Electrnica de Potencia

Universidad Tecnolgica Nacional Facultad Regional Crdoba Departamento Electrnica

Documento UTN N

EP-05-01

T.P. N 5: Fuente conmutada de medio puente

Se estudiar el diseo de una fuente de alimentacin tipo off-line forward bidireccional en medio puente de potencia 50W.-

1.1.

Especificaciones
Half Bridge Forward Converter (Convertidor medio puente simtrico Forward) 200 a 240V RMS, 50 Hz Tensin: 20V DC (puede ser de otro valor ) Corriente: 2,5A (puede ser de otro valor ) 3.5A 400mVPP Mx 1% 1%

Topologa. Lnea de entrada. Salida. Lmite de corriente. Ripple de tensin Regulacin de lnea. Regulacin en la carga Otras especificaciones: Eficiencia: Aislacin de lnea Frecuencia de conmutacin:

75% mn 2200V 80khz

__________________________________________________________________________________________

2.

Diagrama en bloques

Estos estn clasificados de acuerdo al ciclo de histresis que sufra el material en el diagrama B-H. Si permanece siempre en un solo cuadrante, se denomina ASIMTRICO. Si utiliza los dos cuadrantes, se denomina SIMTRICO.

Circuitos auxiliares de proteccin

Entrada Vlinea Filtro RFI + arranque suave

Rectificador y filtro

Elementos de conmutacin

Transformador de potencia Rectificador y Filtro

V0

Fig. 1 Diagrama en bloques fuente conmutada Off-Line

Realimentacin aislada y lgica de control

El trmino Off-Line significa que el regulador (PWM) va en el primario del transformador de potencia y opera en forma independiente de la lnea. Aunque, el regulador PWM puede estar conectado en el lado de la carga. Adems, no utiliza transformador de alimentacin adicional, ya que se rectifica la lnea y se convierte a la tensin de salida V0 sin utilizar transformador adicional._________________________________________________________________________________________
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3. El circuito de Entrada de lnea: El circuito de entrada tiene un supresor de RFI (Interferencia de Radiofrecuencia), ya que la norma internacional VDE 871, 872 exige un filtro como el que se ilustra la fig. 02 para evitar que la fuente conmutada genere ruido en la lnea. Adems posee una proteccin de sobretensiones transitorias de lnea (TVS), un circuito de arranque suave con un triac y R1 ; un circuito de adaptacin 110V o 220V a travs de conmutar la llave U1 ; y por ltimo, un circuito vlido para el semipuente o el puente completo, conectando el convertidor entre 0V, 130V y 320V picos.

X1 D1-D4
.

R1
1 2

C1
Open=220V

C3 C6 TX1

C4
. .

R2
.

SW1

close=110V

R3 C5 C2
.

Fig. 2 El circuito de entrada de lnea para aplicaciones de 110/220V, en convertidores of-line de medio puente, forward, y fly-back.

Chokes for EMC filters

Typical data

La red supresora de RFI tiene los capacitores de alta tensin (> 500V ) y de alta frecuencia. C5 C6, oscilan en los valores de 0,1 a 2 F. Los capacitores C4 C5 tienen un valor tpico de 2200pF a 0,033F. El transformador TX1 tiene un valor de 1,8mH a 25 A de entrada, a 47mH 0,3 A de entrada. La resistencia R1 conectada en serie con la lnea tiene el fin de arranque suave. Cuando el circuito se enciende, la Luego de un instante inicial y una vez que los capacitores resistencia est conectada y el triac X1 est bloqueado. se cargaron, el triac se satura y la resistencia serie de la lnea es, ahora R=0. Los diodos D1 a D4 funcionan como puente rectificador en el caso de la llave SW1 abierta (220V), o como un circuito duplicador de tensin junto con los capacitores C1 y C2 si la llave SW1 est cerrada (110V). El clculo de los capacitores C1 y C2 es el siguiente:
C= I t

VRIPPLE I= corriente de carga t = tiempo en el que el capacitor suministra corriente VRIPPLE = mx tensin de ripple permitido _______________________________________________________________________________________________

donde

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4.
4.1.

Clculo de los componentes

Clculo de C1 y C2

Calcular el valor de los capacitores C1 y C2 trabajando a 115V, 50Hz y con una potencia de conmutacin de 50W. =70% en el peor de los casos. Entonces:
P0 50W = =71,5W 0,7 P 71,5W ICARGA = in = = 0,22A V0 320V Pin =

V0 =2 * (115 * 2 )=320VCA

Se asumir un ripple mx de 30VPP y que el capacitor deber mantener la corriente durante el semiperodo (8ms para lnea de 60Hz).

0,22A*8,33* 10 3 s =61,11F Entonces, C1 y C2 podrn valer 100F cada uno. 30 V Debido a que tienen que funcionar tambin en la configuracin de doblador (110V), C=C1 +C2 , entonces C1 y C2 = C1 =C 2 =150F 61,11*2= 122,22 F C1 2 =
Los diodos TVS (marca reg. MOTOROLA) de entrada, sirven para suprimir los transitorios de tensin de lnea que suelen ser del orden de los 5KV o ms. Pero, son de corta duracin, por lo que los diodos cumplen la funcin en forma efectiva. Tambin se pueden utilizar los diodos TRISIL de SGS-THOMSON que son bidireccionales.

________________________________________________________________________________________ Lay-out correcto en la plaqueta impresa, por ejemplo de una fuente para PC.

Fig. 3. EMC filter Lay-out

When using off-the-shelf filters, observe the following rules: * Ensure a proper electrically conductive connection between the filter case and/or filter ground and the metallic case of the interference source or disturbed equipment, and * provide sufficient RF decoupling between the lines at the filter input (line causing the interfer-ence) and the filter output (filtered line), if necessary by using shielding partitions.

______________________________________________________________________________________________ Filtro EMC (Electromagnetic compatibility) externo:

Fig. 4 External EMC filter

_______________________________________________________________________________________________
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4.2.

Los transistores de potencia

Estimacin de la corriente pico del transistor en una fuente conmutada semipuente simtrica forward En el semiperiodo de la frecuencia de conmutacin, la corriente de trabajo es el doble.
ID = 2P0 . Si = 80% DMAX = 0,8 (2 * 0,4), entonces: DMAX Vin ID MAX 3,125 P0 VinMIN

IDMAX 3,125

P0 VinMIN

= 3.125

50 =0.6 A 258

ID MAX 0,6 A

VCEV o VDSS VinMAX =339,4 V

Se elige el IRF820, con una corriente mxima de 2,5A y una tensin mxima

VDSS=500V; o el IRF830 con una corriente mxima de 4,5A; o el IRF840 con una corriente mxima de 8A __________________________________________________________________________________________

4.3.

Los rectificadores de salida

( V0 + VF ) Vin

VRRM

MAX

DMAX VinMIN

+ perdidasinductivas =

(20 + 0.8)339.4 =34,2V

0.8 *258

IF( AV )

I0MAX 2

=2.5 / 2 = 1,25 A

__________________________________________________________________________________________

4.4.

El transformador de potencia

1. Seleccionar el tipo de material, tipo de cazoleta. Los materiales Siemens ms usados en fuentes conmutadas son:
Material Rango de Frecuencia

N27 y N41 N67 Los tipos de cazoletas ms utilizados son:

Tipo Usado en

25 a 150 KHz 100 a 300 KHz

RM ETD Pot PM EC y ER E U Toroides

Transmision de mediana y baja potencia (preferentemente sin agujero central) Mediana potencia (posibilidades de bobinado automtico) Tcnicas de filtros de baja perdidas de flujo Potencias en rangos de 250W a 2KW Potencia mediana. Permite gran rea de bobinado. Puede ser montado horizontal o verticalmente Idem anterior Gran potencia. Hasta 20 KW Drivers y filtros de salida. Bajas prdidas. Baja potencia.

2.

Determinar la excursin de la densidad de flujo

El transformador se deber disear para operar en el mayor valor de B posible, resultando en una cantidad de vueltas menor en el devanado, incrementando el rango de potencia y obtenindose menores prdidas de inductancia debidas al devanado. El valor mximo de B est limitada por el valor de saturacin. Del manual Siemens SIFERRIT:
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Selected curve: material N27T25

Fig. 5 Hysteresis curve: 25KHz, 25C

Se utilizar un B de 300mT. A medida que aumenta la frecuencia se debe reducir la excursin mxima de densidad de flujo. 3. Determinar el tamao de la cazoleta.

Este ser un procedimiento iterativo que permitir seleccionar un ncleo especfico que sea capaz de soportar los voltios por segundos sin saturar y con prdidas en el ncleo y en el devanado aceptables. Un mtodo til es aplicar la ecuacin del rea de producto, AP que es el producto del rea de la ventana del ncleo AW multiplicada por el rea efectiva del ncleo Ae . El valor de AP del ncleo seleccionado deber ser mayor o igual. La ecuacin 6.1.a se utiliza cuando el valor de B est limitado por el valor de saturacin, y la ecuacin 6.1.b se utiliza cuando est limitada por las prdidas en el ncleo.
AP = A W A e Pout 10 4 = K t K u K p 420 B 2 f t Pout 10 4 = K 120 B 2 f t
1.58

1.31

11.1 Pout = K B f t

cm 4

[ ]
4

Ec. 6.1.a

AP = A W A e

. k H f t + k E f t2

0.66

[cm ]

Ec. 6.1.b

donde,

Pout KT = Ku =
Kp =

Potencia de salida
Iin(DC ) IP(RMS) A' w Aw
Ap A' w

relac. I entrada /I primario, y depende de la topologa factor de utilizacin de la ventana factor de rea del primario (el rea relativa del primario respecto al rea total de todos los devanados, proporcionados )

K =K t Ku Kp
J ft

densidad de corriente (420 A/cm2) frecuencia de operacin del transformador

Ku es la fraccin del rea de la ventana del ncleo que est llenada ahora con el bobinado. Ku se reduce por la aislacin, por la distancia en el final del recorrido de la bobina en aplicaciones de alta tensin, y por el factor de llenado (forma del rea del cableado y capas). Ku es tpicamente entre 0.4 y 0.3en fuentes off-line de alta aislacin. KP es el rea relativa del primario respecto al rea total de todos los devanados, proporcionados de manera tal que todos los devanados operen a la misma densidad de corriente RMS y la misma densidad de potencia.
Para la mayora de los materiales ferrites, el coeficiente de histresis es k H = 4.10 5 y el coeficiente de corriente de Eddy es k E = 4.10 10
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En las ecuaciones 6.1.a y 6.1.b se asume que el bobinado ocupa el 40% del rea de la ventana, que las reas del primario y el secundario estn proporcionadas por igual densidad de potencia y que las prdidas del conductor y del ncleo resultan en una subida de 30 con enfriamiento por conveccin natural. La tabla siguiente muestra los valores tpicos de las constantes K:
Table I. K factors Forward converter Bridge / Half Bridge Full wave center-tap Note: SE/SE SE/CT CT/CT K 0.141 0.165 0.141 Kt 0.71 1.0 1.41 Ku 0.40 0.40 0.40 Kp 0.50 0.41 0.25

Throughout the following calculations: Half-bridge Vin equals 1/2 the rail-to-rail input voltage C.T. primary All primary references are to 1/2 the total primary SE/SE: Single-ended primary / secundaries (forward converter, fly-back, boost) SE/CT: Single-ended primary / center- tap secundaries (Half bridge, Bridge) CT/CT: Center-Tap primary / secundaries (Full Wave Center-Tap)

Push pull feed forward converter at 100khz

Potencia (W)

100W

B t RM8
Material= N27 & N41

B150mT

Volumen (Cm ) Fig. 6 Power capacity Vs Volume (including component & winding)

Un mtodo simple es utilizar el software EPCOS (EPCOS - Ferrite Magnetic Design Tool, Version 3.0, 3/2000 Published by para verificar si la cazoleta seleccionada cumple los requisitos manejo de potencia con material N27, por ejemplo. De la Fig. 6 se puede ver que con una pot de 50W/0,8=62.5W se puede utilizar el RM8 con un volumen efectivo con agujero central de VEFECTIVO =1840mm3 (sin agujero central 2430 mm3). Por disponibilidad, se buscar en el manual una cazoleta E que tenga un volumen efectivo mayor o igual que 1840mm3. La cazoleta EE25.4/10/7 tiene un volumen efectivo de 1910 mm3 por lo que puede ser la cazoleta candidata.
EPCOS AG)

Se selecciona la cazoleta EE25.4/10/7 con material N27. Luego se verificar con el software, con los valores de cantidad de capas totales y cantidad de vueltas totales si la potencia que puede transferir este transformador es suficiente. El B del material N27 que se utilizar ser de 200mT (por ejemplo, ver la curva de magnetizacin esttica de la Fig.5 para f=25KHz. Este valor se degrada conforme aumenta la frecuencia) ( se aplica en fuentes simtricas: BTOT = 300mT) 4. Calcular la cantidad de vueltas del devanado primario. Este es el clculo ms crtico. Por lo que deber ajustarse al valor definitivo por ensayo y error en laboratorio. EE25.4/10/7 con Amin= 38,4mm2 , La frmula utilizada es la Ley de Faraday modificada, donde V es la tensin pico, si se considera que Dmax=0.45 por cada semiciclo, 0,225 V 10 9 0,225*160*10 9 Se adopta en el primer ensayo NP = 40 NP = = 39.06 f Sw B max A min f Sw 300 * 38,4
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NS =

(Vout + VFdiodo )NP = (40 + 0.8)40 =7,9 Se adoptar N

VinprimMIN *DMAX 258 * 0.8

S =8

En las figuras anteriores se puede mostrar cmo interviene la cantidad de vueltas totales, la cantidad de capas del bobinado total, la temperatura y el modo del convertidor para el clculo de potencia. Si se puede disminuir la cantidad de capas, y la cantidad de vueltas posibles, se puede obtener mayor potencia en una determinada cazoleta. Adoptando una densidad de corriente de 4.2A / mm 2 , los dimetros de los conductores ser: 4I 4 * 0,6 P = = = 0,42 .J * 4 .2 El dimetro del primario ser de P = 0,45 mm Por el secundario se reparte la mitad en un sector, y la mitad en el otro. Por lo que, si IOut=2,5A: Si Dmax=0.8 D IRMS =2,5 MAX =1,581A 2
4I 4 * 1,581 = = 0,69 S = 0,7 mm .J * 4. 2 __________________________________________________________________________________________
S =

4.5.

Clculo del choke L de salida

Este deber tener las siguientes caractersticas:

Material de alto valor de saturacin de densidad de flujo en el material Alta capacidad de almacenamiento de energa Entrehierro inherente y calibrado (si es necesario), ya que ste operar en CC.

Fig.7 Clculo de L

El inductor operar con CC superpuesta que no se anular, y adems, trabajar en un slo cuadrante del ciclo B-H Tpicamente se disea con una capacidad del 50% mas que la que requiere la carga, durante el ciclo de operacin.

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Ipk

iL(high)

iL(low)

Vin
40V

Imin
T 2T t ton toff t

La cantidad de energa que almacena el inductor durante cada ciclo es: 1 2 E= L (iPK imin ) 2 La cantidad de energa remanente en el ncleo est dada por: 1 2 E resid = Li min La frecuencia aplicada en L es el doble que la de la fuente conmutada. 2 V 1 out 1 20 Vin 40 = 3,125S t off (MAX ) = = 2f 2* 80E3
0,25 * Iout 1 1 PL = L I 2 f = 100 * 10 6 2 * 160 * 10 3 = 32W L 2 2 Usando el E20/6, con un AL = 900nH L= Vout t off ( MAX )

20 * 3,125 * 106 = 100H 0,25 * 2 ,5

PL 32W

AL =

L N2

N=

L 100 * 10 6 = = 10,54 vueltas AL 900 * 10 9

N=11 vueltas

Si Dmax=0.8
choke =

IRMS =2,5

DMAX =1,581A 2

4I 4 * 1,581 = = 0,69 choke = 0,7 mm .J * 4.2 __________________________________________________________________________________________

Clculo de C4: Iout(MAX ) Toff (MAX ) 2,5 * 3.125 * 10 6 C 4(min) = = =19,6F VRipple(MAX ) 400 * 10 3 Se usar tres capacitores de 10F en paralelo para disminuir la ESR

C 4(min) =19,6F

__________________________________________________________________________________________ 4.6. El capacitor C3

La topologa medio puente es muy usada en convertidores off-line debido a que la tensin de bloqueo de los transistores no es el doble de la alimentacin, como en el caso de los convertidores forward de simple switch, y la topologa push-pull. Otra ventaja de sta topologa es que permite balancear los Volts/segundo de cada transistor de conmutacin automticamente para prevenir la saturacin utilizando un mtodo sencillo de balanceo del intervalo de cada transistor sin emplear ncleos con entrehierro, y sin correctores de simetra. La Fig. siguiente muestra el diagrama en bloques del convertidor de medio puente simtrico.

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D1 Q1
Vin 2

+
C4

C1 C3

Vout _
0

Vin

Vin 2

PWM

D2 Q2
Fig. 8 Convertidor half bridge

C2

Este capacitor de acoplamiento es normalmente del tipo sin polaridad capaz de manejar la corriente del primario. Deber, adems, tener un valor bajo de ESR para evitar el calentamiento. Puede usarse un bloque de capacitores en paralelo. Criterio de seleccin: Un aspecto importante relacionado con el valor del capacitor de acoplamiento es la tensin de carga de ste. Debido a que el capacitor se carga y descarga todos los semiciclos de fS, la componente en continua se adicionar a Vin . 2 I=corr.enelprimario I VC = t es la tensin de carga del capacitor. C=valor delcapacitor C t =int ervalodetiempodec arg adelcapac.
1 fS Para un convertidor de 80Khz, el ciclo de trabajo DMAX = 0,8. El intervalo de carga es:

t = T DMAX = tON

y T=

t = T DMAX = 12,5 * 10-6 * 0,8 = 10 s.

La tensin de carga deber tener un valor mximo razonable, del 10 al 20% de entonces: 16 VC 32V Esto ser, para una buena regulacin del convertidor.
dt C=I dVC Vin V . Esto es, si in = 160VNOMINAL 2 2

I=corr. primario promedio dt = int ervalo de c arg a dVC =valor arbitrario entre10%y20%Vin

C=

IDMAX DMAX T 0,6 * 0,8 * 10 * 10 6 = =300nF 20 VC

C=330nF/400V

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4.7. Los diodos en paralelo con la llave. El circuito del convertidor en medio puente, deber tener diodos en paralelo con los transistores. En algunos casos, los transistores ya tienen incorporado en forma parsita los diodos (caso de los transistores MOSFET. En otros casos, deber incluirse en el circuito. EL diodo D ya est intrinseco en el dispositivo

En otros casos (transistor bipolar), deber incorporarse.

Fig. 9 Los diodos en paralelo con el transistor de potencia

Estos diodos tienen doble funcin: 1. 2. Cuando se bloquea el transistor que estaba saturado, estos diodos (hay uno en cada transistor) enclavan el sobrepico de tensin con la tensin de la lnea Vin . Previenen que se torne negativa la tensin VCE del transistor, cuando ste se satura.

Deber utilizarse diodos de rpida recuperacin y alta capacidad de bloqueo, al menos el doble de la tensin de bloqueo del transistor. Normalmente se usan diodos de 400 a 450 V. ___________________________________________________________________________________________ 4.8. Seleccin del transistor de potencia

Se deber elegir un transistor con una Ic0,6 y una Vds320V Se puede usar el IRF820/30/40 El catalogo disponible es el de IRFP350. Por lo que slo se usar como ejemplo.
VDSS = 400V RDS(on) = 0.30 ID = 16A Ultra Low Gate Charge Reduced Gate Drive Requirement Enhanced 30V Vgs Rating Reduced Ciss , Coss , Crss Isolated Central Mounting Hole Dynamic dv/dt Rated Repetitive Avalanche Rated

Description
This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. These device improvements combined with the proven ruggedness and reliability of HEXFETs offer the designer a new standard in power transistors for switching applications. The TO-247 package is preferred for commercialindustrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

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De la figura 6 de las hojas de datos, y para VGS de 10V, la Q = 55nC

td(on) =14nS td(off) =33nS tr =54nS tf =35nS El tiempo de conmutacin admitido deber ser mayor que td(on) + tr = 68nS, y mayor que td(off) + tf = 68nS Se tomar tc =100nS Q 55 nC IG = G = = 0,55A tc 100 nS
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Potencia del Driver: Pdrv = Q G VGS f c = 55nC * 10V * 80KHz = 44 mW Impedancia del Driver: Parte plana: 15nC a casi 40nC 40-15=25nC VGS( sat ) VGS(plana ) 55 25 RG = = =54,54 IG( sat ) 0,55 __________________________________________________________________________________________ 4.9. Clculo de la etapa de proteccin contra sobrecorriente En sta etapa se detectar ciclo a ciclo la corriente que circula por ambos MOSFET, interrumpiendo el ciclo si la corriente supera el valor mximo. La corriente de salida se toma a partir de un pequeo transformador, cuya salida es completamente rectificada (para proteccin de los transistores) con un enclavador de pico y una resistencia conversora corriente/tensin.
I sen s = R sen s ID I sen s ID = 60mA 10 V0(sen s ) = = 50. I sen s Ns = 10 NP

Se adopta 47
N S = 10 NP

Si NP = 1 , entonces N s = 10 Dimetro del alambre: P( Current transforme r ) = 0,85 mm ; S( Current transforme r ) = 0,25 mm Las condiciones de clculo son: Proteger a los transistores por encima de 0,6A Suministrar una tensin de salida de 3V para dicha corriente

Vin

Power transistors

sonda de corriente

Power transformer, rectifier & filter

Tensin de alimentacin independiente y flotante

+12V

Power DC input + filter

realimentac. tensin salida sobrecorriente g_Q1

Transformador de corriente 1:10 (utilizar toroide de material N27, o cazoleta E16/5, o EF16) Fig. 10 Diagrama en bloques general

s_Q1 g_Q2 s_Q2

SG3525

PWM & Isolated Driver

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Por otro lado se recomienda que en el comienzo de los ensayos se utilice un Variac y se comience con 50V por ejemplo, y se aumente gradualmente la tensin de entrada para prevenir posible saturacin del ncleo del transformador por excesivo flujo Vin/f, en caso de no estar bien diseado. Se recomienda tambin utilizar transformador de aislacin A los fines de este TP, se puede obviar la etapa de filtro EMI/RFI y el arranque suave, pudiendo ser reemplazado el arranque suave por el variac No se requiere el circuito de realimentacin, pero tomar precaucin con el ciclo de trabajo mnimo porque se puede destruir los transistores si la tensin de entrada a los MOSFET de potencia es menor que 8V
Nota: La informacin suministrada en esta gua es slo como informacin para que el alumno pueda desarrollar su propio diseo y clculo, efectuando todas las mejoras a los circuitos propuestos que el alumno considere necesario.

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Line in_a

0 1 U3 2 1

CB1

NTC 10 C5 150n C7 470n

V_Power in D5 D1N4007 R16 100k

D6 D1N4007 R17 100k

C8 220u

V_Power in/2

Line in_b

0 1 U4 Switch 2 L_EMI/RFI
High Voltage Capacitor

C6 150n

D7 D1N4007

C9 220u

Eart in

D8 D1N4007

EMI/RFI Filter

Line Power Rectifier

Power Filter

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Ref out_a

+12V

+12V

R3 100k

R1 10k 15 3 5 6 1 2 7 8 R8 330 R7 1k

16 4 VREF OSC

U1 13 11 14

Ref out_b
From Optocoupler

R5 1k

COMP

R6 1k

SHUT

GND

C VIN SYNC CT RT OUTA ERR- OUTB ERR+ DIS START

V1a V2a

SG1525 12 10 9

+12V

R4 1k

R2 10k

RT 10k

CT 6.3n

C1 1u

R19 100

Driver Source

V1 12v

0
Realimentation without compensation
Pulse Width Modulator

Driver Power Supply

NOTA: En primera instancia no cierre el lazo para asegurarse que el sistema funciona correctamente y controle el ciclo de trabajo con un preset en lugar de R1 y R2

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V1a

G_M1 R10a2 100 S_M1

+12V

TX1 V1a M4a IRFD110 G_M1 R10a2 100 S_M1 G_M2

V2a

G_M2 R10b2 100 S_M2

Driver Transformer

R10a 1k

R10b2 100 S_M2

Driver - option 1

V2a

M4b IRFD110

R10b 1k

Driver Transformer

0
Driver - option 2

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V_Power in

M1 G_M1 Dz1a 15V_0.5W Dz1b 15V_0.5W S_M1 IRF820 R11a 1k T_Power D2 MUR420 C3 100u/63V L2 +Vout HFC Vout_gnd

M2 G_M2 Dz1a 15V_0.5W Dz1b 15V_0.5W S_M2 IRF820 R11b 1k V_Power in/2

C10 470n/250V D3 MUR420

Polyester

Power Transformer

0
Power Switching

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Electrnica de Potencia

+Vout

R15 1k5

U2 4N26

Ref out_a

R12 12 R14 2k R13 330

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___________________________________________________________________________________________________________________ Oros, Ramn C. Crdoba, 03-07-2002 archivo: EP-05-01 Rev: A edicin que reemplaza a las anteriores. ___________________________________________________________________________________________________________________ Bibliografa:
MARTY BROWN: MAGNETICS & UNITRODE SGS-THOMSON: SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS: GEORGE CHRYSSIS: SEMIKRON: INTERNATIONAL RECTIFIER: PRACTICAL SWITCHING POWER SUPPLY DESIGN (MOTOROLA) POWER SUPPLY DESIGN SEMINAR SEM-900 LINEAR & SWITCHING VOLTAGE REGULATORS FERRITES AND ACCESSORIES & EPCOS DATA BOOK LIBRARY 2000 HIGH-FREQUENCY SWITCHING POWER SUPPLIES, THEORY AND DESIGN POWER SEMICONDUCTORS : INNOVATION+ SERVICE THE HEXFET DESIGNERS MANUAL

EP-05-01 FUENTE CONMUTADA SIMTRICA

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