Fuentes de luz y detectores 1/2

Notas sobre fuentes de luz y detectores

Departamento de ptica, Universidad Complutense, marzo 2009

Esquema bsico de emisin de luz: tomos previamente excitados se desexcitan empleando toda o parte de su energa de excitacin en la emisin de luz. Hay dos mecanismos distintos de desexcitacin con emisin de luz: emisin espontnea (independiente de si hay luz en el entorno del tomo excitado) y emisin estimulada (influida por la existencia de luz en el entorno del tomo excitado). En el visible normalmente la ms probable es la emisin espontnea, salvo que la cantidad de luz en las proximidades del tomo sea muy elevada. En cualquiera de los dos casos se obtienen distintas fuentes de luz dependiendo del entorno en el que estn los tomos (slido, lquido, gas, en una cavidad, con/sin iluminacin, etc.) y del modo en el que se exciten los tomos (calentamiento, colisiones, iluminacin, inyeccin, etc.) Fuentes de luz convencionales. Funcionan por emisin espontnea. Son las lmparas de incandescencia (bombillas) y las lmpara de descarga en gases (fluorescentes, lmparas de sodio o mercurio como las del alumbrado pblico, pantallas de plasma, etc). En ambos casos los tomos son excitados por colisiones con los electrones de una corriente elctrica. En el caso de las bombillas el espectro emitido es semejante al de un cuerpo negro, con temperaturas de algunos miles de grados, mientras que en los gases el espectro suele ser una serie de picos ms o menos anchos dependiendo de la temperatura, concentracin el gas, etc.

Espectro del cuerpo negro

Espectro de lmpara de descarga

LED (Light Emiting Diode). En un slido los niveles energticos electrnicos forman bandas: la banda de conduccin (nivel excitado) y la banda de valencia (nivel fundamental). Dependiendo de la composicin se puede tener la banda de valencia llena y algunos electrones en la banda de conduccin (se dice semiconductor tipo n), o bien algunos niveles libres (llamados huecos) en la banda de conduccin (se dice semiconductor tipo p). Si se juntan dos de estos slidos se forma un diodo y los electrones en la banda de conduccin del semiconductor tipo n se desexcitan por emisin espontnea pasando a ocupar los niveles libres en la banda de valencia del semiconductor tipo p. Para mantener la emisin de luz de forma continua se aplica un pequeo voltaje en los extremos del diodo. Las frecuencias emitidas dependen de la separacin entre la banda de conduccin y la de valencia y de la distribucin de electrones en la banda de conduccin. Como suelen ocupar un intervalo de niveles del orden de kBT (kB : constante de Boltzmann, T: temperatura) la anchura espectral de la luz emitida es del orden 2 kBT/h (h: constante de Planck) y 30 nm a temperatura ambiente.
intensity 1.0 0.5 0 600
24 nm

655nm

Espectro LED rojo

650

700

Fuentes de luz y detectores 2/2 Lser (Light Amplifier by Stimulated Emission of Radiation). Entre las caractersticas ms relevantes de esta fuente de luz estn su potencia, monocromaticidad, direccionalidad. Estas caractersticas surgen de la combinacin de dos factores: la emisin estimulada y la cavidad que suele alojar al medio emisor. El lser funciona por emisin estimulada: la presencia de luz estimula la emisin de ms luz con las mismas caractersticas de la luz estimulante. Si la emisin estimulada supera la absorcin y otras prdidas se produce la amplificacin de luz. Para ello es condicin necesaria que el nmero de tomos excitados supere al nmero de tomos en el estado fundamental. Esta condicin se denomina inversin de poblacin y para conseguirla se debe comunicar energa al medio (bombeo) por encima de cierto umbral. Un ingrediente bsico en muchos lseres es la cavidad. El medio emisor se limita en sus extremos por espejos para aumentar la densidad de luz en el entorno de los tomos y favorecer la emisin estimulada frente a la espontnea. Para que una onda luminosa pueda existir en la cavidad (es decir entre los espejos) ha de autoreconstruirse tras reflejarse en los espejos. Las ondas que verifican esta condicin se denominan modos de la cavidad. Esta condicin selecciona un nmero discreto de posibles frecuencias y direcciones de propagacin. La elevada monocromaticidad y direccionalidad de algunos lseres se consigue debido a que la dinmica de la emisin estimulada establece la competencia entre los modos por apropiarse por emisin estimulada de la energa almacenada en la inversin de poblacin, de forma que slo sobreviven el modo o los modos de menores prdidas.

Los detectores se pueden clasificar en dos grupos: trmicos y fotnicos. Los detectores trmicos se basan en la modificacin de una propiedad material (por ejemplo la resistencia) con la temperatura, que a su vez depende de la potencia luminosa incidente sobre l. Se caracterizan por tener una respuesta similar en un intervalo espectral muy ampli, incluyendo el infrarrojo, y por ser ms lentos. Ejemplos: termopares y termopilas, bolmetros, neumticos y piroelctricos.
Los detectores fotnicos se basan en la conversin de fotones en pares electrn-hueco (promocin de un electrn de la banda de valencia a la de conduccin) el seno de un semiconductor o en la extraccin de electrones del seno de un metal (efecto fotoelctrico). La deteccin consiste en la medida de la corriente elctrica as generada, por ejemplo midiendo el voltaje en una resistencia en serie. Detectores fotnicos son los fotoctodos, fotomultiplicadores, diodos de unin p-n (fotodiodos) y fotoconductores. Entre los parmetros que caracterizan este tipo de detectores estn la eficiencia cuntica (porcentaje de fotones convertidos en pares electrn-hueco), frecuencia de corte (mnima frecuencia de la luz que puede producir el efecto), y ganancia (nmero de portadores de carga generados por fotn).
Vr (a) Electrode h > Eg SiO2 p+ Iph h+ e

Vout

n E
Antireflection coating W Electrode Depletion region

Fotodiodo

Fotoconductor

Bibliografa: S. O. Kasap, Optoelectronics and Photonics, Prentice Hall 2001