UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

CURSO TEMA ESPECIALIDAD ESTUDIANTE DOCENTE : FSICA ELECTRNICA : UNION P- N : INGENIERA DE SISTEMAS E INFORMTICA : ELIAS EMILIO GARCIA CASTILLO : EUSEBIO CARRASCO SAJAMI

Lima - Per 2012

UNION P-N

DIODO DE UNION PN POLARIZADO

En este

applet los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos". El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado en un crculo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado.

El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un crculo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco).

Entonces la representacin de un SC tipo n sera:

Y la de un SC tipo p:

La unin de las regiones p y n ser:

Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin P-N".

Una unin P-N consiste en un nico cristal semiconductor al cual se le han aadido impurezas de manera que se obtiene una zona p y otra n. Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de conformar fsicamente la unin, se tendra una distribucin de portadores segn se indica en la figura. La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos, y la debida a los electrones.

 A mayor distancia en cada una de las zonas desde la unin, la corriente predominante corresponde a los huecos en la zona p, y a los electrones en la zona n.

CONMUTACION DEL DIODO

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustitutendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se nuestran los valores intantneos para estas funciones temporales. Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin). En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de

siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada. Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este parmetro no podr ser modificado por el usuario.

LA LEY DE SHOCKLEY
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin, y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones. Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido a la resistencia interna. Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la corriente es una constante negativa del valor de Is. La regin de ruptura no est modelada en la ecuacin de diodo de Schockley. Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha. Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley. Grafica