You are on page 1of 8

UNIVERSITETI I PRISHTINS FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE 13/07/2012 ZGJIDHJET E PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA- grA

Msimdhnsit: Prof. Dr. Myzafere Limani Dr.sc. Qamil Kabashi, ass kohzgjatja e provimit: 100 min

1. Rezistenca e nj gjysmpruesi t tipit n n njsi t gjatsis sht R = 2 /cm. Koncentrimi i elektroneve n gjysmprues ka vlern n = 1.25 1017 cm 3 . Nse intensiteti i rryms npr prerjen trthore rrethore me diametr d = 1 mm ka vlern I = 157 mA gjeni: a) lvizshmrin e elektroneve [9pik] b) prueshmrin specifike [9pik] c) shpejtsin e driftit t elektroneve [9pik] Zgjidhje: a) Vartsia e shpejtsis s driftit nga fusha elektrike shprehet me v n = n E R l Rezistenca e gjysmpruesit sht R = , ndrsa rezistenca n njsi t gjatsis R ' = = S l S 2 3 2 ku S paraqet syprinn e prerjes trthore t gjysmpruesit S = (d / 2) = 7.85 10 cm Meq kemi t bjm me gjysmprues t tipit n(donor), = qn n rezistenca n njsi t gjatsis mund 1 1 t shprehet R ' = dhe nga formula e fundit mund t gjejm lvizshmrin e elektroneve = S qn n S 1 cm 2 n = , Prej nga n = 3184.7 qnR ' S Vs b) Prueshmria specifike sht:

= qn n = 63,69 S/cm
c) Dendsia e rryms sht J =
E= J = 0.314 I A = 20 2 Pasi J = E S cm

V , nga formula pr shpejtsin e driftit t elektroneve gjejm q cm vn = n E =1000 cm/s

2. Pr qarkun me diod e cila konsiderohet reale me tension pragu 0.7V dhe Rf = 0, a) Gjeni formn valore t tensionit n ngarkesn RL b) Gjeni vlern mesatare t tensionit n ngarkesn RL

[8 pik] [13 pik]

Zgjidhje: I Dioda prqon kur vi 50.7 V , me ket rast tensioni n dalje sht v o = 50.7 V II Kur tensioni n hyrje vi > 50.7 V , ather Dioda nuk prqon dhe tensioni n dalje (n ngarkesn RL) mund t merret se sht prafrsisht sa tensioni n hyrje pra v o vi Forma valore e tensionit n ngarkes do t jet si m posht:

b) Vlera mesatare e tensionit n ngarkes caktohet nga formula

U mes =

200 sin d + 2 200 sin d + (50.7) (


0

1 ) 40 [V ]

50.7 = 194.68 0 = 3.397 [rad ] 200 2 = 360 0 14.68 = 345.32 0 = 6 [rad ]

Ku jan :

1 = 180 0 arcsin

3. Pr qarkun transistorik me MOSFET Gjeni pikn e puns (VDS, ID). Tensioni i pragut t transistorit t prdorur sht VTN = 3 V. Me matje sht konstatuar q tensioni VGS = 8.5 V. Jan t njohura: VDD = 15 V, R1 = 10 M dhe RD = 4.7 k [21 pik]

Zgjidhje: Rryma e gejtit sht zero, prandaj potenciali i drejnit dhe Gejtit jan t barabarta VG = VD Pr tension VGS = VDS = 8.5 V, vlera e tensionit stacionar t ngopjes sht: VDSsat = VGS VTN = 8.5 3 = 5.5 V Pasi VDS > VDSsat, konstatojm q transistori sht n ngopje Pr qarkun e drejnit mund t shkruajm Ligjin e Dyt t Kirkofit: VDD RD I D VDS = 0 , prej ktu mund t gjejm rrymn e drejnit n pikn e puns. V VDS 15 8.5 I D = DD = = 1.38 mA RD 4.7 Pra n pikn e puns sht: VDS = 8.5 V, ID = 1.38 mA .

4. Pr qarkun me BJT (boot-strapped follower) , kur = 100. Gjeni: a) Rrymn DC t emiterit (IE) b) Rezistencn hyrse dhe prforcimin e tensionit v0/vsig

[10 pik] [ 21 pik]

Zgjidhje: Kur aplikojm teoremn e Millmanit pr dy rezistort 20k dhe burimin e tensionit +9 V fitojm:
EB = 20 9 = 4.5V 40 20 20 RB = = 10k 40 4.5 0.7 IE = = 1.73mA 10 + 10 2+ 101

IC = I B =

+1

IE

= 0.99 1.73 = 1.71mA

gm =

IC mA = 68.5 , r 1.517k VT V

Pastaj nga skema ekuivalente e msiprme gjenden rezistenca hyrse dhe amplifikimi i tensionit.

ZGJIDHJET E PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA-GrB 1. Gjeni koncentrimin e papastrtive donore me t ciln duhet t pasurohet Silici n temperaturn 300 K ashtu q koncentrimi i elektroneve t jet 20 her m i madh se koncentrimi i vrimave. sht njohur [22 pik] ni = 1.13 1010 cm 3 (T=300K) Zgjidhje: Pr do gjysmprues vlen ligji i veprimit t mass n p = ni2 Kondita sht q koncentrimi i elektroneve sht 20 her m i madh se i vrimave
n = 20 p

Prandaj, nga ligji i veprimit t mass shkruajm 20 p p = ni2 20 p 2 = ni2

20 20 9 Pasi n = 20 p = 20 2.5 10 cm 3 = 5 1010 cm 3 Pasi gjysmpruesi sht i tipit n (donor) vlen :

p=

ni

1.13 1010

= 0.25 1010 cm 3 = 2.5 10 9 cm 3

N D n = 5 1010 cm 3 2. Pr qarkun me diod e cila konsiderohet reale me tension pragu 0.7 V dhe Rf = 0, a) Gjeni formn valore t tensionit n ngarkesn RL b) Gjeni vlern mesatare t tensionit n ngarkesn RL

[8 pik] [13 pik]

Zgjidhje: I Dioda pron kur vi 3.7 V , me ket rast tensioni n dalje sht vo = 3.7 V II Kur tensioni n hyrje vi < 37 V , ather Dioda nuk pron dhe tensioni n dalje (n ngarkesn RL) mund t merret se sht prafrsisht sa tensioni n hyrje pra v o vi Forma valore e tensionit n ngarkes do t jet si m posht:

b) Vlera mesatare e tensionit n ngarkes caktohet nga formula


U mes = 2 10 sin d + (3.7) ( 2 1 ) + 200 sin d +
0

1.55 [V ]

Ku jan :
3 .7 = 21.716 0 = 0.37 [rad ] 10 0 2 = 180 21.716 = 158 0 = 2.76 [rad ]

1 = arcsin

3. Pr qarkun me MOSFET n figur gjeni pikn e puns (VDS, ID). Tensioni i pragut t transistorit sht VTN = 2V, ndrsa pr tension t gejtit VGS = 4V rryma e drejnit n ngopje ka vlern IDsat = 200 mA. Jan t njohura VDD = 24V, R1 = 100 k, R2 = 15k dhe RD = 200 [30 pik]

Zgjidhje: Rrymat n qark jan shnuar si n figurn e mposhtme Rryma IG =0, prandaj rrymat n rezistort R1 dhe R2 jan t njjta VDD I1 = , shihet q tensioni VGS sht: R1 + R2 R V VGS = R2 I 1 = 2 DD = 3.13V R1 + R 2 Pasi VGS>VTN prfundojm q transistori nuk sht n gjendje OFF. Po supozojm q pr tension VGS = 3.13V transistori sht n ngopje. Me ket rast vlen:
2 I Dsat = k (VGS VTN ) 2 = k V Dsat

sht e nevojshme t gjendet vlera e parametrik k. Nga konditat e detyrs pr tension VGS2 = 4V, rryma e drejnit ne ngopje sht IDsat2 = 200 mA. Prej nga llogaritim vlern e parametrik k. Kur zvendsojm vlern e parametrit k n ekuacionin e msiprm fitojm: I Dsat 2 A I Dsat = 5 10 2 (3.13 2) 2 = 63.845mA k= = 5 10 2 2 (VGS VT N ) 2 V Pr qarkun e drejnit vlen : V DS = V DD R D I D = 24 200 63.845 10 3 = 11.231V Pr tension VGS = 3.13 V, vlera e tensionit t ngopjes sht: V Dsat = VGS VTN = 3.13 2 = 1.13V S fundi, pasi VDS > VDsat, konstatojm q transistori sht n ngopje. Pra, supozimi fillestar sht n rregull dhe pika e puns s transistorit MOSFET sht: VDS = 11.231 V dhe ID = 63.845 mA

4. Pr qarkun me BJT (emitter-follower) prdoret transistor me =40. Gjeni: a) IE, VE dhe VB b) rezistencn hyrse c) prforcimin e tensionit v0/vsig
B

[9 pik] [9 pik] [9 pik]

Zgjidhje: a) Nga figura e msiprme n regjimin DC vlen: 9 0.7 IE = = 2.41mA 1 + 100 ( + 1)

VE = 1 2.41 = 2.41V VB = 2.41 + 0.7 = 3.11V


b) Ri = 17.3 k , c) Au = vo = 0.62 v sig