INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE COMALCALCO

INGENIERIA EN MECATRNICA

ASIGNATURA

ELECTRONICA

II

DOCENTE : M.C. Juan Carlos Yris Pastor

COMALCALCO, TAB.

FEBRERO 2011

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I N D I C E
Introduccin 1.- EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) 1.1 Circuito Equivalente 1.2 Encendido del SCR 1.3 Apagado del SCR 1.4 Caractersticas y rango del SCR 1.5 Aplicaciones de los SCR 1.5.1 Control de corriente en encendido apagado 1.5.2 Control de potencia en media onda 1.5.3 Sistemas de iluminacin para interrupciones de potencia 1.5.4 Circuito de proteccin contra sobre voltaje 2.- EL DIAC Y EL TRIAC 2.1 Diac 2.2 Triac 2.2.1 Aplicaciones 3.- EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT) 3.1 Circuito Equivalente 3.2 Razn de espera 3.3 Aplicaciones 3.4 Condiciones para el encendido y apagado 3.5 Ejercicio de practica 4.- EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT) 4.1 Establecimiento del voltaje de disparo 4.2 Aplicaciones 5.- DISPOSITIVOS ACTIVADOS POR LUZ 5.1 El fototransistor 5.2. Fotodarlington 5.2.1 Aplicaciones 5.3 El SCR activado por luz (LASCR) 6.- ACOPLADORES OPTICOS 6.1. Caractersticas elctricas ANEXO 1 2 2 3 4 5 7 7 8 9 10 12 12 13 15 15 16 16 18 20 21 21 23 23 23 23 25 26 27 27 28 29

BIBLIOGRAFIA: A) DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Thomas L. Floyd Editorial Limusa-Noriega Capitulo 11.- Tiristores y dispositivos especiales B) ELECTRNICA Industrial Moderna Timonthy J. Maloney Editorial Prentice-Hall Capitulo 6.- Los triac y otros tiristores

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INTRODUCCION
La historia de la electrnica de potencia empez en el ao de 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica tiene su inicio en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en este descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). La Segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la actualidad la revolucin de la electrnica de potencia nos est dando la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor.

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble compuerta y el tiristor bloqueado por compuerta (GTO). Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que lo atraviesa con la cada de tensin entre las terminales principales.

El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el cambio de un estado a otro estado con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes corrientes y altos voltajes cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus terminales, cuando est en estado de conduccin. Ambas, condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por lo tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia. Soldadura al arco Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI o UPS) Control de motores Traccin elctrica

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Semiconductores de baja Potencia Dispositivos SCR Triac Mosfet Corriente Mxima 0.8 a 40 Ampers a 1200v 0.8 a 40 Ampers a 800V 2 a 40 Ampers a 900V

1.- EL RECTIFICADOR CONTROLADOR DE SILICIO (SCR)

El rectificador controlado de silicio (SCR) es otro dispositivo pnpn de cuatro capas semejante al diodo shockley, slo tiene tres terminales: el nodo, el ctodo y la compuerta. As como el diodo shockley, el SCR tiene dos estados posibles de operacin, en el estado apagado acta idealmente como un circuito abierto entre el nodo y el ctodo; en realidad, en vez de haber un circuito abierto, existe una resistencia muy alta. En el estado encendido, el SCR acta idealmente como un corto circuito del nodo al ctodo; en realidad se tiene una pequea resistencia (en directa). El SCR se utiliza en muchas aplicaciones, la cual incluye control de motores, circuitos de retraso de tiempo, controles de calefaccin, controles de fase y controles de relevadores, por mencionar unas cuantas de ellas. En las figuras 1-(a) y (b) se muestra la estructura bsica y el smbolo esquemtico del SCR, respectivamente.

1.1 Circuito Equivalente del SCR

La operacin del SCR puede entenderse mejor si su estructura interna pnpn se concibe como un arreglo con dos transistores, como se muestra en la figura 2. Esta estructura es semejante a la del diodo shockley, excepto por la conexin de las compuertas. La capa superior pnp opera como un transistor Q1, y las capas inferiores npn lo hacen como uno Q2 Observe que las capas intermedias se comparten.

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1.2 Encendido del SCR

Cuando la corriente de la compuerta IG es cero como se muestra en la figura 3-(a), el dispositivo opera como un diodo shockley en el estado de apagado. En este estado, la resistencia es muy elevado entre el nodo y el ctodo puede aproximarse por un interruptor abierto, como se indica. Cuando se aplica un pulso positivo de corriente (disparo) a la compuerta, ambos transistores se encienden (el nodo de ser ms positivo que el ctodo). Esta accin se muestra en la figura 3-(b). La IB2 enciende a Q2, proporcionando una trayectoria para IB1 hacia el colector del Q2, encendiendo as al Q1. La corriente de colector de Q1 proporciona corriente de base adicional para el Q2, que continua en conduccin hasta que el pulso de disparo se remueve de la compuerta. Mediante esta accin generativa, el Q2 sostiene la conduccin saturada del Q1, proporcionando una trayectoria para IB1; a su vez, el Q1 sostiene la conduccin saturada del Q2, proporcionando una trayectoria para IB2 . De esta manera, el dispositivo permanece encendido (se amarra) una vez que se le dispara, como se muestra en la figura 3-(c). En este estado, la resistencia muy baja entre el nodo y el ctodo puede aproximarse por un interruptor cerrado, como se indica. As como el diodo shockley, el SCR tambin puede encenderse sin disparar, la compuerta, mediante un incremento de voltaje nodo ctodo hasta el valor que exceda al voltaje de ruptura en directa VDRM, como s muestra en la curva caracterstica de la figura 4-(a). El voltaje de ruptura en directa decrece cuando IG aumenta por arriba de 0V, s muestra en la curva de la figura 4-(b). Finalmente se alcanza un valor de IG el cual el SCR se enciende en un voltaje nodo-ctodo muy bajo. As, como puede verse, la corriente de la compuerta controla el valor del voltaje en directa VBRM necesario para el encendido. Aunque voltaje nodo-ctodo grandes de VBRM no daa al dispositivo si se limita la corriente, debe evitarse esta situacin, pues se pierde control normal de SCR, que siempre debe dispararse a encendido slo con un pulso en la compuerta.

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1.3 Apagado del SCR

Cuando la compuerta regresa a 0V despus de removerse el pulso de disparo, el SCR no puede apagarse y permanece en la regin de conduccin en directa. La corriente del nodo debe caer por abajo del valor de la corriente de retencin, IH, como objeto de que pueda ocurrir el apagado. La corriente de retencin se indica en la figura 4. Hay dos mtodos bsicos para apagar un SCR: interrupcin de la corriente del nodo y conmutacin forzada. La corriente del nodo puede interrumpirse mediante un arreglo de conmutacin momentneo en serie o paralelo, como se muestra en la figura 5-(a). El interruptor en serie reduce simplemente a cero la corriente del nodo y provoca que se apague el SCR. El interruptor en paralelo de la figura 5-(b). Aleja parte de la corriente total de SCR, reduciendo as la corriente del nodo hasta un valor inferior a IH.

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El mtodo de conmutacin forzada requiere bsicamente forzar a la corriente de manera momentnea a travs del SCR, en direccin opuesta ala conduccin directa, de modo que la corriente en directa neta se reduzca por abajo del valor de retencin. El circuito bsico, como se muestra en la figura 6, consta de un interruptor (normalmente un interruptor transistorizado) y una batera en paralelo con el SCR. Mientras el SCR conduce, el interruptor esta abierto, como se muestra en la figura 6-(a). Para apagar al SCR, se cierra el interruptor, colocando la batera a travs del SCR y forzando corriente a travs de l, opuesta ala corriente en directa, como se muestra en la figura 6-(b). Por lo general, los tiempos de apagado para los SCR van desde unos cuantos microsegundos hasta alrededor de 30 s.

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1.4 Caractersticas y rango del SCR

A continuacin se presentara la definicin de algunas de las caractersticas y rangos ms importantes del SCR. Consulte la curva de la figura 4-(a) cuando sea conveniente. Voltaje de ruptura en directa, VDRM PEAK REPETITIVE REVERSE BLOCKING VOLTAJE (SCR) Se trata del voltaje en el cual el SCR entra a la regin de conduccin en directa. El valor de VDRM es mximo cuando IG = 0 y se designa por VDRM0. Cuando al corriente de la compuerta se incrementa, el VDRM desciende y se designa por VDRM1, VDRM2 y as sucesivamente para escalones crecientes en la corriente de compuerta (IG1, IG2, etc.). Corriente de retencin, IH HOLDING CURRENT Este es el valor de la corriente del nodo por abajo del cual el SCR conmuta desde la regin de conduccin en directa hasta la regin de bloqueo en directa. Su valor crece con decrementos de IG y es mximo para IG = 0.

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Corriente de disparo en la compuerta, IGT PEAK BLOCKING CURRENT (TRIAC ) Este es el valor de la corriente de la compuerta necesaria para conmutar(encender) el SCR desde la regin de bloqueo en directa hasta la regin de conduccin en directa bajo condiciones especificadas. Corriente en directa promedio, IT(AV) AVERAGE ON STATE CURRENT Esta es la mxima corriente continua (cd) del nodo que el dispositivo puede soportar en el estado de conduccin bajo condiciones especificadas.

Regin de conduccin en directa Esta regin a la condicin de encendido del SCR donde existe corriente en directa del nodo al ctodo, a travs de la resistencia muy baja (aproximadamente corto circuito) del SCR. Regiones de bloqueo en directa y en inversa Estas regiones corresponden a la condicin de apagado del SCR, donde la corriente en directa del nodo al ctodo es bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR. Voltaje de ruptura en inversa, VRRM PEAK REPETITIVE REVERSE BLOCKING VOLTAJE (SCR) Este parmetro especifica el valor del voltaje en inversa del ctodo al nodo, en el cual el dispositivo irrumpe en la regin de avalancha y comienza a conducir intensamente (igual que el diodo de unin pn).

1.5 Aplicaciones del los SCR

El SCR tiene muchos usos en las reas de control de potencia y aplicacin de conmutacin. En esta seccin se describe unas cuantas de sus aplicaciones bsicas. 1.5.1 Control de corriente en encendido apagado

En la figura 7 se muestra un circuito SCR que permite que la corriente conmute a una carga por el cerrado momentneo del interruptor S1 y se remueva de la carga por el cerrado momentneo del interruptor S2 .Suponiendo que inicialmente el SCR se encuentre apagado entonces el cerrado momentneo del S1 proporciona un pulso de corriente hacia la compuerta, disparando as a encendido al SCR, de modo que conduzca corriente a travs de RL. El SCR permanece en conduccin aun despus que se remueve el contacto momentneo del S1. Cuando el S2 se sierra momentneamente, la corriente se desva alrededor del SCR, reduciendo as su corriente de carga acero.

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1.5.2 Control de potencia en media onda Una aplicacin comn de los SCR se encuentra en el control de potencia de ca para controles en intensidad luminosa en lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos. En la figura 8 se muestra un circuito de control de fase, con resistencias variables para media onda; en la terminal A y B se aplica 120 Vca; RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo, un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de corriente y el potenciometro R2 establece el nivel de disparo para el SCR. Ajustando R2 es posible hacer que el SCR se dispare en cualquier punto del semiciclo positivo de la forma de onda de ca, entre 0 y 90, ver la figura 9.

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente en 0 ) como se muestra en la figura 9-(a), conduce durante aproximadamente 180 y se entrega potencia mxima a la carga. Cuando se enciende cerca del pico del semiciclo positivo (90) como en la figura 9(b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se entrega menos potencia a la carga. Ajustando el R2 es posible hacer que el disparo ocurra en cualquier parte entre los dos extremos

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mencionados y por lo tanto que sea posible entregar a la carga una cantidad variable de potencia. En la figura 9-(c) se muestra el disparo en el punto de 45como ejemplo. Cuando la entrada de ca se hace negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez sino asta el punto de disparo en el siguiente semiciclo positivo. El diodo evita que el voltaje de ca negativo se aplique a la compuerta del SCR.

1.5 3 Sistema de iluminacin para interrupciones de potencia Como otro ejemplo de aplicacin de los SCR se analizar un circuito que mantiene la iluminacin mediante el empleo de una batera de respaldo cuando se presenta una falla en la alimentacin de potencia de ca. En al figura 10 se muestra un rectificador de onda completa con derivacin central, usado para proporcionar potencia de ca a una lmpara de bajo voltaje. Mientras se disponga de potencia de ca, la batera se carga a travs del diodo D3 y R1. El voltaje de ctodo del SCR se establece cuando el capacitor se carga hasta el valor pico de la ca rectificada de onda completa (6.3 V rms (eficaz) menos que la cada a travs de R2 y D1). El nodo se encuentra al voltaje de la batera de 6 V, que lo hace menos positivo que el ctodo,

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evitando as conduccin. La compuerta del SCR se encuentra en un voltaje establecido por el divisor de voltaje, formado por R2 y R3. En estas condiciones, la lmpara se ilumina por la potencia de entrada de ca y el SCR esta apagado, como se muestra en la figura 10-(a). Cuando hay una interrupcin de la potencia de ca, el capacitor se descarga a travs de al trayectoria cerrada D3, R1 y R3, haciendo que el ctodo sea menos positivo que el nodo o que la compuerta. Esta accin establece una condicin de disparo y el SCR comienza a conducir. La corriente procedente de la batera pasa a travs de SCR y la lmpara, manteniendo as la iluminacin, como se muestra en la figura 10-(b). Cuando se establece la potencia de ca, el capacitor se recarga y el SCR se apaga, comenzado a recargarse la batera.

1.5.4 Circuito de proteccin contra sobrevoltaje En la figura 11 se muestra un circuito de proteccin contra sobrevoltaje sencillo, denominado algunas veces circuito de barreta (crowbar), en una fuente de alimentacin de cd. El voltaje de salida de cd del regulador es monitoreado por el diodo zener D1 y el divisor de voltaje resistivo (R1 y R2). El lmite superior de voltaje es establecido por el voltaje zener. Si se excede el

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voltaje, el diodo zener conduce y el divisor de voltaje produce un voltaje de disparo del SCR. Este voltaje activa al SCR, que esta conectado a travs del voltaje de lnea. La corriente del SCR provoca que se queme el fusible, desconectando as el voltaje de lnea proveniente de la fuente de alimentacin. Algunas veces la proteccin de sobre voltaje es indispensable. Aplicaciones para un pequeo tiempo del orden del 10% por encima de los rangos mximos es poco seguro, pero un sobre voltaje de factor de dos es destructivo para dispositivos semiconductores. Todos los circuitos integrados en un instrumento pueden ser destruidos por un transitorio de sobre carga de voltaje.

El circuito de una proteccin contra sobrevoltaje simple y eficaz que es el crowbar con el SCR. Cuando se le conecta la corriente al circuito, el SCR normalmente esta apagado, la corriente fluir a travs del diodo Zener seguidamente esta corriente entrar a la compuerta del SCR y se activara. El SCR permanece encendido hasta que el suministro de poder se apaga. Los sobrevoltajes negativos estn limitados por el diodo invertido. El valor del SCR seleccionado debe exceder la corriente de sobrevoltaje mximo esperado.

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2. - EL DIAC Y EL TRIAC
El diac y el triac son tipos de tiristores capases de conducir corriente en ambas direcciones (bilaterales), la diferencia entre ambos es que el diac cuentan con dos terminales, el nodo y el ctodo, mientras que el triac tiene una tercera terminal que es la compuerta. El diac funciona bsicamente como dos diodo shockley conectado en paralelo en direcciones opuestas. El triac funciona bsicamente como dos SCR conectados en paralelo en direcciones opuestas con una terminal de compuerta comn.

2.1 Diac
En la figura 12 se muestra la construccin bsica y el smbolo esquemtico del diac. Observe que hay dos terminales, identificadas como A1 y A2. En el diac la conduccin ocurre cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. Estas caractersticas se ilustran en la curva de la figura 13. Una vez que ocurre la ruptura, la corriente fluye en una direccin que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae por abajo del valor de retencin.

El circuito equivalente de un diac consta de cuatro transistores dispuesto como se ilustra en la figura 14-(a). Cuando el diac est polarizado como la figura 14-(b), la estructura pnpn desde A1 hasta A2 proporciona la operacin del dispositivo con cuatro capas, como se describi para el diodo shockley. En el circuito equivalente, Q1 y Q2 estn polarizado en directa y Q3 y Q4 lo estn en inversa. En esta condicin de polarizacin, el dispositivo opera en la porcin superior derecha de la curva caracterstica en la figura 13. Cuando el diac est polarizado como se muestra en la figura 14-(c), se usa la estructura pnpn desde A2 hasta A1. En el circuito equivalente, Q3 y Q4

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estn polarizados en directas y Q1 y Q2 lo est en inversa. El dispositivo opera en la porcin inferior izquierda de la curva caracterstica, como se muestra en la figura 13.

2.2 Triac
El triac es como un diac con una terminal de compuerta. El triac puede encenderse mediante un pulso de corriente de compuerta y no requiere voltaje de ruptura para iniciar la conduccin, como el diac. Bsicamente, el triac puede concebirse simplemente como dos SCR conectados en paralelos y en direcciones opuestas, con una terminal de compuerta comn. A diferencia del SCR, el triac es capas de conducir corriente en cualquier direccin, cuando se le dispara a encendido, dependiendo de la polaridad del voltaje a travs de sus terminales A1 y A2, en la figura 15-(a) y (b) se muestra la construccin bsica y el smbolo esquemtico para el triac. En la figura 16 se muestra la curva caracterstica. Observe que el potencial de ruptura decrece cuando la corriente de compuerta aumenta, justamente con el SCR.

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As como otros dispositivos con cuatro capas, el triac deja de conducir cuando la corriente del nodo cae por debajo de un valor especificado de la corriente de retencin, IH. La nica forma de apagar el triac es reduciendo la corriente hasta un nivel suficientemente bajo. En la figura 17 se muestra el triac disparando en ambas direcciones de retencin de conduccin. en la parte (a), la terminal A1 est polarizada positivamente con respecto a la terminal A2 demodo que el triac conduce como se muestra cuando se le dispara por un pulso positivo en la terminal de la compuerta. El circuito equivalente con transistores en la parte (b) muestra que Q1 y Q2 conducen cuando se aplica un pulso de disparo positivo. En la parte (c) la terminal A2 est polarizado positivamente con respecto a la terminal A1, de modo que el triac conduce como se indica. En este caso, Q3 y Q4 conduce, como se muestra en la parte(d), por la aplicacin de un pulso de disparo positivo.

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2.2.1 Aplicaciones As como el SCR, los triacs tambin se usan para controlar potencia promedio en una carga mediante el mtodo de control de fase. El triac es capaz de dispararse de modo que la potencia de ca se suministre a la carga durante una porcin controlada de cada semiciclo. Durante cada semiciclo positivo de la ca, el triac esta apagado durante un cierto intervalo, de nominado ngulo de retardo (medido en grados), luego se dispara a encendido y conduce corriente a travs de la carga durante la porcin restante del semiciclo positivo, denominado ngulo de conduccin. Durante el semiciclo negativo ocurre una accin semejante salvo que, por supuesto, la corriente circula en direccin opuesta a travs de la carga. Esta accin se ilustra en la figura 18

En la aplicacin en el circuito de control de fase es necesario que el triac se apague al finalizar cada semiciclo positivo y negativo de la ca. En la figura 19 se ilustra que hay un intervalo cerca de cada cruce por 0 en donde la corriente del triac cae por abajo del valor de retencin, apagando as al dispositivo.

3. - EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT)

El transistor de unijuntura no pertenece a la familia de los transistores por que su tipo de construccin no es de cuatro capas. El termino de unijuntura se refiere al hecho de que el UJT tiene una sola unin pn. Como se ver, el UJT es de utilidad en ciertas aplicaciones de osciladores y como dispositivo de disparo en circuitos tiristores.

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El transistor de unijuntura (UJT, de unijunction transistor) es un dispositivo con tres terminales cuya construccin bsica se muestra en la figura 20-(a); en la figura 20-(b) se muestra su smbolo esquemtico. Observe que las terminales estn identificadas como emisor, base 1 (B1) y base 2 (B2) no confunda este smbolo con el del JFET; la diferencia es que la flecha forma un ngulo para el UJT. El UJT tiene slo una unin pn y, por tanto, la curva caracterstica de este dispositivo difieren mucho de las del transistor de unin bipolar o del FET, como se ver.

3.1 Circuito Equivalente

El circuito equivalente para el UJT, que se muestra en la figura 21-(a), ayudar a comprender la operacin bsica. El diodo mostrado en la figura representa la unin pn;rB1representa la resistencia volumtrica interna de la barra de silicio entre el emisor y la base 1, y rB2 representan la resistencia volumtrica entre el emisor y la base 2. La suma rB1 + rB2 es la resistencia total entre las terminales de base que se denomina resistencia de interfaces, rBB. rBB = rB1 + rB2 El valor de rBB vara inversamente con la corriente del emisor IE y, en consecuencia, se muestra como un resistor variable. Dependiendo de IE, el valor de rB1 puede variar desde varios miles de ohms. rB1 y rB2 forman un divisor de voltaje cuando el dispositivo se polariza como se indica en la figura el voltaje en las resistencias rB1 puede expresarse como:

3.2 Razn de espera

La razn r B1/ rBB es una caracterstica del UJT, denominada razn de espera intrnseca y designada como (letra griega eta).

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= rB1 / rBB Mientras el voltaje de emisor aplicado VEB1 sea menor que VrB1 + Vpn no hay corriente de emisor, ya que la unin pn no est polarizada en directa (Vpn es el potencial de barrera de la unin pn). E valor del voltaje de emisor que origina que la unin pn se polarice en directa se denota VP (voltaje de punto pico) y se expresa como: Vp = VBB +

Vpn

Cuando VEB1 alcanza el valor del VP, la unin pn se polariza en directa y comienza la IE. Se inyectan huecos en la barra tipo n, procedente del emisor tipo p. este aumento en hueco origina un incremento de electrones libres, elevando as la conductividad entre el emisor y B1 (descenso en rB1). Despus de pasar a encendido, el UJT opera en regin de resistencias negativas hasta cierto valor de IE, como se muestra en la curva caracterstica en la figura 22. Como puede verse, despus del punto pico (VE= VP e IE = IP), VE decrece mientras IE contina creciendo, produciendo as la caracterstica de resistencia negativa. Ms all del punto valle(VE = VV e IE = IV), el dispositivo est en saturacin y VE crece muy poco al crecer IE.

Ejemplo: En la hoja de datos de UJT se proporciona = 0.6.determine el voltaje de emisor de punto pico VP s VBB = 20 V. Solucin : VP = VBB + Vpn = 0.6 (20 V) + 0.7 V = 12.7 V.

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3.3 Aplicaciones con UJT

A menudo, el UJT se usa como dispositivo de disparo para el SCRs y triacs. Otras aplicaciones incluyen osciladores no sinusoidales, generadores de dientes de sierra, control de fase y circuitos de sincronizacin. En la figura 23 se muestra un oscilador de relajacin con UJT como ejemplo de una aplicacin. Este tipo de circuito tambin es bsico para otro circuito de disparo y sincronizacin. La operacin es como sigue. Cuando se aplica la potencia de cd, el capacitor C se carga exponencialmente a travs de R1 hasta que alcanza el voltaje pico VP. En este punto, la unin pn se polariza en directo y la caracterstica de emisor pasa a la regin de resistencia negativa (VE decrece IE crece). Luego, el capacitor se descarga rpidamente a travs de la unin polarizada en directa, rB, y R2. Cuando el voltaje del capacitor desciende hasta el voltaje del punto valle VV, el UJT se apaga, el capacitor comienza a cargarse nuevamente y el ciclo se repite, como se muestra en la forma de onda de voltaje de emisor de la figura 24 (parte superior). Durante el tiempo de descarga del capacitor, el UJT conduce; por consiguiente, en R2 se desarrolla un voltaje, como se indica en el diagrama de onda de la figura 24 (parte inferior). Otro ejemplo de una aplicacin del transistor que incluye un UJT, un triac, un transistor bipolar y diodo en el circuito de control de un calentador sensible a la temperatura que se muestra en la figura 26. La operacin bsica es como sigue. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos D1 a D4. La salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R1 y se sujeta un valor fijo por el diodo zener. El transmisor (resistencia sensible a la temperatura) RT y la resistencia R2 controla la polarizacin de Q1. R2 se ajusta de modo que el transistor Q1 se apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q1 est apagado, el capacitor C1 est descargado y, por tanto, el UJT (Q2) y el triac est apagado. Cuando la temperatura desciende por abajo del valor establecido, la resistencia de RT se incrementa, haciendo que Q1 se conduzca. Lo anterior permite que C1 se cargue hasta un voltaje suficiente para disparar al UJT. El pulso de salida resultante en el UJT se acopla a travs del transformador y dispara al triac, que conduce corriente a travs del elemento calefactor (carga). Cuando este elemento se calienta, su resistencia crece hasta que la corriente desciende por abajo del nivel de retencin del triac, apagndolo. Si la temperatura contina descendiendo, entonces la resistencia de RT se incrementa ms y hace que Q1 conduzca con ms intensidad, cargando as

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con mayor rapidez al C1. Esto dispara ms pronto al triac en el ciclo de ca, de modo que se entrega ms potencia a la carga. Cuando la temperatura se eleva, la resistencia de RT decrece, provocando que Q1 conduzca menos.

Como resultado, el C1 tarda ms en cargarse y el triac se dispara ms tarde en el ciclo de ca, de modo que se entrega menos potencia a la carga. Cuando se alcanza la temperatura deseada, se apaga el Q1 y tambin el triac, no entregndose ms potencia a la carga.

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3.4 Condiciones para encendido y apagado

Para que el UJT se encienda y apague de manera confiable, el oscilador de relajacin en la figura 23 debe de cumplir ciertas condiciones. En primer lugar, a fin de asegurar el encendido, R1 no debe limitar a IE en el punto pico a un valor menor que IP. Para asegurar lo anterior, la cada de voltaje en R1 en el punto pico debe ser mayor que IPR1. As la condicin para el encendido es VBB VP > IPR1 o bien, R1 < VBB VP / IP A fin de asegurar el apagado del UJT en el punto valle, R1 debe ser lo suficientemente grande para que IE (en el punto valle) pueda decrecer por debajo del valor especificado de IV. Lo anterior significa que el voltaje en R1 en el punto valle debe ser menor IVRI. As, la condicin para el apagado es VBB VV < IV R1 o bien, R1 > VBB VV / IV De este modo, para encendido y apagado correctos, debe quedar en el rango VBB VP / IP > R1 VBB VV / IV

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Ejemplo Determine un valor de R1 en la figura 25 que asegure encendido y apagado correctos del UJT. La caracterstica del UJT presenta los siguientes valores: = 0.5, VV = 1 V, IV =10 mA, IP = 20 A y VP = 14 V. Solucin :

Como puede de verse, R1 tiene un rango muy amplio de valores posibles.

EJERCICIO DE PRCTICA Determine un valor de R1 en la figura 25 que asegure encendido y apagado correcto para los siguientes valores: = 0.33, VV = 0.8, IV = 15mA, IP = 35A y VP = 18 V.

4.-

EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT)

El transistor de unijuntura programable (PUT) es en realidad un tipo de transistor, totalmente distinto al UJT en trminos de estructura. La nica semejanza con el UJT es que el PUT puede usarse en algunas aplicaciones de circuitos osciladores para sustituir al UJT. El PUT se parece ms a un SCR, salvo que su voltaje nodo-compuerta puede usarse para encender y apagar el dispositivo.

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La estructura del PUT es semejante a la del SCR (cuatro capas), salvo que se elimina la compuerta como se ilustra en la figura 27, observe que la compuerta est conectada a la regin n adyacente al nodo. Esta unin pn controla los estados encendidos y apagados del dispositivo. La compuerta est siempre polarizada positivamente con respecto al ctodo. Cuando el voltaje del nodo excede al de compuerta aproximadamente en 0.7 V, la unin pn se polariza en directa y el PUT se enciende. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje del nodo cae por debajo de este nivel; entonces se apaga.

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4.1 Establecimiento del voltaje de disparo

La compuerta puede polarizarse hasta un voltaje deseado mediante un divisor de voltaje extremo, como se muestra en la fig.28-(a), de modo que cuando el voltaje del nodo excede a este nivel programado, el PUT se enciende.

4.2 Aplicaciones
La grfica de voltaje nodo-ctodo VAK contra la corriente del nodo IA en la figura 28-(b) revela una curva caracterstica semejante a la del UJT. Por consiguiente, el PUT sustituye al UJT en muchas aplicaciones. Una de estas es el oscilador de relajacin en la figura 29-(a). Su operacin bsica es como sigue. La compuerta se polariza a +9 V por medio del divisor de voltaje formado por los resistores R2 y R3. Cuando se aplica la potencia de cd, el PUT est apagado y el capacitor se carga hacia +18 V a travs de R1. Cuando el capacitor alcanza el valor de VG + 0.7 V, el PUT se enciende y el capacitor se descarga rpidamente a travs de la baja resistencia en encendido del PUT y R4. Durante la descarga, en R4 se desarrolla una punta de voltaje. Tan pronto como el capacitor se descarga, el PUT se apaga y el ciclo de cargado se reinicia, como muestra las formas de onda en la figura 29-(b).

5.- DISPOSITIVOS ACTIVADOS POR LUZ

Esta forma de accionar un semiconductor es utilizada ampliamente en las aplicaciones industriales, ya que ofrece las caractersticas de sencillez y confiable. 5.1. El fototransistor El fototransistor tiene una unin pn colector-base fotosencible. Se expone a la luz incidente a travs de una abertura de lentes en el encapsulado del transistor. Cuando no hay luz incidente, ICEO; lo anterior se denomina corriente oscura y suele estar en el rango de los nA. Cuando sobre

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la unin pn colector-base incide la luz, se produce una corriente de base I directamente proporciona a la intensidad de la luz. Esta accin produce una corriente de colector que aumenta con I. Salvo que la forma en que se genera la corriente de base, el fototransistor se comporta como un transmisor bipolar convencional. En muchos casos no hay conexin elctrica a la base. La relacin entre la corriente de colector y la corriente de base generada por luz en un fototransistor es: IC = cd I En la figura 30 de muestra el smbolo esquemtico y algunos fototransistores comunes. En virtud de que la verdadera fotogeneracin de la corriente de base ocurre en al regin colector-base, mientras mayor sea el rea fsica de esta regin ms corriente de base se genera. As, un fototransistor tpico se disea para presentar una gran rea a la luz incidente, como se ilustra en diagrama estructural simplificado en la figura 31. Un fototransistor puede ser un dispositivo con dos o tres puntos. En la configuracin con tres puntas se elimina el conector de la base, de modo que el dispositivo pueda usarse como transistor bipolar convencional con o sin la caracterstica adicional de foto sensibilidad. En la configuracin con dos puntas la base no est disponible elctricamente y el dispositivo solo puede utilizarse con luz como entrada. En muchas aplicaciones, el fototransistor se usa en la versin con dos puntas. En la figura 32 se muestra un fototransistor y curvas caractersticas del colector. Observe que cada curva individual en la grafica corresponde a un cierto valor de intensidad luminosa (en este caso, las unidades son mW/ cm2), y que la corriente del colector aumenta con la intensidad luminosa. Los fototransistores no son sensibles a todo el espectro luminoso sino solamente a luz cuya longitud de onda se encuentra en cierto rango. Son ms sensibles a longitudes de onda particulares, como se muestra por el pico de la curva de respuesta espectral en la figura 33.

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5.2 El fotodarlington
El fotodarlington consta de un fototransistor conectado en un arreglo darlington con un transistor convencional, como se muestra en la figura 34. Debido a la mayor ganancia de corriente, este dispositivo tiene una corriente de colector mucho ms elevada y presenta mayor sensibilidad a la luz que un fototransistor normal.

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5.2.1 Aplicaciones
Los fototransistores se usan en una amplia variedad de aplicaciones de las cuales en esta seccin se presentarn unas cuantas. En la figura 35 se muestra un circuito relevador operado por luz. El fototransistor Q1 acciona al transistor bipolar Q2. Cuando sobre Q1 incide suficiente luz, el transistor Q2 es excitado hacia saturacin y la corriente del colector a travs de la bobina del relevador energiza al relevador. En la figura 36 se muestra un circuito en el cual un relevador es de desenergizado por luz incidente sobre el fototransistor. Cuando hay luz insuficiente, el transistor Q2 se polariza a encendido, manteniendo energizado al relevador. Cuando hay luz suficiente, el fototransistor Q1 se enciende; lo anterior baja la base de Q2, apagando as a Q2 y desenergizando al relevador. Estos circuitos relevadores pueden usarse en una variedad de aplicaciones como activadores de puertas automticas, contadores de procesos y varios sistemas de alarmas en la figura 37 se ilustra otra aplicacin sencilla. El fototransistor est normalmente encendido, manteniendo baja la compuerta del SCR. Cuando se interrumpe la luz, el fototransistor se apaga. La transicin hacia arriba sobre el colector dispara al SCR y apaga el mecanismo de alarma. El interruptor de contacto momentneo S1 proporciona el restablecimiento de la alarma. Dos aplicaciones posibles de este circuito son la detencin de humo e intrusos.

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5.3.- El SCR activado por luz (LASCR)

El rectificador controlador de silicio activado por luz (LASCR) opera esencialmente como el SCR convencional, salvo que tambin puede ser disparado por luz. La mayor parte de los LASCR cuenta con una terminal de compuerta disponible, de modo que el dispositivo tambin puede dispararse mediante un pulso elctrico, justamente como el SCR convencional. En la figura 38 se muestra el smbolo esquemtico y encapsulado tpico del LASCR. El LASCR es ms sensible a la luz cuando la terminal de compuerta est abierta. En caso de ser necesario, a fin de reducir de reducir la sensibilidad es posible usar una resistencia desde la compuerta hasta el ctodo. En la figura 39 se muestra un LASCR usado para energizar un relevador de sujecin. La fuente de entrada enciende la lmpara y la luz incidente resultante dispara al LASCR. La corriente del nodo energiza al relevador y cierra el contacto. Observe que la fuente de entrada est aislada elctricamente del resto del circuito.

6.- ACOPLADORES PTICOS

Los acopladores pticos se disean para obtener aislamiento elctrico completo entre un circuito de entrada y un circuito de salida. El objetivo normal del aislamiento es proporcionar proteccin para los efectos de las corrientes transitorias de alta tensin, sobrecarga o ruido de bajo nivel que pudieran dar por resultado una salida errnea o dao del dispositivo. Los acopladores ptico tambin permiten circuitos de acoplamiento con diferentes niveles de voltaje, tierras distintas, etc.

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El circuito de entrada suele ser un LED, aunque el circuito de salida puede asumir varias formas, como el fototransistor que se muestra en la figura 40-(a). Como el voltaje de entrada polariza en directa al LED, la luz transmitida al fototransistor enciende a ste, produciendo corriente a travs de la carga externa, como se muestra en la figura 40-(b).

En la figura 39 se muestran algunos otros de acopladores. El acoplador con transistor darlington que se muestra en la figura 40(a) puede usarse cuando se requiere capacidad de corriente de salida incrementada ms all de la proporcionada por la salida del fototransistor. La desventaja es que el fotodarlington tiene velocidad de interrupcin inferior a la del fototransistor. En la figura 40-(b) se muestra un acoplador de salida LASCR. Este dispositivo puede usarse en aplicaciones en las que por ejemplo, se requiere un voltaje de entrada de bajo nivel a fin de amarrar un relevador de alto voltaje para efectos de activacin de algn tipo de dispositivo electromecnico.

6.1 Caractersticas
voltaje de aislamiento El voltaje de aislamiento de un acoplador ptico es el voltaje mximo que puede existir entre las terminales de entrada y de salida sin que ocurra ruptura dielctrica. Sus valores tpicos son aproximadamente iguales a 7500 v pico de ca. razn de traspaso de corriente en cd Este parmetro es la razn de la corriente de salida a la corriente de entrada a travs del LED. Suele expresarse como porcentaje. Para una salida de fototransistor, los valores tpicos varan desde 2 % hasta 100 %. Para una salida de fotodarlington, los valores tpicos varan desde 50 % hasta 500 %. corriente de disparo del led Este parmetro se aplica al acoplador de salida LASCR y al dispositivo de salida fototriac. La corriente de disparo es el valor de la corriente requerida para disparar el dispositivo de salida tiristor. Tpicamente, la corriente de disparo se encuentra en el rango de los mA. ganancia de traspaso Este parmetro se aplica al acoplador lineal de ca aislado pticamente. La ganancia de traspaso es la razn del voltaje de salida a la corriente de entrada. Un valor tpico es de200 mV/mA.

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En la figura 41 se indica la forma de interfazar una salida digital a cargas de CA de baja potencia utilizando un optoacoplador MOC3010. El fototriac acta como un interruptor enserie con lampara, conectndola a la red de 115 VAC cuando la salida de la compuerta es de nivel bajo (0V) y desconectndola cuando es de nivel alto(5V). El fototriac se dispar (entra en conduccin) cuando la corriente a travs del LED (IF) supera un cierto umbral denominado IFT . Para el MOC 3010, IF (mx.) = 50 mA e IFT(max)= 8 mA. Tpicamente IFT= 8 mA e IF = 10 mA.