1

NDEKLER

1.TEMEL ELEKTRONK BLGLER...4 1.1. Elektrik Akm.4 1.2. Doru Akm.4 1.3. Alternatif Akm....4 1.4. Doru Ve Alternatif Akmn Karlatrlmas........5 1.5. Alternans, Periyot, Frekans..6 2. PASF DEVRE ELEMANLARI..9 2.1. Direnler..9 2.2. Sabit Direnler...11 2.2.1. Karbon Direnler..11 2.2.2. Telli Direnler...11 2.2.3. Film Direnler...12 2.3. Ayarl Direnler.14 2.3.1. Reostalar...................................................................................................14 2.3.2. Potansiyometreler.....................................................................................15 2.4. Renk Kodlar......................................................................................................18 2.4.1. Diren Deerleri........................................................................................18 3. TEMEL ELEKTRONK BLGLER....................................................................20 3.1. Gerilim Nedir? .................................................................................................20 3.2. Akm Nedir? .....................................................................................................21 3.3. Kirchoff Un Akmlar Kanunu..........................................................................21 3.4. Kirchoff Un Gerilimler Kanunu......................................................................22 3.5. Seri Devreler.....................................................................................................24 3.6. Paralel Devreler................................................................................................25 3.7. Kark Devreler................................................................................................27 4. KONDANSATRLER...........................................................................................28 4.1. Kondansatrn alma Prensibi......................................................................29 4.2. Kondansatrde Yk, Enerji Ve Kapasite..........................................................31 4.3. Kondansatr eitleri........................................................................................33 4.4. Sabit Kondansatrler.........................................................................................33

4.4.1. Katl Kondansatr.................................................................................34 4.4.2. Plastik Kondansatr.................................................................................35 4.4.3. Mikal Kondansatr.................................................................................36 4.4.4. Seramik Kondansatr...............................................................................37 4.4.5. Elektrolitik Kondansatr..........................................................................37 4.5. Ayarl Kondansatr...........................................................................................39 4.5.1. Varyabl Kondansatr...............................................................................39 4.5.2. Trimer Kondansatr.................................................................................40 4.5.3. Varaktr Kondansatr..............................................................................41 4.6. Kondansatr Balant ekilleri.........................................................................41 4.7. Kondansatr Renk Kodlar...............................................................................43 5. BOBNLER............................................................................... .............................48 5.1. Sabit Bobinler Ve Yaplar................................................................................49 5.2. Endktif Reaktans.............................................................................................49 5.3. Karlkl Endktans..........................................................................................50 5.4. Bobinin Kullanm Alanlar...............................................................................52 6. YARI LETKENLER.............................................................................................53 6.1. letken, Yaltkan Ve Yar letkenler..................................................................53 6.2. Enerji Seviyeleri Ve Yaplar............................................................................57 6.3. Saf Germanyumun ve Silikonun Kristal Yaps, Kovalent Balar..................59 6.4. Kovalent Ba....................................................................................................63 6.5. Saf Olmayan (Katk Maddeli) Germanyum ve Silikonun Kristal Yaps.64 6.6. N Tipi Yar letken............................................................................................65 6.7. P Tipi Yar letken............................................................................................68 7. DYOTLAR............................................................................................................74 7.1. Doru Polarma..................................................................................................75 7.2. Ters Polarma.....................................................................................................75 7.3. Diyotlarn Gruplandrlmas..............................................................................78 7.3.1. Lamba Diyotlar........................................................................................78 7.3.2. Metal Diyotlar..........................................................................................79 7.3.3. Yar letken Diyotlar................................................................................79

7.4. Diyot eitleri Ve Yaplar...............................................................................80 7.4.1. Kristal Diyot Ve Karakteristii................................................................80 7.4.2. Zener Diyot Ve Karakteristii.................................................................82 7.4.3. Tnel Diyot Ve Karakteristii.................................................................89 7.4.4. Led Ve Karakteristii...............................................................................92 7.4.5. Foto Diyot Ve Karakteristii...................................................................98 7.4.6. Ayarlanabilir Ve Karakteristii..............................................................101 7.4.7. Dier Diyotlar........................................................................................103 7.4.7.1. Gunn Diyotlar............................................................................104 7.4.7.2. Impatt Diyotlar...........................................................................104 7.4.7.3. Schottky Diyot...........................................................................105 7.4.7.4. Pin Diyot....................................................................................106 8. TRANSSTRLER.............................................................................................107 8.1. Npn Ve Pnp Tipi Transistrler.......................................................................113 8.2. Npn Transistrn almas...........................................................................117 8.3. Pnp Transistrn almas...........................................................................121 8.4. Akm Ve Gerilim Ynleri..............................................................................124 8.5. Transistrlerde Ykseltme leminin Gerekletirilmesi...128 8.6. Akm Kazancnn Bulunmas.........................................................................132 8.7. Transistrn Drt Blge Karakteristii.........................................................134 8.8. Transistrn Anahtarlama Eleman Olarak altrlmas.136 8.9. Transistrn Ykselte Olarak altrlmas................................................138 8.10. Transistrn Dc Ykselte Olarak altrlmas........................................139 8.11. Transistrn Ac Ykselte Olarak altrlmas142 8.12. Transistrn alma Kararlln Etkileyen Faktrler..143 8.13. Transistrlerin Katalog Bilgileri..146 8.14. Katalog Kullanm Ve Karlklarnn Bulunmas...147

1.TEMEL ELEKTRONK BLGLER

1.1. Elektrik Akm Bilindii gibi metallerin atomlarndaki elektron saylar metalin trne gre deiir. letken metallerin atomlarnn son yrngelerinde 4 'den az elektron bulunur. Atomlar bu elektronlar 8 'e tamamlayamadklar iin serbest brakrlar. Bu yzden bir letken maddede milyonlarca serbest elektron bulunur. Bu iletkenlere gerilim uygulandnda elektronlar negatif (-) 'den pozitif (+) ynne doru hareket etmeye balar. Bu harekete "Elektrik Akm" denir. Birimi ise "Amper" 'dir. letkenin herhangi bir noktasndan 1 saniyede 6.25*10^18 elektron gemesi 1 Amperlik akma eittir. Akmlar "Doru Akm" (DC) ve "Alternatif Akm" (AC) olarak ikiye ayrlr.

1.2. Doru Akm (DC) : Doru akmn ksa tanm "Zamana bal olarak yn ve iddeti deimeyen akma doru akm denir." eklindedir. Doru akm genelde elektronik devrelerde kullanlr. En ideal doru akm en sabit olandr. En sabit doru akm kaynaklar da pillerdir.

ekil 1 1.3. Alternatif Akm (AC) : Alternatifin kelime anlam "Deiken" dir. Alternatif akmn ksa tanm ise "Zamana bal olarak yn ve iddeti deien akma alternatif akm denir." eklindedir. Alternatif akm byk elektrik devrelerinde ve yksek gl elektrik motorlarnda kullanlr. Evlerimizdeki elektrik alternatif akm snfna girer. Buzdolab, amar makinesi, bulak makinesi, klima ve vantilatrler dorudan alternatif akmla alrlar. Televizyon, mzik seti ve video gibi cihazlar ise bu alternatif akm doru akma evirerek kullanrlar.

ekil 2 1.4. Doru Ve Alternatif Akmn Karlatrlmas Elektrik enerjisi, alternatif akm ve doru akm olarak iki ekilde retilir. Bugn kullanlan elektrik enerjisinin %90ndan fazlas alternatif akm olarak retilmektedir. Bunun eitli nedenleri vardr. Bunlar sra ile inceleyelim. Elektrik enerjisinin uzak mesafelere ekonomik olarak iletilmesi iin yksek gerilimlere ihtiya vardr. Belirli bir g, mesafe ve kayp iin iletim hattnn kesiti, kullanlan gerilimin karesi ile ters orantl olarak deiir. Doru akmn elde edilmesinde kullanlan dinamolar (D.A. jeneratr) yksek gerilimli olarak yaplamazlar. Komtasyon zorluklarndan dolay, ancak 1500 volta kadar D.A reten genaratrler yaplabilmitir. Alternatif akm reten alternatrlerden ise 230, 6300, 10500 ve 20000 volt gibi yksek gerilimler elde edilebildii gibi, transformatr denilen statik makinelerle bu gerilimleri 60 kV, 100 kV ve daha yksek gerilimlere ykseltmek de mmkndr. Elektrik enerjisinin tanmas yksek gerilimli alternatif akmlarla yaplr. Hattn sonundaki transformatrlerle bu yksek gerilim, kullanma gerilimine dntrlr. Cva buharl redresrlerle yksek gerilimli alternatif akm, yksek gerilimli doru akma evirerek enerjiyi tamak ve hattn sonuna inverterlerle dk gerilimli alternatif akma evirmek mmkn olduu halde, uygulamada fazla kullanlmamaktadr. Byk gl ve yksek devirli DA jeneratrleri komtasyon zorluklarndan dolay yaplamazlar. Alternatrler ise, byk gl ve yksek devirli olarak yaplabilirler. Bylece elde edilen enerjinin kilovat saat bana maliyeti ve iletme masraflar dk olur. Alternatrler 200000 kVA, 400000 kVA gcnde yaplabilirler. Sanayide sabit hzl yerlerde alternatif akm motoru (endksiyon motoru), doru akm motorundan daha verimli alr. Endksiyon motoru, D.A.

motorundan daha ucuz, daha salam olup, bakm da kolaydr. D.A. motorunun tek stnl, devir saysnn dzgn olarak ayar edilebilmesidir. Doru akmn tercih edildii veya kullanlmasnn gerekli olduu yerler de vardr. Elektrikli tatlar, galvano teknik (maden kaplamacl) ve madenlerin elektrikle artlmas tm elektronik sistemler ve haberleme sistemlerinde D.A kullanlr. Bu gibi yerlerde doru akm genellikle, alternatif akmn D.Aa evrilmesi ile elde edilir.

1.5. Alternans, Periyot, Frekans Mekanik jeneratrlerden alternatif akm retilebilir. Elektronik olarak ise sinyal jeneratrlerinden elde edilebilir.

ekil 3 Alternans: Alternatif akm ekilde grld gibi sfrdan pozitif maksimum deere daha sonra sfra gelme durumuna pozitif alternans, sfrdan eksi maksimum deere daha sonra tekrar sfra gelmesine negatif alternans denir. ki alternansnn birlemesi ile bir saykl (cycle) oluur. Alternatif gerilim bir devreye balanrsa akmn ak alternanslara gre deiir. Bu deiim aada olduu gibidir.

ekil 4.1 a)Pozitif alternans: devrede oluturduu akmn yn

ekil 4.2 b)Negatif alternans: devrede oluturduu akmn yn Periyot: Bir saykln olumas iin geen sreye periyot denir. N S kutbu arasndaki bir iletken veya bobin 360 derece dndrldnde indklenen emk bir sins dalgalk deiime urar. Bobine iki devir yaptrldnda indklenen emk iki sins dalgas izer. Bir periyot 360 dir. Periyot T harfi ile ifade edilir. Birimi ise saniyedir. Aadaki ekilde sinzoidal dalgann periyodu grlmektedir.

ekil 5 Frekans: Alternatif akm veya gerilimin bir saniyede oluan periyot saysna veya saykl saysna frekans denir. Frekans f harfi ila ifade edilir. Birimi saykl/saniye, periyot/saniye veya Hertzdir. Periyot ile frekans arasndaki ifade u ekildedir.

Frekansn birimi olan hertzin as katlar mevcut deildir. st katlar ise kilohertz, megahertz ve gigahertz olarak sralanabilir. Bu dnmler ise; 1Hz = 10-9 GHz 1Hz = 10-6 MHz 1Hz = 10-3 KHz Kendi aralarnda biner biner byr ve klr. Aadaki ekilde dk ve yksek frekans grlmektedir. Dikkat edilirse (a) da bir saniyede iki saykl oluurken (b)de ise saykl olumaktadr. Bu duruma gre de dalgalarn frekans deimektedir. Trkiye de kullanlan alternatif gerilimin frekans 50 Hz olduu da bilinmelidir. Bu demektir ki sinzoidal dalga bir saniyede elli kez olumaktadr.

ekil 6 rnek : Alternatif gerilimin bir periyodunun olumas iin geen sre 10 ms ise bu gerilimin frekans nedir? zm : Alternatif gerilimin periyodu bilindiine gre frekansla periyot arasndaki iliki formlnden; T=10 ms = 10.10-3 s

bulunur.

2. PASF DEVRE ELEMANLARI Elektronik dzenekleri anlayabilmek iin temel elektronik devre elemanlarnn yap ve ilevlerinin bilinmesi gereklidir. Bu dersimizde temel elektronik devre elemanlar ve elektronik dzenekler anlatlacaktr. Elektronik Devre Elemanlar ki Gruba Ayrlr: 1) Pasif Devre Elemanlar 2) Aktif Devre Elemanlar Bunlarda kendi aralarnda gruplara ayrlmaktadr..

PASF DEVRE ELEMANLARI: Direnler Kondansatrler Bobinler AKTF DEVRE ELEMANLARI: Diyotlar Transistrler Entegre devreler Pasif devre elemanlar, genel amal elemanlardr. Hemen hemen her elektronik devrede bulunurlar. Bu nedenle, bu elemanlarn genel ynleriyle tannmalar, amaca uygun olarak kullanlmalar bakmndan yeterlidir. Aktif devre elemanlar, ise zel amal elemanlardr. Kullanlacak devrenin zelliine gre, aktif devre elemanlarnn zellikleri ve trleri de deimektedir. 2.1. Direnler Diren: Diren kelimesi, genel anlamda, bir gce kar olan direnme olarak tanmlana bilir. Elektrik ve elektronikte diren, iki ucu arasna gerilim uygulanan bir maddenin akma kar gsterdii direnme zelliidir. Ksaca; elektrik akmna gsterilen zorlua DREN denir. DirenR veya r harfi ile gsterilir, birimi ohm () dur. Katlar:

10

1 Gigaohm = 1G = 109 1 Megaohm = 1M = 106 1 Kiloohm = 1k = 103 1 ohm = 1 1 mili-ohm = 1m = 10-3 Diren Sembolleri: Tablo 1 Eski Yeni Sabit Direnler Ayarl Direnler

ekil 7

11

2.2. Sabit Direnler Yaps ve eitleri: Sabit direnler yapld malzemenin cinsine gre e ayrlr: 1. Karbon direnler 2. Telli direnler 3. Film direnler Film direnler de ikiye ayrlr. 1. nce film direnler 2. Kaln film [Cermet "Srmit" Okunur] direnler 2.2.1. Karbon Direnler Karbon direncin yaps: Karbon diren; kmr tozu ile, reine tozunun eritilmesi ile elde edilir. Karbon direnler 1 'dan balayarak bir ka mega Ohm 'a (M) kadar retilmektedir.

ekil 8 a) Kk gl direncin kesit grnts

2.2.2. Telli Direncin Yaps: Telli direnlerde, scaklkla diren deerinin deimemesi ve dayankl olmas iin, Nikel-Krom, Nikel-Gm ve konstantan kullanlr.

12

Telli direnler genellikle seramik gvde zerine iki katl olarak sarlr. zeri neme ve darbeye kar verniklidir. Yalnzca, ayarl dirente, bir hat boyunca tellerin zeri kaznr. 10 ile 100 K arasnda 30 W 'a kadar retilmektedir. Balca kullanm alanlar: Telekomnikasyon ve kontrol dorultucularda kullanlr. Tellerin ift katl sarlmasyla endksiyon etkisi kaldrlabildiinden yksek frekans devrelerinde tercih edilir. Kk gllerde snmayla direnci deimediinden l aletlerinin ayarnda etalon (rnek) diren kullanlr. Dezavantajlar: Diren telinin kopmas, ok yer kaplamas ve byk gl olanlarnn snmas gibi dezavantajlar vardr. 2.2.3 Film Direnler Film kelimesi dilimize ngilizce 'den gemitir. Trke karl zar ve erit anlamna gelmektedir. ekil 1.4 'ten anlald gibi diren erit eklinde yaltkan bir gvde zerine sarlmtr. Bu durumu, bir fotoraf filminin sarlna benzetebiliriz.

ekil 9

13

ki tr film diren vardr: 1. nce film direnler 2. Kaln film direnler 1. nce Film Direnler: nce film direnler u ekilde retilmektedir; Cam veya seramik silindirik bir ubuk zerine "Saf Karbon","Nikel -Karbon","Metal - Cam tozu" karm "Metal oksit" gibi deiik diren sprey eklinde pskrtlr. Pskrtlen bu diren maddesi, ok ince bir elmas ula veya Lazer nyla belirli bir genilikte, spiral eklinde kesilerek erit sarglar haline dntrlr. erit sargdan biri karlarak dier sargnn sarmlar aras izole edilir. erit genilii istenilen ekilde ayarlanarak istenilen diren deeri elde edilir.

2. Kaln Film (Cermet) Direnler: Kaln film direnler, seramik ve metal tozlar kartrlarak yaplr. Seramik ve metal tozu karm bir yaptrc ile hamur haline getirildikten sonra, seramik bir gvdeye erit halinde yaptrlr frnda yksek scaklkta piirilir. Yukarda aklanan yntemle, hem sabit hem de ayarl diren yaplmaktadr Tablo 2 Diren tipi nce film direnler Karbon 102 5% 250mW %2 Metal 101 2% 500mW %1 Metal kaln film (cermet) diren 10 86 2% 500mW %0,5

Karbon diren 1022 01%

Telli diren 0,25 01 5% 2,5W %1

Bykl Tolerans

Maksimum gc 250mW Ykteki deer %10

14

deiimi Maksimum dayanma gerilimi Yaltkanlk direnci Gerilim sabiti alabildii scaklk aral Scaklk sabiti Grlts 10 MW - 6V/V Lehim etkisi %2 %0,5 %0,15 %0,15 %0,05 150V 109 2000ppm/V -40C +105C 1200 ppm/C 1 kW - 2V/V, 1V/V 0,1V/V 0,1V/V 0,01V/V 200V 10 100ppm/V -40C +125C 350V 10 10ppm/V -55C +150C 250V 10 10ppm/V -55C +150C 200V 10 1ppm/V -55C +185C 200ppm/C

-1200 ppm/C 250 ppm/C 100 ppm/C

2.3. Ayarl Direnler 2.3. Ayarl Direnler Yaplar: Ayarl direnler, diren deerinde duruma gre deiiklik yaplmas veya istenilen bir deere ayarlanmas gereken devrelerde kullanlrlar. Karbon, telli ve kaln film yapda olanlar vardr. Aada eitlerini anlatrken yaplar da daha geni olarak anlatacam. eitleri: Ayarl direnler iki ana gruba ayrlr: 1. Reostalar 2. Potansiyometreler

15

2.3.1 Reostalar Reostalar, ekilde verilmi olan sembollerinden de anlald gibi iki ulu ayarlanabilen direnlerdir. Bu iki utan birine bal olan kayc u, diren zerinde gezdirilerek, diren deeri deitirilir.

ekil 10 - Reostann deiik semboller ile gsterili Reostalarn da karbon tipi ve telli tipleri vardr. Srekli diren deiimi yapan reostalar olduu gibi, kademeli deiim yapan reostalarda vardr. Reostann balca kullanm alanlar: Laboratuarlarda etalon diren olarak, yani diren deerlerinin ayarlanmasnda ve kpr metodunda diren lmlerinde, deiken diren gerektiren devre deneylerinde, rnein diyot ve transistor karakteristik erileri karlrken giri, k gerilim ve akmlarnn deitirilmesinde ve benzeri deiken diren gerektiren pek ok ilemde kullanlr. 2.3.2 Potansiyometreler:

Potansiyometreler ekilde grld gibi ulu ayarl orta u, diren zerinde gezinebilir. Potansiyometreler, yine ekilde de belirtilmi olduu gibi diren deerinin deitirilmesi yoluyla gerilim blme, dier bir deyimle k gerilimini ayarlama ilemini yapar. Potansiyometre eitleri:

16

Potansiyometreler aadaki grup altnda toplanabilir. 1. Karbon Potansiyometreler 2. Telli Potansiyometreler 3. Vidal Potansiyometreler Karbon Potansiyometreler Karbon potansiyometreler, mil kumandal veya bir kez n ayar yaplp, braklacak ekilde retilmektedir. Ayar iin tornavida kullanlr. Bu trdeki potansiyometreye "Trimmer potansiyometre" (Trimpot) denmektedir.

ekil 11.1 a) Mil Kumandal Trimpot

ekil 11.2 b) Tornavida Ayarl

17

Telli Potansiyometreler

Vidal Potansiyometreler

Vidal potansiyometrede, sonsuz vida ile oluturulan direnci taramaktadr. zerinde hareket eden bir fra, kaln film (Cermet) yntemiyle oluturulan direnci taramaktadr. Fra potansiyometrenin orta ayana baldr. Bylece orta ayak zerinden istenilen deerde ve ok hassas ayarlanabilen bir k alnabilmektedir. Potansiyometrelerin balca kullanm alanlar: Potansiyometreler elektronikte balca ama iin kullanlrlar; 1. n ayar iin 2. Genel amal kontrol iin 3. nce ayarl kontrol iin Bu kullanlma amac iin potansiyometreden beklenen zellikler. Tabloda zetlenmitir. Ayrca, tabloda yukarda aklanan potansiyometre trnn kyaslanmas yaplmtr.

Tablo 3

18

Tablo: Potansiyometrelerin Kullanlma yerlerine gre zellikleri Seim Dorusallk Kararllk Tipi Uygulama rnei Tlerans (Lineerite) (Stabilite) n ayar Darbe jenaratorun de darbe genilii ayar ton ayar Skoptaki genlik ayar, haberlemede frekans ayar Tablo 4 %20 %0.5 %20 %20 nemli deil %10 Yksek %2 Orta %10 Yksek %0.5

mr boyunca ayar gereksinimi 50 'den az 10000

Genel amal Ykseltete ses ve kontrol nce ayarl kontrol

50000

Potansiyometrelerin kyaslama tablosu Tipi Tr Deeri Tolerans Gc (W) Scaklk sabiti 700 ppm/C Karbon pot. (Trimmer) Lineer veya logaritmik %5 %3 %10 100-10M 100 K altnda %20 0.5 - 2 1000 ppm/C 100 K stnde Telli pot. Lineer 10-100K 10-500K 3 1 100 ppm/C 50 ppm/C 200 ppm/C %5 %2 %5 20000 - 100000 aras dn 500 kademe %20 20000 dn Kararllk (Stablite) mr

Vidal pot. Lineer

19

2.4. Standart Renk Kodlar Tablo 5

2.4.1 Deeri Verilen Direncin Renklerini Bulma 1k = 1000 = 10 . 102 (kahve-siyah-krmz) (Karbon Diren) 1,7k = 1700 = 17. 102 (Kahve mor krmz) (Karbon Diren) 122 = 122 . 100 (kahve-krmz-krmz-siyah) (Metal Film Diren) 5,6 M = 5600000 = 56 . 105 (Yeil-mavi-yeil)(Karbon Diren) 169k = 169000 (kahve-mavi-beyaz-turuncu) (Metal Film Diren) Diren Harf Kodlar: En sadaki harf tolerans belirtir. Harfin bulunduu yer, virgln bulunduu yeri gstermek zere R harfi cinsinden direnleri, K harfi k cinsinden direnleri, M harfi M cinsinden direnleri belirtir.

20

R : cinsinden direnleri belirtir. K : k cinsinden direnleri belirtir. M : M cinsinden direnleri belirtir. G : G cinsinden direnleri belirtir. Toleranslar F: %1 rnek: 1K5J R=1,5k %5 M45G R=0,45 M %2 100RM 100 %20 rnekler Renkleri Verilen Direncin Deerini Bulma Sar-Mor-Altn-Altn R = 47 . 10-1 = 4,7 T = 4,7 . 5/100 = 0,235 Rmin = 4,7 0,235 = 4,465 Rmax = 4,7 + 0,235 = 4,935 4,465 < 4,7 < 4,935 Deeri Verilen Direncin Renklerini Bulma 1) 294 = Krmz-Beyaz-Sar-Siyah G: %2 J : %5 K : %10 M : %20

21

2) 3) 4)

5,76M = 5760000 9,1M = 9100000 10

= = =

Yeil-Mor-Mavi-Sar Beyaz-Kahve-Yeil Kahverengi-Siyah-Siyah

Harf Kodlar Verilen Direncin Deerini Bulma 1) 2) 3) 6K84K = 6,84k %10 1M5M = 1,5M %20 R68J = 0,68 %5 2.TEMEL ELEKTRONK BLGLER 3.1. Gerilim nedir? Kapal bir elektrik devresinde gerilim; devre direnci ile devreden geen akmn arpmna eittir. Bir elektrik devresinde, iki nokta arasndaki potansiyel farka GERLM denir. Gerilim genellikle U harfi ile sembollendirilir. Birimi ise V Volttur. 3.2. Akm nedir ? Kapal bir elektrik devresinde akm; devre gerilimi ile devre direncinin blmne eittir. Bir elektrik devresinde serbest elektronlarn bir taraftan dier tarafa yer deitirmesidir. Bu yer deitirme g kayna iinde den +ya doru olur, devre iinde ise +dan - ye doru olur. Akm I harfi ile sembollendirilir. Birimi ise A Amperdir. *Ohm Kanununun formlsel ifadesi ise yledir; R = V / I ve W = V/ A 3.3. Kirchoffun Akmlar Kanunu Bir dm noktasna giren akmlarn toplam, o dm noktasndan kan akmlarn toplamna eittir. Bir baka deyile, paralel kollardaki akmlarn toplam, ana kol akmn verir. Paralel kollarda direnci byk olan koldan az akm, direnci kk olan koldan fazla akm geer. Ancak paralel kollarda gerilimler birbirine eittir.

22

Paralel devrelerde kol says arttka, toplam diren azalr. rnek:

a) b) c) d) e) f)

RT = ? IT = ? UR1, UR2, UR3 = ? Akmlar bykten ke sralaynz. IR1, IR2, IR3 = ? Kirchoffun akmlar kanununu gsteriniz.

a)

b)

c) d)

UR1 = UR2 = UR3 = UT = 5V R1 < R3 < R2

23

IR1 > IR3 < IR2

e) f) IT = I1 + I2 + I3 5mA = 2,5mA + 0,83mA + 1,6mA 5mA 4,93mA

3.4. Kirchoffun Gerilimler Kanunu Bir seri devrede alclar zerine den gerilimlerin toplam, kaynaktan uygulanan gerilime eit olmaldr. Seri devrelerde akm, btn alclar zerinden eit byklkte akar. Seri devrelerde direnlerin byklne gre gerilim dm meydana gelir. Byk dirente byk gerilim, kk dirente kk gerilim oluur. Devrenin toplam direnci, birbirine seri bal direnlerin toplamdr. rnek:

a) b)

RT = ? IT = ?

24

c) d) e) f)

IR1, IR2, IR3 = ? Direnlerin zerine den gerilimleri kkten bye sralaynz. UR1, UR2, UR3 = ? Kirchoffun gerilimler kanununu gsteriniz.

a)

RT = R1 + R2 + R3 RT = 1000 + 500 + 1500 RT = 3000 = 3k

b) c) d) e)

IT = UT / RT = 6 / 3 = 2mA IR1 = IR2 = IR3 = IT = 2mA UR2 < UR1 < UR3 UR1 = IT x R1 = 2mA x 1k = 2V UR2 = IT x R2 = 2mA x 500 = 1V UR3 = IT x R3 = 2mA x 1,5k = 3V

f)

UT = UR1 + UR2 + UR3

6V = 2V + 1V + 3V

6V = 6V

3.5. Seri Devreler

25

IR1 = IR2 = IR3 = IT IT = UT / RT RT = R1 + R2 + R3 UR1 = IT x R1 UR2 = IT x R2 UR3 = IT x R3 UT = UR1 + UR2 + UR3 R1 > R2 > R3 UR1 > UR2 > UR3 rnek:

R1, U1, U2 = ?

U2 = IT x R2 = 3mA x 1,5k = 4,5 V UT = U1 + U2 + U3 9V = U1 + 4,5V + 3V U1 = 1,5 V

26

3.6. Paralel Devreler

R1 > R2 > R3 IR1 < IR2 < IR3 UR1 = UR2 = UR3 = UT

IT = I1 + I2 + I3

27

rnek:

IR1, IR2, IR3, R3, RT = ?

IT = I1 + I2 + I3 4mA = 2 + 1 + I3 I3 = 1mA

3.7. Kark Devreler rnek:

28

RT2 = RT1 + R6 = 2 + 4 = 6

RT4 = RT3 + R4 = 2 + 8 = 10

RT = RT6 + RT5 + R9 = 1 + 5 + 1 = 7 rnek:

*Her bir direncin zerinden geen akm ve gerilimleri hesaplaynz.

RT = R1 + RT1 + R4 = 500 + 2000 + 1500 = 4000 = 4k IT = UT / RT = 12V / 4k = 3mA

29

UR1 = IT x R1 = 3mA x 500 = 1.5V UR4 = IT x R4 = 3mA x 1,5k = 4,5V URT1 = UT (UR1 + UR4) = 12V 6V = 6V

4. KONDANSATRLER nbilgiler: Kondansatr, DC akm geirmeyip, AC akm geiren devre elemandr. Kondansatrn Yaps: Kondansatrler ekilde grld gibi, iki iletken plaka arasna yaltkan bir maddenin yerletirilmesi veya hi bir yaltkan kullanlmakszn hava aral braklmas ile oluturulur. Kondansatrler yaltkan maddenin cinsine gre adlandrlr. Kondansatrn Sembol Deiik yapl kondansatrlere gre, kondansatr sembollerinde baz kk deiiklikler vardr.

30

ekil 12

ekil 13 4.1. Kondansatrn alma Prensibi: Kondansatrn bir DC kaynana balanmas ve arj edilmesi: ekil (a) da grld gibi kondansatr bir DC kaynana balanrsa, devreden ekil (b) de grld gibi, geici olarak ve gittike azalan IC gibi bir akm akar. IC akmnn deiimini gsteren eriye kondansatr zaman diyagram denir.Akmn kesilmesinden sonra kondansatrn plakalar arasnda, kaynan Vk gerilimine eit bir VC gerilimi oluur.Bu olaya, kondansatrn arj edilmesi, kondansatre de arjl kondansatr denir.arj kelimesinin Trke karl ykleme yada doldurma dr.

31

ekil 14 Kondansatr Devresinden Akm Nasl Akmaldr? ekil (a)' da ki devrede, S anahtar kapatldnda ayn anda kondansatr plakasndaki elektronlar, kaynan pozitif kutbu tarafndan ekilir, kaynan negatif kutbundan kan elektronlar, kondansatre doru akmaya balar. Bu akma ilemi, kondansatrn plakas daha fazla elektron veremez hale gelinceye kadar devam eder. Bu elektron hareketinden dolay devreden bir IC akm geer. IC akmnn yn elektron hareketinin tersi ynndedir. Devreden geen IC akm, bir DC ampermetresi ile gzlenebilir. S anahtar kapannca ampermetre ibresi nce byk bir sapma gsterir. Sonra da, ibre yava yava sfra gelir. Bu durum devreden herhangi bir akm gemediini gsterir. IC akmna arj akm denir. Devre akmnn kesilmesinden sonra yukarda da belirtildii gibi kondansatr plakalar arasnda VC=Vk oluur. VC gerilimine arj gerilimi denir.

32

VC geriliminin kontrol bir DC voltmetre ile de yaplabilir. Voltmetrenin "+" ucu, kondansatrn, kaynan pozitif kutbuna bal olan plakasna, "-" ucu da dier plakaya dokundurulursa VC deerinin ka volt olduu okunabilir. Eer voltmetrenin ular yukarda anlatlann tersi ynde balanrsa voltmetrenin ibresi ters ynde sapar. 4.2. Kondansatrde Yk, Enerji ve Kapasite arj ilemi sonunda kondansatr, Q elektrik ykyle yklenmi olur ve bir EC enerjisi kazanr. Kondansatrn yklenebilme zelliine kapasite (sa) denir. C ile gsterilir. Q, EC, C ve uygulanan V gerilimi arsnda u balant vardr. Q=C.V EC=CV2/2

1. Q: Coulomb (kulomb) 2. V: Volt 3. C: Farad (F) 4. EC: Joule (Jul) Yukardaki balantdan da anlald gibi, C kapasitesi ve uygulanan V gerilimi ne kadar byk ise Q elektrik yk ve buna bal olarak devreden akan IC akm da o kadar byk olur. Kondansatrn kapasite forml: C = 0.r.(A/d) 0: (Epsilon 0): Boluun dielektrik katsays (0=8.854.10-12) r: (Epsilon r): Plakalar arsnda kullanlan yaltkan maddenin ZAF1 dielektrik (yaltkanlk) sabiti. 1. A: Plaka alan 2. d: Plakalar aras uzaklk

33

A ve d deerleri METRK sistemde (MKS) ifade edilirse, yani, "A" alan (m) ve "d" uzakl, metre (m2) cinsinden yazlrsa, C' nin deeri FARAD olarak kar. rnein: Kare eklindeki plakasnn her bir kenar 3 cm ve plakalar aras 2 mm olan, hava aralkl kondansatrn kapasitesini hesaplayalm. A ve d deerleri MKS' de yle yazlacaktr: A=0,03*0,03=0,0009m2 = 9.10-4 m2 d=2mm=2.10-3m 0 = 8,854.10-12

Hava iin r=1 olup, deerler yerlerine konulursa: C=8,854.10-12.4,5.10-1=39,843.10-13 NOT:

1

F=3,9PF (Piko Farad)1 olur.

ZAF kelimesi, yaltkan maddenin yaltkanlk zelliinin boluunkinden olan

farkn gstermesi nedeniyle kullanlmaktadr. zafinin, z Trkesi, "greceli" dir. Baz yaltkan maddelerin r sabitleri

ekil 15

34

AC Devrede Kondansatr: Yukarda DC devrede aklanan akm olay, AC devrede iki ynl olarak tekrarlanr. Dolaysyla da, AC devredeki kondansatr, akm akna kar bir engel tekil etmemektedir. Ancak bir diren gsterir. Kondansatrn gsterdii dirence kapasitif reaktans denir. Kapasitif reaktans, XC ile gsterilir. Birimi Ohm() dur. XC = (1/C) = (1/2fC) 'Ohm olarak hesaplanr. 1. XC = Kapasitif reaktans () 2. = Asal hz (Omega) 3. f = Frekans (Hz) 4. C = Kapasite (Farad) Yukardaki balantdan da anlald gibi, kondansatrn XC kapasitif reaktans; C kapasitesi ve f frekans ile ters orantldr. Yani kondansatrn kapasitesi ve alma frekans arttka kapasitif reaktans, dier bir deyimle direnci azalr. 4.3. KONDANSATR ETLER 4.4. Sabit Kondansatrler Sabit kondansatrler kapasitif deeri deimeyen kondansatrlerdir. Yaps ve eitleri: Kondansatrler, yaltkan maddesine gre adlandrlmaktadrlar. Sabit kondansatrler aadaki gibi gruplandrlr: 1. Katl Kondansatr 2. Plastik Film Kondansatr 3. Mikal Kondansatr 4. Seramik Kondansatr

35

5. Elektrolitik Kondansatr 4.4.1. Katl Kondansatrler Kondansatrlerin kapasitesini arttrmak iin levha yzeylerinin byk ve levhalar arasnda bulunan yaltkan madde kalnlnn az olmas gerekir. Bu artlar gerekletirirken de kondansatrn boyutunun mmkn olduunca kk olmas istenir. Bu bakmdan en uygun kondansatrler katl kondansatrlerdir. ok yaygn bir kullanm alan vardr. ekilde de grld gibi bir kat, bir folyo ve yine bir kat bir folyo gelecek ekilde st ste konur. Sonra da bu erit grubu silindir eklinde sarlr. Balant ular (elektrotlar) yine ekilde grld gibi, alminyum folyolara lehimlenir. Oluturulan silindir, izole edilmi olan metal bir gvdeye konarak az mumla kapatlr. Yada zeri reine veya lak ile kaplanr.

ekil 16

36

4.4.2. Plastik Film Kondansatr Plastik film kondansatrlerde kat yerine plastik bir madde kullanlmaktadr. Bu plastik maddeler: Polistren, polyester, polipropilen olabilmektedir. Hassas kapasiteli olarak retimi yaplabilmektedir. Yaygn olarak filtre devrelerin de kullanlr. retim ekli kat kondansatrlerin aynsdr.

ekil 17

37

4.4.3. Mikal Kondansatr Mika, "r" yaltkanlk sabiti ok yksek olan ve ok az kaypl bir elemandr. Bu zelliklerinden dolay da, yksek frekans devrelerinde kullanlmaya uygundur. Mika tabiatta 0.025 mm 'ye kadar ince tabakalar halinde bulunur. Kondansatr retiminde de bu mikalardan yararlanlr. ki tr mikal kondansatr vardr: 1. Gm kaplanm mikal kondansatr. 2. Alminyum folyolu kaplanm mikal kondansatr. Gm Kaplanm Mikal Kondansatr: Bu tr kondansatrlerde mikann iki yzne gm pskrtlmektedir. Oluturulan kondansatre d balant elektrotlar lehimlenerek mum veya reine gvde ierisine yerletirilir. ekilde deiik boydaki mikal kondansatrler gsterilmektedir.

ekil 18 Alminyum Folyo Kaplanm Mikal Kondansatr Gm kaplama ok ince olduundan, bu ekilde retilen kondansatr byk akmlara dayanamamaktadr. Byk akml devreler iin, mika zerine alminyum folyo kaplanan kondansatrler retilmektedir. Mikal kondansatr ayarl (trimmer) olarak ta retilmektedir. 4.4.4. Seramik Kondansatr Seramiin yaltkanlk sabiti ok byktr. Bu nedenle, kk hacimli byk kapasiteli seramik kondansatrler retilebilmektedir. Ancak, seramik kondansatrlerin kapasitesi, scaklk, frekans ve gerilim ile %20 'ye

38

kadar deitiinden, sabit kapasite gerektiren almalarda kullanlamaz. Fakat, frekans hassasiyetinin nemli olmad kuplaj, dekuplaj (by-pass) kondansatr olarak ve scak ortamlarda kullanlmaya uygundur. 4.4.5. Elektrolitik Kondansatrler Elektrolitik kondansatrler byk kapasiteli kondansatrlerdir. Yaygn bir kullanm alan vardr. zellikle, dorultucu filtre devrelerinde, gerilim oklayclarda, ses, frekans ykseltelerinde, kuplaj ve dekuplaj devrelerinde, zamanlama devrelerinde yararlanlmaktadr. ki tr elektrolitik kondansatr vardr: 1. Alminyum plakal 2. Tantalyum (tantalum) plakal Alminyum Plakal Elektrolitik Kondansatr Alminyum plakal elektrolitik kondansatrn yaps ekilde verilmitir.

ekil 19 ekilde grld gibi kondansatr yaps yledir:

Birinin yz okside edilmi ve iki elektrot balanm olan erit eklindeki iki alminyum plaka Plakalarn arasnda elektrolitik emdirilmi kat

39

Bunlar silindir eklinde sarlarak kondansatr oluturulmaktadr. Oksit tabakas yaltkan olduundan plakalar aras yaltkanl salamaktadr. Alminyum oksitli plakaya bal elektrot pozitif (+), alminyum plakaya bal elektrot da negatif (-) olarak adlandrlr. Devreye balant da "+" elektrot, devrenin pozitif tarafna, "-" elektrotta negatif tarafna balanmaldr. Ters balantda anot zerindeki oksit tabakas kalkar ve geen akmla elektrolitik kimyasal reaksiyona urar ve snp ierek kondansatr patlatr. Kada emdirilmi olan elektrolitik, iletken bir madde olup, gvdesi oksit tabakasnn zamanla ve kk deerli ar gerilimlerde bozulmasn nlemektedir. Tantalyumlu Elektrolitik Kondansatr Bu tr kondansatrde de anot, oksit kapl tantalyum erit ve katot da yalnzca tantalyumdur. Yapm Alminyum elektrotlu kondansatr ile ayndr. Fark: Tantalyum oksidin yaltkanlk sabiti daha byktr. Elektrolitik kondansatrlerin avantajlar ve dezavantajlar: Avantajlar: Hacmi kk, kapasitesi byktr. Maliyeti dktr. Dezavantajlar: Kaak akm byktr.Ters balant halinde bozulur. ekilde deiik kondansatrler grntlenmitir.

40

ekil 20 Kondansatrlerin balca kullanm yerleri aadaki tabloda verilmitir.

41

Not(X): 1. 1ppm =10-6 kapasite birimidir. rnein :300ppm/C 'nin anlam; her scaklk derecesi altnda, kapasite 300*10-6F artmaktadr. 2. "+"ppm = Scaklk arttka kapasite de artyor anlamndadr. 3. "-"ppm = Scaklk arttka kapasite de klyor anlamndadr. Tan= RS/XC kayp sabitidir. Rs plakalar aras yaltkandaki enerji kaybn sembolize etmektedir. Kondansatre seri bal bir RS direnci varm gibi dnlr. RS ve dolaysyla da "tan" kk olursa kondansatr o kadar kaliteli demektir.

42

4.5. Ayarl Kondansatrler Ayarl Kondansatrler, kapasitif deerleri deiik yntemler ile deitirilebilen kondansatrlerdir.Kullanlma yerine gre deiik yapda ve eitli boyutlarda retilmektedirler. ekilde grlen ekilde de sembolize edilebilir.

ekil 21 eitleri: Ayarl kondansatrler gruba ayrlr: Byk boy deiken kondansatrler (Varyabl kondansatr) Kk boyutlu deiken kondansatrler (Trimer) Deiken kapasiteli diyotlar (Varaktr) 4.5.1. Byk Boy Ayarl (Varyabl) Kondansatrler Bu gruba giren kondansatrler, ngilizce ad ile varyabl (variable) olarakta anlmaktadr. "Varyabl" kelimesinin Trke karl "deiken" kelimesidir. Varyabl kondansatrler paralel bal oklu kondansatrden olumaktadr. Bu kondansatrlerin birer plakas sabit olup, dier plakalar bir mil ile dndrlebilmektedir. Bylece kondansatrlerin kapasiteleri istenildii gibi deitirilebilmektedir. Hareketli plakalar sabit plakalardan uzaklatka, karlkl gelen yzeyler azalacandan kapasitede klecektir. Hareketli plakalara rotor, sabit plakalara stator denmektedir. Plakalar genelde alminyum (Al) veya zel amalar iin gm kapl bakrdr. Plakalar arasnda yaltkan madde olarak genellikle hava vardr. Baz zel hallerde, mika plastik ve seramikte kullanlmaktadr. Veya vakumlu (havasz) yaplmaktadr. Haval ve yaltkanl kondansatrlerde bir miktar kaak (leakage) akm vardr. Vakumlu olanlarda hi kaak yoktur. Vakumlu kondansatrlerde; alma gerilimi 50

43

KV 'a ve frekans 1000 MHz 'e kadar kabilmektedir. Kapasitif deeri ise 50-250 pF arasnda deiir. Havallarda ise kapasite 400pF 'a kadar kabilmektedir. Varyabl kondansatrler ile byk kapasitelere ulalamamakla beraber, yukarda belirtildii gibi ok byk gerilimlerle ve frekanslar da allabilmektedir. Baz uygulamalarda, aadaki ekilde grld gibi ayn gvdede iki varyabl kondansatr kullanlr. Bunlardan birinin rotoru, statordan uzaklatrlrken dierinin rotoru ters bir alma ekli ile statoruna yaklar.

Varyabl kondansatrn kullanlma alanlar:

Radyo alclar (plakalar ok yakn ve kktr). Radyo vericileri Byk gl ve yksek frekans reticileri (plakalar aras 2,5 cm 'dir).

4.5.2. Kk Boy Ayarl Kondansatrler (Trimerler) Kk boy ayarl kondansatrler, trimer (Trimmer), peddir (Padder) gibi deiik isimlerle anlmaktadr. Hassas kapasite ayar iin kullanlrlar ve bu ayar tornavida ile yaplr. Bu nedenle, bunlara ayarl kondansatr de denilir. Deiik tipleri vardr. En yaygn tipi yan yznde vida bulunan karesel yapda olanlardr. Bu trde kare eklindeki iki alminyum plaka arasnda mika veya plastik yaltkan vardr. Vida bir tornavida yardm ile sklnca plakalar birbirine doru yaklar ve C=A/d bants gereince "d" aral ksald iin kapasite (C) byr. Ayrca aadaki ekilde grld gibi silindirik veya varyabl tipinde olanlar da vardr. Silindiriklerde ortadaki iletken vida bir yaltkan ierisinde hareket etmekte ve bir plaka grevi yapmaktadr. e doru vidalama yapldka kapasitif deer

44

bymektedir. Trimerler, 100-600 V gerilimde alabilmekte ve kapasiteleri ok kk deerler ile 1000 pF arasda deimektedir.

Balca kullanm alanlar: Telekomnikasyon devrelerinde kapasitif deerlerdeki ince ayarlar iin kullanlr. 4.5.3 Deiken Kapasiteli Diyotlar (Varaktr) Jonksiyon diyotlara ters gerilim uygulandnda bir kondansatr gibi almaktadr. Uygulanan gerilime gre kapasitif deer deiir. Uygulanan gerilim bydke kapasitif deeri klr. Gerilime bal kapasite deiiklii nedeniyle VARAKTR veya VARKAP ad verilmitir.

SEMBOL: Kullanm Alanlar:

eklindedir.

0 - 100 V arasndaki gerilimlerde ve 200 GHz 'e kadar olan frekanslarda kullanlr. 3 - 100 pF arasnda kapasitif deere sahiptir. Telekomnikasyonda frekans kontrolnde kullanlr. 4.6. Kondansatr Balant ekilleri a) - Seri balant : Kondansatrlerin seri balant hesaplamalar, direncin paralel balant hesaplaryla

45

ayndr. Yanda grld gibi A ve B noktalar arasndaki toplam kapasite 1 / CToplam = ( 1 / C1 ) + ( 1 / C2 ) + ( 1 / C3 ) eklinde hesaplanr. 1 / CToplam = ( 1 / 10 uF ) + ( 1 / 22 uF ) + ( 1 / 100uF ) buradan da 1 / CToplam = 0,1 + 0,045 + 0,01 1 / CToplam = 0,155 CToplam = 1 / 0,155 CToplam = 6.45 uF eder. A ve B arasndaki elektrik ise VToplam = V1 + V2 + V3 eklinde hesaplanr. Bu elektrik kondansatrlerin iinde depolanm olan elektriktir.

b) - Paralel balant : Kondansatrlerin paralel balant hesaplamalar, direncin seri balant hesaplaryla ayndr. CToplam = C1 + C2 + C3 hesapladmzda, CToplam = 10 uF+ 22 uF + 100 uF CToplam = 132 uF eder. A ve B noktalar arasndaki elektrik ise VToplam = V1 = V2 = V3 eklindedir. Yani tm kondansatrlerin gerilimleri de eittir.

46

NOT: Farad, ok byk bir birim olduu iin uygulamada Farad'n askatlar olan mikrofarad (F), nanofarad (nF) ve pikofarad (pF) kullanlr. Aadaki tabloda Farad'n askatlar grlmektedir. 1 Farad = 1.000.000 F = 106F 1 Farad = 109 nF 1 Farad = 1012 pF 1 F = 103 nF 1 F = 106 pF 1 F = 103 pF 4.7. KONDANSATR RENK KODLARI

ekil 22 Disk biimindeki baz seramik kondansatrlerde ise zerlerindeki ilk iki rakam kapasite deerinin ilk iki rakamn, nc rakam ise ilk iki rakamn yanna konulacak sfr miktarn verir. Bu kondansatrlerde sonu pikofarad olarak bulunur.

47

ekil 23 Silindir biimindeki seramik kondansatrlerde ise kondansatrn kapasite deeri, zerinde bulunan renk bandlar vastasyla tayin edilir. Bu kondansatrlerle ilgili renk kodu tablosu aada verilmitir.

ekil 24 Tablo 6

Bu tablo kullanlarak bulunan sonular pikofarad cinsindendir.

48

5. BOBNLER 5.1. Sabit Bobinler ve Yaplar: Bobin bir yaltkan makara (mandren veya karkas) zerine belirli saydaki sarlm tel grubudur. Kullanm yerine gre, makara ierisi bo kalrsa haval bobin, demir bir gbek (nve) geirilirse nveli bobin d verilir. Bobinin her bir sarmna spir denir. Aadaki st srada bulunan semboller eski, alt srada bulunan semboller yeni gsterilim eklidir.

ekil 25 Bobindeki Elektriksel Olaylar: Bilindii gibi bir iletkenden akm geirildiinde, iletken etrafnda bir magnetik alan oluur. Bu alan kat zerinde daireler eklindeki kuvvet izgileri ile sembolize edilir. Bir bobinden AC akm geirildiinde, aada grld gibi bobin sarglarn evreleyen bir magnetik alan oluur.Akm byyp klne ve yn deitirmesine bal olarak bobinden geen kuvvet izgileri oalp azalr ve yn deitirir.Bobine bir DC gerilim uygulanrsa, magnetik alan meydana gelmeyip bobin devrede bir diren zellii gsterir.

49

ekil 26 Zt Elektro Motor Kuvveti (EMK) Bobin ierisindeki kuvvet izgilerinin deiimi, bobinde zt elektromotor kuvvet (zt EMK) ad verilen bir gerilim endkler. Bu gerilimin yn aada gsterilmi olduu gibi kaynak gerilimine ters yndedir. Dolaysyla da zt EMK, bobinden, kaynak geriliminin oluturduu akma ters ynde bir akm aktmaya alr. Bu nedenledir ki, kaynak geriliminin oluturduu "I" devre akm, ancak T/4 periyot zaman kadar ge akmaya balar. Zt EMK 'nn ilevi, LENZ kanunu ile yle tanmlanmtr. LENZ kanununa gre zt EMK, bymekte olan devre akmn kltc, klmekte olan devre akmn ise byltc ynde etki yapar. 5.2. Endktif Reaktans (XL): Bobinin, iinden geen AC akma kar gsterdii dirence endktif reaktans denir. Endktif reaktans XL ile gsterilir. Birimi "Ohm" dur. yle ifade edilir: XL = .L 'dir. = 2..f olup yerine konulursa, XL = 2..f.L ohm olur. : Asal hz (Omega) f: Uygulana AC gerilimin frekans birimi, Herzt (Hz) 'dir. L: Bobinin endktans olup birimi, Henry (H) 'dir.

50

ekil 27 a) AC kaynak geriliminin pozitif alternansndaki devre akm. b) Kaynak gerilimi (v), devre akm (i) ve zt EMK (Ez) arasndaki bant "L" nin deeri bobinin yapsna baldr. Bobinin sarm says ve kesit alan ne kadar byk olursa, "L" o kadar byk olur. Dolaysyla AC akma gsterdii dirente o oranda byr. "L" nin birimi yukarda da belirtildii gibi Henry (H) 'dir. Ancak genellikle deerler ok kk olduundan "Henry" olarak yazmda ok ksrl say kar. Bunun iin miliHenry (mH) ve mikrohenry (H) deerleri kullanlr. Henry, miliHenry ve mikroHenry arasnda u bant vardr. MiliHenry (mH) :1mH = 10-3 H veya 1H = 103mH MikroHenry (H) : 1H = 10-6 H veya 1H = 106 H 'dir. 5.3. Karlkl Endktans (M): Ayn nve zerine sarl iki bobinin birinden akm geirildiinde, bunun nvede oluturduu kuvvet izgileri dier sargy da etkileyerek, bu sargnn iki ucu arasnda

51

bir gerilim oluturur. Bu gerilime endksiyon gerilimi denir.Bu ekilde iletiim, karlkl (ortak) endktans denen belirli bir deere gre olmaktadr.Karlkl endktans (M) ile gsterilir ve u ekilde ifade edilir: M=L1.L2 L1 ve L2, iki bobinin self endktansdr.

M 'in birimi de Henry(H) 'dir. yle tanmlanr: Ayn nve zerindeki iki bobinin birincisinden geen 1 amperlik AC akm 1 saniyede, ikinci bobinde 1V 'luk bir gerilim endkliyorsa iki bobin arasndaki karlkl endktans M=1 Henry 'dir. Bobinler seri balanrsa toplam endktans: L=L1+L2+L3+.......... olur. Ayn nve zerindeki iki bobin seri balanrsa: L=L1+L22M olur. ekilde deiik bobin grntleri verilmitir.

ekil 28 a) Ayarl hava nveli bobin b) Ayarl demir nveli bobin

52

c) Ayarl ferrit nveli bobin d) Sabit hava nveli bobinler e) Demir ekirdekli bobin f) iltli ses frekans ok bobini g) G kayna ok bobini h) Toroid i) iltli, yksek endktansl ok bobini 5.4. Bobinin Kullanm Alanlar: Bobinin elektrik ve elektronikte yaygn bir kullanm alan vardr. Bunlar kullanm alanlarna gre yle sralanabilir. Elektrikte:

Dorultucular da ok bobini Transformatr Istc v.b. Elektromknats (zil, elektromagnetik vin)

Elektronikte:

Osilatr Radyolarda ferrit anten eleman (Uzun, orta, ksa dalga bobini) Telekomnikasyonda frekans ayar (ayarl gbekli bobin) Telekomnikasyonda rle Yksek frekans devrelerinde (haval bobin)

zellikle de radyo alc ve vericilerinde de anten ile balantda deiik frekanslarn (U.D,O.D,KD) alm ve gnderiminde ayn ferrit nveyi kullanan deiik bobinler ve bunlara paralel bal kondansatrlerden yararlanr.

53

6. YARI LETKENLER Elektrik akmnn bir deere kadar akmasna izin vermeyen bu deerden sonra sonsuz kk diren gsteren maddelerdir. Yar iletkenler periyodik cetvelde 3. ve 5. gruba girerler. Bu demektir ki son yrngelerinde elektron alcl veya vericilii iletkenden fazla yaltkandan daha azdr. letkenler: Pt, Ni, Au, Cu, Al, Fe........... Yaltkan: Ebonit, Cam, Tahta, Su.......... Yar iletkenler: S, Ge, Br, Al, In(indiyum)........

Ksmen Dolu bant ile iletkenlik eridi akmsa iletken olurlar.

DB ile B birbirine yaklat zaman iletken hale gelir. Eer yar iletkenlere belirli bir gerilim uygulanrsa YAE yok edilir ve balama eridi ile iletkenlik band bitiir ve iletkenleir 6.1. letken, Yaltkan ve Yar letkenler Yeryzndeki btn maddeler, atomlardan olumutur.

54

Atom ise ortada bir ekirdek ve bunun etrafndaki deiik yrngelerde hareket eden elektronlardan olumaktadr. Elektronlar, negatif elektrik ykne sahiptirler. Bir etkime yolu ile atomdan ayrlan elektronlarn bir devre ierisindeki hareketi, elektrik akmn oluturur. Elektronlarn her madde ierisindeki hareketi ayn deildir. Elektron hareketine gre maddeler e ayrlr:

letkenler Yaltkanlar Yar iletkenler

letkenler letkenlerin balca zellikleri:

Elektrik akmn iyi iletirler. Atomlarn d yrngesindeki elektronlar atoma zayf olarak baldr. Is, k ve elektriksel etki altnda kolaylkla atomdan ayrlrlar. D yrngedeki elektronlara Valans Elektron denir. Metaller, baz sv ve gazlar iletken olarak kullanlr. Metaller, sv ve gazlara gre daha iyi iletkendir. Metaller de, iyi iletken ve kt iletken olarak kendi aralarnda gruplara ayrlr. Atomlar 1 valans elektronlu olan metaller, iyi iletkendir. Buna rnek olarak, altn, gm, bakr gsterilebilir. Bakr tam saf olarak elde edilmediinden, altn ve gme gre biraz daha kt iletken olmasna ramen, ucuz ve bol olduundan, en ok kullanlan metaldir.

Atomlarnda 2 ve 3 valans elektronu olan demir (2 d elektronlu) ve alminyum (3 d elektronlu) iyi birer iletken olmamasna ramen, ucuz ve bol olduu iin gemi yllarda kablo olarak kullanlmtr.

55

Yaltkanlar Elektrik akmn iletmeyen maddelerdir. Bunlara rnek olarak cam, mika, kat, kauuk, lastik ve plastik maddeler gsterilebilir. Elektronlar atomlarna sk olarak baldr. Bu maddelerin d yrngedeki elektron saylar 8 ve 8 'e yakn sayda olduundan atomdan uzaklatrlmalar zor olmaktadr. Yar letkenler Yar iletkenlerin balca u zellikleri vardr:

letkenlik bakmndan iletkenler ile yaltkanlar arasnda yer alrlar, Normal halde yaltkandrlar. Ancak s, k ve magnetik etki altnda brakldnda veya gerilim uygulandnda bir miktar valans elektronu serbest hale geer, yani iletkenlik zellii kazanr.

Bu ekilde iletkenlik zellii kazanmas geici olup, d etki kalknca elektronlar tekrar atomlarna dnerler. Tabiatta basit eleman halinde bulunduu gibi laboratuarda bileik eleman halinde de elde edilir. Yar iletkenler kristal yapya sahiptirler. Yani atomlar kbik kafes sistemi denilen belirli bir dzende sralanmtr. Bu tr yar iletkenler, yukarda belirtildii gibi s, k, etkisi ve gerilim uygulanmas ile belirli oranda iletken hale geirildii gibi, ilerine baz zel maddeler katlarak ta iletkenlikleri arttrlmaktadr.

Katk maddeleriyle iletkenlikleri arttrlan yar iletkenlerin elektronikte ayr bir yeri vardr. Bunun nedeni ekilde grld gibi, elektronik devre elemanlarnn retiminde kullanlmalardr.

56

Elektroniin iki temel eleman olan diyot ve transistrlerin retiminde kullanlan germanyum (Ge) ve silikon (Si) yar iletkenleri gelecek blmde daha geni olarak incelenecektir. Tablo 7 - Elektronikte yararlanlan yar iletkenler ve kullanlma yerleri

Not: Germanyum ve silikon periyodik tabloda yer alan iki elementtir. ou lke periyodik tabloyu kendi dillerinde hazrlamaktadr. lkemizde ise, baz terimler gelimi lke dillerinden alnarak Trke 'ye uyarlama yoluna gidilmitir. Germanyum ad, en ok kullanlan, ngilizce, Almanca ve Franszca dillerinde "Germanium" olarak yazlmakta ve "germanyum" olarak okunmaktadr. Trke 'ye de "germanyum" olarak alnm ve herkese de benimsenmitir. Silikon 'da durum farkldr.

57

Silikon yabanc dillerde yle yazlmakta ve okunmaktadr: ngilizce 'de; Silicon (Silikon) Almanca 'da; Silikon (silikon) Franszca 'da; Silicium (silisyum) Trke de ise yararlanlan yabanc kaynaktan esinlenerek kimilerince silikon, kimilerince de silisyum denmitir. 6.2. Enerji Seviyeleri ve Bant Yaplar Bilindii gibi elektronlar, atom ekirdei etrafnda belirli yrngeler boyunca srekli dnmektedir. Bu hareket, dnyann gne etrafnda dnne benzetilir. Hareket halindeki elektron, u iki kuvvetin etkisi ile yrngesinde kalmaktadr: 1. ekirdein ekme kuvveti 2. Dnme hareketi ile oluan merkezka kuvveti Enerji Seviyeleri Hareket halinde olmas nedeniyle her yrnge zerindeki elektronlar belirli bir enerjiye sahiptir.Eer herhangi bir yolla elektronlara, sahip olduu enerjinin zerinde bir enerji uygulanrsa, ara yrngedeki elektron bir st yrngeye geer.Valans elektrona uygulanan enerji ile de elektron atomu terk eder.Yukarda belirtildii gibi valans elektronun serbest hale gemesi, o maddenin iletkenlik kazanmas demektir. Valans elektronlara enerji veren etkenler: 1. Elektriksel etki 2. Is etkisi 3. Ik etkisi 4. Elektronlar kanalyla yaplan bombardman etkisi 5. Manyetik etki Ancak, valans elektronlar serbest hale geirecek enerji seviyeleri madde yapsna gre yle deimektedir:

58

letkenler iin dk seviyeli bir enerji yeterlidir. Yar iletkenlerde olduka fazla enerji gereklidir. Yaltkanlar iin ok byk enerji verilmelidir.

Bant Yaplar Maddelerin iletkenlik dereceleri, en iyi ekilde, aada akland gibi, bant enerjileri ile tanmlanr. Valans band enerji seviyesi: Aadaki ekilde grld gibi her maddenin, valans elektronlarnn belirli bir enerji seviyesi vardr. Buna valans band enerjisi denmektedir.

letkenlik band enerji seviyesi: Valans elektronu atomdan ayrabilmek iin verilmesi gereken bir enerji vardr. Bu enerji, iletkenlik band enerjisi olarak tanmlanr. letkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji: letkenlerin, ekilde(a) grld gibi, valans band enerji seviyesi ile iletkenlik band enerji seviyesi bitiiktir. Bu nedenle verilen kk bir enerjiyle, pek ok valans elektron serbest hale geer. Yar iletkenlerde iletim iin verilmesi gereken enerji: Yar iletkenlerin valans band ile iletkenlik band arasnda ekilde(b) grld gibi belirli bir boluk band bulunmaktadr. Yar iletkeni, iletken hale geirebilmek iin valans elektronlarna, boluk bandnnki kadar ek enerji vermek gerekir. Yaltkanlarda iletim iin verilmesi gereken enerji: Yaltkanlarda ise, ekilde(c) grld gibi olduka geni bir boluk band bulunmaktadr. Yani elektronlar, valans bandndan iletkenlik bandna geirebilmek iin olduka byk bir enerji verilmesi gerekmektedir.

59

ekil 29 6.3. Saf Germanyumun ve Silikonun Kristal Yaps, Kovalent Balar Germanyum ve Silikon yar iletkenleri, kristal yaplarnn kazandrd bir takm iletken zelliine sahiptir. Germanyum ve Silikon, elektroniin ana elemanlar olan, DYOTLARIN, TRANSSTRLERN ve ENTEGRE DEVRELERN retiminde kullanlmaktadr. Bu nedenle, elektronik devre elemanlar hakkndaki temel bilgilerin edinilebilmesi bakmndan bu iki yar iletkenin yaplarnn iyi bilinmesi gerekir. Her iki yar iletken de tabiattan elde edilmekte ve saflatrlarak monokristal haline getirildikten sonra devre elemanlarn retiminde kullanlmaktadr. Germanyumun Elde Edilii: Germanyum balca iki kaynaktan salanr: 1. Baz cins maden kmrnn baca tozlarndan, 2. inko rafine endstrisi yan rnlerinden

60

Yukarda belirtilen kaynaklardan germanyumun oluturulabilmesi iin uzun ilemler gerekmektedir. Bu iki evrede oluturulan germanyum henz saf deildir. erisinde baz yabanc maddeler bulunur. Germanyumun kullanlabilinmesi iin nce iindeki yabanc madde orannn 1/108 in altna drlmesi gerekmektedir. Bunu salamak iinde ikinci evre olarak saflatrma ilemi yaplr. Germanyumun Saflatrlmas: Germanyumun saflatrlmasnda en ok uygulanan yntem Blgesel saflatrma dr. ubuk ekline getirilmi, yaklak 100 gram arlndaki germanyum zel bir pota ierisine konularak, saatte 5-6 cm lik hzla, endksiyon yolu ile stlan bir frnn ierisinden geirilir.

ekil 30 Istc sistem, germanyumun erime derecesi olan 936C 'ye ayarlantr. Germanyum ubuun stc ierisine giren ucu erimeye balar ve ubuun hareketi ile erime bir utan br uca doru devam eder. Ayn anda germanyum ierisinde ki yabanc maddeler de eriyerek ubuun arka tarafna toplanr. Saflatrma sonunda bu u kesilerek alnr.

61

Kesilecek u diren kontrol ile belirlenir. Germanyum saflatka direnci artmaktadr. Gerekirse bu ilemler birka kez daha tekrarlanarak germanyumun saflk derecesi arttrlabilir. Bu halde germanyum henz polikristal 'dir. Silikonun Elde Edilii ve Saflatrlmas: Silikon tabiatta silika (Kuartz yahut kum) halinde bol miktarda bulunur. Silikon, germanyum iin anlatlan yntemle saflatrlmaz. erisinde bulunan BOR "blgesel saflatrma" yolu ile tamamen alnamamaktadr.Saflatrma ilemi ok uzun srmektedir....... Germanyumun MonoKristal Hale Getirilmesi: Germanyum ve silikon ancak MONOKRSTAL haline getirildikten sonra DYOT, TRANSSTR ve ENTEGRE DEVRELERN retiminde kullanlabilir. "Monokristal" kelimesi uluslararas bir terimdir ve Tek tip kristal anlamna gelmektedir.

ekil 31

62

Germanyumda monokristal yap yle olumaktadr: Polikristalli saf germanyum grafit bir pota ierisinde ergime derecesine kadar stlr. Ergimi germanyum ierisine, ekilde grld gibi monokristal halindeki germanyum ubuk daldrlp yava yava dndrlerek ekilir. ekme ilemi ilerledike, eriyik halindeki germanyum da yzeysel gerilim etkisiyle ubuk etrafnda toplanr ve ayn zamanda ubuun kristal yapsna uygun olarak katlar. Btn eriyik katlancaya kadar ayn ilemle ekmeye devam edilir. Sonunda, monokristal yapya sahip bir germanyum kitlesi ortaya kar. Silikonun Monokristal Haline Getirilmesi: Her ne kadar, monokristal silikon da Germanyum gibi tek kristal ekirdekten retilse de, ergime derecesinin yksek (1420C) olmas ve baka maddelerle birlememesi nedeniyle ilem ayrntlarnda farkllklar vardr. Saf Germanyum ve Silikonun Kristal Yaps Gerek Germanyum gerekse de Silikon kristal yap bakmndan ayn olduundan, anlatmda rnek olarak birinin veya dierinin alnmas fark etmemektedir. Daha nce de akland gibi, germanyum ve silikonun yararl hale gelebilmesi iin monokristal yapya dntrlmeleri gerekmektedir. MonoKristal yap nedir? Monokristal yapda atomlar aadaki ekilde boyutlu olarak gsterildii gibi, bir kbik kafes sistemi oluturmaktadr. Sistemdeki krecikler, atomlar gsteriyor. Atomlar arasndaki yollar da kovalent balar sembolize ediyor.

63

ekil 32 6.4. Kovalent Ba Monokristal yaplarda, valans elektronlar komu iki atomun d yrngelerinde birlikte bulunmaktadr. Bu durum iki elektron arasda sanki bir ba varm gibi yorumlanmaktadr. te bu sembolik baa kovalent ba ad verilir. ekilde Germanyum monokristalin atomlar arasndaki kovalent balar gsterilmitir. Kovalent balarn ucundaki elektronlar her iki atoma da bal bulunduundan atomlarn d yrngeleri 8 elektronlu olmaktadr. D yrngesinde 8 elektron bulunan atomlar elektron almaya ve vermeye istekli olmazlar. NOT: Bir monokristal stldnda veya k ve elektriksel gerilim etkisi altnda brakldnda, kovalent ba kuvvetini yenen ok az saydaki elektron atomdan uzaklar. Bu durum bir yar iletkenlik belirtisi olmaktadr.

64

ekil 33 6.5. Saf Olmayan (Katk Maddeli) Germanyum ve Silikonun Kristal Yaps Diyotlar, transistrler, entegre devreler v.b. gibi aktif devre elemanlarnn yapmnda kullanlan germanyum ve silikon yar iletken kristallerinin nce N ve P tipi kristaller haline dntrlmeleri gerekmektedir. N veya P tipi kristal yapsn elde edebilmek iin bir pota ierisine konulan germanyum veya silikon monokristali eritilir, belirli oranlarda katk maddesi kartrlr. Sonrada zel olarak hazrlanm monokristal ekirdek, eriyie daldrlp dndrlerek ekilir. Konulan katk maddesinin cinsine gre ekilen kristal N veya P tipi olur.

65

ekil 34 6.6. N Tipi Yar letken Kristali N Tipi Kristalin Oluumu:

Eritilen Germanyum veya Silikon kristaline verilen 5 valans elektronlu fosfor, arsenik, antimuvan gibi katk maddelerinden biri katlr.

Yukarda anlatlan yntem uygulanarak bu katk maddesi atomlarnn kristal iine yaylp etrafndaki Germanyum veya Silikon atomlar ile kovalent ba oluturmas salanr.

66

Tablo 8 - N ve P tipi kristallerin yapmnda kullanlan elementler.

Katk maddesinin kristal yap ierisinde yer al: ekilde katk maddesi olarak en ok kullanlan Arseniin Germanyum kristalinde yer al gsterilmitir. Arsenik 5 valans elektronlu olduundan ancak 4 elektronu komu germanyum atomlaryla kovalan ba oluturur. 5. elektron ise ekirdein pozitif ekme kuvvetinin etkisi altnda zayf olarak atoma bal kalmakta ve ufak bir enerji altnda serbest hale gemektedir. Hatta, bir ksm balangta, s ve k etkisiyle atomdan ayrlr. Bylece Arsenik, Germanyum kristali iin bir elektron kayna olmaktadr ve kristal ierisinde pek ok serbest elektron bulunmaktadr. Bu yap, N tipi yar iletken kristali olarak tanmlanr.

67

ekil 35 "N tipi kristal" deyimindeki harfi, "Negatif" kelimesinin ilk harfidir. Kristal ierisindeki SERBEST ELEKTRONLARIN yaratt "negatif elektrik ykn" sembolize etmektedir. N tipi kristaldeki AKIM TAIMA LEMN bu elektronlar gerekletirmektedir. N Tipi Yar letken Kristalinde Bulunanlar

Ge veya Si ATOMLARI: Kristal yapy oluturmaktadr. Aralarnda Kovalan ba vardr. Verici Katk Maddesi: Atomlar kolaylkla elektron veren katk elementleridir. Bu nedenle Verici Katk Maddesi denmitir. Pozitif yonlar: Verici katk maddesi atomlarnn tamamna yakn ksm, Ge veya Si atomlar ile kovalan ba oluturarak 1 elektronunu kaybetmi olduundan POZTF YON halindedirler. Ancak, kovalan bal olduundan elektriksel bir etkisi bulunmamaktadr.

ounluk Tayclar: Verici katk maddesinden ayrlm olan elektronlardr. Bu elektronlara, ok sayda olduundan ve akm tama grevini de yrttnden, ounluk tayclar ad verilmitir.

68

Aznlk Tayclar: N tipi germanyum veya silikon kristalinde, s ve k emii nedeniyle, veya gerilim etkisiyle kovalan balarn koparan bir ksm elektronun atomdan ayrlmas sonucu, geride pozitif elektrik ykl Ge veya Si atomlar kalmaktadr. Bu tr atomlar da elektrik akm tama zelliine sahiptir. Ancak aznlkta kaldndan, bunlara da aznlk tayclar denmitir. Normal alma dzeninde nemli saylabilecek rolleri bulunmamaktadr.

ekillerde Gsterilenler: Kristal yapy gstermek iin kullanlan ekillerde, sadelik bakmndan yalnzca, kristale asl zelliini kazandran atom ve elektrolar gsterilmektedir. N tipi bir kristale, unlar zellik kazandrmaktadr: 1. Serbest elektronlar: Akm tayclardr. 2. Verici katk maddesi atomlar: Etkisiz "pozitif iyon" halinde olduundan, daire ierisinde gsterilmitir.

ekil 36 - N tipi yar iletken kristali (-): Serbest elektronlar. (Akm iletimini salar.) (+):Verici katk maddesi atomlar. (Etkisiz "+" iyon halindedir.) 6.7. P Tipi Yar letken Kristali Germanyum veya Silikon kristaline Alminyum gibi 3 valans elektrona sahip bir katk maddesi ilave edildiinde u gelimeler olur.

69

Bu katk maddelerinin 3 valans elektron bulunduundan, atom teorisi gereince bunu 4 'e tamamlamak ister, Bu nedenle, komu Ge veya Si atomundan 1 elektron alr ve 4 kovalan ba oluturur.

1 elektron alan katk maddesi atomu, NEGATF YON haline gelir. Ancak, kovalan bal olduundan herhangi bir elektriksel etkinlii olmaz. 1 elektronu kaybeden Ge veya Si atomunda 1 ELEKTRON BOLUU oluur. Bu boluk, genellikle delik veya oyuk olarak adlandrlr. Ancak bu terimler elektriksel ynden atomun durumunu yanstmamaktadr. Bir elektronu veren atom, pozitif elektrik yk hale geldiinden, delik veya oyuk yerine "POZTF ELEKTRK YK" demek daha dorudur. Nitekim oluan kristale, " pozitif elektrik ykleri" amalanarak P TP KRSTAL denmitir. P tipi kristalde akm tama ilemi "pozitif elektrik ykleri" tarafndan gerekletirilir.

ekil 37

70

N Tipi Yar letken Kristalinde Bulunanlar

Ge veya Si Atomlar: Kristal yapy oluturmaktadr. Verici Katk Maddesi: Elektron almak zere, katlan madde. Negatif yonlar: Katk maddesi atomlarnn tamamna yakn ksm, Si veya Ge atomlarndan 1 elektron olarak negatif elektrik ykl hale gelmektedir. Ancak, bunlar kovalent bal olduundan elektriksel bir etkisi bulunmadan negatif iyon halinde kalmaktadr.

ounluk Tayclar: 1 elektronu kaybetmi olan ve dolaysyla da, pozitif elektrik ykl (oyuklu) hale gelen ok saydaki Si ve Ge atomlardr. Bunlar P tipi kristalde akm tama grevi yaparlar.

Aznlk Tayclar: P tipi kristalde bulunabilen ok az saydaki serbest elektronlardr. Bunlara da, akm tayc olarak az sayda bulunduundan, aznlk tayclar denmitir.

ekillerde Gsterilenler: Kristal yapy gstermek iin kullanlan ekillerde, sadelik bakmndan yalnzca, kristale zellik kazandran atomlar ve elektronlar gsterilir. P tipi kristalde unlar gsterilmektedir: 1. Pozitif elektrik ykleri (oyuklar): Akm iletimini salamaktadrlar. 2. Alc katk maddesi atomlar: Etkisiz (-) iyon halindedirler.

P tipi yar iletken kristali (+): Pozitif elektrik ykleri. (oyuklar) (Akm iletimi salamaktadr.) (-): Alc katk maddesi atomlar. (Etkisiz "-" iyon halindedirler.)

71

N ve P Tipi Yar letken Kristallerinde Elektron ve Pozitif Elektrik Yk (Oyuk) Hareketleri N Tipi Kristalde Elektronlarn Hareketi N tipi yar iletken kristaline gerilim uygulandnda, kristal ierisindeki serbest elektronlar, gerilim kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti ve negatif kutbunun da itme kuvveti etkisiyle, kaynan pozitif (+) kutbuna doru akar. Bu arada, kaynan negatif (-) kutbundan kan elektronlar da kristale doru hareket eder. Burada nemli bir hususu belirtmek gerekiyor: Eskiden beri uygulanan uluslar aras kurallara gre, d devredeki akm yn, ekilde grld gibi gerilim kaynann, pozitif kutbundan negatif kutbuna doru, yani elektron aknn tersi ynde gsterilmektedir.

ekil 38 Akmn bir devredeki ilevi bakmndan, ynn nemi yoktur. Ancak baz devre hesaplarnda yn iareti koymak gerekebilir. Byle bir durumda "+" --> "-" yn pozitif yn ve "-" --> "+" yn negatif yn alnr.

72

P Tipi Kristalde Pozitif Elektrik Yknn (Oyuk) Hareketi "Pozitif elektrik yk" (oyuk) bir elektron gibi hareket etmemektedir. Ancak anlatm kolayl bakmndan, hareket ettii kabul edilmitir. Katk maddesi yokken, Ge ve Si atomlarnn kovalent balarn krarak bir elektronunu almak ok zor olduu halde, katk maddesi bu ilemi kolaylatrmaktadr. Ve bir gerilim uygulandnda akm iletimi salanmaktadr. P tipi bir kristale bir gerilim kayna balanrsa u gelimeler olmaktadr. 1. Durum: Kaynan pozitif kutbuna yakn bulunan ve bir elektronunu katk maddesine vererek "+" elektrik ykl hale gelmi olan Ge ve Si atomu, kaynanda ekme kuvveti yardmyla, bir sonraki atomun kovalent ban krarak, 1 elektronunu alr. Ancak, dengesi bozulmu olan atom bu elektronu sk tutamayacandan, kaynan pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisine kaplan elektron atomdan ayrlarak kaynaa doru hareket eder. 2. Durum: Bir elektronunu kaybeden ikinci atom da ondan sonraki atomun elektronunu alr. 3. 5. Durum: Bylece, elektron bir atomdan dierine geecek ve son atom da kaybettii elektronu kaynan negatif kutbundan alacaktr. 6. Durum:Tekrar birinci duruma dnlmekte ve olay devam etmektedir. Sra ile bir elektronu kaybeden her bir atom, pozitif elektrik ykl hale geldiinden pozitif elektron yk (oyuk) hareket ediyormu gibi olmaktadr. Her ne kadar pozitif elektrik yk, yani bu yk tayan atom, elektron gibi bir noktadan kalkp dierine doru hareket edemese de, ard arda oluan "+" elektrik ykl atomlar, "+" elektrik yknn (oyuun) hareket ettii grntsn vermektedir. Byle bir aklama ekli, diyotlarn ve transistrlerin alma prensibini daha ksa yoldan anlatmn salamaktadr.Elektronlarn atomdan atoma geii, hareket hzn drdnden P tipi kristaldeki akm hz N tipine gre daha yavatr.

73

ekil 39 Bu aklamalar yardmyla, P tipi kristaldeki akm iletimi u ekilde yorumlanr:

ekil 40

74

ekilde grld gibi, P tipi kristale bir gerilim kayna balansn. P tipi kristaldeki akm iletimi de N tipi kristale benzer ekilde aklanr.Gerilim kayna, N tipi kristaldeki elektronlar nasl etkiliyorsa, P tipi kristalde de pozitif elektrik yklerini benzer ekilde etkiledii dnlr. yle ki: ekilden takip edilirse,Gerilim kaynann "+" kutbu, kristaldeki "+" elektrik yklerini iter ve "-" kutbu da eker. Bylece, "+" elektrik ykleri, ekilde oklar ile gsterilmi olduu gibi, kaynan negatif kutbuna doru hareket eder. Bu hareket devreden bir akmn akn salar. Devredeki akmn oluumu, bu ekilde ksa yoldan aklanm olmaktadr. Ancak pozitif elektrik yklerinin hareketi yalnzca kristal ierisinde kalmaktadr. D devrede hareket eden yine elektronlardr. D devrede elektronlarn hareket yn, yine kurallara uygun olarak kristalden kaynan "+" kutbuna ve kaynan "-" kutbundan kristale dorudur. D devre akm yn de yine kurallar gereince, kaynan "+" kutbundan kp, "-" kutbuna doru olan yndr. 7. DYODLAR Sadece bir ynde akm geiren devre elemandr. Gsterimi

Diyotlar yalnzca bir ynde akm geiren devre elemanlardr. Baka bir deyile, bir yndeki direnleri ihmal edilebilecek kadar kk, br yndeki direnleri ise ok byktr. Direncin kk olduu yne doru yn, direncin byk olduu yne ise ters yn denir.

75

7.1. Doru Polarma

ekil 41 Gerilim kaynann art ucunun, diyodun anoduna, eksi ucunun diyodun katoduna balanmasdr. Doru polarmada diyot, akma kar kk diren gsterir ve akm iletir. Buna diyodun iletime gemesi denir.

7.2. Ters Polarma

ekil 42 Gerilim kaynann art ucunun, diyodun katoduna, eksi ucunun diyodun anoduna balanmasdr. Ters polarmada diyot, akma kar ok yksek diren gsterir ve akm geirmez. Buna diyodun kesimde, yaltmda veya tkamada olmas ad verilir. Asl olarak ters polarmada, devreden A seviyesinde ihmal edilebilecek bir sznt (kaak) akm akar. Uygulanan ters yndeki gerilim, belli bir snr deerini aarsa, bu akm birdenbire artar. Bu olaya diyodun delinmesi, uygulanan bu gerilime ise delinme gerilimi ad verilir. Bu durumda diyot yanar. Delinme gerilim deerleri kataloglarda belirtilmektedir

76

Diyot Karakteristii

rnek:

Rsmin = URs / Idmax = (U-Ud) / Idmax = (20 0,7) / 100 = 19,3 / 100 = 0,193 k = 193

77

R > Rsmin Diyodun Kontrol Diyot iki amala kontrol edilir. 1. Anot ve katot ularnn belirlenmesi. 2. Salamlk kontrol Ularnn Belirlenmesi Diyot ular, ohm-metre ile veya l aleti zerinde bulunan diyot kademesi kullanlarak tespit edilir.

ekil 43 Ayrca diyotun zerinde bulunan iaret de anot ve katodu bulmamza yardmc olur.

Diyot eitleri 1. Kristal Diyot 2. Zener Diyot 3. Tnel Diyot 4. Ik Yayan Diyot (Led) 5. Foto Diyot

78

6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktr - Varikap) Dier Diyotlar 1. Mikrodalga Diyotlar 2. Gunn Diyotlar 3. Impatt (Avalan) Diyot 4. Baritt (Schottky) Diyot 5. Ani Toparlanmal Diyot 6. Pin Diyot 7. Byk Gl Diyotlar Diyotun kullanm alanlar: Diyotlardan, elektrik alannda redresr (dorultucu), elektronikte ise; dorultucu,detektr, modlatr, limitr, anahtar olarak eitli amalar iin yararlanlmaktadr. 7.3. Diyotlarn Gruplandrlmas: Diyotlar balca ana gruba ayrlr: 1. Lamba diyotlar 2. Metal diyotlar 3. Yar iletken diyotlar 7.3.1. Lamba Diyotlar Lamba diyotlar en yaygn biimde redresr ve detektr olarak kullanlmtr. Scak katotlu lamba, cva buharl ve tungar lambalar bu gruptandr. ekilde scak katotlu lamba diyotun i grn ve alma ekli verilmitir. ekilde grld gibi snan katottan frlayan elektronlar atom tarafndan ekilmekte ve devreden tek ynl bir akm ak salanmaktadr. Eskiden kalanlarn dnda bu tr diyotlar artk kullanlmamaktadr.

79

ekil 44 7.3.2. Metal Diyotlar Bakr oksit (CuO) ve selenyumlu diyotlar bu gruba girmektedirler. Bakr oksitli diyotlar l aletleri ve telekomnikasyon devreleri gibi kk gerilim ve kk gle alan devrelerde, selenyum diyotlar ise birka kilowatt 'a kadar kan gl devrelerde kullanlr. ekilde metal diyotlarn kesiti gsterilmitir.

ekil 45 7.3.3. Yar letken Diyotlar Yar iletken diyotlar, P ve N tipi germanyum veya Silikon yar iletken kristallerinin baz ilemler uygulanarak bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardr. Hem

80

elektrikte hem de elektronikte kullanlmaktadr. ekilde tipik bir rnek olarak kuvvetli akmda kullanlan bir silikon diyot verilmitir. Tabloda metal ve yar iletken diyotlarna ait baz deerler verilmektedir.

ekil 46 Baz metal ve yar iletken diyotlarnn karakteristik deerleri Tablo 9

7.4. Diyot eitleri ve Yaplar 7.4.1. Kristal Diyot ve Karakteristii Nokta temasl diyot elektronik alannda ilk kullanlan diyottur. 1900-1940 tarihleri arasnda zellikle radyo alannda kullanlan galenli ve prit 'li detektrler kristal diyotlarn ilk rnekleridir. ekilde (a) grld gibi galen veya prit kristali zerinde

81

gezdirilen ince fosfor-bronz tel ile deiik istasyonlar bulunabiliyordu. Gnlk hayatta bunlara, kristal detektr veya dier adyla kristal diyot denmitir. 1940 'tan sonra, ekilde (b) nokta temasl germanyum veya silikon diyotlar gelitirilmitir. Germanyum veya silikon nokta temasl diyotun esas; 0.5 mm apnda ve 0.2 mm kalnlndaki N tipi kristal parac ile "fosfor-bronz" veya "berilyum bakr" bir telin temasn salamaktan ibarettir.

ekil 47 Bu tr diyotta, N tipi kristale noktasal olarak byk bir pozitif gerilim uygulanr. Pozitif gerilim temas noktasndaki bir ksm kovalan ba krarak elektronlar alr. Bylece, ok kk apta bir P tipi kristal ve dolaysyla da PN diyot oluur. Bu oluum ekilde (b) gsterilmitir. Bugn nokta temasl diyotlarn yerini her ne kadar jonksiyon diyotlar alm ise de, yinede elektrotlar arasndaki kapasitenin ok kk olmas nedeniyle yksek frekansl devrelerde kullanlma alanlar bulunmaktadr.

82

Ters yn dayanma gerilimleri dk olup dikkatli kullanlmas gerekir. ekildeki karakteristik erisinde de grld gibi. Byle bir diyotun elektrotlar aras kapasitesi 1 pF 'n altna kadar dmektedir. Dolaysyla yksek frekanslar iin dier diyotlara gre daha uygun olmaktadr. Nokta temasl diyotlarn kullanm alanlar: Nokta temasl silikon diyotlar en ok mikro dalga kartrcsnda, televizyon, video dedksiyonunda, germanyum diyotlar ise radyofrekans l aletlerinde (voltmetre, dalgametre, rediktr vs...) kullanlr. 7.4.2. Zener Diyot ve Karakteristii Zener diyot jonksiyon diyotun zel bir tipidir. Zener Diyotunun zellikleri:

Doru polarmal halde normal bir diyot gibi alr. Ters polarmal halde, belirli bir gerilimden sonra iletime geer. Bu gerilime zener dizi gerilimi, veya daha ksa olarak zener gerilimi denir (VZ).

Ters gerilim kalknca, zener diyotta normal haline dner. Devrelerde, ters ynde alacak ekilde kullanlr. Bir zener diyot zener gerilimi ile anlr. rn: "30V 'luk zener" denildiinde, 30V 'luk ters gerilimde almaya balayan zener diyot demektir.

Silikon yapldr.

Zener diyot, ters yn almas srasnda oluacak olan ar akmdan dolay bozulabilir. Bu durumu nlemek iin devresine daima seri bir koruyucu diren balanr (RS).

83

Her zaman zener diyotun katalounda u bilgiler bulunur:

Gc Ters yn gerilimi(VZ), Maksimum ters yn akm(IZM), Ters yndeki maksimum kaak akm, Maksimum direnci Scaklk sabiti.

u limit deerlerde alan zener diyotlar retilmektedir:

Maksimum zener akm (IZM): 12A Zener gerilimi (VZ): 2 - 200V aras Maksimum gc: 100Watt Maksimum ters yn kaak akm: 150A (mikro amper) Maksimum alma scakl: 175C.

alma ortam scakl arttka zener gerilim klr. Zener geriliminin ayar: Zener gerilimin ayar birleme yzeyinin iki tarafnda oluan boluk blgesinin (ntr blge) geniliinin ayarlanmas yoluyla salanmaktadr. Bunun iinde ok saf silikon kristal kullanlmakta ve katk maddesi miktar deitirilmektedir. Boluk blgesi daraldka zener diyot daha kk ters gerilimde iletime gemektedir.

84

ekil 48 Zener gcnn ayar: Zener gc, birleme yzeyinin byklne ve diyotun retiminde kullanlan silikonun saflk derecesiyle, katk maddesinin miktarna baldr. Ayrca diyot sndka gcde deceinden, soutulmasyla ilgili nlemlerin alnmas da gerekir. Zener Diyotun Kullanm Alanlar: 1 - Krpma Devresinde: ekilde grld gibi iki zener diyot ters balandnda basit ve etkili bir krpma devresi elde edilir. rnein: Devre giriine tepe deeri 10V olan bir AC gerilim uygulansn ve krpma ilemi iin, zener gerilimi 5V olan iki Z1, Z2 zener diyotu kullanlsn.

85

ekil 49 AC gerilimin pozitif alternans balangcnda Z1 zeneri doru polarmal ve iletimde, Z2zeneri ise ters polarmal ve kesimde olacaktr. Giri gerilimi +5V 'a ulatnda Z2 'de iletime geer ve dolaysyla da k ular arasnda +5V oluur. Keza, R direnci zerindeki gerilim dm de 5V 'tur. AC gerilimin dier alternansnda da Z1 ters polarmal hale gelir ve bu defa da kta tepesi krplm 5V 'luk negatif alternans oluur. R direnci, devreden akacak akmn Zener diyotlar bozmayacak bir deerde kalmasn salayacak ve 5V 'luk gerilim dm oluturacak ekilde seilmitir. 2 - Zener Diyotun Gerilim Reglatr Olarak Kullanlmas: Zener diyottan, ounlukla, DC devrelerdeki gerilim reglasyonu iin yararlanlmaktadr. Buradaki reglasyondan ama, gerilimin belirli bir deerde sabit tutulmasdr. Bunun iin zener diyot, aada grld gibi, gerilimi sabit tutmak istenen devre veya yk direncine paralel ve ters polarmal olarak balanr. Diyot ularna gelen gerilim, zener deerine ulatnda diyot iletime geer ve ular arasndaki gerilim sabit kalr. rnek: Aadaki ekilde verilmi olan devrede RL yk direnci ular arasndaki VL gerilimi 6.2V 'ta sabit tutulmak istensin.

86

Bunu salamak iin, ekilde grld gibi RL 'e paralel bal zener diyotun ve seri bal bir RS direncinin seimi gerekir. Ayrca, bir de C kondansatrnn paralel balanmasnda yarar vardr. Bu kondansatr, gerilim dalgalanmalarn ve baka devrelerden gelebilecek parazit gerilimlerini nleyici grev yapar. Deeri, devre geriliminin byklne gre, hesaplanr. ekildeki bir devre iin 30V - 1000F 'lk bir kondansatr uygundur. Burada birinci derecede nemli olan, RS direnci ile zener diyotun seimidir.

ekil 50 Seri RS direncinin seimi: nce RS direncine karar vermek gerekir; Kaynak gerilimi: E=V=9V Yk direnci ve ular arasndaki gerilim: RL=33 Ohm, VL=6.2V Bu durumda, zener diyot dikkate alnmadan, VL=6.2V 'u oluturabilmek iin ka ohm 'luk bir RS direncinin gerektii hesaplanmaldr. E=IL*RS+VL ve IL=VL/RL 'dir. Birinci formldeki IL yerine, ikinci formldeki eitini yazp, deerler yerine konulursa : 9=6,2/33*RS+6,2 olur.

87

Buradan RS zlrse: RS=(9-6,2)33/6,2 'den, RS=14.9 = 15 (ohm) olarak bulunur.

RS=15 Ohm 'luk diren balandnda, "E" gerilimi 9V 'ta sabit kald srece RL yk direnci ular arasnda srekli olarak 6.2V oluacaktr. "E" geriliminin bymesi halinde, A-B noktalar arasndaki VA-B gerilimi de 6.2V 'u aacandan, 6.2V 'luk bir ZENER diyot kullanldnda, RL ular arasndaki gerilim sabit kalacaktr. Ancak, yalnzca gerilime gre karar vermek yeterli deildir. Bu durumda nasl bir zener diyot kullanlmaldr? Zener diyotun seimi: Zener gerilimi 6.2V olan bir zener diyot RL direncine paralel balandnda VL=6.2V 'ta sabit kalr. Ancak, E giri geriliminin bymesi srasnda zener diyottan akacak olan akmn, diyodun dayanabilecei "maksimum ters yn zener akmndan" (IZM) byk olmas gerekir. Zener diyot buna gre seilmelidir. 6.2V 'luk olup ta deiik IZM akml olan zener diyotlar vardr. rnein: Aadaki tabloda, bir firma tarafndan retilen, 6.2V 'luk zenerlere ait IZM akm ve g deerleri verilmitir. Tablo 10

Bu zenerler den hangisinin seileceine karar vermeden nce yk direncinden geecek akm bilmek gerekir:

88

Yukardaki devrenin yk direncinden geen akm aadaki gibi olur. IL=VL/RL = 6.2/33 = 0.188A = 188mA E geriliminin bymesi halinde oluacak devre akmnn 188mA 'in stndeki miktar zener diyottan akacaktr. rnein: E geriliminin ulat maksimum gerilim; E = 12.2V olsun. Zener diyottan geecek olan akmn deeri u olacaktr: Kirchoff kanununa gre: 12.2 = It*RS+6.2 (It devreden akan toplam akmdr.) RS = 15 yerine konarak It zlrse; It = 1.22-6.2/15 = 6/15 'den It = 0,4A = 400mA olur. Bu 400mA 'den 188mA 'i RL yk direncinden geeceine gre; Zener diyottan geecek olan IZ akm: IZ = 400-188 = 212mA 'dir. Bu deer, yukardaki tabloya gre: 10W 'lk zenerin maksimum akm olan 1460mA 'den kk, 1W 'lk zenerin maksimum akm olan 146mA 'den byktr. Byle bir durumda 10W 'lk zener kullanlacaktr. Aslnda, 212mA 'lik zener iin 1460mA 'lik zener kullanmakta doru deildir. Daha uygun bir zener seimi iin baka retici listelerine de bakmak gerekir. 3 - l Aletlerinin Korunmasnda Zener Diyot Dner ereveli l aletlerinin korunmasnda, zener diyot ekildeki gibi paralel balanr. Bu halde zener gerilimi, voltmetre skalasnn son deerine eittir. llen

89

gerilim zener gerilimini anca diyot ters ynde iletken hale geerek l aletinin zarar grmesini engeller. Ayar olana salamak iin birde potansiyometre kullanlabilir.

ekil 51 4 - Rlenin Belirli Bir Gerilimde altrlmasnda Zener Diyot ekildeki gibi zener diyot, rleye seri ve ters ynde balanmtr. Rle, ancak uygulanan gerilimin, Zener gerilimi ile rle zerinde oluacak gerilim dm toplamn amasndan sonra almaktadr.

ekil 52 7.4.3. Tnel Diyot ve Karakteristii Tnel diyotlar, zellikle mikro dalga alannda ykselte ve osilatr olarak yararlanlmak zere retilmektedir. Tnel diyoda, esaslarn 1958 'de ilk ortaya koyan Japon Dr. Lee Esaki 'nin adndan esinlenerek "Esaki Diyodu" dan denmektedir.

90

Yaps: P-N birleme yzeyi ok ince olup, kk gerilim uygulamalarnda bile ok hzl ve youn bir elektron geii salanmaktadr. Bu nedenledir ki Tnel Diyot, 10.000 MHz 'e kadar ki ok yksek frekans devrelerinde en ok ykselte ve osilatr eleman olarak kullanlr.

ekil 53 almas: ekilde de grld gibi, tnel diyota uygulanan gerilim Vt1 deerine gelinceye kadar gerilim bydke akm da artyor. Gerilim bymeye devam edince, akm A noktasndaki It deerinden dmeye balyor. Gerilim bymeye devam ettike, akm B noktasnda bir mddet IV deerinde sabit kalp sonra C noktasna doru artyor. C noktas gerilimi Vt2, akm yine It 'dir. Bu akma "Tepe deeri akm" denilmektedir. Gerilimi, Vt2 deerinden daha fazla arttrmamak gerekir. Aksi halde geen akm, It tepe deeri akmn aacandan diyot bozulacaktr.

91

I = f(V) erisinin A-B noktalar arasndaki eimi negatif olup, -1/R ile ifade edilmekte ve diyotun bu blgedeki direnci de negatif diren olmaktadr. Tnel diyot A-B blgesinde altrlarak negatif diren zelliinden yararlanlr. Tnel Diyotun stnlkleri: 1. ok yksek frekansta alabilir. 2. G sarfiyat ok dktr. 1mW ' gememektedir. Tnel Diyotun Dezavantajlar: 1. Stabil deildir. Negatif direnli olmas nedeniyle kontrol zordur. 2. Arzu edilmeyen iaretlere de kaynaklk yapmaktadr. Tnel Diyotun Kullanm Alanlar: 1. Ykselte Olarak Kullanlmas: Tnel diyot, negatif direnci nedeniyle, uygun bir balant devresinde kaynaktan ekilen akm arttrmakta, dolaysyla bu akmn harcand devredeki gcn ykselmesini salamaktadr. 2. Osilatr Olarak Kullanlmas: Tnel diyotlardan MHz mertebesinde osilatr olarak yararlanlabilmektedir. Bir tnel diyot ile osilasyon salayabilmek iin negatif direncinin dier rezonans elemanlarnn pozitif direncinden daha byk olmas gerekir. Tnel diyota ekilde grld gibi seri bir rezonans devresi balanabilecektir. Tnel diyotun negatif direnci - R=80 Ohm olsun. Rezonans devresinin direnci 80 Ohm 'dan kk ise tnel diyot bu devrenin dengesini bozacandan osilasyon doacaktr. 3. Tnel Diyotun Anahtar Olarak Kullanlmas: Tnel diyotun nemli fonksiyonlarndan biri de elektronik beyinlerde multivibratrlerde, gecikmeli osilatrlerde, flip-flop devrelerinde ve benzeri elektronik sistemlerde anahtar grevi grmesidir. Ancak bu gibi yerlerdeki kullanlma durumlar daha deiik zellik gsterdiinden ayr bir inceleme konusudur.

92

ekil 54 7.4.4. Ik Yayan Diyot (Led) Ik yayan diyotlar, doru ynde gerilim uyguland zaman yan, dier bir deyimle elektriksel enerjiyi k enerjisi haline dntren zel katk maddeli PN diyotlardr. Bu diyotlara, aada yazlm olduu gibi, ngilizce adndaki kelimelerin ilk harfleri bir araya getirilerek LED veya SSL denir. LED: Light Emitting Diode (Ik yayan diyot) SSL: Sloid State Lamps (Katk hal lambas) Sembol:

Ik yayan diyotlar u zelliklere sahiptir:

alma gerilimi 1.5-2.5V arasndadr. (Katalounda belirtilmitir.) alma akm 10-50mA arasndadr. (Katalounda belirtilmitir.) Uzun mrldr. (ortalama 105 saat) Darbeye ve titreime kar dayankldr. Kullanlaca yere gre ubuk eklinde veya dairesel yaplabilir. alma zaman ok ksadr. (nanosaniye) Dier diyotlara gre doru yndeki direnci ok daha kktr. Ik yayan diyotlarn gvdeleri tamamen plastikten yapld gibi, k kan ksm optik mercek, dier ksmlar metal olarak ta yaplr.

93

1. Ik Yayma Olay Nasl Gereklemektedir Bilindii gibi, bir PN diyota, doru polarmal bir besleme kayna baland zaman, N blgesindeki, gerek serbest haldeki elektronlar, gerekse de kovalan balarn koparan elektronlar P blgesine doru akn eder. Yine bilinmektedir ki, elektronlar atomdan ayrabilmek iin, belirli bir enerji verilmesi gerekmektedir. Bu enerjinin miktar iletkenlerde daha az, yar iletkenlerde daha byk olmaktadr. Ve bir elektron bir atomla birleirken de ald enerjiyi geri vermektedir. Bu enerji de maddenin yapsna gre s ve k enerjisi eklinde etrafa yaylmaktadr. Bir LED 'in retimi srasnda kullanlan deiik katk maddesine gre verdii n rengi deimektedir. Katk maddesinin cinsine gre u klar oluur:

GaAs (Galliyum Arsenid): Krmz tesi (grlmeyen k) GaAsP (Galliyum Arsenid Fosfat): Krmzdan - yeile kadar (grlr) GaP (Galliyum Fosfat): Krmz (grlr) GaP (Nitrojenli): Yeil ve sar (grlr)

ekilde (a) ve (b)' de gerilim uygulanan bir LED devresi ve k yayan diyotun tabii byklkteki resmi verilmitir. Diyot kristali, iki paral yapldnda uygulanacak gerilimin byklne gre krmz, yeil veya sar renklerden birini vermektedir. Ik yayan diyot sndka, k yayma zellii azalmaktadr. Bu hal ekilde (d) etkinlik erisi olarak gsterilmitir. Baz hallerde fazla snmay nlemek iin bir soutucu zerine monte edilir. Ayrca LED 'in ar snmasna yol amamak iin katalounda belirtilen akm amamak gerekir. Bunun iin ekilde (b) gsterilmi olduu gibi devresine seri

94

olarak bir R direnci konur. Bu direncin bykl LED 'in dayanma gerilimi ile besleme kayna gerilimine gre hesaplanr. rnein: ekildeki (b) devrede verilmi olduu gibi, besleme kayna 9V 'luk bir pil ve LED 'de 2V ve 50mA 'lik olsun. R direnci: Kirof kanununa gre: 9=I*R+2 'dir. I=0.05A olup

R=9-2/0.05 = 7/0.05 = 140 Ohm olarak bulunur. 140 Ohm 'luk standart diren olmadndan en yakn standart st direnci olan 150 Ohm 'luk diren kullanlr.

ekil 55

95

2. Led indeki Elektrik - Optik Bantlar Akm-Ik iddeti balants: LED diyotunun k iddeti, iinden geen akm ile doru orantl olarak artar.Ancak bu art; akmn belirli bir deerine kadar dorusaldr. Daha sonra bklr. Eer diyota verilen akm, eik deeri ad verilen dorusalln bozulduu noktay aarsa diyot ar snarak bozulur. Bu nedenle diyotlar kullanlrken, firmalarnca verilen karakteristik erilerine uygun olarak altrlmaldr.

ekil 56 Scaklk-k iddeti bants: Diyot sndka, akm sabit kald halde, verdii k iddeti klr. Bu dme diyotun cinsine gre yle deiir. GaAs diyotta dme: Her derece iin %0,7 AaAsP diyotta dme: Her derece iin %0,8 GaP diyotta dme: Her derece iin %0,3 Normal alma artlarnda bu dmeler o kadar nemli deildir. Ar alma artlarnda ise soutucu kullanlr veya baz yan nlemler alnr.

96

G-zaman bants: Ik yayan diyotlarn gc zamanla orantl olarak der. Bu g normal gcnn yarsna dtnde diyot artk mrn tamamlamtr. Bir LED diyotun ortalama mr 105 saattir. ekilde LED diyotun yaym gcnn, normal artlarda (IF=100mA, T ortam=25C iken,) zamana gre deiim erisi verilmitir. Bu tip deerlendirmede, gcn dme miktar direk g deeri olarak deil de, normal gce oran olarak alnmaktadr.

ekil 57 3. Ik Yayan Diyotun Verimi Ik yayan diyotun verimi; yaylan k enerjisinin, diyota verilen elektrik enerjisine oranyla bulunur. Diyota verilen elektrik enerjisinin hepsi k enerjisine dnmemektedir. Yani harekete geirilen elektronlarn hepsi bir pozitif atom ile birlememekte, saa sola arparak enerjisini s enerjisi halinde kaybetmektedir. 4. Ik Yayan Diyotlarn Kullanm Alanlar Ik yayan diyotlarn en yaygn kullanlma alan, dijital l aletleri, dijital ekranl bilgisayarlar, hesap makineleri ve yazc elektronik sistemlerdir. Bu kullanma eklinde, oklu k yayan diyotlardan yararlanlmaktadr. Baz hallerde k yayan

97

diyotlardan iaret lambas ve k kayna olarak da yararlanlr. Optoelektronik kuplr de bir LED uygulamasdr. 5. Optoelektronik Kuplr Optoelektronik kuplr veya daha ksa deyimle Opto Kuplr ya da Optik Kuplaj ekilde grld gibi bir k yayan diyot (LED) ile bir fotodiyot veya fototransistrden olumaktadr. Bunlar ayn gvdeye monte edilmilerdir. Gvde plastik olup k iletimine uygundur. Ik yayan diyot genellikle Ga As katk maddeli olup kzl tesi k vermektedir. Ik yayan diyotun ular arasna bir gerilim uygulandnda kan k nlar fotodiyot veya fototransistr etkileyerek altrmaktadr. Bylece bir devreye uygulana bir gerilim ile 2. bir devreye kumanda edilmektedir. Aradaki balant, bir takm tellere gerek kalmakszn k yoluyla kurulmaktadr. Bu nedenle, optoelektronik kuplr ad verilmitir. Optokuplr bir elektronik rledir. Optokuplrn mekanik rleye gre u stnlkleri vardr:

Mekanik paralar yoktur. ki devre arasnda byk izolasyon vardr. alma hz ok byktr.

Dezavantajlar:

Gc dktr.

ekil 58

98

Opto kuplr emas aada grld gibi izilir. Burada LED 'in doru polarmal, fotodiyotun ise ters polarmal olduuna dikkat edilmelidir. R1 ve R2 direnleri koruyucu direnlerdir. "K" anahtar kapatlarak giri devresi altrldnda, k devresi de enerjilenerek bir ilem yapar. rnein, devreye bir motorun kontaktar balanrsa motor alr.

ekil 59 7.4.5. Foto Diyot Foto diyot k enerjisiyle iletime geen diyottur. Foto diyotlara polarma geriliminin uygulan normal diyotlara gre ters yndedir. Yani anoduna negatif (-), katoduna pozitif (+) gerilim uygulanr.

Balca foto diyotlar yle sralanr:

Germanyum foto diyot Simetrik foto diyot Schockley (4D) foto diyotu

99

1. Germanyum FotoDiyot Asl alam yoluyla yaplan bir NP jonksiyon diyotudur. Cam veya metal bir koruyucu ierisine konularak iki ucu darya kartlr. Koruyucunun bir taraf, n jonksiyon zerinde toplanmasn salayacak ekilde bir mercek ile kapatlmtr.Diyotun devreye balanmas srasnda firmasnca ularna konulan iarete dikkat etmek gerekir. Hassas yzeyi ok kk olduundan, 1-3mA 'den daha fazla ters akma dayanamaz. Ar yklemeyi nlemek iin, bir diren ile koruyucu nlem alnr. Ik iddeti arttrldka ters yn akm da artar.

Foto Diyotun alma Prensibi Foto diyot ters polarmal balandndan zerine k gelmedii mddete almaz. Bilindii gibi ters polarma nedeniyle P-N birleme yzeyinin iki tarafnda "+" ve "-" yk bulunmayan bir ntr blge olumaktadr.

100

ekilde grld gibi birleme yzeyine k gelince, bu n verdii enerji ile kovalent balarn kran P blgesi elektronlar, gerilim kaynann pozitif kutbunun ekme etkisi nedeniyle N blgesine ve oradan da N blgesi serbest elektronlar ile birlikte kaynaa doru akmaya balar. Dier taraftan, kaynan negatif kutbundan kopan elektronlar, diyotun P blgesine doru akar.

ekil 60 1. Yapsal gsterimi 2. Sembolik gsterimi 2. Simetrik FotoDiyotlar Alternatif akm devrelerinde kullanlmak zere, ekilde grld gibi NPN veya PNP yapl simetrik fotodiyotlar da retilmektedir.

101

Ia Duyarl Diyotlarn Kullanm Alanlar: Uzaktan kumanda, alarm sistemi, sayma devreleri, yangn ihbar sistemleri, elektronik hesap makineleri, gibi eitli konular kapsamaktadr. 7.4.6. Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktr - Varikap) Bir P-N jonksiyon diyota ters ynde gerilim uygulandnda, temas yzeyinin iki tarafnda bir boluk (ntr blge) olutuu ve aynen bir kondansatr gibi etki gsterdii, kondansatrler blmnde de aklanmt. Varaktr diyotta da P ve N blgeleri kondansatrn plakas grevi yapmaktadr. C = A/d = *Plaka Yzeyi / Plakalar Aras Aklk kuralna gre: Kk ters gerilimlerde "d" boluk blgesi dar olduundan varaktr kapasitesi ("C") byk olur. Gerilim arttrldka d boluk blgesi genileyeceinden, "C" de klmektedir.

102

ekil 61 Varaktr deiken kondansatr yerine kullanlabilmekte ve onlara gre hem ucuz olmakta, hem de ok daha az yer kaplamaktadr. Kaak akmnn ok kk olmas nedeniyle varaktr olarak kullanlmaya en uygun diyotlar silikon diyotlardr. Varaktrn Tipik zellikleri:

Koaksiyel cam koruyuculu, mikrojonksiyon varaktr 200GHz 'e kadar grev yapabilmektedir.

Kapasitesi 3-100pF arasnda deitirilebilmektedir. 0-100V gerilim altnda alabilmektedir. Varaktre uygulana gerilim 0 ile 100V arasnda bytldnde, kapasitesi 10 misli klmektedir. Varaktrn edeer devresi ekilde verilmitir. Yksek frekanslarda L selfi birka nanohenri (nH), Rs birka Ohm olmaktadr.

103

Bir varaktrn edeer devresi.

ekil 62 VT ters yn gerilimine gre "C" kapasitesinin deiim erisi verilmitir. Varaktrn balca kullanm alanlar: Ayarl devrelerin uzaktan kontrol, TV ve FM alc lokal osilatrlerinde otomatik frekans kontrol ve benzeri devrelerde kullanlr. Telekomnikasyonda basit frekans modlatrleri, arama ayar devreleri, frekans oaltclarda, frekansn 2-3 kat bytlmesi gibi kullanm alanlar vardr. 7.4.7. Dier Diyotlar Mikrodalga Diyotlar Mikrodalga frekanslar; uzay haberlemesi, ktalar aras televizyon yayn, radar, tp, endstri gibi ok geni kullanm alanlar vardr. Giga Hertz (GHz) mertebesindeki frekanslardr. Mikro dalga diyotlarnn ortak zellii, ok yksek frekanslarda dahi, yani devre akmnn ok hzl yn deitirmesi durumunda da bir ynde kk diren gsterecek hza sahip olmasdr.

104

Mikrodalga blgelerinde kullanlabilen balca diyotlar unlardr:

Gunn (Gan) diyotlar Impatt (Avalan) diyotlar Baritt (Schottky)(otki) diyotlar Ani toparlanmal diyotlar P-I-N diyotlar

7.4.7.1. Gunn Diyotlar lk defa 1963 'te J.B. Gunn tarafndan yapld iin bu ad verilmitir. Gunn diyodu bir osilatr eleman olarak kullanlmaktadr. Yaps, N tipi Galliyum arsenid (GaAs) veya ndiyum fosfat (InP) 'den yaplacak ince ubuklarn ksa ksa kesilmesiyle elde edilir. Gunn diyota gerilim uygulandnda, gerilimin belirli bir deerinden sonra diyot belirli bir zaman iin akm geirip belirli bir zamanda kesimde kalmaktadr. Bylece bir osilasyon olumaktadr. rnek: 10m boyundaki bir gunn diyotunun osilasyon periyodu yaklak 0,1 nanosaniye tutar. Yani osilasyon frekans 10GHz 'dir. 7.4.7.2 Impatt (Avalans) Diyot Impatt veya avalan () diyotlar Gunn diyotlara gre daha gldrler ve alma gerilimi daha byktr. Mikrodalga sistemlerinin osilatr ve g katlarnda yararlanlr. 1958 'de Read (Rid) tarafndan gelitirilmitir.Bu nedenle Read diyodu da denir. ekilde grld gibi P+ - N - I - N+ veya N+ - P - I - P+ yapya sahiptir. Ters polarmal olarak alr. Yapmnda ana elemanlar olarak Slikon ve Galliyum arsenid (GaAs) kullanlr. Diyot ierisindeki P+ ve N+ tipi kristaller, ierisindeki katk maddeleri normal haldekinden ok daha fazla olan P,N kristalleridir.

105

"I" tabakas ise iyonlamann olmad bir blgedir. Tayclar buradan srklenerek geer ve etrafna enerji verirler.

ekil 63 7.4.7.3. Baritt (Schottky) Diyot Baritt Diyotlar 'da nokta temasl diyotlar gibi metal ve yar iletken kristalinin birletirilmesi ile elde edilmektedir. Ancak bunlar jonksiyon diyot tipindedir. Deme dzeyi (jonksiyon) direnci ok kk olduundan doru yn beslemesinde 0.25V 'ta dahi kolaylkla ve hzla iletim salamaktadr.Ters yne doru akan aznlk tayclar ok az olduundan ters yn akm kktr. Bu nedenle de grlt seviyeleri dk ve verimleri yksektir. Farkl iki ayr gruptaki elemandan olumas nedeniyle baritt diyotlarn direnleri (lineer) deildir. Direnlerin dzgn olmamas nedeniyle daha ok mikrodalga alclarnda kartrc olarak kullanlr. Ayrca, modlatr, demodlatr, detektr olarak ta yararlanlr. Ani Toplamal Diyot Ani toparlanmal (Step-Recovery) diyotlar varaktr diyotlarn daha da gelitirilmilerdir. Varaktr diyotlar ile frekanslarn iki ve kat bytlmeleri mmkn olabildii halde, ani toparlanmal diyotlar ile 4 ve daha fazla katlar elde edilebilmektedir.

106

7.4.7.4. Pin Diyot P-I-N diyotlar P+-I-N+ yapya sahip diyotlardr. P+ ve N+ blgelerinin katk maddesi oranlar yksek ve I blgesi byk direnlidir. Alak frekanslarda diyot bir P-N dorultucu gibi alr. Frekans ykseldike I blgesi de etkinliini gsterir. Yksek frekanslarda I blgesinin doru yndeki direnci kk ters yndeki direnci ise byktr. Diyotun direnci uygulama yerine gre iki limit arasnda srekli olarak veya kademeli olarak deitirilebilmektedir. P-I-N diyotlar deiken direnli eleman olarak, mikrodalga devrelerinde, zayflatc, faz kaydrc, modlatr, anahtar, limitr gibi eitli amalar iin kullanlmaktadr.

ekil 64 Byk Gl Diyotlar 2W 'n zerindeki diyotlar Byk Gl Diyotlar olarak tanmlanr. Bu tr diyotlar, byk deerli DC akma ihtiya duyulan galvano-plastik, ark kaynaklar gibi devrelere ait dorultucularda kullanlmaktadr. 1500-4000V aras ters gerilime ve 1000A 'e kadar doru akmna dayanabilen SLKON DYOTLAR retilebilmektedir.

107

ekilde 200A 'lik bir silikon diyot rnei verilmitir. Bu tr diyotlar ar akm nedeniyle fazla sndndan ekilde grld gibi soutuculara monte edilirler.

8. TRANSSTRLER Transistr nedir? Eklem Transistr yar iletken malzemeden yaplm elektronik devre elemandr. Her ne kadar diyotun yapsna benzese de almas ve fonksiyonlar diyottan ok farkldr. Transistr iki eklemli blgeli bir devre eleman olup iki ana eittir.

NPN PNP

108

ekil 65 Transistr aada belirtildii gibi deiik ekillerde tanmlanr: 1. Transistrn kolay anlalmas bakmndan tanm; Transistrn bir sandvie benzetilmesidir, yar iletken sandvii. 2. kinci bir tanm da yle yaplmaktadr; Transistr, iki elektrodu arasndaki direnci, nc elektroda uygulanan gerilim ile deien bir devre elemandr. 3. Transistrn en ok kullanlan tanm ise yledir; Transistr yan yana birletirilmi iki PN diyotundan oluan bir devre elemandr. Birleme srasna gre NPN veya PNP tipi transistr oluur. Transistrn balca eitleri unlardr:

Yzey birlemeli (Jonksiyon) transistr Nokta temasl transistr Unijonksiyon transistr Alan etkili transistr Foto transistr Tetrot (drt ulu) transistr Koaksiyal transistr

109

Transistrn kullanm alanlar: Transistr yapsal bakmdan, ykselte olarak alma zelliine sahip bir devre elemandr. Elektroniin her alannda kullanlmaktadr.

ekil 66 1. NPN ve PNP transistrlerin yapsal gsterilimi, 2. Transistr sembolleri Elektron Lambalar ilk defa 1906'da Dr. Lee de Forest tarafndan uygulama sahasna konulmutur. 1925'te Lilien Field ve 1938'de Hilsch ve Pohl tarafndan, lambalarn yerine geecek bir kat amplifikatr eleman bulma konusunda baarszlkla

110

sonulanan baz denemeler yaplmtr. almalarn amac, lambalarda olduu gibi katlarda da elektrostatik alan etkisi ile elektron akn salamakt. Daha sonralar bu almalar bugnk transistrlerin temelini tekil etmitir. 1931-1940 yllar kat maddeler elektronii hakknda daha ziyade teorik almalar devri olmutur. Bu sahada isimleri en ok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F. Seitz ve W. Schottky'dir. Yl 1948, Walter H. Brattain ve John Bardeen kristal redresr yapmak iin Bell laboratuarlarnda alyorlar. Esas olarak yaplan; eitli kristallere temas eden bir catwhisker in tek ynde iletken, dier ynde byk bir diren gstermesi ile ilgili bir almadr. Deneyler srasnda Germanyum kristalinin ters akma daha ok diren gsterdii ve daha iyi bir dorultma ilemi yapt gzlemlendi ve bylece germanyum redresrler ortaya kt. Brattain ve Bardeen Germanyum redresr ile yaptklar deneylerde, Germanyum kristali zerindeki serbest elektron younluunun, redresrn her iki yndeki karakteristiine olan tesirini incelediler ve bu srada, catwhisker'e yakn bir baka kontak daha yaparak deneylerini srdrdler. Bu srada ikinci whisker de akm iddetlenmesinin farkna vardlar ve elektronik tarihinin bir dnm noktasna tekabl eden transistr bylece kefedilmi oldu. Adn 'Transfer Resistor' yani tayc diren kelimesinden alan transistr'n gelitirilmesine daha sonra William Shockley de katld ve bu l 1956 yl Nobel fizik dnne layk grldler. lk yaplan transistrler 'Nokta Kontakl' transistrlerdi. Nokta kontakl transistrler iki whisker'li bir kristal diyottan ibarettir. Kristale 'Base', whiskerlerden birine 'Emitter' dierine de 'Collector' ad verilir. Bu transistrlerde N tipi Germanyum kristali base olarak kullanlmtr. Whiskerler fosforlu bronzdan yaplr, daha dorusu yaplrd, bu transistrler artk mzelerde veya eski amatrlerin nostaljik malzeme kutularnda bulunurlar.

111

Her iki whisker birbirine ok yakndr ve ular kvrk bir yay gibidir, bu kvrk yay gibi olmas nedeni ile kristale birka gramlk bir basn uygular ve bu sayede sabit dururlar.Yani yalnz temas vardr. Bu transistrlerin Ge kristalleri 0.5 mm kalnlnda ve 1 - 1.5 mm eninde paralardr. Whisker aras mesafe ise milimetrenin yzde 3' yzde 5'i kadardr. Bu ilk transistrler PNP tipinde idi, yani kristal N tipi Whiskerler P tipi idi. Daha sonralar 'Yzey Temasl' transistrler yapld. Bu transistrler PNP veya NPN olacak ekilde kristal paras birbirine yaptrlarak imal edildiler. Yzey temasl transistrlerin yaplmas ile silisyum transistrler piyasaya kt, daha sonralar transistrler kocaman bir aile oluturdular ve saylar olduka artt. Transistr'n daha nceleri kullanlan radyo lambalarna gre stnlkleri nelerdir?

Transistrler ok kktr ve ok az enerji isterler. Transistrler ok daha uzun alma mrne sahiptirler Transistrler her an almaya hazr durumdadr (lambalarn flaman gerilimi sorunu) alma voltajlar ok daha azdr. Pille bile alrlar. Lambalar gibi cam deildir krlmaz.

Peki ama bu lambann hi mi stnl yoktu. Olmaz olur mu? Lambalar vakumlu olduklar iin grlts yoktur. yine lambalar vakumlu olduklar iin yksek empedansldrlar. Fakat son zamanlarda Transistr ailesi ok gelitii iin lamba standartlarndan bile daha iyi transistrler yaplmtr. FET'ler bu kalitede olan bir transistr ailesidir. eitli Transistrler Transistrler esas olarak Bipolar transistrler ve Unipolar transistrler olarak iki ksma ayrlrlar. Bipolar transistrler de PNP ve NPN olarak iki tiptir.

112

PNP tipinde base negatif emitter ve collektor pozitif kristal yapsndadr. Bu transistrler emitter montajnda; emitter + collector - olarak polarize edilirler. Base emittere gre daha negatif olduunda transistr iletimdedir. NPN tipinde ise base pozitif, emitter ve collector negatif kristal yapsndadr. Emitter toprakl olarak kullanldnda, emitter negatif, collector pozitif olarak polarize edilirler. letimde olmas iin base, emittere gre daha pozitif olmaldr. Buradaki gerilim fark 0.1 volt veya daha fazla olmaldr. Piyasada pek ok tip bipolar transistr mevcuttur. Bunlarn kullanlmalar srasnda mutlaka bacak balantlarn ieren bir katalog kullanlmaldr; nk ayn klf yaps ieren iki transistrn bacak balantlar ayr olabilir. Bipolar transistrler genelde 2 ile balayan 2N 2SA. 2SB.. 2SC veya AC BD BUX. BUW MJ. ile balayan isimler alrlar. Son zamanlarda transistrlerin eidi ve says artt iin bir katalog kullanmak zorunludur. 2N3055 2SA1122 2SB791 2SC1395 AC128 BD135 BUX80 BUW44 MJ3001 gibi. A ile balayan transistrler Germanyum. B ile balayan transistrler Silisyum dur, keza diyotlar iin de bu geerlidir, ikinci harfin anlamlar yledir: A : Diyot C : Alak frekans transistr D : G transistr dr. F : Yksek frekans transistr Y : G Diyotu Z : Zener Diyot AC128, BC108, AF139, BF439, AD165, BD135, AA139, BY101 gibi.

113

Ayn klf iinde ift transistr varsa buna Darlington transistr ad verilir MJ3042 gibi. Baz Darlington transistrler klf iinde bir de diyot ihtiva ederler. Bir P tipi transistr push-pull olarak kullanldnda, karakteristikleri benzer olan bir N tipi transistrle beraber kullanlr, buna 'Complementary' tamamlayc transistr ad verilir. MJ 2955 ile 2N3055 gibi. Piyasada bulunan transistrler plastik veya metal klf iindedirler. En ok kullanlan klf ekilleri To-3 To-5 To- 12 To- 72 To- 92 To- 220'dir. 8.1. Npn ve Pnp Tipi Transistrler Yukarda belirtilen deiik ilevli btn transistrlerin esas Yzey Birlemeli transistr 'dr. Bu nedenle, yzey birlemeli transistrlerin incelenmesi, transistrlerin yaps, karakteristikleri ve alma prensipleri hakkndaki gerekli bilgileri verecektir. Trasistrler, temel yaps bakmndan aada gsterilmi oduu gibi; iki gruba ayrlr:

114

ekil 67 Yine her iki tip transistrn de N-P-N ve P-N-P blgeleri yle adlandrlr: 1. Emiter; "E" ile gsterilir. 2. Beyz; "B" ile gsterilir. 3. Kollektr; "C" ile gsterilir. Blgeler u zelliklere sahiptir: Emiter blgesi (Yayc): Akm tayclarn harekete balad blge. Beyz blgesi (Taban): Transistrn almasn etkileyen blge. Kollektr blgesi (Toplayc): Akm tayclarn topland blge. Bu blgelere irtibatlandrlan balant iletkenleri de, elektrot, ayak veya balant ucu olarak tanmlanr. Transistr yapsnda baz kalnlnn nemi: Akm tayclarnn Beyz blgesini kolayca geebilmesi iin, baz 'n mmkn olduunca ince yaplmas gerekir.

115

Npn ve Pnp Tipi Transistrlerin Polarlmas ve almas Transistrde Polarma Nedir? Transistrn asl grevi, deiik frekanslardaki AC iaretleri ykseltmektir. Transistrn bu grevi yerine getirebilmesi iin, nce Emiter, Beyz ve Collector n DC gerilim ile beslenmesi gerekir. Uygulanan bu DC gerilime Polarma Gerilimi denir. Transistrn polarlmas: Transistrn almasn salayacak ekilde, Emiter, Beyz ve Collector nn belirli deerdeki ve iaretteki (), DC gerilim ile beslenmesine transistrn polarlmas (kutuplandrlmas) denir. N Tipi Transistrn Polarlmas NPN transistr u iki diyodun yan yana gelmesi eklinde dnlr:

"NP" Emiter - Beyz diyotu "PN" Beyz - Collector diyotu

Bir NPN transistr altrabilmek iin, uygulanan polarma gerilimi iki ekilde tanmlanabilir: 1. Diyot blmlerine gre tanmlama;

Emiter - Beyz diyotu, doru polarlr. Beyz - Collector diyotu ise, ters polarlr.

2. Polarma geriliminin, Emiter, Beyz ve Collectorn kristal yapsna uygulandna gre;

Emiter ve Beyz 'e kristal yapsna uygun polarma gerilimi uygulanr. Collectore ise, kristal yapsnn tersi polarma gerilimi uygulanr.

116

Buna gre NPN tipi transistrde uygulanan polarma gerilim:

Emiter N tipi kristaldir : Kristal yapya uygun, negatif (-) gerilim. Beyz P tipi kristaldir : Kristal yapya uygun, pozitif (+) gerilim. Collector N tipi kristaldir : Kristal yapya ters, pozitif (+) gerilim.

ekil - Bir NPN transistrn polarlmas ve akm ynleri. a. b. Blgesel gsteriliindeki balant ekli. Sembolik gsteriliindeki balant ekli.

NOT: 1. ekilde grld gibi, beyz 'in polarma gerilimi ile ilgili tipik bir durum var. Beyz 'e VEB kaynann pozitif kutbu, VCB kaynann ise, negatif kutbu balanmtr. Bu durumda beyz polarma gerilimi ne olacaktr? Yukarda belirtildi gibi, Emiter-Beyz diyotu iletimde, olduu iin, VEB kaynann pozitif kutbu etken olacaktr. Yani Beyz 'in polarma gerilimi, pozitiftir. PNP transistr iin de benzer ekilde dnlr. 2. Transistrn gerek polarma konusu, gerekse de alma prensibi aklanrken, anlatm kolayl bakmndan iki DC besleme kayna kullanlmaktadr.

117

Uygulamada ise, tek besleme kayna kullanlmaktadr. 8.2. Npn Transistrn almas Yukarda tanmlanm olduu gibi polarma gerilimi uygulanm olan bir NPN transistrde aadaki gelimeler olur. 1. N Blgesindeki Gelimeler Aadaki ekilden takip edilirse; Emiter ve collector oluturan N blgesindeki, ounluk tayclar, elektronlar u ekilde etkilenir;

VCB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisinde kalan, gerek emiter, gerekse de collector blgesi elektronlar VCB kaynana doru akar. Bu ak IC collector akmn yaratr.

Ayn anda VEB kaynann negatif kutbundan ayrlan elektronlar da emitere geer. Bu gei IE emiter akmn yaratr.

P blgesinden geemekte olan elektronlardan bir miktar da VEB besleme kaynann pozitif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle VEB 'ye doru akar. Bu ak IB beyz akmn yaratr.

Son olarak da VCB 'nin negatif kutbundaki elektronlar, VEB 'nin pozitif kutbuna gei yaparak akm yolunu tamamlar. Bylece devrede bir akm doar.

118

ekil 68 2. P Blgesindeki Gelimeler NPN transistrde beyz P tipi kristaldir. P tipi kristaldeki "+" ykler (oyuklar) u ekilde aktif rol oynamaktadr:

P tipi kristaldeki katk maddesi atomlarnn d yrngesinde elektron var. Bir elektronu katk maddesi atomlarna veren Ge ve Si atomlar, pozitif elektrik yk (oyuk) haline gelir ve bunlar ounluktadr.

119

ekilde grld gibi VEB besleme kaynann pozitif (+) kutbunun itme kuvveti etkisi ve negatif kutbunun da ekme kuvveti etkisiyle, beyzden emitere doru bir pozitif elektrik yk (oyuk) hareketi balar. Dier bir ifadeyle, emiterden beyz 'e doru elektron hareketi balar.

Yine collectorde. Aznlk tayclar durumunda olan ok az saydaki "+" ykler (oyuklar), VCB kaynann pozitif kutbunun itme kuvveti ve negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle ekilde grld gibi beyz elektrotuna doru hareket eder. Bylece ok kk bir akm doar. Bu akm, beyz collector diyotunun ters yn (kaak) akm olup ihmal edilebilecek kadar kktr.

ZETLE: Yukarda aklanan hususlarn sonucu olarak, aadaki ekilde zellii olan elektrik ykleri gsterilmek suretiyle zet bir grnt verilmitir. 1. ekilde byk ok ile gsterilmi olduu gibi, emiter ve collector blgesindeki elektronlarn byk blm collector elektrotuna doru ve kk bir blm de yalnzca emiterden beyz elektrotuna doru akmaktadr. Elektron ak d devrede de devam eder. Bu ak IE, IB ve IC akmlarn yaratr. IE = IB + IC 'dir. Bu bant her eit devre kuruluunda ve her transistr iin geerlidir. Ancak IB akm IC akm yannda ok kk kaldndan (IB=0.02 IC), pratik hesaplamalarda IB ihmal edilir. IE = IC olarak alnr. 2. Katk maddelerine ait, "+" ve "-" iyonlarn bir etkinlii olmadndan daire ierisine alnmtr 3. Serbest elektronlarn ok hzl hareket etmesi nedeniyle NPN transistrdeki akm iletimide hzl olmaktadr. Bu nedenle NPN transistrler yksek frekanslarda almaya daha uygundur.

120

4. Ayrca, bir NPN transistrn, ters ynde bal iki NP ve PN diyot eklinde dnlebilecei de gsterilmitir. Bylece, ters bal iki diyot devresinden akmn nasl akt da kendiliinden aklanm olmaktadr.

ekil 69 Pnp Tipi Transistrn Polarlmas PNP transistrn, NPN transistre gre, yapmnda olduu gibi, polarma geriliminde de terslik vardr. Aadaki ekilde bir PNP transistre polarma geriliminin uygulan gsterilmitir. ekilden de anlald gibi, PNP transistrde de, NPN 'de olduu gibi polarma geriliminin ynleri iki ekilde tanmlanr:

121

1 - Diyot blmlerine gre tanmlama

Emiter - Beyz diyotu, doru polarlr. Collector - Beyz diyotu, ters polarlr.

2 - Polarma geriliminin kristal yapya uygunluuna gre tanmlama:

Emiter P tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, pozitif (+) gerilim uygulanr. Beyz N tipi kristaldir: Kristal yapsna uygun, negatif (-) gerilim uygulanr. Collector P tipi kristaldir: Kristal yapsna ters, negatif (-) gerilim uygulanr.

Polarma durumuna gre devreden akan akmlarn yn de ekilde gsterilmi olduu gibidir. Daima IE = IB + IC 'dir.

ekil 70 8.3. Pnp Transistrn almas PNP transistrde, NPN transistrdeki elektron yerine, pozitif elektrik ykleri (oyuklar), ve pozitif elektrik ykleri yerine de elektronlar gemektedir.

122

Bu durumda, aadaki ekilden de anlalaca gibi, PNP transistrdeki akm iletimi pozitif elektrik ykleri ile aklanmaktadr. ekilden takip edilirse PNP transistrn almas u ekilde olmaktadr:

VEB besleme kaynann pozitif kutbunun itme, negatif kutbunun ekme kuvveti etkisiyle, emiterdeki pozitif elektrik ykleri (oyuklar) atomdan atoma yer deitirerek bayze doru akar.

Bu hareketlenme srasnda pozitif elektrik ykleri (oyuklar) collectore bal VCB besleme kaynann negatif kutbunun ekme kuvveti etkisi altnda kalr. VCB gerilimi VEB 'ye gre daima daha byk seildiinden; pozitif elektrik yklerinin (oyuklarn) %98 - %99 gibi byk bir blm collector elektrotuna doru, %1 - %2 gibi kk bir blm de beyz elektrotuna doru akm iletimi salar.

123

ekil 71 Bu arada, bir miktar pozitif elektrik yk de, beyzdeki serbest elektronlar ile birleerek ntr hale gelir.

Ayn zamanda collector blgesindeki aznlk tayclar durumunda bulunan az saydaki elektronlar da VCB 'nin etkisiyle beyz elektrotuna doru hareket eder. Bu hareket, ters yn (kaak) akmn yaratr.

D devredeki gelimeler: ekilde gsterildii gibi, emiterden VEB besleme kaynann "+" kutbuna ve oradan da beyz'e ve VCB besleme kaynann zerinden collectore, elektron ak balar. Kat zerinde gsterilen akm yn de, yine ekildeki gibi, besleme kaynann "+" kutbundan "-" kutbuna doru olmaktadr.

124

ZETLE: Bir PNP transistrdeki akm iletimi, aadaki ekilde gsterildii gibi, pozitif elektrik ykleri (oyuklar) ile salanmaktadr. ekilde ayrca transistr oluturan iki diyotun sembolik balants da gsterilmitir...

ekil 72 8.4. Akm ve Gerilim Ynleri Akm Ynleri NPN Transistrde akm ynleri:

125

1. Emiterde; Transistrden d devreye doru, yani emiterdeki ok ynndedir. 2. Beyz ve Collectorde; D devreden transistre dorudur. PNP Transistrde akm ynleri: 1. Emiterde; D devreden transistre dorudur, yani okun gsterdii yndedir. 2. Beyz ve Collectorde; Transistrden d devreye dorudur. Gerilim Ynleri: Burada gerilim ynnden ama, polarma geriliminin "+" veya "-" oluudur. NPN Transistrde gerilim ynleri: 1. Emitere: Negatif (-) gerilim uygulanr. 2. Beyze: Pozitif (+) gerilim uygulanr. 3. Collectore: Pozitif (+) gerilim uygulanr. PNP Transistrde gerilim ynleri: 1. Emitere: Pozitif (+) gerilim uygulanr. 2. Beyze: Negatif (-) gerilim uygulanr. 3. Collectore: Negatif (-) gerilim uygulanr. NOT: Uluslararas kabule gre, bir iletkendeki elektron ak yn ile akm yn birbirine gre terstir. Uluslararas elektroteknik kuruluu (IEC) tarafndan yaplan kabule gre; Elektrik ve Elektronik devrelerindeki AKIM YN, besleme kaynann pozitif kutbundan (+), Negatif kutbuna (-) doru olan yndr. Diyot sembollerindeki ve transistrlerin emiterindeki akm ynn gsteren oklar da "+" dan "-" ye dorudur. Elektron yn sadece teorik aklamalar srasnda gsterilmektedir. Kirchoff kanununa gre , yaplan devre hesaplamalarnda "+" ve "-" akm ynlerinin gsterilmesi gerekebilir.

126

Bura da, besleme kaynann pozitif kutbundan negatif kutbuna doru olan yn, "+" akm yn, bunun tersi olan yn ise "-" akm yn olarak gsterilir. Transistrlerin Multimetre le Salamlk Kontrol Transistrlerin ayrntl kontrol transistrmetrelerle yaplr. Transistrmetreler daha ok labaratuvarlarda kullanlr. Bir transistrn en kolay kontrol ekli multimetre ile yaplr, Ancak, bu halde transistre herhangi bir zarar verilmemesi iin multimetrenin iinde bulunan pilin 1.5V 'dan byk olmamasna veya devreden akacak akmn 1 mA 'den fazla olmamasna dikkat edilmelidir. " Transistr devrede iken lm yaplmaz." ekilde PNP ve NPN tipi transistrlerin multimetre ile kontrol srasnda ularn tutulu ekilleri gsterilmitir. Tabloda ise, yaplacak kontroln esaslar ve multimetrede aa yukar okunmas gereken deerler verilmitir. Tabloya uygun olarak yaplan kontrollerede, direncin byk okunmas gerekirken kk okunuyorsa veya kk olmas gerekirken byk deerlerle karlayorsanz transistr bozuk demektir. lmelerde, multimetrenin ierisindeki pil vastas ile byk direnlerin okunmas srasnda ters polarma, kk direnlerin okunmas srasnda doru polarma uygulamas yaplmaktadr. 1.5V 'luk multimetre ile yaplan kontrol srasnda transistrden akacak akm ksa bir mddet iin 1mA 'i gemeyeceinden, gnlk hayata girmi transistrlerde herhangi bir bozuklua yol amayacaktr. Fakat, yaylm yoluyla yaplan alam transistrleri gibi hassas transistrlerin kontrol srasnda, emniyet tedbiri olarak VCE collector geriliminin sfrdan balayarak gerekli gerilime kadar ayarlanmas tavsiye edilmektedir. Bu bakmdan byle transistrlerin transistrmetre ile kontrol uygun olmaktadr veya 100-200 ohm 'luk seri diren kullanlr.

127

128

8.5. Transistrlerde Ykseltme leminin Gerekletirilmesi Transistrler yaps gerei, akm ykseltme zelliine sahiptir. Uygun, bir devre dizaynyla gerilim ve g ykseltmesi de yapar. Tabi bu ilemlerde de asl olan akmdr. Bu nedenle, nce akmn nasl ykseltildiinin bilinmesi gerekir..... Transistr ykseltme ilemi nasl yaplmaktadr? rnek olarak aada grld gibi bir NPN tipi transistr alnmtr. Transistrn alabilmesi iin elektrotlarna, u gerilimler uygulanyor: Emiter: (-)gerilim, Beyz: (+)gerilim, Collectore: (+)gerilim.

ekil 73 a) Jonksiyonel balant devresi b) Sembolik balant devresi ekilde, emiter ucu giri ve k devrelerinde ortak olduu iin, bu ykselte "Emiteri ortak balantl ykselte" olarak tanmlanr. En ok kullanlan ykselte eklidir.

129

Transistrn bu ekilde knda bir yk direnci bulunmadan altrlmasna ksa devrede alma denmektedir. Ykseltme leminin Salanmas 1. Transistr ierisinde emiterden beyz ve collectre doru bir elektron ak vardr.. 2. Elektronlarn kk bir ksm da VBE kaynann oluturduu giri devresi zerinden, byk bir ksmda VCE kaynann oluturduu k devresi zerinden devresini tamamlar... 3. Giri ve kta dolaan elektronlarn miktar, transistrn byklne bal olduu gibi, VBE ve VCE kaynak gerilimlerinin byklne de baldr. 4. Emiterdeki elektronlar harekete geirmek iin "Silisyum" transistrde en az 0.6V, "Germanyum" transistrde ise 0.2V olmas gerekir. 5. Elektronlar ekebilmesi iin VCE gerilimi VBE 'ye gre olduka byk seilir. 6. Giri devresinden dolaan elektronlar "IB" beyz akmn, k devresinden dolaan elektronlarda "IC" collectr akmn oluturur. 7. Buradaki IB ve IC akmlar DC akmlardr... Eer girie AC gerilim uygulanrsa, ve IC 'de AC olarak deiir. 8. IB ve IC akmlar devrelerini tamamlarken emiter elektronu zerinde birletiinden Ie akm, IB ve IC 'nin toplam olur............ Her zaman geerli kural: IE = IB + IC Sonuta: IB akm giri akm, IC akm da k akm olarak deerlendirilirse, IB gibi kk deerli bir akmdan, IC gibi byk deerli bir akma ulalmaktadr......... Bu olay "Transistrn akm ykselteci olarak altn

130

gstermektedir." Emiteri ortak balantda akm kazanc forml: = IC/IB 'dir...Beta:() IB ve Ic akmlar deise de, (Beta) akm kazanc sabit kalmaktadr. Akm kazanc nasl oluyor da sabit kalyor? VBE gerilimi bytldnde; iki aamal u gelimeler olmaktadr: 1. Emiter - Beyz diyodu daha byk bir gerilim ile polarlm olduundan, daha ok elektron harekete geer. Bu elektronlarn, Beyz girii zerinden devre tamamlayan miktar da artacandan IB akm byr. 2. Dier taraftan, byk hareketlilik kazanan emiter elektronlar, mevcut olan VCE ekme kuvveti etkisiyle beyz 'i daha ok sayda geerek collectore ular. Bylece daha byk IC akm oluur. IB ve IC deki art ayn oranda olmaktadr. Dolaysyla da, =IC/IB deeri sabit kalmaktadr. VBE kltldnde de IB ve IC ayn oranda kldnden, (Beta) yine sabit kalr. Grld gibi, gerek IB, gerekse de IC akmnn byyp klmesinde yalnzca VBE giri gerilimi etkin olmaktadr... VCE besleme kaynann akm kazancna etkisi nedir? VCE gerilimi bytldnde, devreden akan elektron miktarnda, dier bir deyimle IC akmnda, nemli bir art olmamaktadr.

131

Nedeni; VCE gerilimi, esas olarak, VBE geriliminin emiterde hareketlendirdii elektronlar ekmektedir. Emiterde ne kadar ok elektron hareketlenmise, VCE 'de o kadar ok elektron ekmektedir. Bunlara collectordeki belirli saydaki elektronlarda eklenmektedir. Ancak, collectorde daha az katk maddesi kullanldndan aa kan elektron says da daha azdr. Bunlarda IC akmn fazla etkileyememektedir. VCE 'nin bytlmesi, ekilen elektron saysn ok az artrabilmektedir. Ancak, VCE 'nin, transistr katalogunda verilen deeri de gememesi gerekir. VCE 'nin belirli bir deeri gemesi halinde, ters polarmal durumunda olan, Beyzcollector diyotu delineceinden, transistr yanar. Transistrn, IC, VCE ve RCE le lgili Tanm: Bu tanmlama, IC, VCE ve RCE arasndaki banty aklayan, dier bir deyimle, transistrn ykseltici srrn ortaya koyan bir tanmlamadr. Transistr, iki elektrodu arasndaki direnci, nc elektroduna uygulanan gerilim ile deitirilebilen elektrotlu bir devre elemandr. yleki; Ohm kanununa gre, k devresinde u bant yazlabilecektir: VCE=IC*RCE VCE belirli bir deer de sabit tutulduu halde, VBE ve dolaysyla da IB deiince IC 'de deitiinden, yukardaki bantya gre, RCE direnci de deiir. Burada: Transistrn iki elektrodu arasndaki diren: RCE 'dir. nc elektroda uygulanan gerilim ise: VBE 'dir.

132

Teorik hesaplamalarda: IC maksimum deerine ulanca, RCE=0 olduu kabul edilir. RCE=0 olunca, VCE 'de "0" olur. Benzer durum giri direncinde de olmaktadr: Diyot karakteristik erisinden de bilindii gibi, VBE 'nin biraz bytlmesi halinde IB akm ok abuk bymektedir. Buradan u sonu kmaktadr: VBE giri gerilimi bytlnce; RBE giri direnci klr. zet olarak: Giri gerilimi bydke, hem giri direnci hem de k direnci klr. 8.6. Akm Kazancnn Bulunmas Akm kazanc, ykselte olarak almakta olan bir transistrn, kndaki akmn giriindeki akma orandr. ekilde grld gibi, ykseltelerin balant ekli vardr. Bu balant ekillerindeki akm kazanlar yle ifade edilir:

133

ekil 74 Akm Kazanlarnn Dntrlmesi Her balant eklinde de akmlar arasnda u balant vardr: IE=IC+IB veya IC=IE-IB Bu balant ile yukardaki bantlardan yararlanlarak, , , birbirlerine dntrlr.

'nn cinsinden yazlmas: = /+1 olur...

1/ = IE/IC = IC+IB/IC = 1+IB/IC = 1+1/ 'dan

'nn cinsinden yazlmas: olur...

Yukardaki ", " bantsndan, = /1-

134

'nn cinsinden yazlmas: = -1/ olur...

= IC/IE = IE-IB/IE = 1-IB/IE = 1-1/ = -1/ 'dan

'nn cinsinden yazlmas: = 1/1- olur...

Yukardaki ", " bantsndan,

'nn cinsinden yazlmas: = -1 olur...

= IC/IB = IE-IB/IB = IE/IB-1 = -1 'den

'nn cinsinden yazlmas: = +1 olur...

Yukardaki ", " bantsndan

zet bir tablo yaplrsa dnmler yle sralanr:

8.7. Transistrn Drt Blge Karakteristii Drt blge karakteristiklerinde, DC 'de ve yksz olarak altrlan transistrn giri ve k akmlar ile gerilimleri arasndaki bantlara ait karakteristik erileri hep birlikte grntlenir. Drt blge karakteristik erilerinden yararlanlarak u statik karakteristik deerleri hesaplanabilmektedir. 1. Giri direnci 2. k direnci 3. Akm kazanc 4. Giri-k gerilim (zt reaksiyon) bants Bunlar transistrn yapsyla ilgili karakteristik deerlerdir. Drt blge karakteristii, transistr knda yk direnci yokken karldndan bunlara ksa devre karakteristikleri de denir.

135

Transistrn "Beyzi" , "Emiteri" ve "Collectoru" ortak balantl haldeki ksa devre karakteristikleri ile, ykte alma srasnda konu edilen yk dorusu ayrca "Temel ykselte devreleri" blmnde daha detayl anlatlmtr. Burada, n bilgi olarak, emiteri ortak ykseltece ait rnek verilecektir.. Drt Blge Karakteristik Erisinin Blgeleri: ekilden takip edilirse; emiteri ortak ykseltece ait drt blge karakteristik erisi, u blgelerden olumaktadr. 1. Blge Karakteristik Erisi (VCE - IC): VCE k gerilimindeki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. RC=VCE/IC bants ile k direncini belirler. 2. Blge Karakteristik Erisi (IB - IC): IB giri akmndaki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. =IC/IB bants ile Akm kazancn belirler. 3. Blge Karakteristik Erisi (VBE - IB): VBE giri gerilimindeki deiime gre, IB giri akmndaki deiimi gsterir. Rg=VBE/IB bants ile Giri direncini belirler. Blge Karakteristik Erisi (VBE- VCE): "VBE - VCE" bants VBE giri gerilimindeki deiime gre, VCE k gerilimindeki deiim miktarn gsterir. Bu deiim, gerilim transfer oran olarak tanmlanr. Aslnda bu iki gerilimin biri biri zerinde nemli bir etkisi bulunmamaktadr. Bu bilgiler daha ok teorik almalar iin gereklidir

136

ekil 75 8.8. Transistrn Anahtarlama Eleman Olarak altrlmas Sayclar (counters), bilgisayarlar (computers), ateleme devreleri (trigger circuit) gibi, bir ksm devrenin ok hzl almas (on) ve skunete gemesi (off) gerekebilir. Bu gibi hallerde ok hassas bir anahtarlama yaplmas gerekir. Bu devrelerde, transistrden anahtar olarak yararlanlmaktadr. Transistr ile nano saniye 'lik yani 10-9 saniyelik (sn) bir alma hz salanmaktadr. Transistrden, iki ekilde anahtar olarak yararlanlabilmektedir.

137

Normal almada Doyma halindeki almada Transistrn doyma halinde almas, ksa bir an iin, tayabilecei maksimum akmda grev yapmas demektir. Transistrn Normal almada Anahtar Grevi Yapmas ekilde bir NPN transistrn anahtar olarak almasn gsteren iki devre verilmitir. Bu devreler, 6 Volt 'luk besleme kaynakl ve emiteri ortak balantl, lamba yakan bir transistrden olumaktadr.

ekil 76 ekil (a) 'da ki devre: IB akmnn deimesi yoluyla altrlan bir devredir: R reostas ile IB akmnn ayar yaplmaktadr. R direnci yeterince kltlp IB akm yeterince byltldnde, IC akm lambay yakacak seviyeye ulaacaktr.

138

ekil (b) de ki devre: VBE gerilimini kontrol etmek suretiyle altrlan bir devredir. VBE gerilimi, S reostas zerindeki gerilim dm ile salamaktadr. "S" reostas, "0" 'dan yani en st noktadan balatlarak, yava yava bytldnde, beyz-emiter arasna uygulanan gerilimde byr. Bu gerilim, rnein, silikon transistrde 0.6V 'u geince transistr iletime geer ve lamba yanar. Bu alma eklinde, transistr kesikli alan bir ykselte olarak grev yapmtr. Transistrn gerek anlamda anahtar olarak almas, doyma halindeki almadr... 8.9. Transistrn Ykselte Olarak altrlmas Ykselte olarak altrlan bir transistrden, u ilemin gerekletirilmesinde yararlanlr: 1. Akm kazancn salamak 2. Gerilim kazancn salamak 3. G kazancn salamak Buradaki kazancn anlam: Transistr giriine verilen akm, gerilim veya gcn ktan daha byk deerlerde elde edilmesidir. Bunu salamak iin de belirli devrelerin oluturulmas gerekir. Kazancn saysal deerinin bulunmas da, ktaki akm, gerilim ve g deerlerinin, giriteki akm, gerilim ve g deerlerine oranlanmas suretiyle elde edilir. Karakteristik erileri, transistrn reticileri tarafndan hazrlanan tantm kitaplarnda (katalog) verilir. Transistr, hem DC hem de AC ykselte olarak alabilir. Bu nedenle, transistr gerei gibi inceleyebilmek iin, ayr ayr DC ve AC 'deki alma hallerinin incelenmesi gerekir.

139

DC almada giriteki ve ktaki akm ve gerilim deerleri arasndaki bantlara Statik Karakteristikleri, AC almadaki akm ve gerilim bantlarna da Dinamik Karakteristikleri denir. Transistr ykselte olarak u bant eklinde altrlabilmektedir. 1. Emiteri ortak balantl ykselte 2. Beyzi ortak balantl ykselte 3. Kollektr ortak balantl ykselte Ortak balant deyimi, girite ve kta ortak olan u (elektrot) anlamnda kullanlmtr. 8.10. Transistrn DC Ykselte Olarak altrlmas ekilde Emiteri ortak balantl bir DC ykselte devresi verilmitir. Bu ykselte devresi ile transistrn statik karakteristikleri incelenmektedir. Statik karakteristikleri incelerken yukarda da belirtildii gibi giri ve ktaki DC akm ve gerilim deerlerinden yararlanlr.

ekil 77

140

Giriteki akm ve gerilimdeki deimeler girie seri balanan mikro ampermetre (A) ve paralel balanan kk deerler lebilen voltmetre (mV) ve ktaki deimeler de, ka balanan mili Ampermetre ve normal bir Voltmetre ile llr. ekle dikkat edilirse, transistr knda baka bir eleman bulunmakszn yaplan DC lmlerdir. Uygulanan bu tr lme yntemi ile hesaplanan statik karakteristik deerlerine ve izilen erilere Ksa devre Karakteristikleri 'de denir. ekildeki l aletleri ile, u deerler llmektedir: Girie ait: Beyz akm, IB Beyz - Emiter aras gerilim, VBE ka ait: Kollektr akm, IC Kollektr - Emiter aras gerilim, VCE llen bu deerler ile u karakteristik deerler hesaplanmaktadr:

Akm kazanc: K() = IC/IB Giri direnci: Rg = VBE/IB k direnci: R = VCE/IC Eim: S = IC/VBE Transfer oran: = VBE/VCE (%0,01-0,001) dir.

Buradan ilk l, "K, Rg ve R" her transistr iin, her devrede bilinmesi gereken karakteristik deerlerdir. Son iki "S ve " deerleri ise transistr zerinde daha derinlemesine alma yaplmas gerektiinde, ihtiya duyulan deerlerdir. Yukardaki karakteristik deerler, drt blge karakteristik erisinden yararlanlarak da hesaplanabilmektedir. 1. Blge karakteristik erisi: (VCE,IC)

141

2. Blge karakteristik erisi: (IB,IC) 3. Blge karakteristik erisi: (VBE,IB) 4. Blge karakteristik erisi: (VBE,VCE) Bu karakteristik erilerinin deiik noktalarndaki, kk deiim () deerleri ile yaplacak olan hesaplamalar, K, Rg ve R deerleri, hakknda daha doru bilgi verir. yle ki; K() = IC/IB bants, karakteristik erisi dorusal olduundan her noktada ayn deeri verir. Rg = VBE/IB bants, erisel olan karakteristik erisinin farkl noktalarnda farkl deerler verir, en iyi noktay semek gerekir. Karakteristik erisinden de anlalmaktadr ki, IB beyz akm bydke transistrn Rg giri direnci klmektedir. R = RCE = VCE/IC bants da, IC bydke daha kk R verir. Grlmektedir ki, DC ykselte devresinde llen deerler ile elde edilen sonular, transistr hakknda nemli bilgi vermektedir. Transistrn Gerilim ve G Kazanlarn Bulmak in: Aadaki ekilde grld gibi, giri devresine paralel olarak bir RB direnci, k devresine de yine paralel bir RL yk direnci balanr. Bunlarn zerinde oluan gerilim dmlerinin ve sarf olan glerin oran gerilim ve g kazancn verir. Gerilim kazanc: KV = VRL/VRB G kazanc: KP = PRL/PRB = IC.VRL/IB.VRB = .KV Grld gibi g kazanc ile gerilim kazancnn arpmna eit olmaktadr.

142

ekil 77 8.11. Transistrn AC Ykselte Olarak altrlmas Transistr ekilde grld gibi giriine, AC iaret gerilimi uygulandnda da AC ykselte olarak alr. AC ykselteler de iki ana gruba ayrlr: 1. Ses frekans ykselteleri 2. Yksek frekans (Radyo frekans) ykselteleri Yksek frekans ykselteleri zel yapl ykseltelerdir. AC ykselte olarak inceleme konusu, gnlk hayatta daha ok karlalan ses frekans ykselteleridir. AC iaret gerilimi, genelde sinzoidal olarak deien bir gerilim olarak dnlr. Bu gerilim, giriteki ve ktaki DC polarma gerilimini byltp klterek sinzoidal olarak deimesini salar. AC almada, yalnzca AC deerler nemli olduundan, giri ve kta ampermetre ve voltmetre olarak AC l aletleri kullanlr.

143

AC l aletleri efektif deer ltnden, gerekli hesaplamalarda efektif deerler ile yaplr. rnein: Akm kazanc: KAC(AC) = ICef/IBef Gerilim kazanc: KVAC = VCEef/VBEef = (ICef/IBef).(RL/RB) = AC.RL/RB G kazanc: KPAC = AC.KVAC eklinde ifade edilirler.

Alak frekans (ses frekans) ykseltelerinde: DC = AC olarak aln. Giri ve k direnleri de DC ve AC 'de ayn zelliklere sahiptir. NOT: Yukarda verilmi olan devreler deney ve bilgi edinme devreleri olduu iin, anlatm kolayl bakmndan iki besleme kayna kullanlmtr. Uygulamada ise tek besleme kayna kullanlr. 8.12. Transistrn alma Kararlln Etkileyen Faktrler Bir transistre kararl bir alma yaptrabilmek iin, ncelikle karakteristik deerlerine uygun bir devre dzeni kurmak gerekir. Bunu iinde, daha nceden de belirtilmi olduu gibi, katalog deerlerine ve karakteristik erilerinde verilen bilgilere uyulmaldr. Transistrn kararl almasn etkileyen faktrler: 1. Scaklk Ar snan transistrn alma dengesi bozulur, gc der. Daha da ok snrsa yanar. Isnan transistrlerde elektron says anormal artacaktr. Bu art nedeniylede belirli giri deerleri iin alnmas gereken k deerleri deiir.Buda kararl almay nler. Daha ok snma halinde ise kristal yap bozulur. Bu durumda transistrn yanmasna neden olur. Isnma transistrn kendi

144

almasndan kaynakland gibi, scak bir ortamda bulunmasndan dolay da olabilir. 2. Frekans Her transistr, her frekansta almaz. Bu konuda ine katalog bilgilere bakmak gerekir. rnein: NPN transistrler, PNP transistrlere gre yksek frekanslarda almaya daha uygundur. Nedeni de NPN transistrlerde elektrik yk tayclar ELEKTRONLAR dr.PNP transistrlerde ise tayclar pozitif elektrik ykleridir. Elektronlar, pozitif elektrik yklerine gre ok daha hzl ve serbest hareket edebildiklerinden, yksek frekanslar iin NPN transistrler daha uygundur. 3. Limitsel Karakteristik Deerleri Her transistrn ayr alma deerleri vardr. Bu alma deerlerinden bazlarnn kesinlikle almamas gerekir. Bunlara, "Limitsel Karakteristik" denir. Limitsel Karakteristik Deerleri yle Sralanr:
o o o o o

Maksimum kollektr gerilimi Maksimum kollektr akm Maksimum dayanma gc Maksimum kollektr - beyz jonksiyon scakl Maksimum alma (kesim) frekans.

Limitsel deerler gerek birbirlerine, gerekse de giri deerlerine baldr.Yukarda sralanan maksimum deerlerin ne olmasnn gerektii transistr kataloglarndan ve karakteristik erilerinden saptanr. 4. Polarma Yn Polarma gerilimini uygularken, ters polarma balants yapmamaya zellikle dikkat edilmelidir. Byle bir durumda, transistr almayaca gibi, normalden fazla uygulanacak olan ters polarma gerilimleri jonksiyon diyotlarnn delinmesine, yani kristal yapnn bozulmasna neden olacaktr.

145

5. Ar Toz ve Kirlenme Transistrlerin toza kar ve zelliklede metalik ilemlerin yapld ortamlarda ok iyi korunmas gerekir.. Ar toz ve kirlenme elektrotlar aras yaltkanl zayflatacandan kaak akmlarn artmasna neden olacaktr. Bu da transistrn kararl almasn engelleyecektir. Eer metal ve karbon (kmr) tozlaryla kark bir tozlanma varsa, transistr elektrotlarnn ksa devre olma ihtimalide mevcuttur. Tozlu ortamda altrlmas zorunlu olan transistrlerin ve btn elektronik devrelerin toza kar iyi korunmalar ve zaman zaman devrenin enerjisi kesilmek suretiyle, yumuak bir fra ve aspiratr tozlarn temizlenmesi gerekir. Tozlarn temizlenmesi srasnda, elektrik sprgesiyle fleyerek temizlik kesinlikle yaplmamaldr. Zira bu durumda yapkan tozlar daha da ok yapp kirlilii arttraca gibi, buradan kalkan tozlar dier cihaz ve devrelere konacandan baka devrelerinde tozlanmasna neden olacaktr. 6. Nem Transistrler ve btn elektronik devreler, neme karda ok iyi korunmaldr. Gerek su buhar, gerekse de baz ya ve boya buharlar, dorudan kendileri elektrotlar arasnda ksa devre yapabilecei gibi, tozlarnda yapp younlamasna neden olacandan, cihazlarn kararl almasn engelleyecektir. 7. Sarsnt Sarsntl ortamda kullanlan cihazlarda, daima balantlarn kopmas ihtimali vardr. Ar sarsnt i gerilmeleri de arttracandan kristal yapnn bozulmas da mmkndr. Sarsntl ortamlarda altrlacak cihazlara reticiler tarafndan zel sarsnt testi uygulanr. Bu gibi altrmalarda, reticisinden sarsnt testleri hakknda bilgi almak gerekir 8. Elektriksel ve Magnetik Alan Etkisi Gerek elektriksel alan, gerekse de magnetik alan serbest elektronlarn artmasna ve onlarn ynlerinin sapmasna neden olur. Bu da kararl

146

almay nler. Bu gibi ortamlarda kullanlacak cihazlar faraday kafesiyle ve anti magnetik koruyucularla korunmaldr. 9. In Etkisi Rntgen nlar, Lazer ve benzeri ok yksek frekansl nlarda kararl almay etkiler. Bu gibi yerlerde kullanlacak cihazlarda zel koruma altna alnmaldr. 10. Kt Lehim (Souk Lehim) Transistrn ve btn elektronik devre elemanlarnn ok ustaca lehimlenmesi gerekir. Souk lehim olduu taktirde, dardan bakldnda lehimliymi gibi grnmesine ramen, elektriksel iletimin iyi olmamasna neden olacandan btn bir sistemin kararl almasn engelleyecektir. Bu tr arzalarn bulunmas da ok zordur. Ayrca ar stlarak lehim yaplmas da devre elemanlarn bozar. Belirli bir lehim pratii olmayanlarn, transistr ve benzeri elektronik devre elemanlarnn lehimini yapmamas gerekir. 8.13. Transistrlerin Katalog Bilgileri Bir transistr hakknda bilgi edinmek gerektiinde zerindeki ve katalogdaki bilgilerden yararlanlr. Daha geni bilgi iinde, retici firmadan yaynlanan tantm kitabna baklr. Transistr zerindeki Harf ve Rakamlarn Okunmas Transistr zerinde genellikle u bilgiler bulunur:

retici firmann ad ve sembol, Kod numaras: (2N 2100 vb...). Transistr bu numara ile tantlr. Ayak balantlar (E,B,C) veya iareti. Kk transistrlerin genellikle kollektr veya emiter tarafnda bir nokta veya trnak bulunur.

147

Katalog Kullanm ve Karlklarnn Bulunmas Transistr tantc bir yaynda veya katalogda kk deiikliklerle u bilgiler bulunur: Kod no: AD 159, 2N 2100 gibi, Tipi: NPN veya PNP Tr: Si veya Ge, Akm kazanc: (hFE), Maksimum kollektr akm: (ICm), Maksimum dayanma gc: (PCm), Maksimum Kollektr - Emiter gerilimi: VCEm veya VCm, Maksimum Kollektr - Beyz gerilimi: VCBm veya VCm, Maksimum Emiter - Beyz gerilimi: VEBm, Maksimum alma (kesim) Frekans: fm, Maksimum Jonksiyon scakl: TJm, Yerine gre, bu bilgilere ek olarak unlarda verilir. Beyz ak iken Kollektr - Emiter aras kaak akm: ICE Emiter ak iken Kollektr - Beyaz aras kaak akm: ICB - ICO Termistrn karlklar Cinsi: Sesa, alam, yaylm transistr gibi vs.