MAKROMODELLER

Makromodeller, herhangi bir elemann veya devrenin lineer ve lineer olmama yg zelliklerini aslna olabildiince uygun modellemek zere, lineer elemanlar, baml ve bamsz kaynaklar ve az sayda diyot, tranzistor gibi lineer olmayan elemanlarla oluturulan edeer d l l l l t l d devreler. l

Makromodellerin amac:
ok tranzistorlu yaplarda benzetim sresini ksaltmak Geni lekli yaplarn benzetiminde nmerik analiz problemlerinin giderilmesi Aktif elemanlarn id l i lik analizi k if l l idealsizlik li i

Gnmzdeki makromodeller ana

grup altnda toplanabilirler:
1. Lineer olmayan kontrollu kaynaklar ieren modeller Bu tr modellerde, lineer olmama zelliini temsil eden modellerde analitik fonksiyonlar kullanlr. y 2. Yariletken diyot ieren modeller Bu tr modellerde, lineer olmamay temsil etmek zere yariletken diyotlarn stel akm-gerilim ilikisinden yararlanlmaktadr. l l k d 3. Yariletken tranzistor ve diyot kullanan modeller Lineer olmamann hem tran istor hem de diyot tranzistor, di ot elemanlarnn kullanlmasyla temsil edildii modeller bu g gruba girmektedir. g

rnek 1: l k 1 lemsel kuvvetlendirici lk tl di i i makromodelleri

C VCC=15V I2 R1 I1 1mA vi + T1 IT T12 T13 R2 T3 T5 -VEE T2 25uA Ix 50uA R4 T10 T14 R3 -VEE=-15V T4 T6 -VEE R5 T15 T11 RL 1k 360uA T7 T8 T9 vo IQ 0.5mA

lemsel Kuvvetlendirici Yap rnei p

rnek 1: l k 1 lemsel kuvvetlendirici lk tl di i i makromodelleri

+V CC RC1 R C 1 C2 +V a R e1 Ve Re2 CE I EE RE G cm .Ve G .V a a R2 R O2 RC Gb .V b R P Vb C2 Vc D 1 D 2 V E VC R O1 D3 D4 +V O

-V EE

Tranzistorlar, yariletken diyotlar, baml ve bamsz kaynaklar ve lineer elemanlar kullanlarak kurulan ilemsel kuvvetlendirici makromodeli (Boyle 1974)

 yapda ok fazla sayda yer alan fiziksel g gerek elemanlar yerine basit ideal y elemanlar Basit bir diferensiyel g y giri kat y yardmyla y lineer olmayan giri karakteristiinin modellenmesi.

 T1-T2 tranzistorlar ve bunlarla ilikili dier elemanlar ile yapnn fark ve ortak iaret davran. CE kondansatr ykselme eimi, C1 kondansatr faz yant Ara kattaki Gcm , Ga , R2 , RO2 elemanlar Fark ve ortak i k k iaret kazanlar k l

 k katnda D1 , D2 , RC elemanlar yapnn ksadevre akmnn maksimum , deeri, D3 ,VC ve D4 ,VE elemanlar k l l k geriliminin maksimum deerini ve krplma snrlar

 Yapnn k kat devreye tam anlamyla benzemeyen, ancak d b k devre llikl i i zelliklerini salayan bir topoloji kullanlarak kurulmutur. Tm makromodeller, bir tmdevre benzetim program ile birlikte kullanlacaklar dncesi ile tasarlanrlar.

+VCC 3 css 1+ 2rss j1 iss dp j2 C1 rd2 d2 + ve rp + vc 9 r2 6 dc de gcm + vb + egnd ga C2 6 5 +VO fb ro2 +

dip

din + vip vin

rd1 d1 4 -VEE

7 + hlim vlim ro1

Giri k t kanall JFETlerle k l Gi i kat p k ll JFETl l kurulmu olan ilemsel l il l kuvvetlendiriciler iin gelitirilen makromodel (LF351 ).

din +VCC 3 Cee 1+ 24 -VEE iee dp re2 Q2 C1 ve rc2 + rp + vc 9 r2 2 dc 6 de gcm + vb C2 ga + egnd fb 7 + hlim vip vlim 6 -ro1 5 +VO vin ro2 dip + +

ree re1 Q1 rc1

Giri kat pnp tranzistorlarla kurulmu olan ilemsel kuvvetlendiriciler iin gelitirilen makromodel (LM324) .

+VCC rc1 C1 1+ 2Q1 Q2 re1 re2 iee + rc2 dp rp

+ vc 9 r2 dc 6

+ vb -egnd C2 ga

+ fb

ro2

dip

din + vip vin

4 -VEE

Cee ree gcm ve de -

7 + hlim vlim 6 ro1 5 +VO

Giri kat npn tranzistorlarla kurulmu olan ilemsel kuvvetlendiriciler iin gelitirilen makromodel (LM301A ).

R O2 +V 4 V OS P R ID/2 R
+V

RO1 + VO

+V5 C1 I2 + R2 C2 V5

VA IC
-

D 5 D6 + VO -

I B1

I1

R1

R ID/2 CM R IC N +' K V CM CM

D2 I B2 VB I 1 = G1 .( VA-V B) ( V

+ V1 -V2 D1 +

D3 - V +V4 D 3 4 I 2 = G2 .V 4 V

Yariletken diyotlar, baml ve bamsz kaynaklar ve diyotlar lineer elemanlar kullanlarak kurulan ilemsel kuvvetlendirici makromodeli (Peic, 1991).

 Birinci ara katta V1 D1 ve V2-D2 gerilim V1-D1 V2 D2 snrlama devreleri Birinci hcrede C1 ve R1 elemanlar yapnn transfer fonksiyonunun baskn olmayan ikinci kutbu ikinci ara hcrede G2.V4 kontrollu kayna C2 k d kondansatr i d ki gerilimin zerindeki ili i ykselme hz kinci kazan katnda R2 ve C2 elemanlar y kuvvetlendiricinin transfer fonksiyonunun f1 baskn kutbu

Model Parametrelerinin belirlenmesi

Burada diyotlar ideal alnmtr.

 Ortak iaret kazanc ve dengesizlik akm

Gerek diyot modeli kullanlrsa, diyot doyma akm d k

rnek 2: G i iletkenlii k k 2 Gei il tk lii kuvvetlendiricisi tl di i i i (OTA) makromodeli (Kuntman 1994) lemsel kuvvetlendiricilerden daha geni bandl olmalar ve eimlerinin kontrol y edilebilir olmas nedeniyle OTA'lar da gittike yaygnlaarak kullanm alan bulmaktadr. bulmaktadr

OTA devre sembol tanm bants

IO , Gm = V I1 - V I 2

Gm = f ( I A)

IA kontrol akm

 CMOS t k l ji i il kolayca teknolojisi ile k l tmletirilebilme OTA-C aktif szgeleri ok sayda OTA ieren aktif szgelerin benzetim srelerinin ksaltlmas Geni lekli devrelerde nmerik sorunlarn, raksama sorunlarnn giderilmesi

Simetrik BJT OTA Yaps

B:1 T5
1

1:B T3
4

+VDD T6

T4
5

T1

+VI1
6

T2 IA

VO CL T8

+VI2

T7 1:1

-VSS

Simetrik CMOS-OTA yaps y p

Temel tanm bantlar

. G m = B. K n . I A .(W / L )1

I Omaks = - I Omin = - B. I A

KV = G m . R O
fd 1 = 2. . RO .( C n7 + C L )

f nd1

g m4 = 2. .C n5

g m7 f nd 2 = 2. .C n6

f z = 2. f nd 2

GBW = KV . f d
B. I A YE = C L + Cn7

+ VC - R C +VDD -V V' P R I1 +V1 Cn5 I1 R3 SS +V D1 A + VB1 + VO - V +R E E A

D4 D3

- VOS + P C2 C1 +V CMN C3 RI2 + V' N K .V CM CM I1 = g m1 .V ID 1 VID=V ' -V ' P N

+ V2 Cn6 I 2 R4 I3 I 4 R O2

R +VO D2 O1 CO V B2 +

I 2 = B g m4 .V 1 B.g V R 3 =1/g m4

I 3 = gm7 .V2 7 V R 4= 1/g m 7

= G (VA - V O) G.

Simetrik CMOS OTA iin makromodel.

Model Parametrelerinin Belirlenmesi M d lP t l i i B li l i

Model Parametrelerinin Belirlenmesi M d lP t l i i B li l i

Benzetim Sonular
Model parametreleri, IA = 100 A
eleman Cn6 RO2 RO1 CO RC RE gm1 1 gm5 gm7 G KCM eleman VOS VB1 VB2 VC VE RI1 RI2 C2 C3 C1 R3 Cn5 5 R4 deer 59E-3 V 10.7V 10 7V 13.11V 1.46V 1.673V 12.0E+12 12.0E 12 12.0E+12 0.028pF 0.028pF 0.153pF 12.626 k 0.338pF 4.132 k deer .06018 pF 42 k 31 k 0.15pF 2.2 k 2.2 k 2.72E 4 2.72E-4 A/V 3.04E-4 A/V 2.42E-4 A/V 2.2E-5 A/V 1E-3

 Simetrik CMOS OTA iin VO-(VP - VN) g ( ) gei erisi

 Simetrik CMOS OTA iin IO-(VP - VN) gei erisi

Simetrik CMOS OTAda Gm gei iletkenliinin frekansa bamll g

 Simetrik CMOS OTAda KV gerilim kazancnn frekansa b f k bamll. ll

Tasarm rnei, 4. derece AG rnei 4 Butterworth szge g

OTA1 + +V IN C1 a0 ___________________ 2 s + b 1s + b 0 g /C = b / b 0 1 m1 1 g m2 / C 2 = b 1 , a0 = b 0 OTA2 + C2 +V O

kinci dereceden alak geiren OTA-C aktif szge devresi. d i

 Ardarda bal iki 2. derece szge 2 Btn OTA'larn eimleri eit ve Gm = 1.041 A/V 1 041 mA/V lk hcrenin deer katsays QP1 = 1.307, ikinci hcrenin deer katsays QP2 = 0.541 ke frekans P = 2 34 x 106 rad/sn 2.34 normalize gei fonsiyonu

1 H(s) = 2 2 ( s +0,765s +1).( s +1,848s +1)

 Drdnc dereceden alak geiren OTA-C aktif szgecinin d c de ecede a a ge e O C a t s gec DC gerilim gei erisi.

Szgecin frekans erisi. g

Zaman blgesi y g yant

Benzetim Sresi Ksalma arpan

T(makromodel) = K * T(eleman modeli) DC Analiz: K = 0.35 AC Analiz: K = 0 644 0.644 Zaman Blgesi Analizi (Transient): K= 0.252 0 252

rnek 3: Akm tayc makromodeli k 3 Ak t k d li (Tarm, Yenen, Kuntman 1996, 1998)

vx vy

x y CCX + z

iz

vz

iy

Akm Tayc Devre Sembol (X=I, II, III) y ( , , )

rnek 3: Akm tayc makromodeli CCII, aada verilen bantlarla tanmlanan ulu bir devredir:
,
,

v X = vY
iY = 0

iZ = m i X

 deal bir akm taycda, g ve y , giri k empedanslar sonsuz, band genilii sonsuz, sonsuz X ucundan ieriye doru bakldnda grlen empedans sfrdr. U byklklerinin snrlar
I X min < i X (t ) < I Xmaks V X min < v X (t ) < V Xmaks
VZ min < v Z (t ) < VZmaks

T14

T5

T7 T12

T15

T16

VDD

T8 M9

T10 T11
Z iz = ix

T13
I

bias

X
R

in -

in + T1 T2 Y
Rz

R
bias

Cc

T3

T4

T6

T17

T18

VSS

CMOS CCII devresi I

T5

T6

T9 M11

T10 T12

V
DD

T3

T4

v T1 T2 I V V Y v y
B

iz = ix Z i x Rx Rz

X
I T13
B

T7 T8

bias1 bi 1

T14 T15 T16

bias 2

V
SS

CCII devresi II

deal Olmama, Kk aret Edeer , devresi

 Akm Tayc Makromodeli y

Makromodel bantlar RE = RP//RX, RX bykl X ucuna dardan balanan diren

Benzetim Sonular

RX = 5k RZ = oo iin eleman modeli ve makromodel yardmyla elde 5k, edilen VX-VY ve VZ-VY deiimleri.

X ucundan ieriye ve darya doru aktlan akmn snrlar, RX = 0.

 RX = iin VX - VY deiimi

X ucundan grlen ZX empedansnn frekansla deiimi iin makromodel ve eleman modeli yardmyla elde edilen simlasyon sonular.

Z ucundan grlen ZO empedansnn frekansla deiimi iin makromodel ve eleman modeli yardmyla elde edilen simlasyon sonular.

vx/vy ve vz/vy gerilim transfer oranlarnn frekansla deiimi iin makromodel ve eleman modeli yardmyla elde edilen simlasyon sonular. l

rnek, k CCII+ ve CCII tabanl aktif szge CCII- b l k if

Y Z CCII+ X
Vi

Y
CCII- Z

R2
10k

C1 R1
10k .1nF

Y
CCII- Z

Vo

R3
10k

R4
10k

C2
.1nF

fp = 159kHz, Qp = 0707 p ,

 Szgecin Frekans Erisi g

Sins yant, Giri iareti VP = 1V, f = 100kHz y , ,

Ykselme eimi nedeniyle k iaretinde ortaya kan bozulma y

THD = %3,4 (Eleman modeli ile) THD = %2 8 (Makromodel ile) %2,8

Benzetim Sresi Ksalma arpan

T(makromodel) = K * T(eleman modeli) AC Analiz: K = 0 093 0.093 Zaman Blgesi Analizi (Transient): K 0 188 K= 0.188

Kaynaklar:
H. Kuntman, Modified Ebers-Moll model, Electronics Letters, Vol.18, No.7, pp.293 Letters Vol 18 No 7 pp 293294,1982. H. Kuntman: Application of modified Ebers-Moll pp model to nonlinear distortion analysis of transistor amplifiers, Electronics Letters, Vol.19, No.4, pp.126-127,1983. pp 126 127 1983 H. Kuntman: New Method for modelling highinjection effects in bipolar transistors, Bulletin of transistors The Technical University of stanbul, Vol.37,No.1,pp.73-79, 1984.

 H Kuntman H elik: A nonlinear analysis and H. Kuntman, H. simulation program for bipolar transistor circuits, Bulletin of The Technical University of Istanbul, y , Vol.39, No.1, pp.89-107, 1986. H. Kuntman: Novel modification on SPICE BJT model to obtain extended accuracy, IEE Proc. Ptd l b i d d P P G, Vol.138, pp.673-678,1991. H Kuntman and S zcan: Minimisation of total H. S. harmonic distortion in active-loded differential BJT amplifiers, Electronics Letters,Vol.27, p , , , pp.2381-2383, 1991. H. Kuntman: On the harmonic distortion coefficients of active-loaded BJT amplifiers, ffi i t f ti l d d lifi International Journal of Electronics, Vol.72,pp.459 465,1992 Vol.72,pp.459-465,1992

H. Kuntman, S. zcan: Extraction of SPICE BJT model dynamic parameters from dc measurement data, International Journal of Electronics, Vol.74, , , No.4,pp.541-551,1992. E..Tekdemir, H. Kuntman: Implementation of a novel BJT model into the SPICE simulation program to obtain extended accuracy, International Journal of Electronics, Vol.75, NO.6, pp.1185-1199, 1993. H. Kuntman: I H K t Improved representation of channel-length d t ti f h l l th modulation in junction field-effect transistors, International Journal of Electronics, Vol.75, No.1,pp.5764, 1993. 64 1993 H. Kuntman: Simple and accurate nonlinear OTA macromodel for simulation of CMOS OTA-C active filters, International Journal of Electronics, Vol.77, No.6, pp.993-1006, 1994.

N. Tarm, B. Yenen, H. Kuntman: Simple and accurate nonlinear current conveyor macromodel f simulation li d l for i l i of active filters using CCIIs, International Journal of Circuit Theory and Applications, 26, pp.27-38, 1998. N. Tarm, B. Yenen, H. Kuntman: Simple and accurate nonlinear current conveyor macromodel, Melecon 96: 8th Mediterranean Electrotechnical Conference, Vol.1, pp 447-450, May 13-16, Bari, Italy, 1996. M. Yazg, H. Kuntman, A new approach for parameter extraction of complex models and an application for SPICE MOSFET level-3 static model, Microelectronics Journal, Vol.30, No.2, pp.149-155, 1999

 H. Kuntman and A. Toker, 'Novel nonlinear macromodel suitable for SPICE simulation of analogue multipliers realised with bipolar and CMOS technologies', Int. Journal of Circuit Theory and Applications, 27, pp.485-495, 1999. , p U. Cam and H. Kuntman, Simple and accurate non-linear macromodel for four terminal floating nullors (FTFNs) Int. Journal of Electronics, Vol. ( ) 88, No.4, pp 435-447, 2001.

U. am, H. Kuntman, U am H Kuntman Simple and accurate nonnon lnear macromodel for four terminal floating nullor (FTFN), Proc. of Int. Conference on ( ), Electrical and Electronics Eng. ELECO'99, Electronics: pp. 73-77, Bursa,Turkey, 1-5 December 1999. b H. Kuntman, A. Dolar: Implementation of a Novel MOSFET Model i l OS d l into S C SPICEProgram to Obtain Extended Accuracy for Simulation of Analogue Circuits Proc of the 7th International Circuits, Proc. Conference on OPTIMIZATION OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC EQUIPMENT: OPTIM 2000, May 11-12, 2000 Brasov, ROMANIA, pp. 765-770. , , pp

G. Dzenli, H K ntman G D enli H. Kuntman, The Basic of an Analytical Anal tical Model Development for the P-MOS Transistor Degradation, Proc. of OPTIM2002 (8th International g ( Conference: OPTIMIZATION OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC EQUIPMENT), pp. 829-834, May 1617, 17 2002 Brasov, ROMANIA Brasov ROMANIA. F. Kaar, A. Kuntman, H. Kuntman, "A Simple pp g Approach for Modelling The Influence of Hot-Carrier Effect ON Threshold Voltage Of MOS Transistors", Proceedings of the 13th International Conference on Microelectronics (ICM 2001), pp 43-46 Rabat, (ICM2001) pp.43-46, Rabat Morocco, October 29-31, 2001.

 H Kuntman Elektronik Elemanlarn H. Kuntman, Modellenmesi, T Ktphanesi, 1998. H. Hakan Kuntman, Analog MOS k A l OS Tmdevre Teknii, T Ktphanesi, Say: 1587, 1997. H H Kuntman Analog tmdevre tasarm H. H. Kuntman, tasarm, Birsen Yaynevi, stanbul, 1998. P. Antognetti, G. Massobrio, g Semiconductor device modeling with SPICE, Mc Graw Hill, 1988.

 BOYLE,G.R., COHN, B.M., PEDERSON, D.O. d SOLOMON, J.E., Macromodeling D O and SOLOMON J E M d li of integrated circuit operational amplifiers, IEEE Journal of Solid-State Circu-its, 9, 353 363, 353-363, 1974. PEIC, R.V., Simple and accurate nonlinear macromodel for operational amplifiers, d lf ti l lifi IEEE Journal of Solid-State Circuits, 26, 896-899, 1991.