Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der.

Cilt 23, No 3, 719-728, 2008

J. Fac. Eng. Arch. Gazi Univ. Vol 23, No 3, 719-728, 2008

GNE ENERJL SSTEMLER N MKRODENETLEYC TABANLI DA/DA YKSELTEN DNTRC

Mehmet DEMRTA, brahim SEFA, Erdal IRMAK ve lhami OLAK
Gazi Elektrik Makineleri ve Enerji Kontrol Grubu (GEMEC), Elektrik Eitimi Blm, Teknik Eitim Fakltesi, Gazi niversitesi, Ankara, mehmetd@gazi.edu.tr, isefa@gazi.edu.tr, erdal@gazi.edu.tr, icolak@gazi.edu.tr (Geli/Received: 26.11.2007; Kabul/Accepted: 14.03.2008) ZET Bu almada gne enerjili sistemler iin mikrodenetleyici tabanl bir DA/DA ykselten dntrc tasarm ve uygulamas gerekletirilmitir. Sistemin almas iin gerekli anahtarlama sinyalleri mikrodenetleyici tarafndan retilmektedir. Ayn ekilde, dntrcnn giriindeki akm ve gerilim bilgileri mikrodenetleyici tarafndan okunarak sistemin gc hesaplanmaktadr. almada, k gcnn srekli olarak en yksek seviyede tutulmas iin maksimum g takibi uygulamas gelitirilmitir. Bu uygulama ile giri gerilim seviyesindeki art, ya da azalmaya bal olarak dntrcnn anahtarlama sinyalinin, iletim ve kesim oranlar deitirilmekte ve k akm hep maksimum gc elde edecek ekilde ayarlanmaktadr. Uygulama sonucunda dntrc kndaki doru gerilim zerinde bulunan dalgalanma deerinin IEC 61204 standardna uygun olduu tespit edilmitir. Ayrca dntrcde kullanlan maksimum g takibi uygulamas yardmyla sistemin normal almaya gre % 36 daha verimli alt ve ykselten dntrcnn veriminin %92 olduu deneysel almalar sonucunda tespit edilmitir. Anahtar Kelimeler: Ykselten dntrc, yenilenebilir enerji, maksimum g takibi.

MICROCONTROLLER BASED DC/DC BOOST CONVERTER FOR SOLAR ENERGY SYSTEMS

ABSTRACT In this study, a microcontroller based DC/DC boost converter has been designed and implemented for solar energy systems. The switching signals required to operate the system are generated by the microcontroller. Similarly, the current and the voltage values at the input terminal of the converter are measured by the microcontroller, and then the power of the system is calculated. In the system developed, maximum power point tracking (MPPT) application is also developed to keep the output power as the maximum level continuously. On-off times of the switching signals of the converter are modulated in accordance with the variations on the input voltage level and then the output current is automatically adjusted to obtain the maximum output power. The application results have shown that the ripple factor on the DC voltage at the output of the converter corresponds with the limits of the IEC61204 standards. Furthermore, it has been experimentally observed that the system using MPPT application operates as 36% more efficient than the classical operation and efficiency of the boost converter has been determined as 92%. Keywords: Boost converter, renewable energy, maximum power point tracking. 1. GR (INTRODUCTION) Son yllarda enerji elde etmek amacyla kullanlmakta olan fosil yaktlarn tkenmeye balamas ve oluturduklar evre kirlilii problemlerinden dolay yenilenebilir enerji kaynaklar zerindeki almalar artmtr. Yenilenebilir enerji kaynaklar olarak tanmlanan gne, rzgr, hidrojen, bioktle enerjileri ile daha verimli sistemler oluturmak iin aratrmalar devam etmektedir [1]. Uygulamada gneten elde edilen enerji stma ve elektrik elde etme olarak iki ekilde kullanlmaktadr. Istma sistemlerinde

Mehmet Demirta vd.

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

gneten elde edilen s enerjisi ile su stlmakta ve kullanlmaktadr. Yariletken teknolojisindeki gelimelere paralel olarak son yllarda retilen gne panelleri ise gne enerjisini elektrik enerjisine dntrmek amacyla kullanlmaktadr. Bu amaca ynelik olarak retilen gne panellerinin verimleri %18 seviyelerine ulamaktadr [2]. Panel kullanlarak oluturulan sistemlerin daha verimli olmas iin DA/DA dntrcler kullanlmaktadr. Kullanlan dntrc eitleri ise ykselten, alaltan ve alaltan-ykselten dntrcler olarak tanmlanabilir. Dntrclerin tasarm srasnda sistemde kullanlan yariletken anahtarlama elemannn altrlma stratejisi, sistemin verimi zerinde nemli bir rol oynamaktadr. Bu tr sistemler iin en verimli uygulamann maksimum g noktas takibi (MPPT) olduu belirlenmitir [3]. Maksimum g noktas takibi ileminde gne panellerinden elde edilen elektrik enerjisindeki deiimlerin sistemin knda minimum seviyede hissedilmesi ve dntrcnn k geriliminin srekli olarak sabit tutulmas amalanmaktadr. MPPT ilemi srasnda giri gerilimi ve akm deerlendirilerek, dntrc trne gre anahtarlama iaretinin oran srekli olarak deitirilmekte ve k gerilimi sabit tutulmaktadr. Ancak bu ilemin yaplabilmesi iin ncelikle kullanlacak olan gne panellerinin (PV) yaps ve k gerilim deeri aralklarnn bilinmesi, ayrca PVlerin retebilecei gerilime gre sistemde kullanlacak olan dntrc tipinin belirlenmesi gerekmektedir. Literatrde dntrclerle ilgili almalarda kk gte ve farkl yapda dntrcler incelenmitir [4]. almalarda dntrc yaplarnn yan sra, farkl MPPT algoritmalar [5, 6] ve bu algoritmalara ek olarak deiken gnelenme deerlerine sistemlerin tepkileri incelenmitir [7]. Bu almalarda ise giri deikenlerinin deiimini kontrol edebilmek ve verimi artrabilmek iin saysal iaret ileyici (DSP) kullanlmtr. Sonuta, sistemin uygulamada kullanlabilirlii azalm ve maliyeti ykselmitir. Mikro denetleyicilerde evresel arabirimler, bir tmleik aygt iinde birletirildiinden sistem hznn ve gvenilirliinin artt, maliyetin azald, kullanm kolayl salanmakla birlikte karmak yapnn ortadan kaldrld rapor edilmektedir [8]. MPPT ile ilgili yaplan almalarda ise gerilim tabanl kontrol uygulamalaryla karlalmaktadr [9]. Sadece gerilim kontroll g takibinde verimin dk olduu belirtilmitir. Bu tr uygulamalarda hem akm hem de gerilim tabanl kontrol metotlar tercih edilmektedir. Bu almann literatrdeki dier uygulamalardan fark, yaklak 2,6 kW gcnde bir sistem iin hem akm, hem de gerilim kontroll olarak deitir ve gzle mant zerine kurulmu bir ykselten dntrc uygulamas olmas ve bunun mikro denetleyici (PIC) kontroll ve PWM denetimli olarak tasarlanmasdr.

2. DNTRC ETLER VE YAPILARI

(TYPES AND STRUCTURES OF THE CONVERTERS)

Gne panellerinden elde edilen elektrik enerjisi gnn deiik zamanlarnda farkl gerilim deerleri vermektedir. Oluturulacak sistemin, ykn trne bal olarak srekli sabit k gerilimi vermesi istenir. Bunu salamak iin devreye bir adet dntrc balanmaktadr. Sistemde kullanlacak olan dntrcnn yapsn, gne panellerinden elde edilen giri gerilimi (Vi) ile dntrcnn k gerilimi (Vo) arasndaki fark belirlemektedir. ekil 1de alaltc dntrcnn yaps verilmitir [10]. Bu tr dntrcler k geriliminin, panellerden elde edilen gerilime eit veya daha az olduu durumlarda kullanlrlar. Devredeki S anahtarlama eleman yksek frekansta anahtarlanarak sistemin g ak salanr. Alaltan dntrclerde ortalama k gerilimi ile anahtarlama oran arasndaki iliki Eitlik 1de verilmitir.

VO tON = =d Vi T
is + S Vi D L C V0 iL + VL -

(1)

ekil 1. Alaltan dntrcnn yaps (Structure of the

buck converter)

ekil 2de ykselten dntrcnn yaps verilmitir. Devrede S anahtar kapal olduu zaman akm endktans zerinden gemektedir. Bu durumda bobin gerilimi giri gerilimine eit (VL=Vi) olmaktadr. S anahtarnn ak olduu zaman ise, endktans zerindeki gerilim giri ve k gerilimlerinin farkna (VL=Vi-Vo) eit olmaktadr.
+ VL + L Vi is S D C V0 (Structure of

iL +

ekil 2. Ykselten dntrcnn yaps

the boost converter) 720

Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

Mehmet Demirta vd.

Sonuta k gerilimi bobin gerilimi ile giri geriliminin toplamna eit olmaktadr. Bu tr dntrcler k geriliminin panellerden elde edilen gerilimden daha byk olmas istenilen durumlarda kullanlrlar. Ykselten dntrclerde ortalama k gerilimi ile anahtarlama oran arasndaki iliki Eitlik 2de verilmitir.

uygulayabilmek iin gne panelinin matematiksel denklemleri ve elektriksel edeer devresi incelenmelidir. Gne panelinden elde edilen elektrik enerjisini matematiksel olarak ifade edebilmek iin ncelikle gne paneli edeer devresi karlmaldr. Bu devredeki deerlere bal olarak elde edilen formller incelenirse, panelin enerji retimi ve verimi ile ilgili daha fazla bilgi sahibi olunabilir. ekil 4te gne paneli elektriksel edeer devresi verilmitir [12].

VO 1 = Vi 1 d

(2)

ekil 3te alaltan-ykselten dntrcnn yaps verilmitir. Dntrcde, S anahtar kapal olduu zaman bobin gerilimi, giri gerilimine eit (VL=Vi) olmaktadr. Anahtar ak durumda iken bobin gerilimi k gerilimine eit (VL=Vo) olmaktadr.
is + S Vi iL L + VL D C V0 +

ekil 4. Gne paneli elektriksel edeer devresi

(Electrical equivalent circuit of the solar panel)

Edeer devre zerindeki RSH akm kaynana paralel bal direnci, D ise kaynak zerinden geebilecek ters akmlar nleyen diyotu ifade etmektedir. RS seri diren, RL ise yk direnci olarak kullanlmaktadr. Gne panelinde retilen elektrik enerjisine, panel scaklnn, panelin gne alma asnn ve nm deerinin direk olarak etkisi vardr. Gne panelinde elde edilen elektrik enerjisi matematiksel olarak Eitlik 4te, ters doyum akm Eitlik 5te ve k tarafndan retilen akm Eitlik 6da verilmitir.
q (V + IR S ) 1 V + IR S I = I LG I OS exp AkT R SH
qE GO T I OS = I OR exp TR Bk
3

ekil 3. Alaltan-Ykselten dntrcsn yaps

(Structure of the buck-boost converter)

Alaltan-Ykselten dntrclerde ortalama k gerilimi ile anahtarlama oran arasndaki iliki Eitlik 3te verilmitir.

(4)

VO d = Vi 1 d

(3)

1 1 T T R

(5)

I LG = [I SCR + K I (T 25 )] / 100

(6)

Yaplacak sistemlerde gne panellerinden elde edilen elektrik enerjisinin, sistemin knda istenilen gerilim deerinden az veya ok olmas durumuna gre belirlenecek dntrc tipi deimektedir. Ayrca seilen dntrc tipine bal olarak MPPT ilemi iin kullanlacak olan anahtarlama stratejisi de deimektedir [11]. 3. MAKSMUM G NOKTASI TAKBNN GEREKLETRLMES (IMPLEMENTATION
OF THE MAXIMUM POWER POINT TRACKING)

Dntrcnn almas srasnda elde edilen k gcnn sistemin maksimum verimle alabilmesi iin srekli olarak en yksek seviyede olmas gerekmektedir. Sistemin k gcnn srekli olarak en yksek seviyede tutulmas ilemine maksimum g noktas takip ilemi (MPPT) ad verilmektedir. Fotovoltaik panellerde gne mas, evre scakl gibi faktrlere bal olarak maksimum g noktas deimektedir. MPPT ilemini daha iyi
Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

ok sayda hcre seri-paralel balantlar yolu kullanlarak istenilen akm ve gerilimlerde paneller oluturulur. Ticari olarak pazarda bulunan gne panellerinin verimleri % 14 ila %15 gibi olduka dk bir deerdedir. Gnein nlar ile yeryzne ulaan g, ak ve gneli bir blge iin 1000 W /m2 civarndadr. Mevcut gne panellerinin 1 m2 iin bu nmda rettikleri g 120-150 W civarndadr. Bir gne panelinin 20-25 yl boyunca retiminde ok byk bir azalma olmadan alabilmesi mmkndr [13]. Uygulamada ince film, polikristal, monokristal ve mercekli (younlatrcl) olmak zere drt farkl yapda gne paneli bulunmaktadr. Bu panellerden ince film, poli ve monokristal olanlar herhangi bir ilave sisteme ihtiya duymadan gne ndan elektrik retebilmektedir. Ancak younlatrcl model paneller ise bir mercek ile birlikte kullanlrlar. Verimleri dier panellere gre ok yksektir, ancak gnei mutlaka dik ayla grmeleri gerekmektedir.

721

Mehmet Demirta vd.

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

Ayrca merceklerde ve gne paneli hcrelerindeki ar snma bu sistemin kullanlabilirliini kstlamaktadr. Bu almada ise uygulamalarda daha fazla karlalmasndan ve verimi daha iyi olmasndan dolay monokristal gne paneli kullanlmtr. Gne panelli sistemlerde MPPT yaplmasnn amac, mevcut yatrmdan maksimum enerji salayarak verimi ykseltmektir. Bu durum ise ancak panel gerilimi ve panelden ekilen akm deerlerinin srekli olarak takip edilip, maksimum gcn hesaplanmas yolu ile yaplr. ekil 5te sistemde kullanlan Sharp NUSOE3E modeli 185 Wlk gne panelleri iin belirli bir deerdeki maksimum g noktas ve ekil 6da ise gne panelinin MPPT uygulanmayan durumdaki yk erileri verilmektedir. Bu ekillerden grlecei gibi, gne panelinden elde edilen farkl gerilim ve akm deerlerine karlk, g noktas en yksek seviyede tutulmaya allmaktadr. Bylece sistemin en iyi verimle altrlmas salanmaktadr. Buradaki ama gne panellerinden elde edilen DA gerilimi eviricinin giri seviyesi snrlar ierisinde tutabilmek, ayrca sistemin maksimum g noktas takibi yapabilmesini salamaktr. Gne panellerinden elde edilen elektrik enerjisi, gnelenme ve panel scakl gibi d faktrler sayesinde srekli olarak deiiklik gstermektedir.

Ayrca sistemin knda bulunan yk deiimlerine bal olarak, dntrcnn sabit bir aralkta srekli gerilim retmesi istenmektedir. Ykselten dntrcnn anahtarlama elemanna uygulanan boluk darbe oranlar deitirilerek, dntrc kndaki gerilim seviyesi deitirilmektedir. Tasarlanan sistemde MPPT ilemi iin giri ve ktaki akmlar ve gerilimler sensrler yardmyla okunarak deerlendirilmektedir. Elde edilen akm ve gerilim deerleri mikro denetleyicide ileme sokularak dntrc iin gerekli anahtarlama iareti retilmektedir. Sistemdeki MPPT ilemine ait ak diyagram ekil 7de verilmitir. Ak diyagramnda da grld gibi sistemde gcn deeri bir nceki deerine gre art gsteriyor ise, giri geriliminin de artp artmad kontrol edilmektedir. Eer gerilim deeri artyorsa, anahtarlama oran azaltlmakta, gerilim azalyorsa oran artrlmaktadr. G deerinde bir nceki hesaplanan deere gre azalma var ise tekrar gerilimin art kontrol edilmekte, eer gerilim artyor ise, anahtarlama oran bu sefer arttrlmakta, gerilim azalyor ise oran azaltlarak sistemin gc ayarlanmaktadr. Eer g deerinde bir artma ya da azalma olmuyorsa, gerilimin bir nceki deerine gre eit olup olmad kontrol edilmektedir. Gerilim eitse sistem dngden kmaktadr. Maksimum g noktas takibi uygulamasnda dntrcnn PWM anahtarlama oranlar deitirilirken kaynan salayaca maksimum akm deerini gemesi engellenmektedir. Bu nedenle PWM sinyalin anahtarlama oran %2 ile %49 arasnda snrlandrlmaktadr. Ayrca ykselten dntrcnn kna balanacak olan eviricinin giri gerilim ve g deerlerini de amas istenmeyen bir durumdur. Bu koullara bal kalarak, sistemden srekli olarak maksimum gc elde etmek iin, dntrcnn anahtarlama elemanna uygulanan PWM sinyalin iletim-kesim sreleri deitirilmektedir. Panellerde retilen gerilim belirli bir deerin altna dtnde ve ayrca dntrcnn k gerilim ve akm belirlenen snrn zerine kt zaman sistem uyar vermekte ve anahtarlama orann belirli bir seviyeye kadar drmektedir. 4. YKSELTEN DNTRC TASARIMI ve UYGULAMASI (DESIGN AND IMPLEMENTATION
OF THE BOOST CONVERTER)

ekil 5. MPPT g-gerilim karakteristii (Power-voltage

characteristic of the MPPT)

ekil 6. MPPT akm-gerilim karakteristii

voltage characteristic of the MPPT) 722

(Current-

Gne enerjisinden elektrik enerjisi elde etme amacyla tasarlanan sistemlerde, panellerden elde edilen enerji; ebeke etkileimli alma, ada modu alma, depolayp sonra kullanma gibi farkl yntemlerle yke iletilmektedir. ebeke etkileimli almada panellerden elde edilen doru gerilim bir evirici yardmyla direkt ebekeye aktarlmaktadr. Ada modu almada ise, ebekenin olmad yerde alclar dorudan beslenmektedir. Depolayp sonra
Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

Mehmet Demirta vd.

ekil 7. MPPT ilemine ait ak emas (Flowchart of the MPPT operation) kullanma durumunda ise, bir ak grubu arj edilerek enerji depolanmakta ve ihtiya duyulduunda kullanlmaktadr [14]. Tasarm yaplan sistemde ise, panellerden elde edilen doru gerilim bir ykselten dntrcden geirilmekte ve dntrcnn kndaki gerilim, evirici vastasyla alternatif gerilime evrilerek kullancya iletilmektedir. Ykselten dntrc uygulamasnda, sistemin almas iin gerekli anahtarlama sinyali mikrodenetleyici tarafndan retilmektedir. MPPT ilemi srasnda dntrcnn giriindeki akm ve gerilim bilgileri mikro denetleyici tarafndan okunarak sistemin gc hesaplanmaktadr. Giri gerilim seviyesindeki art ya da azalmaya bal olarak dntrcnn anahtarlama sinyalinin oranlar deitirilmekte ve k akm hep maksimum gc elde edecek ekilde ayarlanmaktadr. Maksimum g noktas takip ilemi ve gne panellerinin gnei takip etme ilemleri bir arada uyguland takdirde sistemin veriminin daha fazla olaca belirlenmitir [15]. Sistemin mikro denetleyici programlar HI-TEC C dilinde yazlm ve 18F452
Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

mikro denetleyici kullanlmtr. Uygulamas yaplan ykselten dntrcye ait sistemin emas ekil 8de verilmitir. Sistem gne panelleri, mikro denetleyici, akm ve gerilim alglayclar, ykselten dntrc ve Metal Oksit Yariletken Alan-Etkili Transistr (MOSFET) srcden olumaktadr. Uygulanan sistemde gne panellerinden elde edilen DA gerilim LEM LA-55 modeli bir akm alglaycsndan (a) ve bir gerilim blc (b) zerinden geirilip, ykselten dntrcye uygulanmaktadr. (a) ve (b) alglayclarndan alnan akm ve gerilim sinyalleri mikro denetleyici tarafndan MPPT ilemine sokulmakta ve Vref sinyali elde edilmektedir. Ayn zamanda Vref sinyali ile k gerilim alglaycs (c) tarafndan okunan DA gerilimi (Vout) karlatrlarak elde edilen hata PI denetleyiciden geirilmektedir. PI kndan elde edilen sinyal mikro denetleyicinin PWM modl tarafndan PWM sinyaline dntrlr. Elde edilen PWM sinyali bir MOSFET src aracl ile dntrcde bulunan anahtarlama elemanna uygulanr. Bylece PI kndan elde edilen PWM sinyaline gre MOSFET

723

Mehmet Demirta vd.

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

ekil 8. Ykselten dntrc blok diyagram (Block diagram of the boost converter) anahtarlanarak sistemin srekli olarak MPPTde almas salanr. Uygulamas yaplan ykselten dntrcde anahtarlama eleman olarak IXFK 73N30 isimli 73A 300V MOSFET ve MOSFETin anahtarlamasn salamak amacyla TC4429 tipi srcs kullanlmtr. Srcye mikrodenetleyiciden 40 kHz deerinde anahtarlama sinyali uygulanmaktadr. Ykselten dntrcde akm dalgalanmasn %15te snrlandrmak iin giri endktansna ihtiya duyulmutur. Giri endktans Eitlik 7de verilen forml kullanlarak 1 mH olarak hesaplanmtr [10]. Elde edilen endktans deeri ferit nve zerine sarlarak devrede kullanlmtr. Giri endktans zerindeki akm ve endktansn ucundaki gerilimin dalga ekilleri karlatrmal olarak ekil 9da verilmitir.

TS VO (7) D(1 D) 2 2 I ORT Anahtarlama eleman zerinde, anahtarlama srasnda oluan yksek deerli pikleri nlemek amacyla anahtarlama elemannn ularna bir sndrme devresi yerletirilmitir. Sndrme devresinde kullanlan kondansatr ve direncin hesaplanmasna ilikin formller Eitlik 8 ve Eitlik 9da verilmitir [16]. L=
CS =
2 LI O (VCEP E D ) 2

(8)

RS

1 2,3C S f

(9)

Tasarlanan sndrme devresi sayesinde ykseltici dntrcnn anahtarlama eleman istenilen gerilim ve akm deerlerinde altrlabilmektedir. Sndrme devresi sisteme bal deilken ve balandktan sonraki MOSFETin Drain-Source ularndaki

ekil 9. Endktans ularndaki gerilim ve akm erisi

(Voltage and current waveforms of the inductance) 724

ekil 10. Sndrmesi devresi bal iken MOSFET gerilim erisi (Voltage waveform of the MOSFET when the
snubber circuit is connected to switch) Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

Mehmet Demirta vd.

Dntrcnn giri gerilimi ve akm bilgisi alglayclar yardmyla okunarak elde edilen bilgiler bir ykselte devresine uygulanmtr. Elde edilen ykseltilmi akm ve gerilim bilgileri mikro denetleyicinin giri ularna uygulanmaktadr. Yaplan yazlm yardm ile bu bilgiler deerlendirilerek MOSFETin anahtarlama oranlar deitirilmektedir. Dntrc ile yaplan deneylerde MOSFETin yksek frekanslarda anahtarlanmas srasnda snd gzlemlenmitir. Anahtarlama elemanndaki bu snma miktar dntrcnn kna uygulanan yk miktar arttrldnda daha da oalmaktadr. Anahtarlama elemannn snmasn ve k gerilimindeki bozulmay engellemek amacyla devreye bir sndrme devresi yerletirilmitir. Tasarlanan sndrme devresi yardmyla anahtarlama srasnda yk artsa bile MOSFETin ularndaki sinyalde ok byk bir deiiklik olmamaktadr. Dntrc maksimum yk altnda iken ve MOSFETin anahtarlama oran maksimum durumda iken Drain-Source ularnda oluan gerilim erisi ekil 13te verilmitir. Osiloskop ile yaplan bu lm srasnda 10X orannda zayflatc prob kullanlmtr.

ekil 11. Sndrmesi devresi bal deilken MOSFET gerilim erisi (Voltage waveform of the MOSFET
when the snubber circuit is not connected to switch)

gerilimlerin erileri ekiller 10 ve 11de verilmitir. lmler srasnda 10X orannda zayflatc prob kullanlmtr. Sndrme devresinin dntrcden karld durum deneysel olarak gzlenmek istenildiinde, dntrcnn anahtarlama eleman zerindeki gerilim ekil 11de verilmitir. Bu durumda, dntrcye 85 V giri gerilimi uygulandnda, MOSFETin Drain-Source ular arasndaki gerilim 160 V seviyesinde iken gerilimin ularnda oluan piklerin deeri 70 V seviyesinde olmaktadr. Daha yksek giri gerilimi deerlerinde MOSFETin ularndaki pik deeri artmakta ve anahtarlama elemanna zarar vermektedir. ekil 12de gerekletirilen ykselten dntrcye ait deney dzeneinin fotoraf verilmitir. Fotorafta mikrodenetleyici programlama ve kontrol kart, ykselten dntrc, bobin ve g kayna grlmektedir.

ekil 13. MOSFET anahtarlama oran maksimum seviyede iken Drain-Source ularndaki gerilim erisi
(Waveform of the voltage on the Drain-Source points when the MOSFET switching rate is at the maximum level)

ekil 12. Gerekletirilen ykselten dntrcye ait fotoraf (Photograph of boost converter implemented) 5. DENEYSEL ALIMALAR (EXPERIMENTAL
STUDIES)

Dntrcnn almas srasnda sistemden ekilen akm arttka MOSFET srcye mikro denetleyici tarafndan gnderilen anahtarlama sinyali bozulmaktadr. Bu durum dntrcnn kararsz almasna neden olmutur. Kararsz almay engellemek amacyla mikro denetleyici ile src devre arasna bir sndrme devresi kullanlmtr. Dntrcnn almas srasnda minimum ve maksimum yk altnda MOSFETin gate ucuna uygulanan sinyalin erileri ekiller 14 ve 15te verilmitir.

Bu almada, gne enerjisinden elde edilen elektrik enerjisini MPPT ilemi uygulayarak, devrede bal olan eviriciye uygun giri gerilim aralnda vermek amacyla bir ykselten dntrc tasarlanmtr.
Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

725

Mehmet Demirta vd.

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

ekil 14. Minimum yk iin MOSFETin gate ucuna uygulanan sinyal erisi (Waveform of the signal applied to
the gate point of the MOSFET for minimum load)

ekil 15. Dntrc k gerilim erisi (Waveform of

the converter output voltage)

ekil 16. Dntrc AA dalgalanma gerilim erisi ekil 15. Maksimum yk iin MOSFETin gate ucuna uygulanan sinyal erisi (Waveform of the signal applied to
the gate point of the MOSFET for maximum load) (Waveform of the converter AC ripple)

Dntrc giriine deneyler srasnda 110 V DA gerilim uygulanm ve dntrc kndan 180 V gerilim elde edilmitir. Dntrc knda 2500 Wlk yk varken ve gerilim deeri 180 V iken, gerilimin zerinde oluan AA etkin dalgalanma deeri 0,05 V seviyesinde olup, bu deer k geriliminin %0,4 kadardr. IEC 61204 g kaynaklarnn k gerilim standardna gre bu deer %1in altnda olmaldr [17]. Gerekletirilen uygulamadaki elde edilen dalgalanma deeri ile standartta belirtilen deer karlatrldnda, dntrc uygulamalar iin olduka kaliteli bir k deeri elde edildii sonucunu vermektedir. Dntrcnn k gerilimindeki dalgalanmay azaltmak iin Eitlik 8de verilen denklem yardmyla bir kapasite hesaplanarak dntrcnn kna yerletirilmitir. k gerilimindeki dalgalanma iki tepe deer arasndaki mesafedir. Burada k akmnn sabit olduu varsaylarak, Volt cinsinden gerilim dalgalanmas hesaplanacak olursa;
VO = Q I O DTS = C C

Verilen denklem dorultusunda C3 kondansatrnn deeri 140 F olarak hesaplanmtr. Ykselten dntrc zerine 156 Flk kondansatr yerletirilmitir. Dntrc k geriliminin ve oluan dalgalanma deerinin erileri ekiller 15 ve 16da verilmitir. ekil 15te yaplan lm srasnda 10X orannda zayflatc prob kullanlmtr. Gne enerjisi sistemleri iin tasarlanan ykseltici dntrcnn gneli bir gn ierisinde MPPT ilemi yaparak ve normal altrlmas arasndaki fark gstermek amacyla bir deney yaplmtr. Bu deneyde 15er dakikalk aralklarla normal alma ve MPPT ile almaya ait gerilim ve akm deerleri alnarak g deerleri hesaplanmtr. 13.07.2007 tarihinde alnan deerlere ait eri ekil 17de verilmitir. ekil 17de verilen erilerden de grld gibi, sabahn ilk saatlerinden gne batncaya kadar olan aralkta panellerin gnelenme deerlerine bal olarak g deerleri artmaktadr. MPPT ilemi yaplrken dntrcnn k g deerleri panel akmlarnn izin verdii lde artmakta ve srekli olarak en yksek seviyede tutulmaktadr. Elde edilen deerler yardmyla yaplan hesaplamada, MPPTli alan sistemin normal almadan %36 daha verimli olduu tespit edilmitir.
Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

(8)

726

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

Mehmet Demirta vd.

MPPT G Zaman Grafigi 2000 1800 1600 1400 G (Watt) 1200 1000 800 600 400 200 12 14 16 18 20 Zaman (Saat) ekil 17. MPPT ve normal alma durumunda g zaman erileri (Waveforms of power versus time for MPPT and
normal operation condition)

MPPT Normal

10

6. SONULAR ve DEERLENDRME
(CONCLUSION AND DISCUSSION)

Gne ndan elde edilen enerjiyi, elektrik enerjisine evirmek amacyla gne panelleri kullanlarak yaplan uygulamada, sistemin daha verimli olarak altrlmas amacyla mikro denetleyici kontroll 2600 W gcnde bir DA/DA ykselten dntrc tasarm ve uygulamas yaplmtr. Uygulama sonucunda dntrc kndaki DA gerilim zerinde llen AA bileenin etkin deeri 0,05 V seviyesinde olup, bu deerin k geriliminin % 0,4 orannda olduu tespit edilmitir. Bu deer dntrc uygulamalar iin kaliteli bir k deeri elde edildii sonucunu vermektedir. Ayrca uygulamas yaplan dntrcde kullanlan maksimum g takibi uygulamasnn sistemi % 36 daha verimli altrd ayrca yaplan deneyler srasnda ykseltici dntrcnn veriminin % 92 olduu tespit edilmitir. Yaplan almada, MOSFETin yksek frekanslarda anahtarlanmas srasnda snd gzlenmitir. Isnma problemini zmek amacyla bir sndrme devresi tasarlanm ve yksek akmlardaki almada snma sorunu zlmtr. Ayrca, dntrcnn almas srasnda sistemden ekilen akm arttka MOSFET srcye mikro denetleyici tarafndan gnderilen anahtarlama sinyali bozulmaktadr. Bu sorunu zmek amacyla da mikro denetleyici ile MOSFET srcs arasna bir tampon devresi tasarlanarak, sinyalin bozulmas engellenmitir. Bu makalede sunulan alma genel hatlaryla deerlendirildiinde, aada belirtilen kazanmlar elde edilmitir:
Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008

Byk gl sistemler iin ekonomik, kayplarn en az dzeyde olduu ve uygulanabilirliin artrld mikrodenetleyici tabanl bir ykselten dntrc tasarlanmtr. Uygulanan maksimum g takibi ilemi ile gne enerjisinin daha verimli kullanlmas salanmtr. alma sonucunda %92 verime sahip bir ykseltici dntrc elde edilmitir. Dntrc k geriliminin her trl uygulama iin uygun ve uluslararas standartlar karlar nitelikte olduu tespit edilmitir. Gne enerjisinden elektrik elde etmeye ynelik uygulamalarn arttrlmasn destekleyici bir rnek alma gerekletirilmitir.
SEMBOLLER (Nomenclatures)

V B =A D ED EGO F I ve V IL ILG IO IOR IORT IOS ISCR k KI

L q RS

k gerilimindeki dalgalanma miktar (V) dealletirme faktr =1,92 Anahtarlama oran DA kaynak gerilimi (V) Silikon iin bant genilii (eV) Anahtarlama frekans (Hz) Panel k akm (A) ve gerilimi (V) Endktans akm (A) Ik tarafndan retilen akm (A) Maksimum alma akm (A) TR referans scaklnda panel doyum akm (A) Ortalama yk akmnn minimum deeri (A) Panel ters doyum akm (A) 25oC ve 1000 W/m2deki ksa devre akm (A) Boltzmann sabiti ISCR iin ksa devre scaklk katsays (A/oC) 0,0017 Dntrc endktans (H) Elektronik arj yk (C) Seri diren ()
727

Mehmet Demirta vd.

Gne Enerjili Sistemler in Mikrodenetleyici Tabanl DA/DA Ykselten Dntrc

RSH T TR TS VCEP Vo

nt diren () Panel scakl (oC) Referans scaklk = 301,18oK Anahtarlama periyodu Sndrme devresi kapasitr maks. gerilimi (V) k gerilimi W/m2deki solar aydnlanma

8.

9.

KAYNAKLAR (REFERENCES) 1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

Evrendilek, F., Ertekin, C. Assessing The Potential of Renewable Energy Sources in Turkey, Renewable Energy, Vol. 28, 23032315, 2003. Ralph, E.L., Linder, E.B., Advanced Solar Panel Designs, Photovoltaic Specialists Conference, 1996, Conference Record of the Twenty Fifth IEEE, Washington D.C, U.S.A., 297-300, 13-17 May 1996. Muhidaa, R.B., Parkb, M., Dakkakb, M., Matsuurab, K., Tsuyoshic, A., Michirac, M., A Maximum Power Point Tracking For Photovoltaic-Spe System Using A Maximum Current Controller, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 75, 697706, 2003. Mukerjee, A.K., Dasgupta, N., DC Power Supply Used as Photovoltaic Simulator for Testing MPPT Algorithms, Renewable Energy, Vol. 32, 587592, 2007. Salas, V., Olas, E., Lazaro, A., Barrado, A., New Algorithm Using Only One Variable Measurement Applied to A Maximum Power Point Tracker, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 87, 675684, 2005. Duru, H. T., A Maximum Power Tracking Algorithm Based on Impp = F(Pmax) Function for Matching Passive and Active Loads to A Photovoltaic Generator, Solar Energy, Vol. 80, 812822, 2006. Hua, C.A., Lin, B. J., An On-Line MPPT Algorithm For Rapidly Changing Illuminations

10.

11.

12.

13.

14.

15.

16.

of Solar Arrays, Renewable Energy, Vol. 28, 11291142, 2003. Bayndr, R., Kaplan, O., PIC Denetimli Reaktif G Rlesi Tasarm, Gazi niversitesi Mhendislik-Mimarlk Fakltesi Dergisi, Cilt 22, Say 1, 47-56, 2007. Veerachary, M., Senjyu, T., Uezato, K., Voltage-Based Maximum Power Point Tracking Control of PV System, IEEE Transactions on Aerospace and Electronic Systems, Vol. 38, No.1, 262-270, 2002. Mohan, N., Undeland, T. M., Robbins, W. P., Power Electronics: Converters, Applications and Design, 2nd Edition, John Wiley & Sons Inc., England, 1995. Yuvarajan, S.A., Yu, D.A., Xub, S., A Novel Power Converter for Photovoltaic Applications, Journal of Power Sources, Vol. 135, 327331, 2004. Koutroulis, E., Kalaitzakis, K., Voulgaris, N.C., Development of a Microcontroller-Based Photovoltaic Maximum Power Point Tracking Control System, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 16, No. 1, 46-54, 2001. Markvat, T., Castaner, L., Practical Handbook of Photovoltaics: Fundamentals and Applications, Elsevier, Amsterdam, Netherlands, 2006. Munoz, F.J., Almonacid, G., Nofuentes, G., Almonacid, F., A New Method Based On Charge Parameters to Analyse The Performance of Stand-Alone Photovoltaic Systems, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol. 90, 17501763, 2006. Demirta, M., Bilgisayar Kontroll Gne Takip Mekanizmas Tasarm ve Uygulamas, Politeknik Dergisi, Vol. 9, Say 4, 247-253, 2006. FUJI ELECTRIC e-Front Runners CatalogProtection Circuit Desing, Chapter 5, 11-14, 2007.

728

Gazi niv. Mh. Mim. Fak. Der. Cilt 23, No 3, 2008