinde her iki ynde de deer gstermemesi gerekir.

12

ekilde grlen transistrn salamlk kontroln ve ularnn tespitini dijital multimetre ile yapalm.

Resim 1.3: Transistr salamlk kontrol

Resim 1.3.a. Krmz Prob Transistrn 1 nu.l ucuna siyah ettirildi. Resim 1.3.b. Krmz Prob Transistrn 1 nu.l ucuna siyah ettirildi. Resim 1.3.c. Krmz Prob Transistrn 2 nu.l ucuna siyah ettirildi. Resim 1.3.d. Krmz Prob Transistrn 2 nu.l ucuna siyah ettirildi. Resim 1.3.e. Krmz Prob Transistrn 3 nu.l ucuna siyah ettirildi. Resim 1.3.f. Krmz Prob Transistrn 3 nu.l ucuna siyah ettirildi.

prob 2 nu.l ucuna temas prob 3 nu.l ucuna temas prob 3 nu.l ucuna temas prob 1 nu.l ucuna temas prob 1 nu.l ucuna temas prob 2 nu.l ucuna temas

13

Sonu: Bu transistrn 1 nu.l ucuna krmz probu sabit ekilde tutup 2 ve 3 nu.l ulara siyah probu srasyla dedirdiimizde deer gstermektedir. Bu yzden 1 nu.l u Transistrn beyz ucudur. Beyz ucunda sabit tutulan u krmz prob olduundan bu transistr NPN tipi transistrdr. 1-2 nu.l ular arasnda grlen deer, 1-3 nu.l ular arasndan grlen deerden daha kktr. Bu yzden 2 nu.l u Kolektr, 3 nu.l u emiterdir. Resim 1-3 te grld gibi kolektr emiter (2-3 nu.l ular) aras her iki ynde de ak devre gstermektedir.

1.6. Transistrn Anahtarlama Eleman Olarak Kullanlmas

Transistrn bir anahtar olarak nasl kullanld ekil 1.11de verilmitir. ekil 1.11 ada grld gibi transistrn beyz-emiter jonksiyonu ters ynde polarmalanmtr. Dolaysyla transistr kesimdedir. Kolektr-emiter aras ideal olarak ak devredir. Transistr bu durumda ak bir anahtar olarak davranr.

a) Transistr kesimde -Anahtar AIK

b) Transistr doyumda -Anahtar KAPALI

ekil 1.11: Transistrn anahtar olarak almas

ekil 1.11. bde ise transistrn beyz-emiter jonksiyonu doru ynde polarmalanmtr. Bu devrede beyz akm yeterli derecede byk seilirse transistr doyum blgesinde alacaktr. Kolektr akm maksimum olacak ve transistrn kolektr-emiter aras ideal olarak ksa devre olacaktr. Transistr bu durumda kapal bir anahtar gibi davranr. Transistrl anahtar uygulamas: Pek ok endstriyel uygulamada veya saysal tasarmda devrelerin kndan alnan iaretlerin kuvvetlendirilmesi istenir. rnein ekil1.12.ada devre kndan alnan bir kare dalga iaretin bir LEDi yakp sndrmesi iin gerekli devre dzenei verilmitir. Giri iareti; 0V olduunda transistr kesimdedir, LED yanmayacaktr. Giri iareti +V (Silisyum iin 0.7 V dan byk, germanyum iin 0.3V dan byk olmaldr) deerine ulatnda ise transistr iletime geecek ve LED yanacaktr.

14

a) Transistrn anahtar olarak almas

b) Transistrle rle kontrol

ekil1.12: Transistrn anahtar olarak kullanlmas

ekil 1.12 bde ise devre kndan alnan iaretin kuvvetlendirilerek bir rleyi, dolaysyla rle kontaklarna bal bir yk kontrol etmesi gsterilmitir.

1.7. Transistrn Ykselte Olarak Kullanlmas

Transistrn en temel uygulama alanlarndan biri de ykselte (amplificator) devresi tasarmdr. Temel bir ykselte devresinin ilevi, giriine uygulanan iareti ykselterek (kuvvetlendirerek) kna aktarmasdr. Transistrl temel bir ykselte devresi ekil 1.13te verilmitir. Devrede kullanlan DC kaynaklar transistrn aktif blgede almasn salamak iindir. Devre giriine uygulanan AC iaret (VIN) ise ykseltme ilemine tabi tutulacaktr. Transistrl ykselte devresinde; devrenin ykselte olarak alabilmesi iin DC besleme (polarma) gerilimlerine gereksinim vardr. Dolaysyla transistrl ykselte devreleri genel olarak iki aamada incelenilir. Bu aamalar; Transistrl ykselte devrelerinin DC analizi Transistrl ykselte devrelerinin AC analizi

ekil 1.13: Transistrl ykselte devresi

15

DC Analiz yi bir ykselte tasarm iin transistrn zelliklerine uygun DC polarma akm ve gerilimleri seilmelidir. Dolaysyla ykselte tasarmnda yaplmas gereken ilk adm transistrl ykselte devresinin DC analizidir. Analiz ileminde transistrn alma blgesi belirlenir. Bu blge iin uygun akm ve gerilimler hesaplanr. Sonuta; transistrl ykselte devresi AC almaya hazr hale getirilir. AC Analiz Transistrl ykselte tasarmnda ikinci basamak, tasarlanan veya tasarlanacak ykselte devresinin AC analizidir. Ykselte devresinin AC analizi yaplrken e deer devrelerden yararlanlr. ekil 1.14.ada transistrl temel bir ykselte devresi verilmitir. Ayn devrenin AC e deer devresi ise ekil 1.14. bde grlmektedir.

a) Transistrl ykselte devresi

b) Transistrl ykselte devresinin AC e deeri

ekil 1.14: Transistrl temel ykselte devresi ve AC e deeri

Transistrl bir ykselte devresinin AC e deer devresi izilirken, DC kaynaklar ksa devre yaplr. Ykselte devresi doal olarak giriinden uygulanan AC iareti ykselterek kna aktaracaktr. Dolaysyla bir kazan sz konusudur. Ykseltecin temel amac da bu kazanc salamaktr. Bir ykselte devresi; giriinden uygulanan iaretin genliini, akmn veya gcn ykseltebilir. Dolaysyla bir akm, gerilim veya g kazanc sz konusudur. Ykseltelerde kazan ifadesi A ile sembolize edilir. Gerilim kazanc iin AV, Akm kazanc iin AI ve g kazanc iin AP sembolleri kullanlr. rnein ekil 1.14te grlen ykselte devresinin gerilim kazanc AV;

AV

VO Vg

16

Beta () ve Alfa () kazanlar akm kazanc, ortak emiter balantda akm kazanc olarak da adlandrlr. Bir transistr iin akm kazanc, kolektr akmnn beyz akmna oranyla belirlenir. =

IC IB

akm kazanc bir transistr iin tipik olarak 20-200 arasnda olabilir. Bununla birlikte deeri 1000 civarnda olan zel tip transistorler de vardr. akm kazanc kimi kaynaklarda veya retici kataloglarnda hFE olarak da tanmlanr. = hFE Kolektr akmn yukardaki eitlikten; IC= .IB olarak tanmlayabiliriz. Transistrde emiter akm; IE=IC+IB idi. Bu ifadeyi yeniden dzenlersek; IE= .IB+IB IE= IB(1+ ) deeri elde edilir. Ortak beyzli balantda akm kazanc olarak bilinen deeri; kolektr akmnn emiter akmna oran olarak tanmlanr. =

IC IB

Emiter akmnn kolektr akmndan biraz daha byk olduu belirtilmiti. Dolaysyla transistrlerde akm kazanc 1den kktr. akm kazancnn tipik deeri 0.95-0.99 arasndadr. Emiter akm; IE=IC+IB deerine eitti. Bu eitlikte eitliin her iki taraf ICye blnrse;

DC=IC/IE ve DC=IC/IB olduundan, yukardaki formle yerletirilirse;

deeri elde edilir. Buradan her iki akm kazanc arasndaki iliki;

olarak belirlenir. Bir transistrde akm kazanc deeri yaklak olarak sabit kabul edilir. Ancak akm kazanc deerinde ok kk bir deiimin, akm kazanc deerinde ok byk miktarlarda deiime neden olaca yukardaki formlden grlmektedir.

17

rnek : Bir transistrn akm kazanc deeri 200dr. Beyz akmnn 75A olmas durumunda, kolektr akm, emiter akm ve akm kazanc deerlerini bulunuz. zm:

IC= 200. (75A) IC= 150mA IE=IC+IB=(1+ )IB

IE= (1+200)75A IE= 150,75mA

1.8. Katolog Bilgilerini Okuma

Uluslararas bir ok firma, transistr retimi yapar ve kullancnn tketimine sunar. Transistr retimi farkl ihtiyalar iin binlerce tip ve modelde yaplr. retilen her bir transistr farkl zellikler ierebilir. Farkl amalar iin farkl tiplerde retilen her bir transistr; reticiler tarafndan birtakm uluslararas standartlara uygun olarak kodlanrlar. Transistrler; bu kodlarla anlr. retilen her bir transistrn eitli karakteristikleri retici firma tarafndan kullancya sunulur. 1.8.1. Uluslararas Standart Kodlama Transistrlerin kodlanmasnda birtakm harf ve rakamlar kullanlmaktadr. rnein AC187, BF245, 2N3055, 2SC2345, MPSA13 vb. gibi birok transistr sayabiliriz. Kodlamada kullanlan bu harf ve rakamlar rastgele deil, uluslararas standartlara gredir ve anlamldr. Gnmzde kabul edilen ve kullanlan balca 4 tip standart kodlama vardr. Birok retici firma bu kodlamalara uyarak transistr retimi yapar ve tketime sunarlar. Yaygn olarak kullanlan standart kodlamalar aada verilmitir. Avrupa Pro-electron Standard (Pro-electron) Amerikan jedec standard (EIA-jedec) Japon (JIS) Firma Standartlar

1.8.1.1 Avrupa Standard (Pro-Electron Standard) Avrupa lkelerinde bulunan transistr reticilerinin genellikle kullandklar bir kodlama trdr. Bu kodlama trnde reticiler transistrleri; AC187, AD147, BC237, BU240, BDX245 ve benzeri ekilde kodlarlar. Kodlamada genel kural, nce iki veya harf sonra rakamlar gelir. Kullanlan her bir harf anlamldr ve anlamlar aada ayrntl olarak aklanmtr. lk Harf: Avrupa (Pro Electron) standardna gre kodlanmada kullanlan ilk harf, transistrn yapm malzemesini belirtmektedir. Germanyumdan yaplan transistrlerde kodlama A harfi ile balar. rnein AC121, AD161, AF254 vb. kodlanan transistrler germanyumdan yaplmtr. Silisyumdan yaplan transistrlerde ise kodlama B harfi ile balar. rnein; BC121, BD161, BF254 vb. kodlanan transistrler silisyumdan yaplmtr.

18

kinci Harf: Transistrlerin kodlanmasnda kullanlan ikinci harf Avrupa Standardna gre, transistrn kullanm alanlarn belirtir. rnek kodlamalar aada verilmitir. AC: Avrupa (Pro Electron) Standardna gre, dk gl alak frekans transistrdr. Germanyumdan yaplmtr. AC121, AC187, AC188, AC547 gibi... BC: Avrupa (Pro Electron) Standardna gre, dk gl alak frekans transistrdr ve Silisyumdan yaplmtr. BC107, BC547 gibi... nc Harf: Avrupa (pro electron) standardnda baz transistrlerin kodlanmasnda nc bir harf kullanlr. nc harf, ilk iki harfte belirtilen zellikler ayn kalmak kouluyla o transistrn endstriyel amala zel yapldn belirtir. rnek olarak; BCW245, BCX56, BFX47, BFR43, BDY108, BCZ109, BUT11A, BUZ22 vb. gibi 1.8.1.2 Amerikan (Jedec) Standard Amerikan yapm transistrler 2N ifadesi ile balayan kodlar ile isimlendirilmilerdir. Bu kodlarda: Birinci rakam : Elemann cinsini gsterir. Birinci harf : Transistrn yapm malzemesini belirtir.

Son rakamlar : Tipini ve kullanma yerini gsterir. rnein 2N3055teki 2 rakam transistr olduunu, N harfi transistrn silisyumdan yapldn ve 3055 imalat seri numaralarn belirtir. 1.8.1.3 Japon Standard Japon yapm transistrler 2S ifadesi ile balayan kodlar ile isimlendirilmilerdir. Bu kodlarda Birinci rakam : Elemann cinsini gsterir. Birinci harf kinci harf : Transistrn yapm malzemesini belirtir. : Tipini ve kullanma yerini gsterir.

rnein 2SC1384de 2 rakam elamann transistr olduunu, S harfi transistrn silisyumdan yapldn C harfi NPN tipi yksek frekans transistr olduunu ve 1384 imalat seri numaralarn belirtir.

19

UYGULAMA FAALYET UYGULAMA FAALYET

Transistrn Anahtar Olarak Kullanlmas Devresinin ncelenmesi Ama:
Bu uygulama faaliyetini baar ile tamamladnzda, Transistrn anahtar olarak kullanlmas devresini kurup altrabileceksiniz. Elektronik simlasyon programlar ile devrenin almasn inceleyiniz.

Kullanlacak Ara Gereler:

1. Breadboard 2. G Kayna 3. AVO metre 4. Devre emasnda belirtilen elamanlar

Transistrn Anahtar Olarak Kurulup altrlmas

S1

R3
470R

D1 R1
10K LED-BLUE

Q1
BC237

B1
9V

R2
10K

ekil 1.15: Transistrn Anahtar Olarak Kullanlmas

lem Basamaklar
ekil 1.13teki devreyi montaj seti zerine kurunuz. R1 = 10 K, R2 = 10 K ve R3=470 olarak seiniz. G kaynann canl ucunu R3'n ve S1 anahtarnn ucuna balaynz. Devreyi kurmadan nce transistrn ve LED diyodun salamlk kontroln yapnz.

neriler

G kaynann balantlarn doru yaptnzdan emin olunuz. Gerilim deerini 9V olarak ayarladndan emin olunuz. Salamlk kontrol hakknda bu modln en banda verilen bilgileri hatrlaynz. Devreye enerji vermeden nce devreni tekrar S1 anahtarna bastnz zaman kontrol ediniz. LED diyot yanmyorsa ya devreyi yanl kurmusunuz ya da devrede ak devre vardr. Devreyi tekrar kontrol ediniz.

20

G kaynan a devreye enerji uygula, devreyi Besleme geriliminin doru altr. ayarlandndan ve ksa devre olmadndan emin olunuz. Devrenin almasn takip ediniz. Devrede snan para olup olmadn kontrol ediniz. S1 anahtarna bastnz zaman LEDin yanmas gerekir. lm tablosunda gerekletiriniz. belirtilen lmleri Bunun iin kullannz. multimetre

Anahtarn Durumu S1 Ak S1 Kapal

C- (Volt)

B- (Volt)

IB

IC

Tablo 1.1. Sonu deerlerini kaydedin ve yorumlayn

KONTROL LSTES Deerlendirme ltleri Aratrma faaliyetleri yaptnz m? Devre elemanlar doru olarak setiniz mi? Gerekli cihazlar temin ettiniz mi? Elamanlarn salamlk kontrollerini yaptnz m? Devre montaj emaya uygun ve dzenli yaptnz m? Cihazlar uygun deerlere ayarladnz m? Devre ngrlen ekilde altnz m? lme ilemleri doru olarak yaptnz m? Sonu tablosu eksiksiz doldurdunuz mu?
Tablo 1.2. Kontrol listesi

Evet

Hayr

21

LME VE DEERLENDRME LME VE DEERLENDRME

A- OBJEKTF TESTLER (LME SORULARI)
1. Aadakilerden hangisi kullanm amalarna gre transistr eitlerine girmez? A) Anahtarlama devre transistrleri B) Osilatr devre transistrleri C) Amplifikatr devre transistrleri D) Yzey temasl transistrler Aadakilerden hangisi transistr terminallerine verilen isimlerden biri deildir? A) Emiter B) Anot C) Beyz D) Kolektr Transistrn aktif blgede alma art aadakilerden hangisidir? A) Beyz-Kolektr aras ters, beyz-emiter aras doru, B) Beyz-Kolektr aras doru, beyz-emiter aras doru, C) Beyz-Kolektr aras doru, beyz-emiter aras ters, D) Beyz-Kolektr aras ters, beyz-emiter aras ters polarmalandrlmaldr. Transistr salamlk kontrolne gre aadakilerden hangisi yanltr? A) Doru ynde beyz emiter aras deer gsterir. B) Doru ynde beyz-kolektr aras deer gsterir. C) Kolektr-emiter aras bir ynde deer gsterir dier ynde deer gstermez. D) Kolektr-emiter aras her iki ynde de deer gstermez. Silisyum yar iletken malzemeden yaplm bir transistrn iletime gemesi iin gerekli lanan minumum VBE gerilim deeri katr? A) 0,4 Volt B) 0,7 Volt C) 0,9 Volt D) 1 Volt Aadakilerden hangisi transistr alma blgelerinden deildir? A) Pasif B) Aktif C) Kesim D) Doyum Transistrn ykselte olarak kullanld bir devre iin aadakilerden hangisi sylenemez? A) Devrenin amac gerilim kazanc salamaktr. B) Transistr aktif blgede almaktadr. C) Transistr doyum blgesinde almaktadr. D) Devrenin kazanc AV

2.

3.

4.

5.

6.

7.

VO forml ile hesaplanr. Vg

DEERLENDRME
Cevaplarnz cevap anahtar ile karlatrnz. Doru cevap saynz belirleyerek kendinizi deerlendiriniz. Yanl cevap verdiiniz ya da cevap verirken tereddt yaadnz sorularla ilgili konular faaliyete geri dnerek tekrar inceleyiniz Tm sorulara doru cevap verdiyseniz dier faaliyete geiniz.

22

RENME FAALYET2 RENME FAALYET2

AMA
Bu faaliyette verilen bilgiler dorultusunda FETlerin genel yapsn ve temel zelliklerini tanyacak, devreye uygun FETi seerek FET uygulamalarn gerekletirebileceksiniz

ARATIRMA
Transistr varken neden FET gibi bir elamana ihtiya duyulmutur? Aratrnz.

2. FET
2.1. FET eitleri
Alan Etkili Transistr (Field Effect Ttransistor), 3 ulu bir grup yar iletken devre elemannn genel addr. Bu gruptaki transistrler kendi aralarnda birtakm kategorilere ayrlr ve isimlendirilir. ekil 2.1de alan etkili transistr eitleri grlmektedir.

ekil 2.1: Alan ekili tansistrlerin (FET) eitleri

Alan etkili transistr; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yar iletken JFET (MOSFET) olarak yaplr ve isimlendirilir. Her iki tip transistrn de n kanall ve p kanall olmak zere iki tipte retimi yaplr. N kanall JFET'lerde iletim elektronlarla, P kanall JFETlerde ise oyuklarla salanr. FET'lerin yapm basit ve ekonomik olduundan dolay olduka ok kullanm alan bulmutur. JFETlerin bipolar transistrlere gre nemli farkllklar vardr. Bu konu daha sonra ayrntl anlatlacaktr.

23

2.2. JFET Yaps ve almas

JFET'ler; N kanall ve P kanall olmak zere iki tipte retilir. JFET'in fiziksel yaps ve elektriksel sembol ekil 2.2de gsterilmitir. JFET uca sahiptir. Ularna ilevlerinden tr; Geyt (Gate), Srs (Source), Dreyn (Drain) isimleri verilmitir. JFET sembolnde, gate ucunda bulunan okun yn kanal tipini ifade eder. Ok yn ieri doru ise N kanal JFET, ok yn darya doru ise P kanal JFET olduu anlalr. Bu durum ekil 2.2.a ve bde gsterilmitir.

ekil 2.2: N kanall ve P kanall JFET'in yaps ve sembol

N kanall JFET ile P kanall JFETin alma prensibi ayndr. Tek fark akm ynleri ile polarma gerilimlerinin ters olmasdr. Bu yzden biz burada sadece N kanall FETin alma prensibini inceleyeceiz. JFET'e polarma gerilimleri uygulandnda meydana gelen akm ve gerilimler ekil 2.3 zerinde gsterilmitir. Drain-source arasna uygulanan besleme gerilimi, drain ucu ile ase arasna balanr. Bu gerilim, drain devresindeki besleme gerilimi olarak tanmlanr ve VDD ile sembolize edilir. VDD gerilimi, n kanal ierisindeki elektronlarn hareket etmesini salar. Bu elektronlar, source'den drain'e oradan da VDD kaynann pozitif kutbuna gider. VDD kaynann iinden sourcee geri dner. Source ve drain zerinden geen bu akma drain akm denir ve ID ile sembolize edilir.

24

ekil 2.3: JFET'in almas

JFETin gate terminali kontrol ucudur. JFETin iletkenliini kontrol eder. nce gate terminali kullanmadan JFETin almasn analiz edelim. Bu amala ekil 2.4ten yararlanacaz. ekil 2.4te verilen devrede, VGG gerilimi 0V (ase) yaplrsa ve VDD besleme kayna da 0Vdan balayarak ykseltilirse kanal ierisinden geen akm miktar da artar. Ancak n tipi kanaln jonksiyon direnci maksimum akm deerini snrlar. VDD daha fazla artrldnda JFETde bir ters polarma blgesi oluur. Bu polarma blgesine, azalma blgesi (deplation) denir. Azalma blgesi, kanal akmnn n maddesinin dar bir kesidi iinden gemesini gerektirir. Bu durum kanal direncinin artmasna sebep olur. Dolays ile ID akmnda artk bir azalma sz konusudur.

ekil 2.4: JFET'in almas

25

VDD kaynann daha fazla artrlmas sonucu kanaln tamamen darald (kanal direncinin maksimuma ykseldii) bir duruma eriilir. Bu deerden sonra daha fazla akm ak meydana gelmez. Ksaca kanal akmnda art artk mmkn olmaz. nk kanal kapanma moduna girmi ve drain akm doyuma ulamtr. Bu durum ekil 2.4.bde gsterilmitir. Sonuta, kanal direncinden dolay drain-source arasnda bir gerilim dm meydana gelir. Bu gerilim, VDS gerilimi olarak adlandrlr. Grld gibi, VDD artarken drain ve source ularnda VDS gerilim dm meydana gelir. Bu gerilim dmne ise ID akm sebep olur. ekil 2.5'te grld gibi VP noktasnda, VDS artarken ID sabit bir deerde kalr. ID maksimum deerine ulamtr. IDmax deerine ise IDSS denir. IDSS kanaln doyum akmdr. Bu anda yani IDSS akm, VP deerine ulatnda gate-source aras gerilim de sfrdr (VGS=0V). IDSS deeri, elemann yapsna gre belli bir deerde bulunur. Bu deer imalatlar tarafndan verilir veya llebilir.

ekil 2.5: Kanal akmnn neden olduu daralmann grafii

2.3. JFETin BJTye Gre stnlkleri

Avantajlar: JFET'in giri empedans ok yksektir. (BJTde 2 K iken FETlerde yaklak 100 M ) Anahtar olarak kullanldnda, sapma gerilimi yoktur. JFET'in grlt seviyesi bipolar transistrlere nazaran azdr. Bu nedenle FET, alak ve yksek frekanslarda kullanlabilir. JFET, iyi bir sinyal krpc olarak alr. JFET'in scaklk kararll daha iyidir. Scaklk deiimlerinden pek etkilenmez. JFET'in radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir. BJTlere gre daha kktr. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullanlr.

Dezavantaj: JFET'in BJTye gre sakncas; bant geniliklerinin dar olmas ve abuk hasar grebilmesidir.

26

2.4. JFETin Karakteristikleri

JFET'lerde; gate ucu, kanal blgesini (azalma blgesi) kontrol etmek iin kullanlr. rnein; n kanall bir JFET'te, gate ile source arasna uygulanan negatif polariteli bir gerilim, gerilim azalma blgesini byltr. Bu durum, kanal akmnn daha dk deerlerinde kanaln kapanmasna sebep olur. Eer; VGS gerilimi artrlrsa (n kanal iin daha negatif yaplrsa) kanaln azalma blgesi daha da byr. Neticede drain akm ekil 2.6.a ve b'de gsterildii gibi daha dk akm seviyelerinde doyuma ular. ekil 2.6. a ve b'de n ve p kanal JFET'ler iin VDS-ID grafii izilmitir. Karakteristikte sabit VGS geriliminin eitli deerlerinde ID ve VDS deerleri gsterilmitir. rnek eriler; VGS=0V, -1V ve -2V iin izilmitir.

ekil 2.6: N ve P kanall JFET'in drain karakteristikleri

Sonu olarak, n kanal bir JFETde gate-source arasna uygulanan ters polarma byrken, kanal akm azalr. Gate-source arasna uygulanan ters polarma gerilimi yeterli bykle ularsa kanal tamamen kapanabilir ve ID akm sfra debilir. Kanaln tamamen kapanp akm geirmemesine neden olan ters gerilim deerine gate-source daralma gerilimi (pinch-off) ad verilir: Bu deer VP ile ifade edilir. Yukardaki ekiller ve grafik iyi incelendiinde VDS'nin kk deeri iin, ID akmnn lineer olarak artt grlr (ekil 2.6). VDS gerilimi artarken, kanaln darald grlr. FET'in bir dier nemli karakteristii ise, Transfer Karakteristii olarak adlandrlr. Transfer karakteristii erisi; sabit bir drain-source (VDS) geriliminde, gatesource (VGS) geriliminin fonksiyonu olarak elde edilen drain akmnn (ID) erisini gsterir. Transfer karakteristii ekil 2.7.a ve b'de gsterildii gibi elemann iki nemli parametresi olan VP ve IDSS deerlerini verir. Transfer karakteristii erisi matematiksel olarak;

I D I DSS (1

VGS 2 ) VP

eitlii ile ifade edilir. Bu eitlik veya bu eitlikten izilen transfer karakteristii VP ve IDSS deerlerine baldr ve JFET'in almasn olduka iyi tanmlar. VP deeri, n kanall JFETler iin negatif, p kanall FETler iin pozitif bir deerdir. Transfer karakteristii eitlii ile, ekil 2.7'deki transfer karakteristii karlatrlrsa; VGS=0 olduunda, eitliin ID=IDSS durumunu salad ve erinin dikey eksen ID'yi, IDSS deerinde kestii grlr.

27

Dier taraftan ID=0 iin, eitlik VGS=VP durumunu salar. IDSS ve VP deerleri imalat kataloglarnda verilir. Bu deerlerden yararlanlarak transfer karakteristii izilebilir. Transfer karakteristii erisinden ve deerlerden faydalanarak ID deerleri de hesaplanabilir.

ekil 2.7: N ve P kanall JFET'in transfer karakteristikleri

JFET'in almas grafiksel olarak ekil 2.8deki drain k karakteristii yardm ile grlebilir. IDSS deeri, VGS=0 durumunda elde edilen akm seviyelerinin meydana getirdii eriden okunur. VP deeri ise ak bir ekilde grlmez. Ancak VP deeri en alttaki VGS erisinin deerinden biraz daha byktr. Karakteristikteki kesik izgi, doyum akmnn akt noktalardan gemektedir. Buna gre, kesik izgi VDS=VP-VGS durumunu gstermektedir. Bu izgi genellikle drain karakteristiinin bir paras deildir, ama erinin yatay eksene (VDS) dedii noktann deerini verir.

ekil 2.8: JFET'in drain karakteristii

Karakteristikten grld gibi aktif blgede ID akm sabittir. Ancak belli bir VDS deerinden sonra JFET bozulur, drain akmnn art JFET tarafndan artk snrlanamaz. Ancak JFET devresine bir harici eleman balanarak JFET korunur. JFET'in bozulma gerilimi deeri BVGDS olarak iaretlenmitir. BVGDS deeri, kk gate-source polarma gerilimleri iin daha byktr. retici firmalar tek bir VGS deeri iin genellikle 0V, BVGDS deerini kataloglarnda belirtir. JFETin drain karakteristiinde kesik izgi ile belirtilen blge ile, bozulma erileri arasnda kalan blge JFET iin aktif alma blgesidir. JFET'ler sinyal ykseltmek amac ile kullanldklarnda aktif blgede altrlr. Aktif blgede alma ise byk lde dc polarma gerilimleri ile salanr. JFET'ler saysal devrelerde ve anahtarlama devrelerinde de ok sk kullanlr. Bu tip almada JFETlerin Kesim veya doyum blgelerinde almalarndan faydalanlr ve bu blgelerde altrlr.

28

2.5. FET ve MOSFET lme

FETlerde transistrn aksine gate ucu bota iken drain (D)-source(S) arasndan akm geer. Hem FET ve azaltan tip MOSFETin alma prensibi ve lmleri ayndr. Gate ucu bota iken D-S aras iletkendir. Yani normal transistr gibi llrken C-E aras ksa devre olmu gibidir. Azaltan tip MOSFETin D-S aras direnci FETin D-S aras direncinden byktr. oaltan tip MOSFETin gate ucu bota iken D-S arasndan akm gemez, yaltkandr. lm normal transistr gibidir.

N kanal N kanal P kanal P kanal FET ve Azaltan MOSFET oaltan tip MOSFET FET ve Azaltan MOSFET oaltan tip MOSFET Tablo 2.1: FET ve MOSFET salamlk kontrol sonular

Tablodaki deerler yaklak deerlerdir. llecek malzemenin tipine ve karakteristik zelliklerine gre deiiklik gsterebilir.

2.6. JFET Parametreleri ve Formlleri

JFETe uygulanan voltajlarn deitirilmesiyle, JFETin gsterdii davrana Parametre denir. retici firmalar elaman tanmlamak ve farkl elamanlar arasnda seim yapabilmek iin gerekli olan bilgileri kataloglarda verirler. JFET parametreleri unlardr. Drain-Source doyma akm (IDSS): Gate-Source yapldnda drain-source arasndan akan akmdr. eklemi ksa devre

Gate-Source kapama gerilimi (VP): Drain-Source kanalnn kapand gerilim deeridir. Gate-Source krlma gerilimi (BVGDS):Bu parametre belirli bir akmda drainsource ksa devre iken llr. Uygulamada bu deerin zerine klmas halinde elaman hasar grebilir. Gei letkenlii (gm): Drain akm deiimine gre gate voltaj deiimine denir. Geirgenlik, direncin tersi olduu iin birimi (MHO) veya Siemens 'tir.

29

JFET transfer karakteristristiinde iki nemli nokta IDSS ve VP deerleridir. Herhangi bir noktadaki ID akmnn deeri u ekilde bulunur.

I D I DSS (1

VGS 2 ) VP

Geirgenlik VDS sabit iken drain akm deiiminin gate-source aras voltaj deiimine orandr. u formlle hesaplanr. gm=ID / VGS gm=

2 I DSS VP

ID I DSS

rnek 2.1: IDSS=7,5 mA, VP= 4 V olan p-kanall JFET elamannn drain akmn VGS=2 Volt iin bulunuz. zm:

I D I DSS (1
2 4

VGS 2 ) VP

ID=7,5 mA (1- ) 2 ID=7,5mA.(0,5)2 ID=7,5.0,25 ID=1,875 mA rnek 2.2: Drain akmnn akmad kritik gerilim deeri VP=-6 Volt olan n-kanall JFET elamannda VGS=1,5 V annda drain akm 6,75 mA olarak llmektedir. Drainsource doyum akmnn deerini bulunuz. zm:

I D I DSS (1

VGS 2 ) VP
1,5 2 ) 6

6,75 mA= IDSS(1-

6,75mA=0,5625. IDSS IDSS=12 mA

30

2.7. JFET Polarmalandrlmas (Kutuplanmas)

Belli bir drain akm ve drain-source gerilimi etrafnda JFET'in alabilmesi iin ounlukla polarmalandrlmas gerekir. Eleman bir ykselte olarak altrlacaksa aktif blgede alacak ekilde polarma gerilim ve akmlar seilir. JFET polarmalarnda birok polarma tipi kullanlabilir. Biz bu blmde ok kullanlan polarma eitlerini inceleyeceiz.

2.7.1. Sabit Polarma Devresi

Sabit polarmal bir JFET ykselte devresi ekil 2.6da verilmitir. Devreyi incelediimizde polarmann iki adet dc besleme kaynandan saland grlmektedir. Gerekte uygulamalarda tek bir dc besleme kayna kullanlr. Fakat konunun daha iyi anlalabilmesi iin bu devrede ift besleme kayna kullanlmtr. Aadaki ekilde sabit polarmal ykselte devresi grlmektedir.

ekil 2.9: Sabit polarmal JFET'li ykselte devresi

2.7.2 Self Polarma Devresi

Pratik uygulamada JFET'li ykselteler genellikle tek bir dc besleme kayna ile polarmalandrlr. Byle bir polarma devresi ekil 2.10' da gsterilmitir. Bu devrede gatesource polarma gerilimi elde etmek iin bir self polarma direnci RS kullanlmtr. RS direnci ularnda ID x RS gerilim dm nedeniyle pozitif bir VS gerilimi meydana gelir. Gate veya RG gate direncinden dc akm gemediinden gate gerilimi sfr volttur. Gate gerilimi sfr volt olduundan, gate (0V) ile source (+VS) arasnda llen net gerilim negatif gerilimdir. (Bu gerilim, referans noktas source alndnda negatif deerde llr.) llen bu negatif gerilim gate-source aras polarma gerilimi VGSdir. Gate-source aras polarma balants; VGS=0 - ID . RD=ID . RS olduu devreden grlmektedir. Bu bant transfer karakteristii zerinde gsterilir. Bunun iin iki ID deeri seilir. JFET kesimde iken, ID=0 olur. JFET iletimde iken ID; ID=

VDD RS R D 31

Aadaki ekilde self polarmal JFET devresi grlmektedir.

2N5459

ekil 2.10: Self polarmal JFET devresi

2.7.3. Gerilim Blcl Polarma

JFET iin kullanlan dier bir dc polarma devresi ekil 2.11de verilmitir. Bu polarma ekli, gerilim blcl gate polarma olarak bilinir. Bu polarma tipinde, polarma gerilimi ve akmnn belirlenmesi dier polarma devrelerindeki gibidir. Sadece gate geriliminin 0 volttan farkl bir deerde tutulmasnda durum deiir.

2N5459

ekil 2.11: Gerilim blcl gate polarmas

32

2.8. JFETli Ykselte Devreleri

FET yksek giri empedans nedeniyle zellikle nykselte (preamplifikatr) devrelerinde yaygn olarak kullanlr. ekil 2.12de FETli temel ykselte devresi grlmektedir.

2N5459

ekil 2.12: FETli temel ykselte devresi

Bu devrede C1 kondansatr, giri sinyalini gate ucuna aktaran kuplaj kondansatrdr. C2 kondansatr RS direncini AC sinyaller bakmndan by-pass yapan (yan geit) kondansatrdr. Yani AC sinyaller RS zerinden deil C2 zerinden geer ve bylece RS ularnda AC gerilim dm olmaz. C3 kondansatr de FETin k sinyalini bir sonraki kata iletir.

2.9. Mosfetlerin Yaps, almas ve Karakteristikleri

Alan etkili transistrlerin baz tiplerinde gate terminali kanaldan izole edilmi (yaltlm) biimde yaplr. Bu tr alan etkili transistrlere, metal oksitli yar iletken FET (Metal-Oxide Semiconductor FET) veya ksaca MOSFET denir. MOSFET'ler; ya azaltan tip MOSFET (Deplation-MOSFET) ya da oaltan tip MOSFET (Enhancment-MOSFET) olarak imal edilir. Azaltan tip Mosfetlere ksaca DMOSFET, oaltan tip Mosfetlere ise E-MOSFET denilmektedir. Her iki tip MOSFETinde; P kanal ve N kanal olmak iki tipi vardr. N kanall D-MOSFET ve EMOSFET'in temel yaplar ekil 2.13'te verilmitir. MOSFETlerde tpk JFETler gibi 3 ulu aktif devre elamanlar grubundandr. Ularna ilevlerinden tr; Gate (Gate), Dreyn (Drain) ve Srs (Source) isimleri verilmektedir. ekil 2.13te verilen temel yapda Sabstreyt (Subsrate) terminali, drdnc u gibi grnse de genellikle sourcee balanr veya ase potansiyelinde tutulur. D-MOSFET'in yapsnda kanal fiziksel olarak yaplm haldedir. DMOSFETin, drain-source ularna bir dc gerilim kayna balandnda drain ile source arasnda bir akm meydana gelir. E-MOSFET' in yapsnda ise, imalat srasnda ekillendirilmi veya oluturulmu bir kanal yoktur. E-MOSFET'in; drain-source ularna gerilim uygulandnda akm meydana gelebilmesi iin, arj tayclarnn kanal oluturmas gerekir. Bunun iin de gate ucuna gerilim uygulanmas gereklidir.

33

ekil 2.13: N kanal azaltan (E-MOSFET) ve oaltan tip (D-MOSFET) MOSFET'lerin yaplar

2.9.1 Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Yaps

D-MOSFETlerin, n-kanal ve p-kanal olmak zere balca iki tipde retimi yaplr. ekil 2.14 a'da n-kanal D-MOSFET'in yaps ve ematik sembol grlmektedir. ekil 2.14 bde ise p-kanal D-MOSFETin yaps ve ematik sembol grlmektedir. N kanall DMOSFET, p tipi gvde (substrate-sabstreyt) zerine yerletirilmitir. N tipi yar iletken maddeden yaplan source ve drain blgelerine, source ve drain terminalleri bir metalle (alimnyum) balanmlardr. Ayrca source ve drain blgeleri iten N tipi kanal blgesiyle birbirine balanr. N kanaln stnde bulunan ve kanal ile gate arasndaki izolasyonu salayan ince silikon dioksit (SiO2) tabakasnn zerine ince bir metal tabaka konur. Bu bileim DMOSFET'i oluturur. ematik sembolde elemann gate, source ve drain ular gsterilir. Sabsreyt ucu ise ounlukla sourcee bal olarak gsterilir. ematik gsterimde elemann kanal tipi sabstreyt ucundaki okun yn ile belirtilir. ekil 2.14te grld gibi ok yn elemann iine doru ise n-kanal D-MOSFET, ok yn dar doru ise p-kanal DMOSFET tanmlanr.

ekil 2.14 a ve b: N kanal ve P kanal DE-MOSFET'in yaps ve sembol

34

2.9.2 Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) almas ve Karakteristii

N-kanall D-MOSFET'in gate-source arasna negatif bir gerilim (VGS) uygulanrsa elektronlar kanal blgesinin ortasna doru itilir ve kanalda daralma olur. Yeterli byklkte gate-source gerilimi kanal tamamen daraltarak kapatr. Dier taraftan; pozitif gate-source geriliminin uygulanmas halinde, p tipi tayclar itildiklerinden kanal byklnde bir art olur. Bu durum daha ok arj taycsnn oluumuna izin verdiinden daha byk bir kanal akm meydana gelir. N kanall D-MOSFET'in transfer ve drain karakteristikleri ise ekil 2.15'te grlmektedir. Karakteristik eriler; elemann gerek pozitif, gerekse negatif gate-source geriliminde almasn gstermektedir. Negatif VGS deerleri, daraltma gerilimine (pinch-off) kadar drain akmn azaltr. Bu gerilimden sonra drain akm hi akmaz. N kanall D-MOSFET'in transfer karakteristii, negatif gate-source gerilimleri iin JFET karakteristii ile ayndr ve pozitif VGS deerleri iin de bu zellik korunur. Negatif ve pozitif her iki VGS deerinde de gate kanaldan izole edildiinden MOSFET, VGS'nin her iki polarite durumunda altrlabilir. Sz konusu iki polarite durumun da da gate akm meydana gelmektedir.

ekil 2.15 a ve b: N Kanal D-MOSFET'in transfer ve V-I karakteristikleri

P ve N kanall D-MOSFET'ler alma esas bakmndan birbirinin benzeridir. Ancak P kanall D-MOSFETte polarma kaynaklarnn yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Gate-source gerilimi negatif olduunda drain akm artarken, pozitif olduunda azalr. Bu nedenle daralma gerilimi VP pozitif deerlidir.

2.9.3 oaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Yaps

oaltan tip MOSFETin (E-MOSFET) temel yaps ve ematik sembol ekil 2.16'da verilmitir. E-MOSFETler, n-kanall ve p-kanall olmak zere iki tipte retilir. ekildeki yapdan da grld gibi E-MOSFETin temel yapsnda fiziksel olarak oluturulmu bir kanal yoktur. Ksaca E-MOSFET, drain ile source arasnda fiziksel bir kanala sahip deildir. E-MOSFET'in ematik sembolnde drain ile source aras kesik izgilerle gsterilir. Bu durum balangta E-MOSFETde kanal olmadn belirtmek iindir. ematik sembolde sabsreyt ucundaki okun yn E-MOSFETin kanal tipini belirtir. Ok yn ieri doru ise, N tipi kanal ok yn dar doru ise P tipi kanal gsterir. E-MOSFETlerde kanal tipi ile sabsreytte kullanlan yar iletken malzemelerin tipleri terstir.

35

ekil 2.16 a ve b: N kanall ve P kanall E-MOSFET'in yaps ve sembol

2.9.4. oaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) almas ve Karakteristii

E-MOSFETlerde kanal, gate terminaline uygulanan harici bir besleme ile oluturulur. Gate-source ular arasna pozitif bir gerilimin uygulanmas, gate altnda sabstreyt blgesinde bulunan oyuklar (boluklar) iter ve orada bir azalma (deplasyon) blgesi yaratr. Gate gerilimi yeterince pozitif deere karldnda; elektronlar, pozitif gerilim tarafndan bu azalma blgesine ekilir. Bylece, drain ile source arasndaki bu blge N kanal gibi hareket eder. Pozitif gate gerilimiyle oluturulan ve ekillendirilen N kanall E-MOSFET'in transfer ve V-I karakteristii ekil 2.17'de gsterilmitir.

ekil 2.17: N kanall E-MOSFET'in V-I karakteristikleri

Elemann transfer karakteristiinden de grld gibi, gate-source gerilimi eik (threshold) balang deeri VT'yi ancaya kadar drain akm hi akmaz. Bu eik gerilimi deerinin zerindeki pozitif gerilimlerde, artan deerli bir drain akm meydana gelir. Bu akmn transfer karakteristii de,

I D k (VGS VT ) 2
eitlii yardmyla tanmlanabilir. Eitlik yukardaki formlde yalnz VGS>VT art iin geerlidir. Eitlikte k sabitesi tipik olarak 0.3 mA/V2deerinde olup elemann yapsna bal

36

olan bir zelliktir. VGS=0 volt durumunda drain akm akmad iin E- MOSFET'lerde IDS deerinden sz edilebilir. E-MOSFET'lerin alma sahas; D-MOSFET'lerden daha snrl olmasna ramen, E-MOSFETler, byk-lekli entegre devreler iin ok kullanldr. nk E-MOSFETler basit yapl ve kk boyutlu elemanlardr. E-MOSFET'in ematik sembolnde drain ile source aras kesik izgilerle gsterilir. Bu oaltan tip elemanda balangta kanaln olmayn belirtmek iindir. Bundan baka sabstreyt ucundaki ok P tipi sabstreyti ve N kanal gsterir. P kanall E-MOSFETin sabstreyti, N tipi yar iletkenden yaplr. P-kanall EMOSFET'in alma prensibi N kanall gibidir. Ancak, P kanall da polarma kaynaklarnn yn terstir. Akm tayclar oyuklardr. Negatif deerli eik gerilimi alncaya kadar drain akm yoktur. Daha byk deerli negatif gate gerilimlerinde artan bir drain akm vardr. Artran tipi mosfetlerin gate ularna uygulanan gerilime bal olarak alp kapanan bir anahtar gibi davranma zelliinden yararlanlarak CMOS tipi entegreler retilmitir. Yani CMOS tipi dijital entegrelerin iinde bol miktarda mosfet vardr.

2.9.5. MOSFET Parametreleri

JFET parametrelerinde anlatlan, drain source doyma akm (IDSS), gate-source kapama gerilimi (VP), gei iletkenlii (gm) parametreleri MOSFETlerde de geerlidir. Drain akmn veren formller;

I D I DSS (1

VGS 2 ) VP

ve

I D K (VGS VT ) 2 dir.

MOSFETlerde gei iletkenlii;

gm 2 k (V GS VT )

balants ile bulunabilir.

rnek 2.3: oalan tip MOSFETte VGS=5 V, VT= 3V olduuna gre drain akmn bulunuz. (k=0,3 mA/V2) zm:

I D K (VGS VT ) 2

I D 0,3 (5 3) 2 V
ID=0,3mA/V2.4V ID=1,2 mA

37

UYGULAMA FAALYET UYGULAMA FAALYET

MOSFETin Zamanlayc Olarak Kullanlmas Devresinin ncelenmesi Ama:
Bu uygulama faaliyetini baar ile tamamladnzda, MOSFETin zamanlayc olarak kullanlmas devresini kurup altrabileceksiniz. Elektronik simlasyon programlar ile devrenin almasn inceleyiniz.

Kullanlacak Ara Gereler:

1. Breadboard 2. G Kayna 3. AVO metre 4. Devre emasnda belirtilen elamanlar

MOSFETin Zamanlayc Devresi Olarak Kurulup altrlmas

D1
LED-BLUE

S1 R3
470 3

B1
9V

Q1
2 2N7000

C1
100uF

R1
47K

R2
1M

ekil 2.18: Transistrn anahtar olarak kullanlmas

lem Basamaklar
ekil 2.18deki devreyi montaj seti zerine kurunuz. R1 = 47 K, R2 = 1M ve R3=470 olarak seiniz. G kaynann canl ucunu LEDin ve S1 anahtarnn ucuna balaynz. Devreyi kurmadan nce LED diyodun salamlk kontroln yapnz. MOSFETin bacak balantsn tespit ediniz.

neriler
G kaynann balantlarn doru yaptnzdan emin olunuz. Gerilim deerini 9V olarak ayarladndan emin olunuz. Bacak balantsnn tespiti iin kataloglardan faydalannz.

38

Devreyi kontrol ederek devreye enerji veriniz.

S1 anahtarna bastnz zaman LED diyot yanmyorsa ya devreyi yanl kurmusunuzdur ya da devrede ak devre vardr. Devreyi tekrar kontrol ediniz. G kaynan anz devreye enerji uygulaynz, Besleme geriliminin doru S1 anahtarna basnz ve devreyi altrnz. ayarlandndan ve ksa devre olmadndan emin olunuz. Devrenin almasn takip ediniz. S1 anahtarn Devrede snan para olup anz, LED diyodun ne kadar sre sonunda olmadn kontrol ediniz. S1 sndn takip ediniz. anahtarna bastnz zaman LEDin yanmas gerekir. Devrenin zaman sabitesini hesaplaynz. R1 ve R2 T=R x C formln kullannz. direnlerini deitirerek LEDin yanma sresinde ne gibi deiiklik olduunu gzlemleyiniz.

KONTROL LSTES Deerlendirme ltleri Aratrma faaliyetleri yaptnz m? Devre elemanlar doru olarak setiniz mi? Gerekli cihazlar temin ettiniz mi? Elamanlarn salamlk kontrolleri yaptnz m? Devre montaj emaya uygun ve dzenli yaptnz m? Cihazlar uygun deerlere ayarladnz m? Devre ngrlen ekilde altrdnz m? lme ilemleri doru olarak yaptnz m? Sonu tablosu eksiksiz doldurdunuz mu?
Tablo 2.1. Kontrol listesi

Evet

Hayr

39

LME VE DEERLENDRME LME VE DEERLENDRME

1. Aadaki ifadelerden hangisi yanltr? A) JFET'in giri empedans ok yksektir B) JFETler anahtar olarak kullanldnda, sapma gerilimi yoktur. C) JFET'in grlt seviyesi bipolar transistrlere nazaran azdr. D) JFETlerin bant genilikleri BJTlere gre daha byktr. Bir FETte maksimum drain akm hangi durumda geer? A) VGS gerilimi VP gerilim deerine eit olduunda. B) VGS gerilimi VP gerilim deerinin yar olduunda C) VGS gerilim deeri 0V olduunda D) VGS gerilimi - VP gerilim deerine eit olduunda. VDS sabit iken drain akm deiiminin gate-source aras voltaj deiimine oranna ne denir? A) IDSS B) gm C) VGS D) ID Aadakilerden hangisi JFET parametrelerinden deildir? A) VP B) VGS C) IDSS D) VCE Aadakilerden hangisi FET Polarlama yntemlerinden deildir? A) Deiken polarlama B) Sabit polarlama C) Self polarlama D) Gerilim blcl polarlama

2.

3.

4.

5.

6-9. sorular doru yanl olarak cevaplandrnz. 6. 7. 8. 9. ( ( ( ( ) CMOS tipi dijital entegrelerin iinde bol miktarda mosfet vardr. ) FETler gerilim ile gerilim kontrol esasna gre alan devre elamanlardr. ) FETlerin giri empedans yksek MOSFETlerin ise dktr. ) MOSFETler Azaltan, Artran ve Sabit tipi MOSFET olmak zere 3 eittir.

Cevaplarnz cevap anahtar ile karlatrnz.

DEERLENDRME
Cevaplarnz cevap anahtar ile karlatrnz. Doru cevap saynz belirleyerek kendinizi deerlendiriniz. Yanl cevap verdiiniz ya da cevap verirken tereddt yaadnz sorularla ilgili konular faaliyete geri dnerek tekrar inceleyiniz Tm sorulara doru cevap verdiyseniz dier faaliyete geiniz.

40

MODL DEERLENDRME MODL DEERLENDRME

1. Aadakilerden hangisi kullanm amalarna gre transistr eitlerine girmez? A) Anahtarlama devre transistrleri B) Osilatr devre transistrleri C) Amplifikatr devre transistrleri D) Yzey temasl transistrler Aadakilerden hangisi transistr terminallerine verilen isimlerden biri deildir? A) Emiter B) Anot C) Beyz D) Kolektr Transistrn aktif blgede alma art aadakilerden hangisidir? A) Beyz-Kolektr aras ters, beyz-emiter aras doru B) Beyz-Kolektr aras doru, beyz-emiter aras doru C) Beyz-Kolektr aras doru, beyz-emiter aras ters D) Beyz-Kolektr aras ters, beyz-emiter aras ters polarmalandrlmaldr. Transistr salamlk kontrolne gre aadakilerden hangisi yanltr? A) Doru ynde beyz emiter aras deer gsterir. B) Doru ynde beyz-kolektr aras deer gsterir. C) Kolektr-emiter aras bir ynde deer gsterir dier ynde deer gstermez. D) Kolektr-emiter aras her iki ynde de deer gstermez. Silisyum yar iletken malzemeden yaplm bir transistrn iletime gemesi iin gerekli olanan minumum VBE gerilim deeri katr? A) 0,4 Volt B) 0,7 Volt C) 0,9 Volt D) 1 Volt Aadaki ifadelerden hangisi yanltr? A) JFET'in giri empedans ok yksektir. B) JFETler anahtar olarak kullanldnda, sapma gerilimi yoktur. C) JFET'in grlt seviyesi bipolar transistrlere nazaran azdr. D) JFETlerin bant genilikleri BJTlere gre daha byktr. Bir FETte maksimum drain akm hangi durumda geer? A) VGS gerilimi VP gerilim deerine eit olduunda B) VGS gerilimi VP gerilim deerinin yar olduunda C) VGS gerilim deeri 0V olduunda D) VGS gerilimi - VP gerilim deerine eit olduunda.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

41

8.

VDS sabit iken drain akm deiiminin gate-source aras voltaj deiim oranna ne denir? A) IDSS B) gm C) VGS D) ID Aadakilerden hangisi JFET parametrelerinden deildir? A) VP B) VGS C) IDSS D) VCE Aadakilerden hangisi FET polarma yntemlerinden deildir? A) Deiken polarma B) Sabit polarma C) Self polarma D) Gerilim blcl polarma

9.

10.

DEERLENDRME Cevaplarnz cevap anahtar ile karlatrnz. Doru cevap saynz belirleyerek kendinizi deerlendiriniz. Yanl cevap verdiiniz ya da cevap verirken tereddt yaadnz sorularla ilgili renme faaliyetine dnerek tekrar inceleyiniz.

42

CEVAP ANAHTARLARI CEVAP ANAHTARLARI

RENME FAALYET-1CEVAP ANAHTARI
1 2 3 4 5 6 7 D D A C B A C

RENME FAALYET2 CEVAP ANAHTARI

1 2 3 4 5 6 7 8 9 D C B D A Doru Doru Yanl Yanl

MODL DERLENDRME CEVAP ANAHTARI

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 D B A C B D D B D A

Cevaplarnz cevap anahtarlar ile karlatrarak kendinizi deerlendiriniz.

43

KAYNAKA KAYNAKA
BEREKET Metin, Engin TEKN, Atlye ve Laboratuvar 2, zmir 2003. Peynirci h. refik, Hikmet ZATA, Temel Elektronik, zmir 2001. YAIMLI Mustafa, Feyzi AKAR, Elektronik. YARCI Kemal, Elektronik 2, Austos 2002. Mersin niversitesi Web sitesi www.mersin.edu.tr silisyum.net Web Sitesi

http://www.silisyum.net/htm/opamp/opamp.htm

44