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Materiais Cristalinos
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Impurezas
Solues Slidas
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Continuao
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A maioria dos elementos qumicos agrupamse basicamente no sistema cbico e hexagonal. O sistema cbico se subdivide em: Cbico simples (CS) Cbico de corpo centrado (CCC) Cbico de face centrada (CFC) O sistema hexagonal se subdivide em: Hexagonal simples (HS) Hexagonal compacta (HC)
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Exemplos:
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Esta estrutura hipottica para metais puros. Dentro de cada clula unitria contm 1/8 de cada tomo que a compe.
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Fator de empacotamento =
Fator de empacotamento =
Considerando os tomos metlicos como esferas rgidas apenas 52% do espao da clula unitria estaria ocupado.
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Material anisotrpico
Quando as propriedades do material dependem da direo cristalogrfica a qual ele esta sendo submetido. Ex.: madeira.
Material isotrpico:
Quando as propriedades do material independem da sua direo cristalogrfica. Ex.: ao.
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Material monocristalino: So materiais formados por um arranjo repetitivo e perfeito ao longo de toda uma direo, no havendo falhas, formando faces perfeitas. Ex.: diamante e pedras preciosas.
Material policristalino: So formados pelo crescimento de cristal em vrias direes. Ex.: ferro, concreto etc.
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Direo cristalogrfica
Seja o seguinte exemplo: No caso ao lado, terseia Como direo: [ 1 0 ]. Contudo, devemos multiplicar todos os ndices pelo primeiro nmero Projeo no inteiro maior que 1, ou seja, 2. eixo y de b Logo os ndices apresentados sero: [ 1 2 0 ].
Projeo no eixo x de a
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Cristalograficamente, h direes equivalentes dependendo apenas da escolha arbitrria dos eixos de base. Direes: [ 1 0 0 ], [ 0 1 0 ] e [ 0 0 1 ] Direes equivalentes so expressas por < >. No exemplo anterior teramos: direes < 1 0 0 >.
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Plano cristalogrfico
Seja o seguinte exemplo que mostra os planos mais comuns de uma clula unitria cbica, que tambm so representados por nmeros inteiros dentro de parnteses:
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Cristalograficamente, h planos equivalentes dependendo apenas da escolha arbitrria dos eixos de base. Planos: ( 1 0 0 ), ( 0 1 0 ) e ( 0 0 1 ) Planos equivalentes so expressas por { }. No exemplo anterior teramos: direes { 1 0 0 }.
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Lei das Zonas de Weiss Planos de uma zona so planos paralelos a uma direo cristalogrfica denominada eixo de zona. A zona, isto , o conjunto de planos, determinada pelos ndices do eixo da zona. Os planos de uma zona podem ter ndices cristalogrficos e espaamentos bem diferentes, mas tm em comum o paralelismo com uma direo cristalogrfica. Dois planos no paralelos so planos de uma zona, pois ambos so paralelos linha de intercesso dos mesmos. Se os ndices so (hkl), o eixo da zona [uvw] ou linha de interseo pode ser obtido pelo produto vetorial das normais a ambos os planos,
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Um plano pertence a uma zona quando a normal ao plano perpendicular ao eixo da zona. Pode-se ento enunciar a lei das zonas de Weiss: dada uma zona de ndices [uvw], a condio necessria e suficiente para que um plano (hkl) pertena a essa zona dada pela equao,
ou seja, produto escalar de duas direes perpendiculares, o eixo de zona e a normal ao plano. Note que a equao acima expressa tambm a condio para que uma direo cristalina [uvw] pertena, ou esteja contida, num plano cristalino (hkl). Neste caso a direo normal ao plano ser perpendicular direo [uvw].
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Sistema Hexagonal
No sistema hexagonal as direes so normalmente expressas em funo dos trs vetores bsicos a1, a2 e c, notadas por [uvw] pode tambm usar-se a notao de Miller-Bravais com 4 ndices [uvtw] tais que: u = n/3 (2u-v) v = n/3 (2v-u) t = -(u+v) w = nw sendo n um factor para reduzir os ndices [uvtw] a nmeros inteiros
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Sistema Hexagonal
No sistema hexagonal aplica-se normalmente a notao de MillerBravais para a notao dos planos cristalogrficos os planos so notados como (hkil) ou (hk.l) o ndice i, relativo a a3, dado por: i = - (h+k)
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Deslizamento ocorre mais facilmente em planos e em direes com elevados fatores de empacotamento. Dessa forma, conclui-se que:
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Defeitos Cristalinos
Subdividemse em:
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Defeitos Pontuais
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Defeitos Pontuais
N = nmero de posies atmicas na estrutura cristalina; Q = energia para formao de uma lacuna; T = Temperatura absoluta (K); k = Constante de Boltzmann k = 1,38x10-23J/tomo.K k = 8,62x10-5eJ/tomo.K k = 1,987 cal/mol.K
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Defeitos Pontuais
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Defeitos Pontuais
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Defeitos Pontuais
Solues slidas
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Defeitos Pontuais
Regras de solubilidade para solues substitucionais (Hume Rothery) 1 Diferena entre raios atmicos < 15%; 2 Mesma estrutura cristalina para os metais; 3 Eletronegatividade semelhantes; 4 Valncia maior = maior solubilidade.
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Defeitos Lineares
Discordncia de aresta: um defeito provocado pela adio de um semiplano extra de tomos.
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Defeitos Lineares
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Defeitos Lineares
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Defeitos Lineares
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Defeitos Lineares
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Defeitos Lineares
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Defeitos Lineares
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Defeitos Lineares
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Defeitos Interfaciais
So contornos que separam regies dos materiais com diferentes estruturas cristalinas ou orientaes cristalogrficas.
final da estrutura cristalina, tomos com maiores energias; fronteira entre cristais com diferentes orientaes.
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Defeitos Interfaciais
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Defeitos Interfaciais
Contorno de Macla:
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